JPS63249912A - 磁気ヘツド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は磁気記録媒体に磁気コアを摺接して情報の記録
又は再生を行なう磁気ヘッドに関し、特に突き合わせ面
に金属磁性薄膜を成膜した強磁性酸化物から成る一対の
磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わせガラス溶
着により接合して成る磁気コアを有したいわゆる複合型
の磁気ヘッドに関するものである。

［従来の技術］ 第４図はこの種の複合型の磁気ヘッドとしてＶＴＲのビ
デオ用ヘッドの磁気コアの構造を示している。

図示のようにこの磁気コアは一対の磁気コア半体１．１
を磁気ギャップＧを介し突き合わせ、接合して構成され
ている。磁気コア半体１．１はそれぞれ強磁性体酸化物
のフェライトから成り、その突き合わせ面の磁気キャッ
プＧの両側部分には磁気ギャップのトラック幅を決める
トラック溝１ａが形成されている。又一方の磁気コア半
体１　゛の突き合わせ面の中央部には巻線窓１ｂが形成
されている。更に磁気コア半体１．１のそれぞれの突き
合わせ面において磁気ギャップＧに面するギャップ形成
面には高飽和磁束密度の金属磁性薄膜２が成膜されてい
る。そして磁気コア半体１゜１は磁気ギャップＧを介し
突き合わせられ、それぞれのトラック溝１ａに充填され
た溶着ガラス３の溶着により接合される。この磁気コア
に巻線窓１ｂを介して不図示のコイル巻線を巻回して磁
気ヘッドが構成される。

［発明が解決しようとする問題点］ ところで第４図の磁気コアは複合型の中でも最も構造の
簡単なものであり、金属磁性薄膜２の成膜面と磁気ギャ
ップＧとが平行になっている。このような構造によると
磁気コア半体１．１の強磁性酸化物部分と金属磁性薄膜
２の界面がいわゆる疑似ギャップとして働き、記録時に
記録信号以外の信号を拾い、再生特性でうねりを生じて
しまう（コンタ−効果）ため、いろいろ工夫がなされて
いる。

その１つの方法として、金属磁性薄膜２としてセンダス
トＲ膜よりコンタ−効果の発生が少ないアモルファス薄
膜を用いる構造が採用されている。

しかしながらこの構造によると、薄膜のアモルファスが
結晶化温度を有するため、磁気コア半体１．１を接合す
るためのガラス溶着はこの結晶化温度以下で、通常は結
晶化温度よりも５０℃から７０°Ｃ位低い温度で行なわ
なければならないという制約がある。例えば薄膜のアモ
ルファスとしてＣＯ系アモルファスのＣ○−Ｎｂ−Ｚｒ
で各々の原子パーセントが８２−１２−６のものを用い
た場合にはその結晶化温度は５７０　’Ｃ！となる。こ
の場合ガラス溶着の温度は４９０°Ｃ〜５００°Ｃが上
限となる。

ところがこのような温度で磁気コア半体１．１を溶着で
きる低融点の溶着ガラスはＰｂをかなり多く含むものと
なり、ガラス溶着の温度を下げると溶着ガラスの強度、
硬度が下り、磁気コアの耐摩耗性が悪くなってしまう。

例えば溶着ガラスの硬度を比較すると、作業温度７３０
°Ｃの溶着ガラスではビッカーズ硬度が４８０であるの
に対して、作業温度が４８０°Ｃのガラスではビッカー
ズ硬度が２７０と大幅に落ちてしまう。このため磁気テ
ープ走行試験を行なうと溶着ガラス部のみが摩耗しやす
く偏摩耗を生じてしまう。

一方このような複合型の磁気コアでは溶着ガラス３と金
属磁性薄膜２とが反応し、金属磁性薄膜２が溶着ガラス
３により浸食される現象が起り、磁気ギャップＧのＩ・
ラック幅が正確にでなくなる問題がある。このため従来
よりトラックの両サイド即ち金属磁性薄膜２と溶着ガラ
ス３の界面及び磁気コア半体ｌの強磁性酸化物部分と溶
着ガラス３の界面に保護膜を成膜する構造が採用されて
いる。

しかしながらこのような保護膜は金属磁性薄膜を浸食さ
れるのを防ぐためのものであり、耐摩耗性については考
慮されておらず不充分であった。

［問題点を解決するための手段］ このような問題点を解決するため本発明によれば、突き
合わせ面に金属磁性薄膜を成膜した強磁性酸化物からな
る一対の磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わせ
、ガラス溶着により接合してなる磁気コアを有した磁気
ヘッドにおいて、前記強磁性酸化物と溶着ガラスの界面
および前記金属磁性薄膜と溶着ガラスの界面に前記金属
磁性薄膜より耐摩耗性の高い薄膜を成膜した構造を採用
した。

［作　用コ このような構造によれば上に述べた耐摩耗性の高い薄膜
を介して磁気コアの耐摩耗性を向上できる。尚金属磁性
薄膜がアモルファス薄膜の場合にはその耐摩耗性は同薄
膜に対して用いられる溶着ガラスより高くなるのでその
場合の上に述べた耐摩耗性の高い薄膜の耐摩耗性は溶着
ガラスの耐摩耗性よりも高くなることになる。

［実施例］ 以下、第１図〜第４図を参照して本発明の実施例の詳細
を説明する。尚ここでは先に述べたＶＴＲのビデオ用ヘ
ッドの磁気コアの構造を実施例として例示しており、木
実施例の磁気コアの基本的な構造は先に述べた従来例と
共通でありその説明は省略する。尚磁気コア半体１．１
は強磁性酸化物のフェライトから成り、金属磁性薄膜２
としてアモルファス薄膜を成膜されているものとする。

木実施例では上に述べたような基本的な構造に加えて、
第１図に磁気ギャップＧの周辺部を拡大して示すように
、トラック溝ｌａ内において、金属磁性薄膜（アモルフ
ァス薄膜）２と溶着ガラス（低融点ガラス）３との界面
及び磁気コア半体１のフェライト部分と溶着ガラス３と
の界面に耐摩耗性が金属磁性薄膜２よりも高い薄膜４を
成膜し、これにより磁気コアの耐摩耗性の向上を図れる
ものとする。

このような薄膜４の材料としては、上に述べたように耐
摩耗性が高いと共に溶着ガラス３の低融点ガラスとのぬ
れ性が良好でありしかも低融点ガラスと反応しにくい材
料であることが必要である。ぬれ性が良好であれば溶着
温度を下げることができる。

このような薄膜４の好ましい材料としては金属あるいは
その酸化物があげられ、具体的には例えばＣｒ　、　Ｃ
ｒ　２Ｏ３　、　Ｓ　ｉ　Ｏ２、Ｔ　ｉ　。

ＴｉＯ２，Ａ７２Ｏ３及びＴ　ａ　２Ｏ５等があげられ
る。これらの材料について酎摩耗性、ガラスとのぬれ性
及びガラスとの反応性を調べた結果を以下に述べておく
。

まず酎摩耗性からいうとＡｊ２２Ｏ３　、Ｃｒ２Ｏ３、
Ｃｒが硬く、次にＳｉＯ２　、Ｔａ２Ｏ５＋ＴｉＯ２が
これに続き最後にＴｉの順となった。

又溶着ガラスとのぬれ性についてはぬれ性試験としてそ
れぞれの材料からそれぞれ薄膜を形成し、各薄膜と溶着
ガラスとの接触角を測定した。

すなわちそれぞれの薄膜上にＰｂＯ−３ｉ０２−Ａｊ！
２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３系の溶着ガラスをのせ、窒素ガス中に
て４９０°Ｃの温度で３０分間加熱した後冷却して溶着
ガラスを薄膜上に融着し、薄膜とガラス材との接触角を
測定した。その結果は次の表のようになった。

周知のように接触角が小さい程ぬれ性が良い。

従ってこの表から接触角が小さくぬれ性が良いのはＣｒ
　、　Ｃｒ　２Ｏ３　＋　Ｔ　Ｉ＋　Ｔ　ｉＯ２ｆある
ことがわかる。

また溶着ガラスとの反応性を調べたところ最も良好なの
はＣｒ、Ｃｒ２Ｏ３であり、次にＴｉ。

ＴｉＯ２という順であった。

このように各材料により長所は異なる。そこで第２図の
薄膜４としては１種類の薄膜を１層成膜するのではなく
、上に述べた各材料の薄膜を組み合わせ複数層積層して
成膜するのがそれぞれの長所を生かせて好ましい。

この組み合わせの好ましい具体例を第２図と第３図に第
１図の磁気ギャップ部の拡大図として示す。

第２図の構造では第１図の薄膜４としてＣｒ２Ｏ３Ｎ膜
５とＣｒ薄膜６とを積層して成膜している。また第３図
の構造では薄膜４としてＳｉＯ２薄膜７とＣｒ薄膜８を
積層して成膜している。それぞれにおいて溶着ガラス３
と反応しにくいＣｒ薄膜６ないし８を溶着ガラス３と接
する側とする。

この組み合わせにおいてそれぞれの薄膜を選んだ理由と
しては、まずＣｒ薄膜６ないし８については溶着ガラス
３から金属磁性薄膜２を保護するのに最適であるからで
ある。又Ｃｒ２Ｏ３については耐摩耗性に債れる点から
選んだ。又ＳｉＯ２についてはフェライトと同程度の硬
度をもつことから選んだ。

このような構造によれば薄膜５，６ないし７゜８の耐摩
耗性が金属磁性薄膜２より高いことにより即ち低融点ガ
ラスの溶着ガラス３よりも酎摩耗性が高いことにより磁
気コアの耐摩耗性を向上することができる。又Ｃｒ薄膜
６ないし８を介して溶着ガラス３の浸食から金属磁性薄
膜２を保護することができ、トラック幅の精度を保てる
。更にＣｒ薄膜６ないし８のガラスとのぬれ性が良いこ
とにより溶着ガラス３として低融点ガラスを用いること
ができ、アモルファスとしての金属磁性薄膜２の磁気特
性を良好に保つことができる。

尚第２図の構造の場合Ｃｒ２Ｏ３薄膜５は極めて摩耗し
にくくその厚さによっては周りの部分より出っ張りを生
じ問題となる。そこでＣｒ２Ｏ３薄膜５はあまり厚くせ
ずその膜厚は０．５７ｐｍ〜１１Ｌｍが適当である。ま
たこの場合のＣｒＦＪ膜６の膜厚は１ｇｍ以下では耐摩
耗性の効果がなく、３ｇｍを越えると両薄膜５．６の部
分が残って出っ張ってしまうので１ｇｍ〜３ｇｍの範囲
内が適当である。

又第３図の構造の場合にはＣｒ薄膜８の膜厚の増加と共
に磁気コアの耐摩耗性は向上するが５ｔ０２薄膜７を１
ｇｍ成膜した上にＣｒ薄膜８を５ルｍ以上の膜厚で成膜
するとＣｒ薄膜８の部分が摩耗しないで残って突き出で
しまうので都合が良くない。又ＣｒＲ膜８の膜厚が２４
．ｍより少ないと従来例に比べて耐摩耗性の効果が現れ
ない。そこでＣｒ薄膜８の膜厚はＳｉＯ２薄膜７のＩＢ
ｍに対して２ｇｍ〜４ｐｍの範囲内が適当である。

尚以上の説明では金属磁性薄膜２はアモルファス薄膜と
したが、アモルファスでなくても良いのは勿論である。

又ＶＴＲのビデオ用ヘッド以外の複合型磁気コアについ
ても」−述のような構造を適用して同様の効果を期待で
きるのも勿論である。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、突き
合わせ面に金属磁性薄膜を成膜した強磁性酸化物からな
る一対の磁気コア半体を磁気ギャップを介し突き合わせ
、ガラス溶着により接合してなる磁気コアを有した磁気
ヘッドにおいて、前記強磁性酸化物と溶着ガラスの界面
および前記金属磁性薄膜と溶着ガラスの界面に前記金属
磁性薄膜より耐摩耗性の高い薄膜を成膜した構造を採用
したので、簡単で安価に実施できる構造により磁気コア
の耐摩耗性を向上し磁気ヘッドの耐久性を向上できると
いう優れた効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例としての磁気ヘッドの磁気コ
アの磁気ギヤツブ部周辺の平面図、第２図及び第３図は
それぞれ異なる実施例による第１図の磁気ギャップ部の
拡大図、第４図は本発明が適用される複合型磁気ヘッド
の磁気コアの概略構造を示す斜視図である。 ｌ・・・磁気コア半体　　２・・・金属磁性薄膜３・・
・溶着ガラス　　　４・・・高耐摩耗性の薄膜５・−Ｃ
ｒ２Ｏ３薄膜 ６．８・・・Ｃｒ薄膜　　７・・・ＳｉＯ２薄膜　ｚ 第４図 第１図 第３図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）突き合わせ面に金属磁性薄膜を成膜した強磁性酸化
   物からなる一対の磁気コア半体を磁気ギャップを介し突
   き合わせ、ガラス溶着により接合してなる磁気コアを有
   した磁気ヘッドにおいて、前記強磁性酸化物と溶着ガラ
   スの界面および前記金属磁性薄膜と溶着ガラスの界面に
   前記金属磁性薄膜より耐摩耗性の高い薄膜を成膜したこ
   とを特徴とする磁気ヘッド。 ２）前記の耐摩耗性の高い薄膜としてＣｒ薄膜とＳｉＯ
   ＿２薄膜を積層して成膜し、その場合前記Ｃｒ薄膜を溶
   着ガラスと接する側に成膜したことを特徴とする特許請
   求の範囲第１項に記載の磁気ヘッド。 ３）前記の耐摩耗性の高い薄膜としてＣｒ薄膜とＣｒ＿
   ２Ｏ＿３薄膜を積層して成膜し、その場合前記Ｃｒ薄膜
   を溶着ガラスと接する側に成膜したことを特徴とする特
   許請求の範囲第１項に記載の磁気ヘッド。