JPS63250456A - 硫化物蛍光体膜の製造方法 - Google Patents
硫化物蛍光体膜の製造方法Info
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- JPS63250456A JPS63250456A JP8602287A JP8602287A JPS63250456A JP S63250456 A JPS63250456 A JP S63250456A JP 8602287 A JP8602287 A JP 8602287A JP 8602287 A JP8602287 A JP 8602287A JP S63250456 A JPS63250456 A JP S63250456A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、硫化物蛍光体膜の製造方法に関し、と（にＥ
Ｌ素子用の蛍光体膜に適した、発光輝度や効率の優れた
硫化物蛍光体膜の製造方法に関するものである 従来の技術 近年、ＺｎＳ ： ＴｂやＳｒＳ：Ｃｅなどの、希土類
元素を添加した硫化物蛍光体膜はＥＬ素子用の蛍光体膜
として用いるため、広く研究されている。これはＥＬ素
子の発光輝度や効率が蛍光体膜の特性によりほぼ決定さ
れるためである。また、これらの蛍光体材料に電荷補償
のために燐を導入することにより輝度の向上が可能であ
ることも知られている（特願昭５８−２０６０６号）。
Ｌ素子用の蛍光体膜に適した、発光輝度や効率の優れた
硫化物蛍光体膜の製造方法に関するものである 従来の技術 近年、ＺｎＳ ： ＴｂやＳｒＳ：Ｃｅなどの、希土類
元素を添加した硫化物蛍光体膜はＥＬ素子用の蛍光体膜
として用いるため、広く研究されている。これはＥＬ素
子の発光輝度や効率が蛍光体膜の特性によりほぼ決定さ
れるためである。また、これらの蛍光体材料に電荷補償
のために燐を導入することにより輝度の向上が可能であ
ることも知られている（特願昭５８−２０６０６号）。
燐を含む硫化物蛍光体膜は、主に燐を含む硫化物蛍光体
材料をターゲットとしてスパッタリングすることにより
形成されており、さらに優れた特性の蛍光体膜が再現性
良く容易に形成できる製造方法の開発が望まれている。
材料をターゲットとしてスパッタリングすることにより
形成されており、さらに優れた特性の蛍光体膜が再現性
良く容易に形成できる製造方法の開発が望まれている。
発明が解決しようとする問題点
燐を含む硫化物蛍光体材料をターゲットとしてスパッタ
リングすることにより硫化物蛍光体膜を形成した場合、
燐原子の蒸気圧が比較的高いためターゲットから放出さ
れやす（、ターゲットの使用時間やターゲットに投入す
る電力の大きさにより、形成された硫化物蛍光体膜中の
燐濃度が変化することがあり、そのため発光特性が低下
することが判明した。
リングすることにより硫化物蛍光体膜を形成した場合、
燐原子の蒸気圧が比較的高いためターゲットから放出さ
れやす（、ターゲットの使用時間やターゲットに投入す
る電力の大きさにより、形成された硫化物蛍光体膜中の
燐濃度が変化することがあり、そのため発光特性が低下
することが判明した。
問題点を解決するための手段
燐化合物からなるガスを含む希ガス雰囲気中で、希土類
元素を含む硫化物をスパッタリング蒸発させ、基板上に
堆積させる。
元素を含む硫化物をスパッタリング蒸発させ、基板上に
堆積させる。
作用
本発明の製造方法によれば、基板表面に希土類元素を含
む硫化物薄膜が堆積する際、スパッタリングガス雰囲気
中の燐原子が、常に一定量薄膜中に取り込まれ、燐濃度
の安定した硫化物薄膜を再現性良（製造できたものと考
えられる。
む硫化物薄膜が堆積する際、スパッタリングガス雰囲気
中の燐原子が、常に一定量薄膜中に取り込まれ、燐濃度
の安定した硫化物薄膜を再現性良（製造できたものと考
えられる。
実施例
第１図は本発明の硫化物蛍光体膜の製造方法を説明する
ためのＥＬ素子構造を示す。ガラス基板１上に、スパッ
タリング法により厚さ３００ｎｍの錫添加酸化インジウ
ム（Ｉ Ｔｏ）膜を形成し、ホトリソグラフィ技術を用
いてストライブ状のＩＴｏ透明電極２を形成した。その
上に、酸素を含むアルゴン雰囲気中で５ｒＴｉ０３セラ
ミツクターゲツトを高周波スパッタリングすることによ
り、厚さ５００ｎｍの５ｒＴｉＯｓからなる第１絶縁体
層３を形成した。第１絶縁体層３の上に、１原子％のＴ
ｂを含むＺｎＳをターゲットとして、１％のＩ’Ｃ１３
を含むアルゴンガス雰囲気中で高周波スパッタリングす
ることにより、厚さ６００ｎｍのＺｎＳ ： Ｔｂ 、
Ｐからなる硫化物蛍光体膜４を形成した。このときス
パッタリング圧力はＩ Ｘ ｔｏ−’Ｔｏｒｒとし、基
板温度は２００℃に保持した。その後、真空中６００℃
で１時間熱処理を行った。蛍光体膜４の上に高周波スパ
ッタリング法により、厚さ２００ｎｍのＹ２ （ｈから
なる第２絶縁体層５を形成し、さらにその上に厚さ１５
０ｎｍのストライブ状ＡＩからなる背面電極６を形成し
ＥＬ素子を完成した。この素子は交流電圧の印加により
明るい緑色発光を示した。
ためのＥＬ素子構造を示す。ガラス基板１上に、スパッ
タリング法により厚さ３００ｎｍの錫添加酸化インジウ
ム（Ｉ Ｔｏ）膜を形成し、ホトリソグラフィ技術を用
いてストライブ状のＩＴｏ透明電極２を形成した。その
上に、酸素を含むアルゴン雰囲気中で５ｒＴｉ０３セラ
ミツクターゲツトを高周波スパッタリングすることによ
り、厚さ５００ｎｍの５ｒＴｉＯｓからなる第１絶縁体
層３を形成した。第１絶縁体層３の上に、１原子％のＴ
ｂを含むＺｎＳをターゲットとして、１％のＩ’Ｃ１３
を含むアルゴンガス雰囲気中で高周波スパッタリングす
ることにより、厚さ６００ｎｍのＺｎＳ ： Ｔｂ 、
Ｐからなる硫化物蛍光体膜４を形成した。このときス
パッタリング圧力はＩ Ｘ ｔｏ−’Ｔｏｒｒとし、基
板温度は２００℃に保持した。その後、真空中６００℃
で１時間熱処理を行った。蛍光体膜４の上に高周波スパ
ッタリング法により、厚さ２００ｎｍのＹ２ （ｈから
なる第２絶縁体層５を形成し、さらにその上に厚さ１５
０ｎｍのストライブ状ＡＩからなる背面電極６を形成し
ＥＬ素子を完成した。この素子は交流電圧の印加により
明るい緑色発光を示した。
第２図に本発明の製法で作成した素子と、ＰＣＩ＋を含
まないアルゴンガス雰囲気中で高周波スパッタリングす
ることにより作成したＺｎＳ ： Ｔｂからなる硫化物
蛍光体膜を用いた素子との輝度−電圧特性の比較を示す
。ａは本発明の製法による特性であり、ｂのＰＣＩｚを
用いない製法による素子の特性と比較して、約１５０％
の輝度の素子が得られたことが判る。また、本発明の製
法によれば、極めて再現性よ（高輝度の素子を形成する
ことができた。
まないアルゴンガス雰囲気中で高周波スパッタリングす
ることにより作成したＺｎＳ ： Ｔｂからなる硫化物
蛍光体膜を用いた素子との輝度−電圧特性の比較を示す
。ａは本発明の製法による特性であり、ｂのＰＣＩｚを
用いない製法による素子の特性と比較して、約１５０％
の輝度の素子が得られたことが判る。また、本発明の製
法によれば、極めて再現性よ（高輝度の素子を形成する
ことができた。
本実施例では、燐化合物からなるガスとして三塩化燐を
用いたが、ホスフィン、三フッ化燐、五フッ化燐、を用
いても同様の効果を得ることができた。ただ、安全性や
製造装置の補修の面からは三塩化燐が最も優れていた。
用いたが、ホスフィン、三フッ化燐、五フッ化燐、を用
いても同様の効果を得ることができた。ただ、安全性や
製造装置の補修の面からは三塩化燐が最も優れていた。
蛍光体膜の母体結晶となる硫化物としては硫化亜鉛以外
に硫化亜鉛、硫化カルシウム、硫化ストロンチウム、お
よび硫化バリウムのうち１種以上を主成分とする材料を
用いても本発明の効果を発揮することができた。また希
土類斥素としては、セリウム、プラセオジミウム、サマ
リウム、ユーロピウム、ディスプロシウム、ホルミウム
、エルビウム、およびツリウムのうち１種以上をもちい
ても本発明の効果を発揮することができた。
に硫化亜鉛、硫化カルシウム、硫化ストロンチウム、お
よび硫化バリウムのうち１種以上を主成分とする材料を
用いても本発明の効果を発揮することができた。また希
土類斥素としては、セリウム、プラセオジミウム、サマ
リウム、ユーロピウム、ディスプロシウム、ホルミウム
、エルビウム、およびツリウムのうち１種以上をもちい
ても本発明の効果を発揮することができた。
希土類元素を含む硫化物をスパッタリング蒸発させる手
段として、本実施例では高周波スパッタリング法を用い
たが、他に燐化合物ガス雰囲気中での、イオンビームス
パッタリング法を用いても同様の効果が得られた。
段として、本実施例では高周波スパッタリング法を用い
たが、他に燐化合物ガス雰囲気中での、イオンビームス
パッタリング法を用いても同様の効果が得られた。
発明の効果
本発明の製造方法によれば、ＥＬ素子用の蛍光体膜に適
した、発光輝度や効率の優れた硫化物蛍光体膜を再現性
良（製造することが可能であり実用的価値は高い。
した、発光輝度や効率の優れた硫化物蛍光体膜を再現性
良（製造することが可能であり実用的価値は高い。
第１図は本発明の硫化物蛍光体膜の製造方法を説明する
ためのＥＬ素子構造を示す断面図、第２図は本発明の製
法で作成した素子（ａ）と、他の製法による素子（ｂ）
との輝度−電圧特性の比較を示すグラフである。 １・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ透明電極、３・・
・第１絶縁体層、４・・・硫化物蛍光体膜、５・・・第
２絶縁体層、６・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 印加電１（Ｖ）
ためのＥＬ素子構造を示す断面図、第２図は本発明の製
法で作成した素子（ａ）と、他の製法による素子（ｂ）
との輝度−電圧特性の比較を示すグラフである。 １・・・ガラス基板、２・・・ＩＴＯ透明電極、３・・
・第１絶縁体層、４・・・硫化物蛍光体膜、５・・・第
２絶縁体層、６・・・背面電極。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名第１図 第２図 印加電１（Ｖ）
Claims (5)
- （１）燐化合物からなるガスを含む希ガス雰囲気中で、
希土類元素を含む硫化物をスパッタリング蒸発させ、基
板上に堆積させることを特徴とする硫化物蛍光体膜の製
造方法。 - （２）燐化合物からなるガスが、ホスフィン、三フッ化
燐、五フッ化燐、および三塩化燐のうち１種以上からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の硫化
物蛍光体膜の製造方法。 - （３）硫化物が、硫化亜鉛、硫化カルシウム、硫化スト
ロンチウム、および硫化バリウムのうち１種以上を主成
分とすることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載
の硫化物蛍光体膜の製造方法。 - （４）希土類元素が、セリウム、プラセオジミウム、サ
マリウム、ユーロピウム、テルビウム、ディスプロシウ
ム、ホルミウム、エルビウム、およびツリウムのうち１
種以上からなることを特徴とする特許請求の範囲第１項
に記載の硫化物蛍光体膜の製造方法。 - （５）スパッタリング蒸発させる手段が、高周波スパッ
タリング法、あるいはイオンビームスパッタリング法で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の硫
化物蛍光体膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8602287A JPS63250456A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 硫化物蛍光体膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8602287A JPS63250456A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 硫化物蛍光体膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250456A true JPS63250456A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13875034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8602287A Pending JPS63250456A (ja) | 1987-04-08 | 1987-04-08 | 硫化物蛍光体膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250456A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482603A (en) * | 1992-05-07 | 1996-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of producing electroluminescence emitting film |
-
1987
- 1987-04-08 JP JP8602287A patent/JPS63250456A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5482603A (en) * | 1992-05-07 | 1996-01-09 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of producing electroluminescence emitting film |
| US5716501A (en) * | 1992-05-07 | 1998-02-10 | Fuji Electric Co., Ltd. | Method of producing electroluminescence emitting film |
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