JPS6325295A - 半導体エピタキシヤルウエハ - Google Patents
半導体エピタキシヤルウエハInfo
- Publication number
- JPS6325295A JPS6325295A JP16732386A JP16732386A JPS6325295A JP S6325295 A JPS6325295 A JP S6325295A JP 16732386 A JP16732386 A JP 16732386A JP 16732386 A JP16732386 A JP 16732386A JP S6325295 A JPS6325295 A JP S6325295A
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- JP
- Japan
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- wafer
- lattice
- epitaxial
- single crystal
- epitaxial wafer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はＳｉウェハ上への化合物結晶のエピタキシャル
成長に関するものである。
成長に関するものである。
［従来の技術］
Ｓｉ半導体単結晶ウェハ上へＧａＡｓ、Ｉ ｎＰ等の■
−Ｖ族化合物Ｃｄ−Ｔｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物の単結
晶をＭＯ−ＣＶＤ法やＭＢＥ法によりエピタキシャル成
長する方法が検討されている。
−Ｖ族化合物Ｃｄ−Ｔｅ等のＩＩ−Ｖｌ族化合物の単結
晶をＭＯ−ＣＶＤ法やＭＢＥ法によりエピタキシャル成
長する方法が検討されている。
この場合、両者の格子定数、熱膨張率の違いにより成長
層に大きな歪が残り、その残留応力により大面積ウェハ
に数〜数十μｍの厚さの成長を行うと、クラックが発生
し使用にたえない。
層に大きな歪が残り、その残留応力により大面積ウェハ
に数〜数十μｍの厚さの成長を行うと、クラックが発生
し使用にたえない。
現状ではきわめて小さなＳｉウェハ上にエピタキシャル
を行っているのが実状である。
を行っているのが実状である。
［発明の目的］
本発明の目的は、大サイズＳｉウェハ上に化合物半導体
材料を異種エピタキシャル成長させてもＳｉウェハにそ
り及びクラックを生ずることのないエピタキシャルウェ
ハを提供することにある。
材料を異種エピタキシャル成長させてもＳｉウェハにそ
り及びクラックを生ずることのないエピタキシャルウェ
ハを提供することにある。
〔発明の概要コ
異種エピタキシャル成長（Ｇ ａ Ａ ｓ ／ Ｓ ｔ
等）エピタキシャルウェハのそりをなくすため、エピ
タキシャル成長層の（１１０）方位に格子上のエピタキ
シャル非成長部もしくは他の部分より薄い成長層を作る
。これにより格子状の溝がエビタキシャル層に設けられ
、歪が緩和される。
等）エピタキシャルウェハのそりをなくすため、エピ
タキシャル成長層の（１１０）方位に格子上のエピタキ
シャル非成長部もしくは他の部分より薄い成長層を作る
。これにより格子状の溝がエビタキシャル層に設けられ
、歪が緩和される。
又、（１１０）方位に溝を作成しているため、素子チッ
プ作成時のスクライブにも適合する。
プ作成時のスクライブにも適合する。
［実施例コ
実施例１
■ Ｓｔ基板＋（１００）２°０ＦＦ３”φ）上に通常
のホトリソグツイー技術を用いてＷ−５ｍｍ、ｄ−５膜
ｍの格子状Ｓ ｔ ０２膜を作る。
のホトリソグツイー技術を用いてＷ−５ｍｍ、ｄ−５膜
ｍの格子状Ｓ ｔ ０２膜を作る。
ここでＳ ｉＯ２膜厚は次のエピタキシャル層厚さと同
程度とする。
程度とする。
■ この基板上にＭＯＣＶＤ法もしくはＭＢＥ法を用い
てＦＥＴ用エピタキシャル成長を行なう。
てＦＥＴ用エピタキシャル成長を行なう。
■ ５ｉ０２膜のみを選択エッヂにより除去する。
■ この格子状溝付きエピタキシャルウェハを通常のＦ
ＥＴ作成プロセスに流しＦＥＴを作成する。
ＥＴ作成プロセスに流しＦＥＴを作成する。
■ 各ＦＥＴチップ毎にスクライブし、マウントに組み
立てる。
立てる。
実施例２
■ プロトン打ち込みによりＳｔ基板
１（１００）２’ ０ＦＦ３″φ）上に（１１０）方位
の格子状の非晶部を作る。
の格子状の非晶部を作る。
■ ＭＯＷＤはＭＢＥによりＦＥＴ用エピタキシャル結
晶を成長させる。
晶を成長させる。
■ プロトン打ち込み部は非晶質のためその上にはエピ
タキシャル成長しない。もしくはアモルファスＧａＡｓ
が堆積する。従ってこの部分は機械強度が単結晶エピタ
キシャル部より弱くここで歪を緩和できる。
タキシャル成長しない。もしくはアモルファスＧａＡｓ
が堆積する。従ってこの部分は機械強度が単結晶エピタ
キシャル部より弱くここで歪を緩和できる。
■ 実施例１と同様にＦＥＴを作成する。
上記実施例１及び実施例２で作成されたエピタキシャル
ウェハにはそりが発生せず、ＦＥＴ作成に同等支障がな
かった。
ウェハにはそりが発生せず、ＦＥＴ作成に同等支障がな
かった。
［発明の効果］
以上に説明したように、本発明によれば、エピタキシャ
ル成長層の（１１０）方位に格子上のエピタキシャル非
成長部もしくは他の部分より薄い成長層を形成したため
、ウェハにそりが発生しないという顕著な効果を奏する
。
ル成長層の（１１０）方位に格子上のエピタキシャル非
成長部もしくは他の部分より薄い成長層を形成したため
、ウェハにそりが発生しないという顕著な効果を奏する
。
Claims (2)
- （１）シリコン単結晶ウェハ上に化合物半導体材料を一
層またはそれ以上エピタキシャル成長させることにより
構成される半導体素子において、エピタキシャル成長層
が（１１０）方位に格子状の非成長部、または他の部分
より薄い成長部を有することを特徴とするエピタキシャ
ルウェハ。 - （２）格子状非成長部または、格子状のうすい成長部の
ピッチが１０μｍ以上２０ｍｍ以下であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項に記載されたエピタキシャル
ウェハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16732386A JPS6325295A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体エピタキシヤルウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16732386A JPS6325295A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体エピタキシヤルウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6325295A true JPS6325295A (ja) | 1988-02-02 |
Family
ID=15847616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16732386A Pending JPS6325295A (ja) | 1986-07-16 | 1986-07-16 | 半導体エピタキシヤルウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6325295A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143761A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Crystal growth method |
-
1986
- 1986-07-16 JP JP16732386A patent/JPS6325295A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52143761A (en) * | 1976-05-26 | 1977-11-30 | Hitachi Ltd | Crystal growth method |
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