JPS63250420A - 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 - Google Patents
磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法Info
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- JPS63250420A JPS63250420A JP62083852A JP8385287A JPS63250420A JP S63250420 A JPS63250420 A JP S63250420A JP 62083852 A JP62083852 A JP 62083852A JP 8385287 A JP8385287 A JP 8385287A JP S63250420 A JPS63250420 A JP S63250420A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はトランス等の鉄芯に用いられる高磁束密度一方
向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。
向性電磁鋼板の製造方法に関するものである。
一方向性電磁鋼板は軟磁性材料として主にトランスその
他の電気機器の鉄芯材料に使用されているもので、磁気
特性として励磁特性と鉄損特性が良好でなくてはならな
い。
他の電気機器の鉄芯材料に使用されているもので、磁気
特性として励磁特性と鉄損特性が良好でなくてはならな
い。
この励磁特性を表わす数値として通常Bl+(磁場の強
さ800A/mにおける磁束密度)を用い、鉄損特性を
表わす数値としてW17150 (50Hzで1.7T
まで磁化させた時の1 kg当りの鉄損)を用いている
。
さ800A/mにおける磁束密度)を用い、鉄損特性を
表わす数値としてW17150 (50Hzで1.7T
まで磁化させた時の1 kg当りの鉄損)を用いている
。
この一方向性電磁鋼板は最終仕上焼鈍工程で2次再結晶
現象を起こさせ、鋼板面に(110)面、圧延方向に<
ool>軸をもったいわゆるゴス組織を発達させること
によって得られている。良好な磁気特性を得るためには
磁化容易軸である<001>軸を圧延方向に高度に揃え
る事が重要である。又板厚、結晶粒度、固有抵抗、表面
被膜、鋼板の純度等も磁気特性に大きな影響を及ぼす。
現象を起こさせ、鋼板面に(110)面、圧延方向に<
ool>軸をもったいわゆるゴス組織を発達させること
によって得られている。良好な磁気特性を得るためには
磁化容易軸である<001>軸を圧延方向に高度に揃え
る事が重要である。又板厚、結晶粒度、固有抵抗、表面
被膜、鋼板の純度等も磁気特性に大きな影響を及ぼす。
方向性については、MnS、AINをインヒビターとし
て利用する最終強圧下冷間圧延を特徴とする方法によっ
て大幅に向上し、それに伴って鉄損特性も著しく向上し
てきた。
て利用する最終強圧下冷間圧延を特徴とする方法によっ
て大幅に向上し、それに伴って鉄損特性も著しく向上し
てきた。
一方近年エネルギー価格の高騰を背景として、トランス
メーカーは低鉄損トランス用素材への指向を一段と強め
ている。低鉄損素材としてアモルファス合金や6.5%
Si鋼等の開発も進められているが、トランス用材料と
して工業的に使用するには解決すべき問題を残している
。他方レーザー等を用いた磁区制御技術が近年開発され
、それによって鉄損特性が大幅に向上した。また製品の
磁束密度が高いほど磁区制御技術の効果が大きいため、
磁束密度の極めて高い製品を開発する必要性が高まって
きた。
メーカーは低鉄損トランス用素材への指向を一段と強め
ている。低鉄損素材としてアモルファス合金や6.5%
Si鋼等の開発も進められているが、トランス用材料と
して工業的に使用するには解決すべき問題を残している
。他方レーザー等を用いた磁区制御技術が近年開発され
、それによって鉄損特性が大幅に向上した。また製品の
磁束密度が高いほど磁区制御技術の効果が大きいため、
磁束密度の極めて高い製品を開発する必要性が高まって
きた。
含AI一方向性電磁鋼板を製造する方法において、最終
仕上焼鈍における昇温速度を低めとすることによって磁
束密度を高める方法が提案されているが(特公昭56−
33450) 、被膜形成が困難になる等解決すべき問
題を残している。
仕上焼鈍における昇温速度を低めとすることによって磁
束密度を高める方法が提案されているが(特公昭56−
33450) 、被膜形成が困難になる等解決すべき問
題を残している。
C発明が解決しようとする問題点〕
一方向性電磁鋼板を製造する場合極めて高い磁束密度を
もつ製品を安定して得ることが難しいという問題点を解
決する方法を提供するものである。
もつ製品を安定して得ることが難しいという問題点を解
決する方法を提供するものである。
CfjfH点を解決するための手段〕
本発明はAINを主インヒビターとし、珪素鋼熱延板を
必要に応じて焼鈍し、圧下率80超〜95%の強圧下最
終冷間圧延を含む1回以上の冷間圧延と、その間に行な
う中間焼鈍と最終冷間圧延後の脱炭焼鈍、最終仕上焼鈍
を施して一方向性電磁鋼板を製造する方法において、上
記最終仕上焼鈍を行なう際700℃から900〜105
0℃の温度域までは2〜b l000℃の温度域まで降温させ、次いで1100〜1
300℃の仕上焼鈍温度まで2〜b ることによって極めて磁束密度の高い一方向性電磁鋼板
を製造する方法を提供するものである。
必要に応じて焼鈍し、圧下率80超〜95%の強圧下最
終冷間圧延を含む1回以上の冷間圧延と、その間に行な
う中間焼鈍と最終冷間圧延後の脱炭焼鈍、最終仕上焼鈍
を施して一方向性電磁鋼板を製造する方法において、上
記最終仕上焼鈍を行なう際700℃から900〜105
0℃の温度域までは2〜b l000℃の温度域まで降温させ、次いで1100〜1
300℃の仕上焼鈍温度まで2〜b ることによって極めて磁束密度の高い一方向性電磁鋼板
を製造する方法を提供するものである。
即ち本発明者らは、AINを主インヒビターとする上記
一方向性電磁鋼板の製造方法において、極めて磁束密度
の高い製品を安定して得ることが難しいという問題点を
解決する方法を種々検討した結果、最終仕上焼鈍を行な
う際700℃から900〜1050℃の温度域までは2
〜b ない、ひき続き700〜1000℃の温度域まで降温さ
せ次いで1100〜1300℃の仕上焼鈍温度まで2〜
b 極めて高くなるという現象を発見した。
一方向性電磁鋼板の製造方法において、極めて磁束密度
の高い製品を安定して得ることが難しいという問題点を
解決する方法を種々検討した結果、最終仕上焼鈍を行な
う際700℃から900〜1050℃の温度域までは2
〜b ない、ひき続き700〜1000℃の温度域まで降温さ
せ次いで1100〜1300℃の仕上焼鈍温度まで2〜
b 極めて高くなるという現象を発見した。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明の出発素材である珪素鋼熱延板の成分については
Si:2.5〜4.0%、C: 0.03〜0.10%
、酸可溶性Al : 0.010〜0.065%、N
: 0.0010〜0.0150%、Mn : 0
.02〜0.30%、S : 0.005〜0.040
%を含有する必要がある。
Si:2.5〜4.0%、C: 0.03〜0.10%
、酸可溶性Al : 0.010〜0.065%、N
: 0.0010〜0.0150%、Mn : 0
.02〜0.30%、S : 0.005〜0.040
%を含有する必要がある。
Sf は4,0%を超すと脆化が激しく冷間圧延が困難
となり好ましくない。一方2.5%未満では電気抵抗が
低く良好な鉄損特性を得難い。
となり好ましくない。一方2.5%未満では電気抵抗が
低く良好な鉄損特性を得難い。
Cは0.03%未満では脱炭工程以前でのγ量が極めて
少なくなってしまい良好な1次再結晶組織が得難い。一
方0.10%を超えると脱炭不良となり好ましくない。
少なくなってしまい良好な1次再結晶組織が得難い。一
方0.10%を超えると脱炭不良となり好ましくない。
酸可溶性AI、Nは本発明において高磁束密度を得るた
めに必須の主インヒビターAINを得るための基本成分
であり、上記範囲を外れると2次再結晶が不安定となり
好ましくないので酸可溶性AI は、0.010〜0.
065%、Nは0.0010〜0.0150%とする。
めに必須の主インヒビターAINを得るための基本成分
であり、上記範囲を外れると2次再結晶が不安定となり
好ましくないので酸可溶性AI は、0.010〜0.
065%、Nは0.0010〜0.0150%とする。
またMnおよびSはインヒビターMnSを形成するため
に必要な元素であり、上記範囲を外れると2次再結晶が
不安定となり好ましくないのでMnは0.02〜0.3
0%、Sはo、oos〜0.040%と定める。
に必要な元素であり、上記範囲を外れると2次再結晶が
不安定となり好ましくないのでMnは0.02〜0.3
0%、Sはo、oos〜0.040%と定める。
その他インヒビター構成元素として公知であるSn、S
b、Se、Te、Cu、Nb、Cr、Ni、B 、 V
、 As。
b、Se、Te、Cu、Nb、Cr、Ni、B 、 V
、 As。
Bf等を必要に応じて含有させてよい。
本発明は上記成分を含有する珪素鋼熱延板を出発材とし
、必要に応じて焼鈍し、圧下率80超〜95%の強圧下
最終冷間圧延を含む1回以上の冷間圧延と、その間に行
なう中間焼鈍と最終冷間圧延後の脱炭焼鈍、最終仕上焼
鈍を施す製造工程を前提としている。
、必要に応じて焼鈍し、圧下率80超〜95%の強圧下
最終冷間圧延を含む1回以上の冷間圧延と、その間に行
なう中間焼鈍と最終冷間圧延後の脱炭焼鈍、最終仕上焼
鈍を施す製造工程を前提としている。
本発明はAINを主インヒビターとしており、AINの
析出処理を目的として、700〜1200℃の熱延板焼
鈍を必要に応じて行なう。
析出処理を目的として、700〜1200℃の熱延板焼
鈍を必要に応じて行なう。
2回以上の冷間圧延を行なう際の冷間圧延の間に行なう
中間焼鈍は700〜1200℃の温度で行なう。
中間焼鈍は700〜1200℃の温度で行なう。
最終強圧下冷間圧延の圧下率は80超〜95%にする必
要がある。80%以下では高磁束密度が得難く、95%
を超えると脱炭焼鈍後の集合組織が不適切となるため2
次再結晶に不安定が生じる。
要がある。80%以下では高磁束密度が得難く、95%
を超えると脱炭焼鈍後の集合組織が不適切となるため2
次再結晶に不安定が生じる。
最終強圧下冷間圧延後鋼板に700〜900℃の温度で
脱炭焼鈍を行なう。脱炭焼鈍後の鋼板表面に焼鈍分離剤
を塗布し、次いで最終仕上焼鈍を行ない製品とする。本
発明の特徴はこの最終仕上焼鈍工程にある。
脱炭焼鈍を行なう。脱炭焼鈍後の鋼板表面に焼鈍分離剤
を塗布し、次いで最終仕上焼鈍を行ない製品とする。本
発明の特徴はこの最終仕上焼鈍工程にある。
最終仕上焼鈍を行なう際は、700℃から900〜10
50℃の温度域までは2〜b ない、ひき続き700−1000℃の温度域まで降温さ
せ、次いで1100〜1300℃の仕上焼鈍温度まで2
〜b 上焼鈍条件の限定理由を説明する。
50℃の温度域までは2〜b ない、ひき続き700−1000℃の温度域まで降温さ
せ、次いで1100〜1300℃の仕上焼鈍温度まで2
〜b 上焼鈍条件の限定理由を説明する。
本発明者らは、2次再結晶挙動を詳細に調査した結果次
のような新しい知見を得た。第1図に2次再結晶開始初
期及び2次再結晶完了期の2次再結晶粒の方位の一例を
示す。2次再結晶開始初期の2次再結晶粒の方位は(1
101<001>に極めて近く、2次再結晶が進行する
に従って(110)<001>方位から分散した方位粒
が2次再結晶してくるのがわかる。2次再結晶現象は木
質的には鉄の拡散による現象であり、温度によって大き
な影響を受ける。本発明者らは2次再結晶開始初期の2
次再結晶粒が(1101<001>に極めて近いことに
着目し、2次再結晶開始直前又は開始初期に温度を降下
させることによって鉄の拡散を抑制しく110 ) <
001>に極めて近い方位粒のみを2次再結晶させるこ
とが可能ではないかと推定して広範な実験を行なった。
のような新しい知見を得た。第1図に2次再結晶開始初
期及び2次再結晶完了期の2次再結晶粒の方位の一例を
示す。2次再結晶開始初期の2次再結晶粒の方位は(1
101<001>に極めて近く、2次再結晶が進行する
に従って(110)<001>方位から分散した方位粒
が2次再結晶してくるのがわかる。2次再結晶現象は木
質的には鉄の拡散による現象であり、温度によって大き
な影響を受ける。本発明者らは2次再結晶開始初期の2
次再結晶粒が(1101<001>に極めて近いことに
着目し、2次再結晶開始直前又は開始初期に温度を降下
させることによって鉄の拡散を抑制しく110 ) <
001>に極めて近い方位粒のみを2次再結晶させるこ
とが可能ではないかと推定して広範な実験を行なった。
以下実験結果に基づいて詳細に説明する。
第2図に最終仕上焼鈍の途中過程で降温を始めた温度と
製品の磁束密度との関係を示す。この場合Si:3.2
7%、C: 0.078%、酸可溶性Al:0.026
%、N : 0.0085%、Mn : 0.071
%、S:0.025%を含有する2、3鶴厚の熱延板を
出発材とし、かかる熱延板を1100℃2分間の焼鈍後
急冷し、0 、225 mの最終厚みまで冷間圧延し、
ついで脱炭焼鈍を行なった後MgOを主成分とする焼鈍
分離剤を塗布し、15℃/hrの昇温速度で、第2図に
示す各温度まで昇温した後、800℃まで降温した。
製品の磁束密度との関係を示す。この場合Si:3.2
7%、C: 0.078%、酸可溶性Al:0.026
%、N : 0.0085%、Mn : 0.071
%、S:0.025%を含有する2、3鶴厚の熱延板を
出発材とし、かかる熱延板を1100℃2分間の焼鈍後
急冷し、0 、225 mの最終厚みまで冷間圧延し、
ついで脱炭焼鈍を行なった後MgOを主成分とする焼鈍
分離剤を塗布し、15℃/hrの昇温速度で、第2図に
示す各温度まで昇温した後、800℃まで降温した。
800℃に達した時点で再び15℃/hrの昇温速度で
昇温を始め、1200℃まで昇温を行なった後20時間
1200℃に保持した。ここでの焼鈍雰囲気は、室温か
ら1200℃までは25%N! +’7s%H2とし、
1200℃での保定中は100%H2とした。第2図か
ら明らかなように降温開始温度900〜1050℃の範
囲で磁束密度の向上効果が見られ、第2図を基に降温開
始温度を規定した。
昇温を始め、1200℃まで昇温を行なった後20時間
1200℃に保持した。ここでの焼鈍雰囲気は、室温か
ら1200℃までは25%N! +’7s%H2とし、
1200℃での保定中は100%H2とした。第2図か
ら明らかなように降温開始温度900〜1050℃の範
囲で磁束密度の向上効果が見られ、第2図を基に降温開
始温度を規定した。
そこで、900〜1050℃の温度域から700〜10
00℃の温度域まで降温させる。純化を目的として鋼板
を1100℃以上にする必要上、700℃未満にまで降
温させると製造コストが増加するため好ましくなく 、
1000℃を超えると2次再、結晶の進行が速いため効
果が得難いので700〜1000℃の温度域まで降温さ
せると規定した。
00℃の温度域まで降温させる。純化を目的として鋼板
を1100℃以上にする必要上、700℃未満にまで降
温させると製造コストが増加するため好ましくなく 、
1000℃を超えると2次再、結晶の進行が速いため効
果が得難いので700〜1000℃の温度域まで降温さ
せると規定した。
続いて、700〜1000℃の温度域から1100〜1
300℃の仕上焼鈍温度まで昇温させる。1100℃未
満で純化を行なうと時間がかかりすぎ好ましくなく、純
化の点で1300℃超まで温度を上げる必要がない上製
造コストが増加して好ましくない。
300℃の仕上焼鈍温度まで昇温させる。1100℃未
満で純化を行なうと時間がかかりすぎ好ましくなく、純
化の点で1300℃超まで温度を上げる必要がない上製
造コストが増加して好ましくない。
700℃から900〜1050℃の温度域までの昇温速
度は2〜b 次再結晶が不安定となり好ましくなく、50℃/hrを
超えると2次再結晶の核発生が過度となり、(110)
<001>方位から分散したものまで容易に核発生し
結果として磁束密度が低下して好ましくない。
度は2〜b 次再結晶が不安定となり好ましくなく、50℃/hrを
超えると2次再結晶の核発生が過度となり、(110)
<001>方位から分散したものまで容易に核発生し
結果として磁束密度が低下して好ましくない。
700〜1000℃の温度域から1100〜1300℃
の仕上焼鈍温度までの昇温速度は2〜b 2℃/hr未満では2次再結晶が不安定となり、好まし
くなく、50℃/hrを超えると、2次再結晶の核が過
度に発生しやすくなり、(110) <001>方位か
ら分散したものまで容易に核発生し結果として磁束密度
が低下して好ましくない。
の仕上焼鈍温度までの昇温速度は2〜b 2℃/hr未満では2次再結晶が不安定となり、好まし
くなく、50℃/hrを超えると、2次再結晶の核が過
度に発生しやすくなり、(110) <001>方位か
ら分散したものまで容易に核発生し結果として磁束密度
が低下して好ましくない。
本発明の特徴である900〜1050℃の温度域から7
00〜1000℃の温度域まで降温させる効果のメカニ
ズムについては必ずしも明らかではないが、本発明者ら
は以下のように考えている。第1図に示すように、2次
再結晶開始初期の2次再結晶粒の方位は(110) <
001>方位に極めて近い。これは(110) <00
1.>に極めて近い方位粒の核発生が(1101<00
1>から分散した方位の核発生よりも早期に起ることを
示唆している。2次再結晶の核発生に関してはいくつか
の考え方があるが、鉄の拡散を必要とするという点では
共通している。拡散現象自体温度に強く依存することは
知られており、(110) <001>に極めて近い方
位粒の核が発生した段階で温度を下げると(110)
<001>から分散した方位粒の核発生が生じな(なる
ものと考えられる。700〜1000℃のいずれかの温
度から1100−1300℃のいずれかの温度までの昇
温中筬に核発生している(1101 <001>に極め
て近い方位粒は容易に2次再結晶粒となり粒成長してい
くのに対して、(110) <OODから分散した方位
粒は降温を始めた温度以上に達っした時にようやく核発
生時期を迎えることになる。そしてその時点では(11
0) <001>に極めて近い2次再結晶粒が鋼板のか
なりの部分を占めてしまって(1101<001>から
分散した方位粒の核発生が可能な鋼板部分が少なくなっ
ていると考えられる。従って本発明の効果は(110)
<001>から分散した方位粒の核発生を積極的に抑
制することによって、(1101<001>に極めて近
い2次再結晶粒が鋼板を占める割合を増加させたことに
よると考えられる。
00〜1000℃の温度域まで降温させる効果のメカニ
ズムについては必ずしも明らかではないが、本発明者ら
は以下のように考えている。第1図に示すように、2次
再結晶開始初期の2次再結晶粒の方位は(110) <
001>方位に極めて近い。これは(110) <00
1.>に極めて近い方位粒の核発生が(1101<00
1>から分散した方位の核発生よりも早期に起ることを
示唆している。2次再結晶の核発生に関してはいくつか
の考え方があるが、鉄の拡散を必要とするという点では
共通している。拡散現象自体温度に強く依存することは
知られており、(110) <001>に極めて近い方
位粒の核が発生した段階で温度を下げると(110)
<001>から分散した方位粒の核発生が生じな(なる
ものと考えられる。700〜1000℃のいずれかの温
度から1100−1300℃のいずれかの温度までの昇
温中筬に核発生している(1101 <001>に極め
て近い方位粒は容易に2次再結晶粒となり粒成長してい
くのに対して、(110) <OODから分散した方位
粒は降温を始めた温度以上に達っした時にようやく核発
生時期を迎えることになる。そしてその時点では(11
0) <001>に極めて近い2次再結晶粒が鋼板のか
なりの部分を占めてしまって(1101<001>から
分散した方位粒の核発生が可能な鋼板部分が少なくなっ
ていると考えられる。従って本発明の効果は(110)
<001>から分散した方位粒の核発生を積極的に抑
制することによって、(1101<001>に極めて近
い2次再結晶粒が鋼板を占める割合を増加させたことに
よると考えられる。
1100〜1300℃の仕上焼鈍温度まで昇温した後は
S、N等の不純物の純化のために1100〜1300℃
の温度範囲に5時間以上保持する。
S、N等の不純物の純化のために1100〜1300℃
の温度範囲に5時間以上保持する。
最終仕上焼鈍中の雰囲気については特に限定しないが、
室温から900〜1050℃の温度域までの昇温過程、
ひき続<700〜1000℃の温度域までの降温過程、
ひき続< 1100〜1300℃の仕上焼鈍温度までの
昇温過程において焼鈍雰囲気に5%以上の窒素ガスが含
まれていることは2次再結晶の安定化の点で好ましい。
室温から900〜1050℃の温度域までの昇温過程、
ひき続<700〜1000℃の温度域までの降温過程、
ひき続< 1100〜1300℃の仕上焼鈍温度までの
昇温過程において焼鈍雰囲気に5%以上の窒素ガスが含
まれていることは2次再結晶の安定化の点で好ましい。
最終仕上焼鈍後に鋼板に張力を付加するコーティングを
行なうと鉄損特性が一層向上する。本発明によって製造
された製品は極めて磁束密度が高いため、レーザー等を
用いた磁区制御を行なうと極めて鉄損特性の優れた製品
になる。
行なうと鉄損特性が一層向上する。本発明によって製造
された製品は極めて磁束密度が高いため、レーザー等を
用いた磁区制御を行なうと極めて鉄損特性の優れた製品
になる。
以下実施例について述べる。
実施例I
Si:3.25%、C: 0.078%、酸可溶性Al
=0.026%、N : 0.0085%、Mn
: 0.071%、S:0.025%、Sn:0.12
%、Cu : 0.07%を含む板厚2.3鶴の熱延板
に1100℃2分間の焼鈍後0.225鶴の最終厚みま
で冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きMgOを主
成分とする焼鈍分離剤を塗布し、01200℃まで15
℃/hrで昇温、0950℃まで15℃/hrで昇温後
800℃まで降温し再び15℃/hrで1200℃まで
昇温、01000℃まで15℃/hrで昇温後800℃
まで降温し再び15℃/hrで1200℃まで昇温の3
通りの処理後ひき続き1200℃で20時間保持した。
=0.026%、N : 0.0085%、Mn
: 0.071%、S:0.025%、Sn:0.12
%、Cu : 0.07%を含む板厚2.3鶴の熱延板
に1100℃2分間の焼鈍後0.225鶴の最終厚みま
で冷間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きMgOを主
成分とする焼鈍分離剤を塗布し、01200℃まで15
℃/hrで昇温、0950℃まで15℃/hrで昇温後
800℃まで降温し再び15℃/hrで1200℃まで
昇温、01000℃まで15℃/hrで昇温後800℃
まで降温し再び15℃/hrで1200℃まで昇温の3
通りの処理後ひき続き1200℃で20時間保持した。
焼鈍雰囲気は1200℃以下では25%Nt +75%
H2とし1200℃になった時点で100%H2とした
。処理条件と製品の磁束密度との関係を第1表に示す。
H2とし1200℃になった時点で100%H2とした
。処理条件と製品の磁束密度との関係を第1表に示す。
第1表
実施例2
Si:3.51%、C: 0.084%、酸可溶性AI
二〇、025%、N : 0.0080%、Mn
: 0.075%、S:0.024%、Sn:0.16
%を含む板厚2.3flの熱延板に1100℃2分間の
焼鈍後0.22511の最終厚みまで冷間圧延し、つい
で脱炭焼鈍し、ひき続きMg。
二〇、025%、N : 0.0080%、Mn
: 0.075%、S:0.024%、Sn:0.16
%を含む板厚2.3flの熱延板に1100℃2分間の
焼鈍後0.22511の最終厚みまで冷間圧延し、つい
で脱炭焼鈍し、ひき続きMg。
を主成分とする焼鈍分離剤を塗布し、01200℃まで
15℃/hrで昇温、0950℃まで15℃/hrで昇
温後800℃まで降温し再び15℃/hrで1200℃
まで昇温の2通りの処理後ひき続き1200℃で20時
間保持した。焼鈍雰囲気は1200℃以下では25%N
Z +75%11□とし1200℃になった時点で10
0%H7とした。処理条件と製品の磁束密度との関係を
第2表に示す。
15℃/hrで昇温、0950℃まで15℃/hrで昇
温後800℃まで降温し再び15℃/hrで1200℃
まで昇温の2通りの処理後ひき続き1200℃で20時
間保持した。焼鈍雰囲気は1200℃以下では25%N
Z +75%11□とし1200℃になった時点で10
0%H7とした。処理条件と製品の磁束密度との関係を
第2表に示す。
第2表
実施例3
Si:3.29%、C: 0.075%、酸可溶性AI
=0.026%、N : 0.0085%、Mn
: 0.071%、S:0.025%、Sn:0.12
%、Cu:0.06%を含む板厚2.3鰭の熱延板に1
100℃2分間の焼鈍後0.225鰭の最終厚みまで冷
間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きMgOを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布し、01200℃まで15℃/
hrで昇温、01000℃まで15℃/hrで昇温し、
1000℃で15時間保持後15℃/hrで1200℃
まで昇温、01000℃まで15’C/hrで昇温後8
00℃まで降温し、再び15°C/hrで1200℃ま
で昇温の3通りの処理後ひき続き1200℃で20時間
保持した。焼鈍雰囲気は1200℃以下では25%N!
+75%H2として1200℃になった時点で、100
%H2とした。処理条件と製品の磁束密度との関係を第
3表に示す。
=0.026%、N : 0.0085%、Mn
: 0.071%、S:0.025%、Sn:0.12
%、Cu:0.06%を含む板厚2.3鰭の熱延板に1
100℃2分間の焼鈍後0.225鰭の最終厚みまで冷
間圧延し、ついで脱炭焼鈍し、ひき続きMgOを主成分
とする焼鈍分離剤を塗布し、01200℃まで15℃/
hrで昇温、01000℃まで15℃/hrで昇温し、
1000℃で15時間保持後15℃/hrで1200℃
まで昇温、01000℃まで15’C/hrで昇温後8
00℃まで降温し、再び15°C/hrで1200℃ま
で昇温の3通りの処理後ひき続き1200℃で20時間
保持した。焼鈍雰囲気は1200℃以下では25%N!
+75%H2として1200℃になった時点で、100
%H2とした。処理条件と製品の磁束密度との関係を第
3表に示す。
以下余白
第3表
〔発明の効果〕
以上のとおり、本発明によれば、最終仕上焼鈍工程の熱
サイクルに降温部を付加することによって極めて磁束密
度の高い一方向性電磁鋼板を安定して製造することがで
きるので、その工業的効果は大きい。
サイクルに降温部を付加することによって極めて磁束密
度の高い一方向性電磁鋼板を安定して製造することがで
きるので、その工業的効果は大きい。
第1図は2次再結晶開始初期と2次再結晶完了期の2次
再結晶粒の方位の比較図。第2図は最終仕上焼鈍の工程
中降温を開始する温度と製品の磁束密度との関係図であ
る。 (100)極点図 俸1図 第2図 手続補正W(自発) 昭和62年11月72日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1、事件の表示 昭和62年特許願第83852号 2、 発明の名称 磁束密度の掻めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (665)新日本製鐵株式会社 4、代理人 住所 〒105東京都港区虎ノ門−丁目8番IO号5、
補正の対象 図面(第2図) 6、補正の内容 第2図を別紙のように補正する。 7、添付書類の目録 図面(第2図) 1通第2図
再結晶粒の方位の比較図。第2図は最終仕上焼鈍の工程
中降温を開始する温度と製品の磁束密度との関係図であ
る。 (100)極点図 俸1図 第2図 手続補正W(自発) 昭和62年11月72日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 1、事件の表示 昭和62年特許願第83852号 2、 発明の名称 磁束密度の掻めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 (665)新日本製鐵株式会社 4、代理人 住所 〒105東京都港区虎ノ門−丁目8番IO号5、
補正の対象 図面(第2図) 6、補正の内容 第2図を別紙のように補正する。 7、添付書類の目録 図面(第2図) 1通第2図
Claims (1)
- 重量%で、Si:2.5〜4.0%、C:0.03〜0
.10%、solAl:0.010〜0.065%、N
:0.0010〜0.0150%、Mn:0.02〜0
.30%、S:0.005〜0.040%および残部が
実質的にFeからなる珪素鋼熱延板を、圧下率:80超
〜95%の強圧下最終冷間圧延を含む1回或は中間焼鈍
過程を介挿する2回以上の冷間圧延を行い、次いで脱炭
焼鈍、焼鈍分離剤塗布さらに最終仕上焼鈍を施して一方
向性電磁鋼板を製造する方法において、前記最終仕上焼
鈍を行うに際し、上記成分を有する珪素鋼板を700℃
から900〜1050℃の温度域内までを2〜50℃/
hrの昇温速度で加熱し、次いで700〜1000℃の
温度域内まで降温せしめさらに、1100〜1300℃
の仕上焼鈍温度まで2〜50℃/hrの昇温速度で加熱
することを特徴とする磁束密度の極めて高い一方向性電
磁鋼板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62083852A JPH0826398B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62083852A JPH0826398B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63250420A true JPS63250420A (ja) | 1988-10-18 |
JPH0826398B2 JPH0826398B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=13814225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62083852A Expired - Lifetime JPH0826398B2 (ja) | 1987-04-07 | 1987-04-07 | 磁束密度の極めて高い一方向性電磁鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0826398B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5855212A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-01 | Toyota Motor Corp | 模型の成形方法 |
-
1987
- 1987-04-07 JP JP62083852A patent/JPH0826398B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5855212A (ja) * | 1981-09-29 | 1983-04-01 | Toyota Motor Corp | 模型の成形方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0826398B2 (ja) | 1996-03-13 |
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