JPS63248156A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63248156A JPS63248156A JP8230887A JP8230887A JPS63248156A JP S63248156 A JPS63248156 A JP S63248156A JP 8230887 A JP8230887 A JP 8230887A JP 8230887 A JP8230887 A JP 8230887A JP S63248156 A JPS63248156 A JP S63248156A
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- JP
- Japan
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- film
- dielectric layer
- semiconductor device
- protective film
- passivation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に表面のパヴシベーシ
曹ン用保護膜のハガレを防ぐことができる薄膜コンデン
サの構造に関するものである。
曹ン用保護膜のハガレを防ぐことができる薄膜コンデン
サの構造に関するものである。
従来の半導体装置に使用されている薄膜コンデの一例を
第３因に示す。第３図に示すように、従来使用されてい
る薄膜コンデンサは、誘電体層で隔てられた、２つの導
電性金属膜から成り立ち、その表面に、パダシペーシ璽
ン用の保護膜が設けられている構造となっていた。
第３因に示す。第３図に示すように、従来使用されてい
る薄膜コンデンサは、誘電体層で隔てられた、２つの導
電性金属膜から成り立ち、その表面に、パダシペーシ璽
ン用の保護膜が設けられている構造となっていた。
上述した従来の半導体装置に使用していた薄膜コンデン
サは、誘電体層上の導電性金属膜が、完全に誘電体層上
を履っているため、パヅシベーシ冒ン用保画膜との接触
点がないため、導電性金属膜と表面のパブシベーシ璽ン
用保護膜との密着性の良悪の関係により、接触面積の大
きい箇所から表面のパヴシペーション用保護膜がハガレ
を生ずる恐れがある。
サは、誘電体層上の導電性金属膜が、完全に誘電体層上
を履っているため、パヅシベーシ冒ン用保画膜との接触
点がないため、導電性金属膜と表面のパブシベーシ璽ン
用保護膜との密着性の良悪の関係により、接触面積の大
きい箇所から表面のパヴシペーション用保護膜がハガレ
を生ずる恐れがある。
その際、半導体装置の外観上、かつ、表面の保護上、好
ましくないという欠点があった。
ましくないという欠点があった。
本発明の半導体装置に使用する薄膜コンデンサは、半導
体基板上に設けられた、２つの独立した導電性金属膜の
うちの、誘電体層上の導電性金１１膜に、表面のパッシ
ベーション用保護膜と誘電体層との接触点をとるだめの
スルーホールを、少なくとも、１つ以上もった構造を有
している。
体基板上に設けられた、２つの独立した導電性金属膜の
うちの、誘電体層上の導電性金１１膜に、表面のパッシ
ベーション用保護膜と誘電体層との接触点をとるだめの
スルーホールを、少なくとも、１つ以上もった構造を有
している。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施の上面図である。第１図にお
いて、１，２は電気的接点及び電極引出部の導電性金属
、３は表面のパッシベーション用保護膜、４は誘電体層
、５は表面のパッシベーション用保護膜と誘電体層との
接触部である。第１図のＡ−Ａ’線断面図を示したのが
第２図である。第２図に示すように、誘電体層９の上の
導電性金属膜７に表面のパッジベージ目ン膜８と誘電体
層９との接触部分１０を設けることにより、導電性金属
膜６，７と表面のパッシベーション用保護膜８との密着
性の良悪にかかわらず、表面のバグシペーシッン用保護
ａ８のハガレを生ずることは無くなり、半導体装置の外
観上、かつ表面の保護上、非常に良好となる。
いて、１，２は電気的接点及び電極引出部の導電性金属
、３は表面のパッシベーション用保護膜、４は誘電体層
、５は表面のパッシベーション用保護膜と誘電体層との
接触部である。第１図のＡ−Ａ’線断面図を示したのが
第２図である。第２図に示すように、誘電体層９の上の
導電性金属膜７に表面のパッジベージ目ン膜８と誘電体
層９との接触部分１０を設けることにより、導電性金属
膜６，７と表面のパッシベーション用保護膜８との密着
性の良悪にかかわらず、表面のバグシペーシッン用保護
ａ８のハガレを生ずることは無くなり、半導体装置の外
観上、かつ表面の保護上、非常に良好となる。
また、本発明により、表面のバッジベージ１ン用保護膜
のハガレを防ぐことにより、大面積の薄膜コンデンサも
使用可能となり、半導体装置のパターン設計上、自由性
がもてるようになる。
のハガレを防ぐことにより、大面積の薄膜コンデンサも
使用可能となり、半導体装置のパターン設計上、自由性
がもてるようになる。
以上説明したように本発明は、半導体基板上に設けられ
た、２つの独立した導電性金属膜のうちの、誘電体上の
導電性金属膜に、表面のパッシベーション用保護膜と誘
電体層との接続点をとるだめのスルーホールを、少なく
とも１つ以上もった構造を有している薄膜コンデンサを
使用することにより、表面のパッシベーション用保護膜
のハガレを無くシ、半導体装置の外観上、かつ、表面の
保護上、非常に良好なる効果がある。
た、２つの独立した導電性金属膜のうちの、誘電体上の
導電性金属膜に、表面のパッシベーション用保護膜と誘
電体層との接続点をとるだめのスルーホールを、少なく
とも１つ以上もった構造を有している薄膜コンデンサを
使用することにより、表面のパッシベーション用保護膜
のハガレを無くシ、半導体装置の外観上、かつ、表面の
保護上、非常に良好なる効果がある。
第１図は、本発明の半導体装置に便用する薄膜コンデン
サの上面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ’線断面図、第
３図は従来の薄膜コンデンサの断面図である。 １．２，６，７，１２．１３・・・・・・電気的接点及
び電極引出部の導電性金属膜、３，８．１４・・・・・
・ノくダシヘーシ冒ン用保護膜、４，９．１５・・・・
・・誘電体層、５゜１０・・・・・・パッシベーション
用保護膜と誘電体層との接触点をとるだめのスルーホー
ル、１１．１６・・・・・・半導体基板。 茅 １ 回
サの上面図、第２図は、第１図のＡ−Ａ’線断面図、第
３図は従来の薄膜コンデンサの断面図である。 １．２，６，７，１２．１３・・・・・・電気的接点及
び電極引出部の導電性金属膜、３，８．１４・・・・・
・ノくダシヘーシ冒ン用保護膜、４，９．１５・・・・
・・誘電体層、５゜１０・・・・・・パッシベーション
用保護膜と誘電体層との接触点をとるだめのスルーホー
ル、１１．１６・・・・・・半導体基板。 茅 １ 回
Claims (1)
- 半導体基板上に設けられた２つの独立した導電性金属膜
のうちの誘電体層上の導電性金属膜に、その表面のパッ
シベーション用保護膜と誘電体層との接触点を取るため
のスルーホールを、少なくとも、１つ以上もった薄膜コ
ンデンサを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230887A JPS63248156A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230887A JPS63248156A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63248156A true JPS63248156A (ja) | 1988-10-14 |
Family
ID=13770926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8230887A Pending JPS63248156A (ja) | 1987-04-02 | 1987-04-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63248156A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073837A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜コンデンサとその製造方法 |
-
1987
- 1987-04-02 JP JP8230887A patent/JPS63248156A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073837A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 薄膜コンデンサとその製造方法 |
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