JPS61198592A - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JPS61198592A JPS61198592A JP60038391A JP3839185A JPS61198592A JP S61198592 A JPS61198592 A JP S61198592A JP 60038391 A JP60038391 A JP 60038391A JP 3839185 A JP3839185 A JP 3839185A JP S61198592 A JPS61198592 A JP S61198592A
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- light
- zno
- crystal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
こ□の発明は、交流電圧もしくは直流電圧を印加されて
発光するＦ［素子の改良に関し、特に発光層が電子ビー
ムまたはスパッタリングなどの薄膜形成法により形成さ
れている薄膜ＥＬ素子め改良に関する。
発光するＦ［素子の改良に関し、特に発光層が電子ビー
ムまたはスパッタリングなどの薄膜形成法により形成さ
れている薄膜ＥＬ素子め改良に関する。
［従来の技術］“
たとえ□ば電子通信学会誌第６５巻第７号第７４１頁−
７４７頁（昭５７＝ ７ ）に示されているように、従
来より、交流もしくは直流で駆動される薄膜Ｅ Ｌ素子
が公知である。第２図は、このうちの−例としての交流
で駆動される薄膜ＥＬ素子を示す略図的正面断面図であ
る。この薄膜ＥＬ素子１では、透明なガラスよりなる透
光性基板２．１−に蒸着もしくはスパッタで透明電極３
が形成されてイル。透明電極３は、Ｉｎ ２０ｓ Ｓ
ｎ ０２酸化物合金からなるＩＴＯ電極で構成されてい
る。該透明電極３の上面には、さらに第１絶縁層４が形
成されており、該第７絶縁層４の上面にＺｎＳ：Ｍｎか
らなる発光層５が形成されてｄ３す、該発光層５は、さ
らに上面に形成された第２絶縁Ｈ６と第１絶縁層４とに
より挾まれた構成どされている。
７４７頁（昭５７＝ ７ ）に示されているように、従
来より、交流もしくは直流で駆動される薄膜Ｅ Ｌ素子
が公知である。第２図は、このうちの−例としての交流
で駆動される薄膜ＥＬ素子を示す略図的正面断面図であ
る。この薄膜ＥＬ素子１では、透明なガラスよりなる透
光性基板２．１−に蒸着もしくはスパッタで透明電極３
が形成されてイル。透明電極３は、Ｉｎ ２０ｓ Ｓ
ｎ ０２酸化物合金からなるＩＴＯ電極で構成されてい
る。該透明電極３の上面には、さらに第１絶縁層４が形
成されており、該第７絶縁層４の上面にＺｎＳ：Ｍｎか
らなる発光層５が形成されてｄ３す、該発光層５は、さ
らに上面に形成された第２絶縁Ｈ６と第１絶縁層４とに
より挾まれた構成どされている。
第１絶縁ｍ４１発光層５および第２絶縁層６は、いずれ
もスパッタにより形成され、透明電極３の上面において
順に形成されるものである。なお、第１絶縁層４および
第２絶縁層６は、通常５ｉａＮ４ 、Ｙ２０−またはＡ
蛙、０３などの月利により構成される。第２絶Ｒ層６の
」二面には、他方の電極としての背面電極７が形成され
ており、該背面電極７は、第２図の紙面および紙背方向
に複数本延びて形成されており、透明電極３と交差して
格子を形成するにうに配回されている。
もスパッタにより形成され、透明電極３の上面において
順に形成されるものである。なお、第１絶縁層４および
第２絶縁層６は、通常５ｉａＮ４ 、Ｙ２０−またはＡ
蛙、０３などの月利により構成される。第２絶Ｒ層６の
」二面には、他方の電極としての背面電極７が形成され
ており、該背面電極７は、第２図の紙面および紙背方向
に複数本延びて形成されており、透明電極３と交差して
格子を形成するにうに配回されている。
第２図に示した従来の交流駆動薄膜［Ｌ素子１では、透
明電極３および背面電極７より交流電圧を印加すること
により、「１−発光が１９られる。
明電極３および背面電極７より交流電圧を印加すること
により、「１−発光が１９られる。
使方、特に図示はしないが、直流で駆動さねろ薄膜ＥＬ
索子では、発光層と電極どの間を絶縁ηる必要がないた
め、第２図に示した交流駆Ｗａ）の薄膜［Ｌ索子１から
第１絶縁層’Ｉ Ｉｊよび第２絶縁層６が除去された構
成を有Ｊる。
索子では、発光層と電極どの間を絶縁ηる必要がないた
め、第２図に示した交流駆Ｗａ）の薄膜［Ｌ索子１から
第１絶縁層’Ｉ Ｉｊよび第２絶縁層６が除去された構
成を有Ｊる。
［発明が解決【）ようとする問題点Ｉ
Ｅ Ｌ素子は、表示装回としての機能を目的とでるもの
である以上１、第１に高輝疫、高効率であることが要求
され、第２により低い電圧で駆動され得るものであるこ
とが好ましい。ところで、薄膜Ｅ ｌ−素子の効率およ
び駆動Ｎ圧は、発光層を構成するＺｎＳの結晶性に依存
し、該発光層の結晶性が優れているほど望ましい。
である以上１、第１に高輝疫、高効率であることが要求
され、第２により低い電圧で駆動され得るものであるこ
とが好ましい。ところで、薄膜Ｅ ｌ−素子の効率およ
び駆動Ｎ圧は、発光層を構成するＺｎＳの結晶性に依存
し、該発光層の結晶性が優れているほど望ましい。
第２図に示しｌ、：従来の薄膜［１索子１を例にとれば
、発光層５の結晶性を向上させるには、発光層５が第１
絶縁層１の表面にスパッタにより形成されるものである
ため、第１絶縁図４の結晶配向性を向上させることが必
要である。このため第１絶縁層４には結晶配向性の良好
な絶縁層を用いればよいが、通常Ｙ２Ｏ３やＡＱ、０．
の結晶配向性はよくない。したがって、この上に形成さ
れる発光層５の結晶性は十分ではない。
、発光層５の結晶性を向上させるには、発光層５が第１
絶縁層１の表面にスパッタにより形成されるものである
ため、第１絶縁図４の結晶配向性を向上させることが必
要である。このため第１絶縁層４には結晶配向性の良好
な絶縁層を用いればよいが、通常Ｙ２Ｏ３やＡＱ、０．
の結晶配向性はよくない。したがって、この上に形成さ
れる発光層５の結晶性は十分ではない。
それゆえに、この発明の目的は、発光層の結晶性が向−
卜されており、したがって高効率で低電圧駆動可能な薄
膜Ｅ［素子を提供することにある。
卜されており、したがって高効率で低電圧駆動可能な薄
膜Ｅ［素子を提供することにある。
［問題点を解決するための手段］
この発明は１．ト述の問題点を解消すべく鋭意検討の結
果なされたものであり、その要旨とするところは、透光
性基板、該透光性基板上に形成された透明電極、発光層
および該発光層を介して透明電極とは反対側に設けられ
た電極を備える薄膜ＥＬ素子において、透光性基板と発
光層との間に形成される透明電極を結晶配向性ＺｎＯ電
極で構成したことを特徴とするｉ模ＥＬ素子である。
果なされたものであり、その要旨とするところは、透光
性基板、該透光性基板上に形成された透明電極、発光層
および該発光層を介して透明電極とは反対側に設けられ
た電極を備える薄膜ＥＬ素子において、透光性基板と発
光層との間に形成される透明電極を結晶配向性ＺｎＯ電
極で構成したことを特徴とするｉ模ＥＬ素子である。
結晶配向性Ｚｎ ０１！極は、たとえばＺｎＯに、／１
などがドープされた材料より構成されるものであり、厚
み方向における結晶配向性に優れた透明電極を構成する
ことができる。よって、その上に形成される発光層の結
晶性を大幅に向上させることができる。
などがドープされた材料より構成されるものであり、厚
み方向における結晶配向性に優れた透明電極を構成する
ことができる。よって、その上に形成される発光層の結
晶性を大幅に向上させることができる。
なお、交流駆動薄膜ＥＬ素子の場合には、透明電極と発
光層との間に第１の絶縁層が形成されるが、この場合に
は該第１の絶縁層は結晶配向性ＺｎＯ絶縁層で構成され
、たとえばＺｎＯに１１などをドープした材料を用いる
ことができ、上記透明電極と同様に厚み方向における結
晶配向性に侵れた絶縁層どＪｏることができる。したが
って、交流駆動薄膜ＥＬ−素子においても、発光層の結
晶性を大幅に改善することができる。
光層との間に第１の絶縁層が形成されるが、この場合に
は該第１の絶縁層は結晶配向性ＺｎＯ絶縁層で構成され
、たとえばＺｎＯに１１などをドープした材料を用いる
ことができ、上記透明電極と同様に厚み方向における結
晶配向性に侵れた絶縁層どＪｏることができる。したが
って、交流駆動薄膜ＥＬ−素子においても、発光層の結
晶性を大幅に改善することができる。
［実施例の説明］
第１図は、この発明の一実施例を示す部分切欠断面図で
ある。この実施例の薄膜ＥＬ素子１１は、交流で駆動さ
れる形式の薄膜Ｅ Ｌ素子である。ここでは、たとえば
コーニング社７０５９ガラスからなる透光性基板１２−
１−に、Ａｌｌよりなる取出用電極１８が蒸着により形
成されている。該取出用電極１８に電気的に接続され得
るように、透光性基板１２上には、透明電極１３が形成
されている。
ある。この実施例の薄膜ＥＬ素子１１は、交流で駆動さ
れる形式の薄膜Ｅ Ｌ素子である。ここでは、たとえば
コーニング社７０５９ガラスからなる透光性基板１２−
１−に、Ａｌｌよりなる取出用電極１８が蒸着により形
成されている。該取出用電極１８に電気的に接続され得
るように、透光性基板１２上には、透明電極１３が形成
されている。
該透明電極１３は、結晶配向性ＺｎＯ電極により構成さ
れており、後述づるようにＺｎＯにＡ麩がドープされた
り＄８１よりなるものである。またくＺｎＯ透明電極１
３の上面には第１絶縁層としての結晶配向性ＺｎＯ絶縁
層１４がｒ［マグネトロンスパッタにＪ：り形成されて
いる。ＺｎＯ絶縁層１４の−に而には、ＺｎＳ：ＴｂＦ
、発光層１５がスパッタにＪ−り形成されており、さら
にその上面には第２絶縁層１６および背面電極１７．１
７が形成されている。
れており、後述づるようにＺｎＯにＡ麩がドープされた
り＄８１よりなるものである。またくＺｎＯ透明電極１
３の上面には第１絶縁層としての結晶配向性ＺｎＯ絶縁
層１４がｒ［マグネトロンスパッタにＪ：り形成されて
いる。ＺｎＯ絶縁層１４の−に而には、ＺｎＳ：ＴｂＦ
、発光層１５がスパッタにＪ−り形成されており、さら
にその上面には第２絶縁層１６および背面電極１７．１
７が形成されている。
上記したような各層のｌ？ｉ層構造は、第２図に示した
従来の薄膜ＥＬ素子１とほぼ同様である。しかしながら
、この実施例の薄膜「［素子１１では、透明電極１３お
Ｊ：び第１絶縁層１／１がＣ軸配向性に優れているｌＣ
め、発光層１５の形成にあたっては結晶性に優れたＺｎ
Ｓ膜が成長する。ところで、このような結晶配向性に優
れたＺｎＯ膜を得るには、約１μｍ以上の膜厚を必要と
する。したがって、薄膜ＥＬ素子の絶縁層として用いる
には、駆動電圧の増大等を招来し、不適当なものである
。
従来の薄膜ＥＬ素子１とほぼ同様である。しかしながら
、この実施例の薄膜「［素子１１では、透明電極１３お
Ｊ：び第１絶縁層１／１がＣ軸配向性に優れているｌＣ
め、発光層１５の形成にあたっては結晶性に優れたＺｎ
Ｓ膜が成長する。ところで、このような結晶配向性に優
れたＺｎＯ膜を得るには、約１μｍ以上の膜厚を必要と
する。したがって、薄膜ＥＬ素子の絶縁層として用いる
には、駆動電圧の増大等を招来し、不適当なものである
。
しかしながら、この実施例では、ＺｎＯにＡαがドープ
された配向性透明電極１３の−ににＺｎＯにｌｉがドー
プされた絶縁層１７′Ｉを成膜ηるものであるため結晶
配向性ＺｎＯ電［ｊ１３の膜厚がある稈痘厚（〕れば、
絶縁層１７１の膜厚が薄いにもかかわらず、結晶性の良
いＣ軸配向膜を形成することができる。したがって、第
１絶縁層１４の膜厚を薄＜シたままで、結晶性に優れた
発光層１５を形成し得る。第３図に、む軸結晶配向性Ｚ
、ｎＯ膜よりなる絶縁ｍ１４の上に発光層を形成したこ
の実施例と、従来のへ廷、０．膜からなる絶縁層上に発
光層を形成した例のＸ１１回折パターンを示す（実線Ｘ
が実施例、実線Ｙが従来例を示す。）。
された配向性透明電極１３の−ににＺｎＯにｌｉがドー
プされた絶縁層１７′Ｉを成膜ηるものであるため結晶
配向性ＺｎＯ電［ｊ１３の膜厚がある稈痘厚（〕れば、
絶縁層１７１の膜厚が薄いにもかかわらず、結晶性の良
いＣ軸配向膜を形成することができる。したがって、第
１絶縁層１４の膜厚を薄＜シたままで、結晶性に優れた
発光層１５を形成し得る。第３図に、む軸結晶配向性Ｚ
、ｎＯ膜よりなる絶縁ｍ１４の上に発光層を形成したこ
の実施例と、従来のへ廷、０．膜からなる絶縁層上に発
光層を形成した例のＸ１１回折パターンを示す（実線Ｘ
が実施例、実線Ｙが従来例を示す。）。
なお、発光層はいずれもＺｎＳ：ＴｂＦ３膜により形成
１ツノ、：。またこの実施例のＺｎＯ透明電極１３の膜
厚は約８０００Ａ、Ｚｎ Ｏ絶縁層１４の膜厚は約２０
００Ａである。同様に、第４図に、この実施例の輝度−
電圧特性を実線Ａで示１゜なお、比較のために、同一構
造の従来の薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を実線Ｂで示
す。第３図および第４図の結果から、この実施例の薄膜
Ｅ Ｌ素子１１では、ＺｎＳ発光層の結晶性が向上する
ことにより、低電圧駆動、高輝度化を実現することがで
き、高効率の薄膜ＥＬ素子の作製ができる。
１ツノ、：。またこの実施例のＺｎＯ透明電極１３の膜
厚は約８０００Ａ、Ｚｎ Ｏ絶縁層１４の膜厚は約２０
００Ａである。同様に、第４図に、この実施例の輝度−
電圧特性を実線Ａで示１゜なお、比較のために、同一構
造の従来の薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を実線Ｂで示
す。第３図および第４図の結果から、この実施例の薄膜
Ｅ Ｌ素子１１では、ＺｎＳ発光層の結晶性が向上する
ことにより、低電圧駆動、高輝度化を実現することがで
き、高効率の薄膜ＥＬ素子の作製ができる。
なお、上記実施例では、交流駆動型の薄膜ＥＬ素子１１
について説明したが、直流駆動型の薄膜Ｅ Ｌ素子につ
いてもこの発明を適用し得るものであることを指摘して
おく。すなわち、透明電極として結晶配向性ＺｎＯ電極
を用いることにより、第１絶縁層が形成されない直流駆
動型の薄膜ＥＬ素子であっても、その上に形成される発
光層の結晶性を同様に改善し得るからである。
について説明したが、直流駆動型の薄膜Ｅ Ｌ素子につ
いてもこの発明を適用し得るものであることを指摘して
おく。すなわち、透明電極として結晶配向性ＺｎＯ電極
を用いることにより、第１絶縁層が形成されない直流駆
動型の薄膜ＥＬ素子であっても、その上に形成される発
光層の結晶性を同様に改善し得るからである。
また、発光層については、上記実施例ではＺｎＳ：Ｔｂ
Ｆ３を用いたが、これに限らず、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ
：ＰｒＦｓ、ＺｎＳ：ＤｙＦａ、Ｚｎ３：ＴｍＦａおよ
びＺｎＳ：Ｃｕなど任意の２ｎＳを用いた発光層を用い
ることができ、またＺｎｓに代わりＳｒ Ｆ、Ｃａ Ｓ
などを主体とする発光−を用いることも可能である。
Ｆ３を用いたが、これに限らず、ＺｎＳ：Ｍｎ、ＺｎＳ
：ＰｒＦｓ、ＺｎＳ：ＤｙＦａ、Ｚｎ３：ＴｍＦａおよ
びＺｎＳ：Ｃｕなど任意の２ｎＳを用いた発光層を用い
ることができ、またＺｎｓに代わりＳｒ Ｆ、Ｃａ Ｓ
などを主体とする発光−を用いることも可能である。
さらに、第１図に示した実施例では、第２絶縁層１６を
設けたが、該第２絶帽１６は必ずしも必要なものではな
く、除去してもよい。また第２絶縁層１６を形成する場
合、第２絶縁層１６は、結晶配向性ＺｎＯ絶縁層により
構成されずともよ“ い。すなわち第２絶Ｉｉ層１６に
ついては、従来から用いられているＹ２０３ 、 Ｓ！
ｓ Ｎｓ 、Ａ ’Ｍ２０、などの任意の材料により
構成することも可能である。
設けたが、該第２絶帽１６は必ずしも必要なものではな
く、除去してもよい。また第２絶縁層１６を形成する場
合、第２絶縁層１６は、結晶配向性ＺｎＯ絶縁層により
構成されずともよ“ い。すなわち第２絶Ｉｉ層１６に
ついては、従来から用いられているＹ２０３ 、 Ｓ！
ｓ Ｎｓ 、Ａ ’Ｍ２０、などの任意の材料により
構成することも可能である。
次に、上記した第１図に示した実施例の製造方法につき
説明する。
説明する。
まず、上面に取出用電極１８がＡｆｌを蒸着することに
より形成されたガラスよりなる透光性基板１２を準備す
る。次に、基板ホルダ（図示せず）に、該透光性基板１
２が、取出電極１８の一部をマスクした状態で１？ツＩ
−される。この状態を第５図に平面図で示す。第５図に
おいて、２１はマスクを示す。次に、真空槽を２Ｘ １
０− ’ Ｔｏｒｒ以下の真空度に排気した後、マルチ
ターゲット方式のスパッタ法にて下記の工程により各層
が透光性基板１２上に形成される。
より形成されたガラスよりなる透光性基板１２を準備す
る。次に、基板ホルダ（図示せず）に、該透光性基板１
２が、取出電極１８の一部をマスクした状態で１？ツＩ
−される。この状態を第５図に平面図で示す。第５図に
おいて、２１はマスクを示す。次に、真空槽を２Ｘ １
０− ’ Ｔｏｒｒ以下の真空度に排気した後、マルチ
ターゲット方式のスパッタ法にて下記の工程により各層
が透光性基板１２上に形成される。
■ ＺｎＯ透明電極の形成
スパッタにより、結晶配向性ＺｎＯ透明電極１３を形成
する。ターゲットは、ＺｎＯ粉末に八〇。
する。ターゲットは、ＺｎＯ粉末に八〇。
２０Ｂ粉末を２手間％添加して混合したものを用いる。
このスパッタ条件を第１表に示す。得られた結晶配向性
ＺｎＯ透明電極の膜厚は約８００ＯＡとなる。
ＺｎＯ透明電極の膜厚は約８００ＯＡとなる。
第１表 スパッタ衆生
ターゲット ＺｎＯ粉末−２重量％Ａ立、０
．粉末 スパッタ方式 ＲＦマグネトロンスパッタリン
グパワー ５０Ｗ スパッタガス Ａｒ ガス圧 ８Ｘ −１０−” Ｔｏｒｒ時
間 ４０分 東且迦ａ ＃−−−−−−−−−−−
■ 結晶配向性ＺｎＯ絶縁層の形成 同一真空槽内で、ＺｎＯ焼結体ターゲットを用いてＲＦ
マグネトロンスパッタにより結晶配向性ＺｎＯ絶縁層を
形成する。この結晶配向ｆ４１７ｎ Ｏ絶縁層は、Ｚｎ
ＯにＬｉをドープしたものであり、第２表に示Ｊスパッ
タ条件により製膜される。膜厚は、約２０００Ａである
。
．粉末 スパッタ方式 ＲＦマグネトロンスパッタリン
グパワー ５０Ｗ スパッタガス Ａｒ ガス圧 ８Ｘ −１０−” Ｔｏｒｒ時
間 ４０分 東且迦ａ ＃−−−−−−−−−−−
■ 結晶配向性ＺｎＯ絶縁層の形成 同一真空槽内で、ＺｎＯ焼結体ターゲットを用いてＲＦ
マグネトロンスパッタにより結晶配向性ＺｎＯ絶縁層を
形成する。この結晶配向ｆ４１７ｎ Ｏ絶縁層は、Ｚｎ
ＯにＬｉをドープしたものであり、第２表に示Ｊスパッ
タ条件により製膜される。膜厚は、約２０００Ａである
。
表２ スパッタ条件
ターゲット ｌ−ｔをドープされたＺｎＯ焼
結ターゲラｉ〜 スパッタ方式 ＲＦマグネ１へロンパワー
３００Ｗ ガス Ａｒ １０２ ＝９０／ １０
ガス圧 ５Ｘ１０”’ ８Ｔｏｒｒ時間
１０分 基板温Ｉｆ １２０℃ ■ 発光層の形成 スパッタにより、ＺｎＳ：ＴｂＦ、発光層を形成する。
結ターゲラｉ〜 スパッタ方式 ＲＦマグネ１へロンパワー
３００Ｗ ガス Ａｒ １０２ ＝９０／ １０
ガス圧 ５Ｘ１０”’ ８Ｔｏｒｒ時間
１０分 基板温Ｉｆ １２０℃ ■ 発光層の形成 スパッタにより、ＺｎＳ：ＴｂＦ、発光層を形成する。
ターゲットは、純度９９．９９％の７ｎＳ粉末に、純度
９９．９９９％Ｔｂ Ｆ、粉末を４１１％添加したもの
を、ステンレス冊に仕込んだものを用いた。このスパッ
タ条件を第３表に示す。
９９．９９９％Ｔｂ Ｆ、粉末を４１１％添加したもの
を、ステンレス冊に仕込んだものを用いた。このスパッ
タ条件を第３表に示す。
発光層の膜厚は約５０００Ａである。発光層を形成した
後に４５０℃の温度で１時間真空中にて熱処理を施した
。
後に４５０℃の温度で１時間真空中にて熱処理を施した
。
表３ スパッタ条牛
ターゲット ７ｎＳ粉末−４重量％ＴｂＦ。
スパッタ方式 ＲＦマグネトロンパワー
６０Ｗ ガス Ａｒ ガス圧 ５Ｘ１０− ” Ｔｏｒｒ時間
４０分 基板温度 １５０℃ ■ 第２絶縁層の形成 上記のようにして得られた構造体に、背面電極としてＡ
ｌを電子ビーム蒸着により形成し、第１図に示した実施
例の交流駆動型ＷｍＥＬ素子を得る。
６０Ｗ ガス Ａｒ ガス圧 ５Ｘ１０− ” Ｔｏｒｒ時間
４０分 基板温度 １５０℃ ■ 第２絶縁層の形成 上記のようにして得られた構造体に、背面電極としてＡ
ｌを電子ビーム蒸着により形成し、第１図に示した実施
例の交流駆動型ＷｍＥＬ素子を得る。
上述のように、第１図に示した実施例の薄膜ＦＬ素子１
１の作成にあたっては、透明電極１３゜第１絶縁層とし
ての結晶配向性ＺｎＯ絶縁層１４および発光層１５が、
すべて同一の真空チャンバ内で行ない得る。したがって
、各層の界面は清浄に保たれ、また真空引き作業も１度
行なうだけでよいため、操作時間を短縮することができ
、したがって作業性および量産性に優れることがわかる
。
１の作成にあたっては、透明電極１３゜第１絶縁層とし
ての結晶配向性ＺｎＯ絶縁層１４および発光層１５が、
すべて同一の真空チャンバ内で行ない得る。したがって
、各層の界面は清浄に保たれ、また真空引き作業も１度
行なうだけでよいため、操作時間を短縮することができ
、したがって作業性および量産性に優れることがわかる
。
なお、第２絶縁層１６を、Ｙ２Ｏ，以外のＡｆＬ２０ｓ
＊ Ｓｉ ａ Ｎ４などでスパッタリング法により形
成する場合には、ターゲットとしてはこれらの材料の焼
結体を同一の真空チャンバ内に設けることができる。し
たがって、この場合には同一真空チャンバ内で各層をす
べて形成することができる。また、透明電極をマトリッ
クス状に形成するには、まず透光性基板の上に下地層と
して結晶配向性ＺｎＯ絶縁層を形成し、さらにその上に
７ｎｏ透明Ｎ極を形成Ｊ−る。この状態でエツチングに
よりマトリックス状のＺｎｏ透明電極に加工形成する。
＊ Ｓｉ ａ Ｎ４などでスパッタリング法により形
成する場合には、ターゲットとしてはこれらの材料の焼
結体を同一の真空チャンバ内に設けることができる。し
たがって、この場合には同一真空チャンバ内で各層をす
べて形成することができる。また、透明電極をマトリッ
クス状に形成するには、まず透光性基板の上に下地層と
して結晶配向性ＺｎＯ絶縁層を形成し、さらにその上に
７ｎｏ透明Ｎ極を形成Ｊ−る。この状態でエツチングに
よりマトリックス状のＺｎｏ透明電極に加工形成する。
さらにこの上に結晶配向性ＺｎＯ絶縁層を形成すればよ
い。このように下地層として適当な厚みの結晶配向性Ｚ
ｎＯ絶縁層を形成することにより、その表面には膜厚が
薄くても良好な結晶配向性を有するＺｎＯ透明電極およ
びＺｎＯ絶縁層が形成され、ＺｎＯ透明電極を厚くした
場合に生じるエツジ部分での耐圧低下を防止することが
できる。
い。このように下地層として適当な厚みの結晶配向性Ｚ
ｎＯ絶縁層を形成することにより、その表面には膜厚が
薄くても良好な結晶配向性を有するＺｎＯ透明電極およ
びＺｎＯ絶縁層が形成され、ＺｎＯ透明電極を厚くした
場合に生じるエツジ部分での耐圧低下を防止することが
できる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、透光性基板と発光層
との門に形成される透明電極が、結晶配向性ＺｎＯ電極
により構成されるため、その上側に形成される発光層の
結晶性を向上することができ、したがって高輝度の薄膜
ＥＬ素子を得ることが可能となる。
との門に形成される透明電極が、結晶配向性ＺｎＯ電極
により構成されるため、その上側に形成される発光層の
結晶性を向上することができ、したがって高輝度の薄膜
ＥＬ素子を得ることが可能となる。
第１図は、この発明の一実施例の薄膜ＦＬ素子を示す部
分切欠断面図である。第２図は、従来の薄膜ＥＬ素子を
示す略図的断面図である。第３図は、第１図に示した実
施例および従来の薄膜Ｅ Ｌ素子のＸ１１回折パターン
を示す図である。第４図は、第１図に示した実施例と、
従来例の輝度−電圧特性を示１−図である。第５図は、
第１図に示した実施例の製作にあたり、取出電極が形成
された透光性基板を薄膜形成に際してマスク１ノだ状態
を示す平面図である。 図において、１１は薄膜ＥＬ−素子、１２は透光性基板
、１３は結晶配向性ＺｎＯ透明電極、１４は結晶配向性
ＺｎＯ絶縁層、１５は発光層、１７゜１７は電極を示す
。
分切欠断面図である。第２図は、従来の薄膜ＥＬ素子を
示す略図的断面図である。第３図は、第１図に示した実
施例および従来の薄膜Ｅ Ｌ素子のＸ１１回折パターン
を示す図である。第４図は、第１図に示した実施例と、
従来例の輝度−電圧特性を示１−図である。第５図は、
第１図に示した実施例の製作にあたり、取出電極が形成
された透光性基板を薄膜形成に際してマスク１ノだ状態
を示す平面図である。 図において、１１は薄膜ＥＬ−素子、１２は透光性基板
、１３は結晶配向性ＺｎＯ透明電極、１４は結晶配向性
ＺｎＯ絶縁層、１５は発光層、１７゜１７は電極を示す
。
Claims (5)
- （１）透光性基板、該透光性基板上に形成された透明
電極、発光層および該発光層を介して前記透明電極とは
反対側に設けられた電極を備える薄膜ＥＬ素子において
、 前記透光性基板と発光層との間に形成される透明電極が
、結晶配向性ＺｎＯ電極であることを特徴とする、薄膜
ＥＬ素子。 - （２）前記結晶配向性ＺｎＯ電極と発光層との間に、
結晶配向性ＺｎＯ絶縁層が形成されている、特許請求の
範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子。 - （３）前記透光性基板と前記結晶配向性ＺｎＯ電極と
の間に結晶配向性ＺｎＯ絶縁層が形成されている、特許
請求の範囲第１項記載の薄膜ＥＬ素子。 - （４）前記結晶配向性ＺｎＯ電極は、ＺｎＯにＡｌが
ドープされた材料よりなる、特許請求の範囲第１項また
は第３項記載の薄膜ＥＬ素子。 - （５）前記結晶配向性ＺｎＯ絶縁層は、ＺｎＯにＬｉ
がドープされた材料よりなる、特許請求の範囲第２項な
いし第４項のいずれかに記載の薄膜ＥＬ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038391A JPS61198592A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
| US06/828,020 US4737684A (en) | 1985-02-21 | 1986-02-10 | Thin film EL element having a crystal-orientable ZnO sublayer for a light-emitting layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60038391A JPS61198592A (ja) | 1985-02-27 | 1985-02-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61198592A true JPS61198592A (ja) | 1986-09-02 |
| JPH046279B2 JPH046279B2 (ja) | 1992-02-05 |
Family
ID=12523981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60038391A Granted JPS61198592A (ja) | 1985-02-21 | 1985-02-27 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61198592A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0353495A (ja) * | 1989-07-18 | 1991-03-07 | Gunze Ltd | 酸化亜鉛を透明電極とした分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
| JPH04108457U (ja) * | 1991-03-01 | 1992-09-18 | 株式会社東海理化電機製作所 | エアバツグ装置の袋体 |
| WO2008099702A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Sony Corporation | エレクトロウェッティングデバイス及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56110779A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display device |
| JPS5859594A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-04-08 | コニカ株式会社 | 発光素子 |
| JPS59101794A (ja) * | 1982-12-02 | 1984-06-12 | 株式会社デンソー | 薄膜エレクトロルミネツセンス素子 |
| JPS59175593A (ja) * | 1983-03-25 | 1984-10-04 | 松下電器産業株式会社 | エレクトロルミネセンス表示装置 |
-
1985
- 1985-02-27 JP JP60038391A patent/JPS61198592A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56110779A (en) * | 1980-02-06 | 1981-09-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Display device |
| JPS5859594A (ja) * | 1981-10-03 | 1983-04-08 | コニカ株式会社 | 発光素子 |
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| WO2008099702A1 (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Sony Corporation | エレクトロウェッティングデバイス及びその製造方法 |
| JP2008197296A (ja) * | 2007-02-13 | 2008-08-28 | Sony Corp | エレクトロウェッティングデバイス及びその製造方法 |
| US8081389B2 (en) | 2007-02-13 | 2011-12-20 | Sony Corporation | Electro-wetting device and a method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046279B2 (ja) | 1992-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |