JPS63250485A - ハンダ用メッキ液の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業分野） 本発明は通常のＩＣは勿論のこと、大容量メモリー素子
である２５６Ｋ　　ＥｔＡＭ式或はそれ以上のメモリー
や各糧超ＬＳＩ等の半導体装置の部品。

基板等にハンダ用合金をメッキするのに適した芳香族ス
ルフォン酸及びその鉛基％錫堪を含む低α放射能のハン
ダ用メッキ液に関する。

（従来技術とその問題点） 従来は鉛及び錫中のαｍ発生源であるＵ、Ｔｈを多ｉ１
に含む化合物を甲いて′０４製したハンダ用メッキ液は
メッキｆ＆にハンダ°ｆｔ看■からα冶を多敬発生する
ため、いわゆるメモリーデバイスのソフトエラーを急起
していた。

従来技術の一例について述べる。すなわち、従来法によ
って一農されたハンダ用メッキ液を用いて作成されたハ
ンダ横巾Ｋを工、［Ｊ、Ｔｈ弄の放射性同位元素か１０
０　ｐｐｂ以上も含有されており。

これは放射９αへ子のカウント数として数ＣＰＨ／ｃｄ
−数１ｏ　ｏ　ＣＰ　ＩＩ／ｃｄに相当するものである
。

このように、予備ｙｉｔ製を施さない放射性同位元素の
含有量か品い鉛、錫化合物を主成分とするハンダ用メッ
キ液を半導体ｇｔＩＬｍ立に用いると、作成されたハン
ダ倶から発する放射性α粒子がメモリーエラーの原因と
なり、信ｇｊＪ性の乏しいものとなつていた。

本発明者らは、上記の従来技術の問題点を解決し、半導
体装置のメモリーエラーの発生を抑制するハンダ用メッ
キ液を提供すべく研究を重ねた結果、メッキによって形
成されたハンダ膜の主成分であるＰｂ、Ｓｎｎ中正不可
避不純物して含まれている放射性同位元素のＵ　ｐ　Ｔ
　ｈ　Ｊｉｌを２０　ｐｐｂ未満とすると、放射性α粒
子のカウント数を０．１ＣＰ　Ｈ／ｉ以下に抑制できる
ことを見出し、本発明に到達した。

（発明の構成） すなわち、本発明によれば、 次の一般式 （式中Ｒ１及びＲ２は同−又は 群の中から選ばれる） で表わされる芳香族スルフォン酸及び該芳香族スルフォ
ン酸の鉛基、錫塩を含有し、放射性同位元素の含有量が
２０ｐｐｂ未満で、かつ放射性６校子のカウント数が０
．１ｅＰＨ／ｆｆ１未満であることを特徴とするハンダ
用メッキ液、が得られる。

次に、本発明のハンダ用メッキ液の製造方法について述
べる。

まず、４ナイノ以上の品位を有する鉛を高純度の譲硝酸
にてｆ＃解し、該船中に含まれるＵ、Ｔｈの放射性回位
元素を錯陰イオンとした鏝、純水にて遊＃１６ｒ４酸濃
度を５〜１０モル濃度に調整して次工程の陰イオン父換
仙脂浄液処坤におけるＵ、Ｔｈの吸着効率を向上させ、
次いで該陰イオン交換樹脂浄液処理を行い得られたＵ、
Ｔｈ含有量の低減した溶液に上記一般式で表わされる芳
香族スルフォン酸を加え、アルカリにて中和後、濃縮・
濾過・分離することにより、α線発生量の少ない芳香族
スルフォン酸鉛が得られる。１司様に、４ナイン以上の
品位を有する錫を高純度の冷希６Ｊ４酸にて溶解した後
遊離硝酸濃度を５〜１０そルミ度にａ１１＠して次工梅
の隔イオン交換樹脂浄液処理におゆるＵ　＊　Ｔ　ｈの
吸看効率を向上させ、次いで杉陰イ尤ン交換樹脂浄液処
理を行い得られたＵｔＴｈ含有量の低減した溶液に上記
一般式で表わされる芳香族スルフォン酸を加え、アルカ
リにて中和後、濃縮・濾過・分離することにより、α線
発生量の少ない芳香族スルフォン酸錫が得られる。

このようにして得られた芳香族スルフォン酸鉛、芳香族
スルフォンｅｇ！錫はいずれもＵ、Ｔｂの放射性回位元
素の含有量が２０　ｐｐｂ未満であり、かつ放射性α粒
子のカウント数が０．１ＣＰ［（１０！未満である。

上記のαＭ１発生量の低い芳香族スル７オノ隈鉛、芳香
族スルフォン酸錫及び芳香族スルフォン酸を組成成分と
して含有する水ｇｌＲを電解液とし、低α線の放射性ハ
ンダ板を陽極に、メッキを行う基板を陰極にそれぞれ受
続することにより、該基板上にα＠発生童が少なく、メ
モリーエラー発生を著しく抑制するハンダ合金をメッキ
することができる。

添付図面は本発明の一実施例のＷｒ面概略図である。図
において、１はハンダ板、２はメッキ液。

３は配線基板である。

次に本＠明を実施例によってより具体的に説明するが、
以下の実施例は本発明の範囲を両足するものではない。

！！施例１ ４ナイン以上の品位を有する鉛屑硝酸で溶解し、純水で
遊離硝酸−夏を、５モル−１０モル濃度にａｉｌ整し、
次いで錦溶液を陰イオン交換僧脂たとえば、ダイヤイオ
ン（商品名）を充填した塔を通過させ、ｍｍ液中のＵ、
Ｔｂを板層除去せしめた後、Ｐ−フェノールホノ宜、芳
６酸スルフォン酸を添加し、さらに苛往ンーダ、または
ア７モニャ水で中和後、−溶液を虐禰し、析出した沈殿
をｅ迦・分離・乾燥することにより、芳香族スルフォン
酸鉛を得た。同様に、４ナイノ以上の品位を有する錫を
冷希硝喰に溶解し、ざらＫａ離硝事１度を。

５モル−１０モル濃度に調整し１次いでｐ溶液を陰イオ
ン交換樹脂くたとえば、ダイヤイオン（商品名）を光槙
した塔を通過させ、該浴液中のＵ。

Ｔｈを板層除去せしめた後、Ｐ−フェノールホン酸、芳
香族スルフォン酸を添加し、さらに苛性ソーダ、または
アンモニヤ水で中和後、＃溶液を６縮し、析出した沈殿
を１過・分離・乾燥することにより、芳香族スルフォン
酸錫を得た。これら金Ｍ４塩の放射性同位元素の含有量
を分析したところ。

いずれも２　Ｏｐｐｂ未膚であり、またα粒子のカウン
ト数も０．１ＣＰＨ／ｄ未藺であることが確認された。

これら、鉛及び錫の芳香族スルフォン酸塩をそれぞれ芳
番族スルフォン酸水ｆ＠液に溶解してメッキ液をｖ！４
裏し、放射性同位元素含有量２０ｐｐｂ未満でα校子カ
ウント数０．１（？ＰＨ／ｄ未満であるＰ　ｂ　９０　
％　ｅ　　Ｓ　ｎ　１０　％のｊｌｌｌ成のハンダ板を
陽極に、基板を陰極に、それぞれ接続し、電流密度８０
　Ａ　／　ｄｒｙｓ”としてメッキを行なった。このメ
ッキ液を用いて作成したメモリーはソフトエラーの発生
が著しく低下していることが＃１ｇされた。

実施例２ 放射性同位元素の含有量が２Ｑｐｐｂ未個、放射性α粒
子のカウント数が０．１ＣＰＨ／ｃｄ未満で、かり鉛９
０９６．錫ｌＯ略よりなる低α線の／Ｓンダ板を陽極に
、電解液として水１１あたりフェノールスルフォン酸１
５０にＩ、　　フェノールスルフォノ酸鉛３４０１ｍ　
低α線のフェノールスルフォン醗錫４０Ｉｉをそれぞれ
溶堺したものを用いて、ｔＲ密度を６ＯＡ／ｄＷＩとし
て電解を行ない鉛８９県。

錫１１暢よりなる組成のへンダ嗅をへ成することができ
た。このハンダ換中のＵｔＴｈ等の放射性同位元素の含
有量は２０　ｐｐｂ未溝であり、かつ放射性α粒子のカ
ウント数は０．１ＣＰＨ／ｄ未滴であることが確關され
た。

なお、芳香族スルツオン酸として、Ｐ−フェノールスル
フォン酸、ベンゼンスルフオフＷ１％ｐ−トルエンスル
フォン酸を使用するｗ梅例、及ζに同ｅ＜Ｐ−フェノー
ルスル７オ７σ、ぺ７ゼンス〃７オン置、Ｐ−トルエン
ス／ｉ／７オン酸を使用する比較例を、第１表にそれぞ
れ実施例１〜５及び比較例１〜４として併せ示す。ｗ施
例１〜５で使用する鉛、錫はいずれも４ナイン以上の高
純度のものであり、比較例１〜４で使用する鉛、錫は何
ら予備ｎＩ髪を施していないものである。

（発明の効果） 本発明は以上からψｊらかであるように、次の構成要件
、すなわち、 （ａ）　　４ナイノ以上の品位を有する鉛及び錫を用い
て純度の高い硝酸で溶解する。

（−純水で遊＃１５ｐＩ酸濃直を５〜ｌＯモル鶴度に鉤
整する。

（ｃ）　　陰イオン交換樹脂浄液処理を行う。

ｌｄｌ　　発生ａｅｊ電の低い芳番族スルフォン酸鉛、
芳昏族スルフォン酸錫塩及び芳香族スルフォン酸を含む
水Ｓ液をａｍ液とする。

の組合せＫよりて開裂された／・ンダ用メッキ液を提供
するもので、上記電解液を使用することによってメモリ
ーエラーの発生を著しく抑制するハンダ暢を形成するこ
とができるので、大容量メモリー素子である２５６Ｋ　
　ＲＡＭ式或はそれ以上のメモリーや各種超ＬＳＩ等の
半導体装Ｗｆ）部品、基板等にハンダ用合金をメッキす
るが可能である。

【図面の簡単な説明】

図面は本発明のメッキ液を収納した′畦解轡の断面図で
ある。図において％　】はノ為ンダ板、２はメッキ板、
３は配ｌｌｌ１！基板である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）次の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１及びＲ＿２は同一又は異なつていてもよ
   く、水素原子、水酸基、低級アルキル基及びスルフォン
   酸基よりなる群の中から選ばれる）で表わされる芳香族
   スルフォン酸及び該芳香族スルフォン酸の鉛塩、錫塩を
   含有し、放射性同位元素の含有量が２０ｐｐｂ未満でか
   つ放射性α粒子のカウント数が０．１ＣＰＨ／ｃｍ＾２
   未満であることを特徴とするハンダ用メッキ液。