JPS63248167A - ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタの製造方法 - Google Patents
ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタの製造方法Info
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- JPS63248167A JPS63248167A JP8235287A JP8235287A JPS63248167A JP S63248167 A JPS63248167 A JP S63248167A JP 8235287 A JP8235287 A JP 8235287A JP 8235287 A JP8235287 A JP 8235287A JP S63248167 A JPS63248167 A JP S63248167A
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はへテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
に関する。
に関する。
近年、半導体装置は高集積化・高速化に向けて精力的な
研究開発が進められており、分子線エピタキシャル成長
法や有機金属熱分解気相成長法等による化合物半導体の
薄膜多層結晶成長技術の進展によって、化合物半導体等
のへテロ接合を利用したヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ（以降ＨＩ３Ｔと称す）の実現が可能となった。
研究開発が進められており、分子線エピタキシャル成長
法や有機金属熱分解気相成長法等による化合物半導体の
薄膜多層結晶成長技術の進展によって、化合物半導体等
のへテロ接合を利用したヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ（以降ＨＩ３Ｔと称す）の実現が可能となった。
このＨＢ Ｔは、エミッタ注入効率が高く、従って、高
利得かつ高速化が期待されることから、次世代の半導体
素子として注目されている。
利得かつ高速化が期待されることから、次世代の半導体
素子として注目されている。
ところで、バイポーラトランジスタの高速・高周波性能
を示す指標としては、最大発振周波数ｆ□８があるが、
これは次式で表わされる。
を示す指標としては、最大発振周波数ｆ□８があるが、
これは次式で表わされる。
ここで、ｆＴは電流利得遮断周波数、ＲＢはベース抵抗
、Ｃ８ｏはバイポーラトランジスタの能動領域のベース
・コレクタ接合容量、Ｃｂａはバイポーラトランジスタ
の外部領域のベース・コレクタ寄主接合容量である。
、Ｃ８ｏはバイポーラトランジスタの能動領域のベース
・コレクタ接合容量、Ｃｂａはバイポーラトランジスタ
の外部領域のベース・コレクタ寄主接合容量である。
この（］）式から、バイポーラトランジスタの高速・高
周波性能をより向上するにはベース・コレクタ寄生接合
容ｆｆ１ｃｔ、ｃを出来るだけ小さくすることが好まし
いことがわかる。この条件を実現するために、従来は、
外部ベース領域とコレクタ領域との界面にだ択的に、高
エネルギーで酸素イオンや水素イオンなどをイオン注入
してベース・コレクタ接合部を半絶縁化することにより
、ベース・コレクタ寄生接合容量を低減していた。
周波性能をより向上するにはベース・コレクタ寄生接合
容ｆｆ１ｃｔ、ｃを出来るだけ小さくすることが好まし
いことがわかる。この条件を実現するために、従来は、
外部ベース領域とコレクタ領域との界面にだ択的に、高
エネルギーで酸素イオンや水素イオンなどをイオン注入
してベース・コレクタ接合部を半絶縁化することにより
、ベース・コレクタ寄生接合容量を低減していた。
第３図は従来のＨＢＴの一例の断面図である。
この従来例は、半絶縁性基板１上に順次形成したｎ型Ｇ
ａＡｓから成るコクタ層２及びＰ型ＧａＡｓから成るベ
ース層５の界面に選択的に酸素イオンや水素イオンをイ
オン注入して絶縁層８を形成してベース層５の外部領域
とその下のコレクタ層２との間のベース・コレクタ寄生
接合容量ＣｂＣを低減すると共に、コレクタ及びベース
層２及び５のイオン注入による結晶欠陥の無い真性領域
上に少くともｎ型ＡｆｆＧａＡｓからなるエミッタ層６
を形成し、更にコレクタ、ベース及びエミッタ層２．５
及び６の各露出面にコレクタ、ベース及びエミッタ電ｆ
Ｐ７ｃ、７ｂ及び７ｅを形成している。
ａＡｓから成るコクタ層２及びＰ型ＧａＡｓから成るベ
ース層５の界面に選択的に酸素イオンや水素イオンをイ
オン注入して絶縁層８を形成してベース層５の外部領域
とその下のコレクタ層２との間のベース・コレクタ寄生
接合容量ＣｂＣを低減すると共に、コレクタ及びベース
層２及び５のイオン注入による結晶欠陥の無い真性領域
上に少くともｎ型ＡｆｆＧａＡｓからなるエミッタ層６
を形成し、更にコレクタ、ベース及びエミッタ層２．５
及び６の各露出面にコレクタ、ベース及びエミッタ電ｆ
Ｐ７ｃ、７ｂ及び７ｅを形成している。
上述したように従来のＨＢＴは、ベース・コレクタ間の
絶縁層を酸素イオンや水素イオンをイオン注入すること
によって形成するので、そのときのイオン注入によって
ベース層に結晶欠陥を誘起する。その結果、従来のＨＢ
Ｔでは、この欠陥によってベース層のキャリぞがトラッ
プされてベース抵抗Ｒａが大幅に増大し、高速・高周波
性能を損なうという欠点がある。
絶縁層を酸素イオンや水素イオンをイオン注入すること
によって形成するので、そのときのイオン注入によって
ベース層に結晶欠陥を誘起する。その結果、従来のＨＢ
Ｔでは、この欠陥によってベース層のキャリぞがトラッ
プされてベース抵抗Ｒａが大幅に増大し、高速・高周波
性能を損なうという欠点がある。
即ち、従来のＨＢＴでは、（１）式から分かるようにｃ
ｂｃが低減されてもＲＢが大きくなるため、相殺されて
ｆ ｍａｘの増加があまり期待出来ない。
ｂｃが低減されてもＲＢが大きくなるため、相殺されて
ｆ ｍａｘの増加があまり期待出来ない。
しかも、イオン注入後の熱処理工程は、能動領域におけ
るベース、エミッタ及びコレクタの各層の不純物を隣接
する層に拡散させ、不純物濃度分布を変化させてしまう
。特にベース層の不純物がエミッタ層に拡散することに
より、再結合電流が増加し、エミッタ注入効率まで大幅
に低下してしまう。
るベース、エミッタ及びコレクタの各層の不純物を隣接
する層に拡散させ、不純物濃度分布を変化させてしまう
。特にベース層の不純物がエミッタ層に拡散することに
より、再結合電流が増加し、エミッタ注入効率まで大幅
に低下してしまう。
本発明の目的は、外部ベース領域とその直下のコレクタ
層との面に、これらの各層と格子整合し、しかも深い準
位のドナーもしくはアクセプタ不純物を含む半導体材料
からなる半絶縁層を設けることによって、ベース・コレ
クタ寄生容量を低減すると共にベース抵抗の増加とエミ
ッタ注入効率の低下とを防止したベテロ接合バイポーラ
トランジスタの製造方法を提供することにある。
層との面に、これらの各層と格子整合し、しかも深い準
位のドナーもしくはアクセプタ不純物を含む半導体材料
からなる半絶縁層を設けることによって、ベース・コレ
クタ寄生容量を低減すると共にベース抵抗の増加とエミ
ッタ注入効率の低下とを防止したベテロ接合バイポーラ
トランジスタの製造方法を提供することにある。
本発明のへテロ接合バイポーラトランシタの製造方法は
、一導電型のコレクタ層表面に選択的にエピタキシャル
成長による半絶縁層を形成する工程並びに前記コレクタ
層の少くとも露出面上に反対導電型のベース層及び一導
電型のエミッタ層を順次形成する工程を含み、深いエネ
ルギー順位のドナーある。いはアクセプタを含む半導体
材料からなりかつ前記コレクタ層及び前記ベース層と格
子整合した前記半絶縁層を形成して成る。
、一導電型のコレクタ層表面に選択的にエピタキシャル
成長による半絶縁層を形成する工程並びに前記コレクタ
層の少くとも露出面上に反対導電型のベース層及び一導
電型のエミッタ層を順次形成する工程を含み、深いエネ
ルギー順位のドナーある。いはアクセプタを含む半導体
材料からなりかつ前記コレクタ層及び前記ベース層と格
子整合した前記半絶縁層を形成して成る。
本発明においては、外部ベース領域直下のコレクタ層と
ベース層の間に、コレクタ層及びベース層と格子整合し
、しかも深い準位のドナーもしくはアクセプタ不純物を
含む半導体材料からなる半絶縁層をエピタキシャル成長
法によって形成しているため、外部ベース領域とコレク
タ層とのベース・コレクタ寄生接合容量Ｃｂｃが半絶縁
層の厚みに応じて大幅に低減できるとともに、少なくと
も、ベース層形成後は、イオン注入工程及びそれにとも
なう熱処理工程を必要としないため、ベース層への結晶
欠陥の誘起及びベース層の不純物のエミッタ層への拡散
を防止できる。
ベース層の間に、コレクタ層及びベース層と格子整合し
、しかも深い準位のドナーもしくはアクセプタ不純物を
含む半導体材料からなる半絶縁層をエピタキシャル成長
法によって形成しているため、外部ベース領域とコレク
タ層とのベース・コレクタ寄生接合容量Ｃｂｃが半絶縁
層の厚みに応じて大幅に低減できるとともに、少なくと
も、ベース層形成後は、イオン注入工程及びそれにとも
なう熱処理工程を必要としないため、ベース層への結晶
欠陥の誘起及びベース層の不純物のエミッタ層への拡散
を防止できる。
以下、本発明の実施例について図面の簡単な説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るために工程順に示す半導体チップの断面図である。
るために工程順に示す半導体チップの断面図である。
この実施例では、先ず、第１図ｊａ）に示すように、Ｇ
ａＡｓから成る半絶縁性基板１上に、ドナー（例えばＳ
ｉ）をドープしたｎ型ＧａＡｓから成るコレクタ層２を
厚さ０．５μｍ乃至１．０μｍに分子線エピタキシャル
成長法、あるいは有機金属熱分解気相成長法等を用いて
成長した後、５ｉ０２及びＳｉ３Ｎ４等の絶縁体あるい
はタングステン又、タングステンシリサイド等の耐熱性
導体からなる所定パターンのマスクＭ３を形成し、更に
、マスク層３を用いてコレクタ層２表面を選択的に０．
２μｍ乃至０．５μｍ程度の深さにエツチングする。
ａＡｓから成る半絶縁性基板１上に、ドナー（例えばＳ
ｉ）をドープしたｎ型ＧａＡｓから成るコレクタ層２を
厚さ０．５μｍ乃至１．０μｍに分子線エピタキシャル
成長法、あるいは有機金属熱分解気相成長法等を用いて
成長した後、５ｉ０２及びＳｉ３Ｎ４等の絶縁体あるい
はタングステン又、タングステンシリサイド等の耐熱性
導体からなる所定パターンのマスクＭ３を形成し、更に
、マスク層３を用いてコレクタ層２表面を選択的に０．
２μｍ乃至０．５μｍ程度の深さにエツチングする。
次に、第１図（ｂ）に示すように、コレクタ層２のエツ
チングされた領域上に、コレクタ層２と同じ材料で深い
エネルギー準位のドナー不純物（例えば酸素）もしくは
深いエネルギー準位のアクセプタ不純物（例えばＣｒ、
Ｆｅ）をドープしたＧａＡｓを、コレクタ層２のエツチ
ング深さと同程度の厚みにエピタキシャル成長し、半絶
縁層４を形成する。このエピタキシャル成長には、有機
金属熱分解気相成長法に代表される進択性の高い成長法
が適している。
チングされた領域上に、コレクタ層２と同じ材料で深い
エネルギー準位のドナー不純物（例えば酸素）もしくは
深いエネルギー準位のアクセプタ不純物（例えばＣｒ、
Ｆｅ）をドープしたＧａＡｓを、コレクタ層２のエツチ
ング深さと同程度の厚みにエピタキシャル成長し、半絶
縁層４を形成する。このエピタキシャル成長には、有機
金属熱分解気相成長法に代表される進択性の高い成長法
が適している。
続いて、第１図（Ｃ）に示すように、マスク層３を除去
した後、厚さ数百人乃至数千人程度のアクセプタ（例え
ばＢｅ）をドープしたｐをＧａＡｓから成るベース層５
と厚さ数千人のドナー（例えばＳｉ）をドープしなｎ型
Ａｊ？ＧａＡｓからなるエミッタ層６とをエピタキシャ
ル成長により順次形成する。
した後、厚さ数百人乃至数千人程度のアクセプタ（例え
ばＢｅ）をドープしたｐをＧａＡｓから成るベース層５
と厚さ数千人のドナー（例えばＳｉ）をドープしなｎ型
Ａｊ？ＧａＡｓからなるエミッタ層６とをエピタキシャ
ル成長により順次形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、周知の方法で選択的
にエツチングして、ベース層５及びコレクタ層２上の電
極を形成すべき所定部分を露出しｎ型Ｇ ａ Ａ ｓに
対するオーミック接触性金属（例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ）
から成るエミッタ電極Ｔｅ及びコレクタ電極７ｃ並びに
Ｐ型ＧａＡｓに対する接触性金属（例えばＡｕＺｎ、Ａ
ｕＣｒ。
にエツチングして、ベース層５及びコレクタ層２上の電
極を形成すべき所定部分を露出しｎ型Ｇ ａ Ａ ｓに
対するオーミック接触性金属（例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ）
から成るエミッタ電極Ｔｅ及びコレクタ電極７ｃ並びに
Ｐ型ＧａＡｓに対する接触性金属（例えばＡｕＺｎ、Ａ
ｕＣｒ。
ＡｕＭｎ等）から成るベース電極７ｂを形成して第１の
実施例によるＨＢＴが完成する。
実施例によるＨＢＴが完成する。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示す半導体チップの断面図である。
るための工程順に示す半導体チップの断面図である。
この実施例では、先ず、第２図＜ａ）に示すように、Ｇ
ａＡｓから成る半絶縁性基板１上にドナー（例えばＳｉ
）をドープしたｎ型ＧａＡｓから成るコレクタ層２を厚
さ０．３μｍ乃至０．５μｍに形成し、更にコレク・り
層２と同じ材料で深いエネルギー準位のドナー不純物（
例えば酸素）もしくは深いエネルギー準位のアクセプタ
不純物（例えばＣｒ、Ｆｅ）をドープしたＧａＡｓから
成る半絶縁層４を厚さ０．２μｍ乃至０．５μｍに、分
子線エピタキシャル成長法あるいは有機金属熱分解気相
成長法等を用いて形成する。
ａＡｓから成る半絶縁性基板１上にドナー（例えばＳｉ
）をドープしたｎ型ＧａＡｓから成るコレクタ層２を厚
さ０．３μｍ乃至０．５μｍに形成し、更にコレク・り
層２と同じ材料で深いエネルギー準位のドナー不純物（
例えば酸素）もしくは深いエネルギー準位のアクセプタ
不純物（例えばＣｒ、Ｆｅ）をドープしたＧａＡｓから
成る半絶縁層４を厚さ０．２μｍ乃至０．５μｍに、分
子線エピタキシャル成長法あるいは有機金属熱分解気相
成長法等を用いて形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、５ｉ０２゜Ｓｉ３Ｎ
４等の絶縁体からなる所定のパターンの開口部を有する
マスク層３を形成し、更に半絶縁性基板１の表面側から
例えばＳｉイオンを注入した後熱処理によって活性化し
、半絶縁層４の開口部の部分にコレクタ層２と同じ導電
型のｎ型のコレクタＰｉＪ ２ ａを形成する。ここで
、イオン注入条件として、例えば、半絶縁層４の厚みが
０．５μｍであれば、Ｓｉイオンをドーズ−清２Ｘ Ｉ
Ｑ１２ｃｍ−２，加速エネルギー２８０Ｋｅ ｙで注
入し、８００℃、５秒間の熱処理を施すことにより、約
５Ｘ１０１６ｃｍ−’のキャリヤ濃度を有するｎ型のコ
レクタ層２ａが形成される。
４等の絶縁体からなる所定のパターンの開口部を有する
マスク層３を形成し、更に半絶縁性基板１の表面側から
例えばＳｉイオンを注入した後熱処理によって活性化し
、半絶縁層４の開口部の部分にコレクタ層２と同じ導電
型のｎ型のコレクタＰｉＪ ２ ａを形成する。ここで
、イオン注入条件として、例えば、半絶縁層４の厚みが
０．５μｍであれば、Ｓｉイオンをドーズ−清２Ｘ Ｉ
Ｑ１２ｃｍ−２，加速エネルギー２８０Ｋｅ ｙで注
入し、８００℃、５秒間の熱処理を施すことにより、約
５Ｘ１０１６ｃｍ−’のキャリヤ濃度を有するｎ型のコ
レクタ層２ａが形成される。
続いて、第１図（ｃ）に示すようにマスク層３を除去し
た後、厚さ数百〜数千人程度のアクセプタ（例えばＢｅ
）をドープしたＰ型ＧａＡｓがら成るベースＮ５と厚さ
数千人のドナー（例えばＳｉ）をドープしたｎ型Ａｆｆ
ＧａＡｓがら成るエミッタ層６とをエピタキシャル成長
により順次形成する。
た後、厚さ数百〜数千人程度のアクセプタ（例えばＢｅ
）をドープしたＰ型ＧａＡｓがら成るベースＮ５と厚さ
数千人のドナー（例えばＳｉ）をドープしたｎ型Ａｆｆ
ＧａＡｓがら成るエミッタ層６とをエピタキシャル成長
により順次形成する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、周知の方法で選択的
にエツチングしてベース層５及びコレクタ層２の電極を
形成すべき所定部分を露出し、ｒｌ型ＧａＡｓに対する
オーミック接触性金属（例えばＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｎ
ｉ ）から成るエミッタ電！＆ ７ ｅ及びコレクタ
電極７ｃ並びにｐ型Ｇ ａ Ａ ｓに対するオーミック
接触性金属（例えばＡ ｕ Ｚ ｎ 。
にエツチングしてベース層５及びコレクタ層２の電極を
形成すべき所定部分を露出し、ｒｌ型ＧａＡｓに対する
オーミック接触性金属（例えばＡ ｕ Ｇ ｅ ／ Ｎ
ｉ ）から成るエミッタ電！＆ ７ ｅ及びコレクタ
電極７ｃ並びにｐ型Ｇ ａ Ａ ｓに対するオーミック
接触性金属（例えばＡ ｕ Ｚ ｎ 。
Ａ ｕ Ｃｒ 、 Ａ ｕ Ｍ ｎ等）から成るベース
環ｉ７ｂを形成して第２の実施例によるＨ Ｂ Ｔが完
成する。
環ｉ７ｂを形成して第２の実施例によるＨ Ｂ Ｔが完
成する。
以上説明したように本発明では、コレクタ層及びベース
層と格子整合し、しかも深いエネルギー準位のドナーも
しくはアクセプタ不純物を含む半導体材料から成る半絶
縁層を、外部ベース領域直下のベース・コレクタ層間の
界面に設けることによって、イオン注入及びその後の熱
処理工程が不要となり、これに起因するベース不純物拡
散によるエミッタ注入効率の低下や結晶欠陥によるベー
ス抵抗の増大を防止しつつベース・コレクタ寄生接合容
量Ｃ５ｃを大幅に低減した高速・高周波性能の非常に優
れたベテロ接合バイポーラトランジスタが実現出来ると
いう効果がある。
層と格子整合し、しかも深いエネルギー準位のドナーも
しくはアクセプタ不純物を含む半導体材料から成る半絶
縁層を、外部ベース領域直下のベース・コレクタ層間の
界面に設けることによって、イオン注入及びその後の熱
処理工程が不要となり、これに起因するベース不純物拡
散によるエミッタ注入効率の低下や結晶欠陥によるベー
ス抵抗の増大を防止しつつベース・コレクタ寄生接合容
量Ｃ５ｃを大幅に低減した高速・高周波性能の非常に優
れたベテロ接合バイポーラトランジスタが実現出来ると
いう効果がある。
明の第１及び第２の実施例を説明するための工程順に示
した半導体チップの断面図、第３図は従来のＨＢＴの一
例の断面図である。
した半導体チップの断面図、第３図は従来のＨＢＴの一
例の断面図である。
１・・・半絶縁性基板、２，２ａ・・・コレクタ層、３
．３′・・・マスク層、４・・・半絶縁層、５・・・ベ
ース層、６・・・エミッタ層、７ｂ・・・ベース電極、
７Ｃ・・・コレクタ電極、７ｅ・・・エミッタ電極、８
・・・絶縁層。
．３′・・・マスク層、４・・・半絶縁層、５・・・ベ
ース層、６・・・エミッタ層、７ｂ・・・ベース電極、
７Ｃ・・・コレクタ電極、７ｅ・・・エミッタ電極、８
・・・絶縁層。
゛にコＵクタ婆９夕 ｌ ２
第１閃
１２図
Claims (1)
- 一導電型のコレクタ層表面に選択的にエピタキシャル成
長による半絶縁層を形成する工程並びに前記コレクタ層
の少くとも露出面上に反対導電型のベース層及び一導電
型のエミッタ層を順次形成する工程を含み、深いエネル
ギー順位のドナーあるいはアクセプタを含む半導体材料
からなりかつ前記コレクタ層及び前記ベース層と格子整
合した前記半絶縁層を形成することを特徴とするヘテロ
接合バイポーラトンジスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235287A JPS63248167A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235287A JPS63248167A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63248167A true JPS63248167A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13772179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8235287A Pending JPS63248167A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63248167A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51151090A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser apparatus and its manufacturing method |
| JPS5390787A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and its production |
| JPS61112374A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
| JPS6216569A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合トランジスタおよびその製造方法 |
| JPS6249656A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP8235287A patent/JPS63248167A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51151090A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser apparatus and its manufacturing method |
| JPS5390787A (en) * | 1977-01-20 | 1978-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor light emitting device and its production |
| JPS61112374A (ja) * | 1984-11-07 | 1986-05-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ |
| JPS6216569A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合トランジスタおよびその製造方法 |
| JPS6249656A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタおよびその製造方法 |
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