JPS63250980A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS63250980A JPS63250980A JP62084736A JP8473687A JPS63250980A JP S63250980 A JPS63250980 A JP S63250980A JP 62084736 A JP62084736 A JP 62084736A JP 8473687 A JP8473687 A JP 8473687A JP S63250980 A JPS63250980 A JP S63250980A
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 12
- 101100115215 Caenorhabditis elegans cul-2 gene Proteins 0.000 abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 2
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- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
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- H04N3/10—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical
- H04N3/14—Scanning details of television systems; Combination thereof with generation of supply voltages by means not exclusively optical-mechanical by means of electrically scanned solid-state devices
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- G11C19/28—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements
- G11C19/282—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using semiconductor elements with charge storage in a depletion layer, i.e. charge coupled devices [CCD]
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- H04N25/73—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors using interline transfer [IT]
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像装置に係り、特に電子シャッタ機能
を有する固体撮像装置に関する。
を有する固体撮像装置に関する。
第2図は、従来のインターライン型CCD固体撮像素子
の一例を示す図である。図中、1はpn接合ダイオード
などから成る光電変換素子、すなわちホトダイオード、
2はホトダイオード1から垂直電荷転送手段(CODレ
ジスタ)3への信号の流れを制御する選択ゲート、4は
垂直CODレジスタ3からの信号を出力アンプ5へ転送
する水平電荷転送手段CCCDレジスタ)である6通常
、垂直CCDレジスタ3は4相クロツクにより駆動され
る。図中、6〜17は垂直CODレジスタのクロック配
線であり、7,9,11,13.15および17は選択
ゲート2のゲート線を兼ねている。本素子の動作を、第
3図を用いて説明する。
の一例を示す図である。図中、1はpn接合ダイオード
などから成る光電変換素子、すなわちホトダイオード、
2はホトダイオード1から垂直電荷転送手段(CODレ
ジスタ)3への信号の流れを制御する選択ゲート、4は
垂直CODレジスタ3からの信号を出力アンプ5へ転送
する水平電荷転送手段CCCDレジスタ)である6通常
、垂直CCDレジスタ3は4相クロツクにより駆動され
る。図中、6〜17は垂直CODレジスタのクロック配
線であり、7,9,11,13.15および17は選択
ゲート2のゲート線を兼ねている。本素子の動作を、第
3図を用いて説明する。
第3図(a)は、第2図の垂直CODレジスタ3の断面
図であり、同図(b)は、これに対応したポテンシャル
の時間変化を示す図である。時刻11においてホトダイ
オード1から垂直CCD3に移された信号電荷Q i、
Qt+t +Qt”z p=・は、垂直CCD3を駆
動するクロックパルス、φv1〜φv4により順次垂直
方向に転送される様子を示している。垂直CCD3に転
送された信号電荷は、垂直走査期間に順次水平CCDレ
ジスタ4を介して、出力アンプ5に出力される。垂直C
CD3に存在する信号電荷の転送が完了してしまうと、
再び、各ホトダイオード1で蓄積されていた信号電荷が
垂直CCD3に転送され、同様の操作が繰り返えされる
。したがって、従来の撮像素子の信号蓄積期間は、垂直
CCD3の転送に必要な時間すなわち1フィールド時間
であった。
図であり、同図(b)は、これに対応したポテンシャル
の時間変化を示す図である。時刻11においてホトダイ
オード1から垂直CCD3に移された信号電荷Q i、
Qt+t +Qt”z p=・は、垂直CCD3を駆
動するクロックパルス、φv1〜φv4により順次垂直
方向に転送される様子を示している。垂直CCD3に転
送された信号電荷は、垂直走査期間に順次水平CCDレ
ジスタ4を介して、出力アンプ5に出力される。垂直C
CD3に存在する信号電荷の転送が完了してしまうと、
再び、各ホトダイオード1で蓄積されていた信号電荷が
垂直CCD3に転送され、同様の操作が繰り返えされる
。したがって、従来の撮像素子の信号蓄積期間は、垂直
CCD3の転送に必要な時間すなわち1フィールド時間
であった。
上記従来の固体撮像素子は、垂直CODレジスタで転送
可能な信号電荷の数が垂直CCDレジスタの転送電極数
や転送パルスの相数によって限定されているため、ホト
ダイオードの信号蓄積時間が一定となり、電子シャッタ
機能等のように自由に信号蓄積時間を制御することがで
きないという問題があった。
可能な信号電荷の数が垂直CCDレジスタの転送電極数
や転送パルスの相数によって限定されているため、ホト
ダイオードの信号蓄積時間が一定となり、電子シャッタ
機能等のように自由に信号蓄積時間を制御することがで
きないという問題があった。
本発明の目的は、信号蓄積時間の変更が容易に行なえる
電子シャッタ機能をもつ固体撮像素子を提供することに
ある。
電子シャッタ機能をもつ固体撮像素子を提供することに
ある。
上記目的は、1フィールド期間中に光電変換素子から垂
直電荷転送手段への信号電荷の転送を少なくとも2回行
ない、垂直電荷転送手段は転送された信号電荷をそれぞ
れ独立に転送することにより、達成される。
直電荷転送手段への信号電荷の転送を少なくとも2回行
ない、垂直電荷転送手段は転送された信号電荷をそれぞ
れ独立に転送することにより、達成される。
垂直電荷転送手段は、1フィールド期間中に蓄積時間の
それぞれ異なる信号電荷を独立に転送し、この信号電荷
は水平電荷転送手段によって出力信号として取り出され
る。それによって、蓄積時間の異なる信号電荷は互いに
混り合うことなく出力されるので、蓄積時間を任意に選
ぶことが可能となり、電子シャッタ機能を持たせること
ができるようになる。
それぞれ異なる信号電荷を独立に転送し、この信号電荷
は水平電荷転送手段によって出力信号として取り出され
る。それによって、蓄積時間の異なる信号電荷は互いに
混り合うことなく出力されるので、蓄積時間を任意に選
ぶことが可能となり、電子シャッタ機能を持たせること
ができるようになる。
以下、本発明の一実施例を第1図により説明する。同図
は、第2図に示した従来の実施例に対して、垂直COD
のクロック配線106〜117を8相にしていること、
および、掃き出し用電荷の為の吸収領域121と水平C
CD4との結合部120を追加している点が異なる。本
素子の動作を第1図、垂直CCDのポテンシャとその動
作パルスタイミングを示した第4図、第5図及び1フィ
ールド期間全体に対するタイムチャートを示した第9図
を用いて説明する6まず、各ホトダイオード1に蓄積さ
れた信号電荷が垂直CCD3に転送される(第4図(b
)のt”:tt;第9図のt=taz)。垂直CCD3
に移された信号は第4図(b)中、斜線で示した部分に
保持されながら転送されていく。同図中、斜線を施して
ない領域は。
は、第2図に示した従来の実施例に対して、垂直COD
のクロック配線106〜117を8相にしていること、
および、掃き出し用電荷の為の吸収領域121と水平C
CD4との結合部120を追加している点が異なる。本
素子の動作を第1図、垂直CCDのポテンシャとその動
作パルスタイミングを示した第4図、第5図及び1フィ
ールド期間全体に対するタイムチャートを示した第9図
を用いて説明する6まず、各ホトダイオード1に蓄積さ
れた信号電荷が垂直CCD3に転送される(第4図(b
)のt”:tt;第9図のt=taz)。垂直CCD3
に移された信号は第4図(b)中、斜線で示した部分に
保持されながら転送されていく。同図中、斜線を施して
ない領域は。
別の信号電荷の為の空いた領域であり、任意の時刻、例
えばt:tzaの時(第9図のt=tazに対応)では
φveおよびφv6のゲートに対応したホトダイオード
1の信号を読み込むことができる。さらに続く時刻、t
=txt(第9図のt:t、azに対応)ではφv2お
よびφv4のゲートに対応したホトダイオード1の信号
を読み込むことができる。このようにして、通常の信号
の転送時にも、別の時間に蓄積された信号の読み込みを
行なうことができる。第4図に示したタイミングでは、
時刻t=” t t181 tδ工のときを水平定期期
間としているが、特にこのタイミングは限定する必要は
ない。
えばt:tzaの時(第9図のt=tazに対応)では
φveおよびφv6のゲートに対応したホトダイオード
1の信号を読み込むことができる。さらに続く時刻、t
=txt(第9図のt:t、azに対応)ではφv2お
よびφv4のゲートに対応したホトダイオード1の信号
を読み込むことができる。このようにして、通常の信号
の転送時にも、別の時間に蓄積された信号の読み込みを
行なうことができる。第4図に示したタイミングでは、
時刻t=” t t181 tδ工のときを水平定期期
間としているが、特にこのタイミングは限定する必要は
ない。
また、斜線を施した部分の全ての信号に対する読み込み
を時刻t=tzで行なっているが、斜線を施していない
部分の信号読み取りタイミングに呼応してIH待時間る
いはそれ以上の時間ズレをもって行なってもよい1例え
ば、斜線部の各信号の蓄積時間を均一にする為にφve
およびφv8に対応したホトダイオードの信号を読み込
み、IH時間後にφv2およびφv4の信号を読み込む
という動作をしてもよい。第5図は、第4図の垂直CC
D部のポテンシャルを実現する為のパルスタイミングの
例である6特に1時刻1aから始まるパルスφv1〜φ
v4はIH待時間後時刻tzgから始まるパルスφv8
〜φvaと同じものを用いてよく、同様に、時刻taか
ら始まるパルスφvs〜φVδは時刻txδから始まる
パルスφvl〜φV4と同じにしてよい。
を時刻t=tzで行なっているが、斜線を施していない
部分の信号読み取りタイミングに呼応してIH待時間る
いはそれ以上の時間ズレをもって行なってもよい1例え
ば、斜線部の各信号の蓄積時間を均一にする為にφve
およびφv8に対応したホトダイオードの信号を読み込
み、IH時間後にφv2およびφv4の信号を読み込む
という動作をしてもよい。第5図は、第4図の垂直CC
D部のポテンシャルを実現する為のパルスタイミングの
例である6特に1時刻1aから始まるパルスφv1〜φ
v4はIH待時間後時刻tzgから始まるパルスφv8
〜φvaと同じものを用いてよく、同様に、時刻taか
ら始まるパルスφvs〜φVδは時刻txδから始まる
パルスφvl〜φV4と同じにしてよい。
第6図は、本発明の別の実施例を示したものであり、第
4図に示した動作状態を変化させたものである。斜線を
施してない部分の電極数が少ないので転送電荷量が減少
するが、タイミングがさらに簡単になることがわかる。
4図に示した動作状態を変化させたものである。斜線を
施してない部分の電極数が少ないので転送電荷量が減少
するが、タイミングがさらに簡単になることがわかる。
特に、電子シャッタ動作の不要な通常の撮像動作時には
、垂直CODのクロックを4相にして駆動を簡単にして
も良い。
、垂直CODのクロックを4相にして駆動を簡単にして
も良い。
以上の実施例では垂直CODレジスタのクロック相数を
8としているが、クロック相数は最低7であれば良いこ
とが、第4図あるいは第6図かられかる。
8としているが、クロック相数は最低7であれば良いこ
とが、第4図あるいは第6図かられかる。
第7図は本発明の別の実施例を示したものである。第1
図の実施例との違いは、電荷吸出し領域121を電荷吸
出し用CODレジスタ122で駈き換えたものである。
図の実施例との違いは、電荷吸出し領域121を電荷吸
出し用CODレジスタ122で駈き換えたものである。
第8図は、本発明の別の実施例であり、CODレジスタ
122を通って出力される電荷を検出、増巾するための
出力アンプ123を付加したものである。122,12
3より、第4図(b)の斜線を施してない部分に相当す
る信号電荷も検出できる。
122を通って出力される電荷を検出、増巾するための
出力アンプ123を付加したものである。122,12
3より、第4図(b)の斜線を施してない部分に相当す
る信号電荷も検出できる。
第10図は本発明の別の実施例を示したものである。同
図(a)は垂直CCD部の断面を示したものである。半
導体基板201表面に、キャリアに対するポテンシャル
バリアを形成する為の不純物層202を設けることによ
り、ゲート203下部のポテンシャルを同図(b)の様
に細分化できる。したがって、4相クロツクでも、さら
に信号を読み込める電極ができ、信号の蓄積時間を制御
することができる。
図(a)は垂直CCD部の断面を示したものである。半
導体基板201表面に、キャリアに対するポテンシャル
バリアを形成する為の不純物層202を設けることによ
り、ゲート203下部のポテンシャルを同図(b)の様
に細分化できる。したがって、4相クロツクでも、さら
に信号を読み込める電極ができ、信号の蓄積時間を制御
することができる。
以上述べたように、これらの実施例によれば、信号の蓄
積時間を自由に変えられるので、電子シャッタ機能を有
する固体撮像装置を実現することができる。
積時間を自由に変えられるので、電子シャッタ機能を有
する固体撮像装置を実現することができる。
本発明によれば、信号の蓄積時間を自由に変えられるの
で、電子シャッタ機能を有する固体撮像装置を実現でき
る。
で、電子シャッタ機能を有する固体撮像装置を実現でき
る。
第1図は本発明の一実施例の固体撮像装置の全体構成を
示す図、第2図は従来の固体撮像装置を示す図、第3図
は第2図の垂直電荷転送手段3内のポテンシャル状態を
示す図、第4図は第1図の垂直電荷転送手段3内のポテ
ンシャル状態を示す図、第5図は第1図の垂直電荷転送
手段3の駆動用パルスを示す図、第6図は第4図の別の
実施例を示す図、第7図及び第8図は本発明の他の実施
例を示す図、第9図は第1図の駆動タイミングチャート
を示す図、第10図は垂直電荷転送手段3を改良した本
発明の他の実施例を示す図である。 1・・・ホトダイオード、3・・・垂直電荷転送手段、
106〜117・・・垂直クロックゲート、121・・
・電荷吸出領域、122・・・電荷吸出用水平CCD。 遁 1 図 3 乗置CCQ l−ブ7十41りDノクグゝト第
2 図 3*aC+j) 6−/71170ノア7’h遁 3
図 (久) (′b) 蒔姿l (+i’i−2+GJ’t−1 Q
I+ Qi+l Qr*2+Qr+3χ
4 図 (^) (b) 暇Φ ′
マ第 5 図 ψVFI H
ψVg
H1 図 (il) 茅 7 図 舅 3 閃 第 9 図 「χ°に イ話 乃読21ツスし ヘ ヘ ヘ 東亘ccgで°の車人逮− ) へ 垂」頁cco で゛り仁e;
示す図、第2図は従来の固体撮像装置を示す図、第3図
は第2図の垂直電荷転送手段3内のポテンシャル状態を
示す図、第4図は第1図の垂直電荷転送手段3内のポテ
ンシャル状態を示す図、第5図は第1図の垂直電荷転送
手段3の駆動用パルスを示す図、第6図は第4図の別の
実施例を示す図、第7図及び第8図は本発明の他の実施
例を示す図、第9図は第1図の駆動タイミングチャート
を示す図、第10図は垂直電荷転送手段3を改良した本
発明の他の実施例を示す図である。 1・・・ホトダイオード、3・・・垂直電荷転送手段、
106〜117・・・垂直クロックゲート、121・・
・電荷吸出領域、122・・・電荷吸出用水平CCD。 遁 1 図 3 乗置CCQ l−ブ7十41りDノクグゝト第
2 図 3*aC+j) 6−/71170ノア7’h遁 3
図 (久) (′b) 蒔姿l (+i’i−2+GJ’t−1 Q
I+ Qi+l Qr*2+Qr+3χ
4 図 (^) (b) 暇Φ ′
マ第 5 図 ψVFI H
ψVg
H1 図 (il) 茅 7 図 舅 3 閃 第 9 図 「χ°に イ話 乃読21ツスし ヘ ヘ ヘ 東亘ccgで°の車人逮− ) へ 垂」頁cco で゛り仁e;
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体基板の主表面上に2次元状に配列された光電
変換素子と、垂直列の光電変換素子の信号電荷を転送す
る垂直電荷転送手段と、上記光電変換素子の信号電荷を
上記垂直電荷転送手段に取り出す選択ゲートと、上記垂
直電荷転送手段からの信号電荷を所定の順序で出力端に
転送する水平電荷転送手段とを有する固体撮像装置にお
いて、1フィールド期間中に上記光電変換素子から上記
垂直電荷転送手段への信号転送を少なくとも2回行ない
、上記垂直電荷転送手段は転送された信号電荷をそれぞ
れ独立に転送することを特徴とする固体撮像装置。 2、特許請求の範囲第1項において、前記垂直電荷転送
手段は8相の駆動パルスで駆動されることを特徴とする
固体撮像装置。 3、特許請求の範囲第1項において、前記垂直電荷転送
手段は4相の駆動パルスで駆動され、その電極下にポテ
ンシャルバリアを形成する不純物層を有することを特徴
とする固体撮像装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62084736A JPS63250980A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 固体撮像装置 |
KR1019880003783A KR920001291B1 (ko) | 1987-04-08 | 1988-04-04 | 고체촬상장치 |
US07/178,197 US4862487A (en) | 1987-04-08 | 1988-04-06 | Solid-state imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62084736A JPS63250980A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63250980A true JPS63250980A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13838981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62084736A Pending JPS63250980A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 固体撮像装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4862487A (ja) |
JP (1) | JPS63250980A (ja) |
KR (1) | KR920001291B1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6122008A (en) * | 1993-06-17 | 2000-09-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Solid state image pickup device and its driving method using two different periods in a field or frame |
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