JPS6324616A - 半導体素子の製造方法およびこの方法による半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体素子の製造に関し、特にＳ　Ｉ　ＬＯ
（密封界面局部酸化）プロセスおよび金属酸化物の側壁
スペーサを使用して金属の接触漏れを排除する素子の製
造プロセスに関し、該プロセスにより製作される半導体
素子に関する。

［従来の技術および解決しようとする問題点］金属酸化
膜半導体（Ｍ　ＯＳ　）集積回路の製造においては、活
性要素即ち活性領域を取巻くフィールド酸化物を用いて
、各活性領域およびその近傍領域間の電気的な絶縁を確
立することが慣例である。

フィールド酸化物は活性トランジスタ領域のドーピング
の前に形成され、パターン化されねばならない、ＬＯＧ
ＯＳとして知られる局部酸化プロセスは、フィールド酸
化物の形成のため広く使用されている。どのＬＯＧＯＳ
プロセスによれば、シリコン窒化物層がうニームの表面
に化学的な真空析出法によって付着させられる０次いで
フォトレジストをシリコン窒化物上に塗布して、フォト
マスク操作でパターン化される。フォトレジストは、露
出した部分を取除くため現像され洗浄されて、シリコン
窒化物の露出領域がプラズマ・エツチング工程において
取除かれる１次に、フォトレジストは素子から剥離され
、熱酸化工程を用いて厚さが５，０００乃至１０，００
０人の範囲内の酸化物層を形成する。酸化物が成長する
に伴い、別の酸化物が徐々に成長する酸化物層を通す蒸
気の拡散によって形成される。

蒸気の拡散は、等方性プロセスであり、シリコン窒化物
のマスキング層のアンダーカットを行なう、アンダーカ
ットされた部分は、フィールド酸化物層から活性領域に
向ってテーパ状を呈し、その形状の故に「バード・ピー
クｊ法として広く知られている。シリコン窒化物は後で
素子の表面がら取除かれて、活性領域との交差部にテー
パ状のバード・ビーク縁部を持つフィールド酸化物を残
す。

前記フィールド酸化物は、活性領域と交差する際、典型
的には４５°より小さな浅い角度のテーパ形状で残され
る。バード・ビーク縁部は、典型的には０．５乃至１．
０μ鴫の横寸法を有する。半導体素子の各要素が同じ程
度の寸法を有する場合、バード・ビーク縁部は重要な問
題を提起し得る。

以降の処理工程においては、従来のフォトマスキング手
法により酸化物層をウェーハ上に付着して接触孔即ちバ
イアスを形成し、次いで金属層を付着してトランジスタ
の活性領域と接触させることが必要である。素子の周囲
のテーパ状のバード・ピーク領域が、活性領域に対する
金属の接触を確保する際に問題を生じる。もし接触フォ
トレジストが孔がこのテーパ状酸化物の縁部に接する場
合は、バード・ビーク縁部の端部が接触エツチングの間
取除かれる。また、活性領域の縁部に隣接する薄いフィ
ールド酸化物層が、金属接点と下側の基板との間に比較
的小さな抵抗経路を提供する。

その結果、活性領域により形成される接合点の周囲に漏
洩即ち短絡回路が生じ得る。

過去においては、この問題は、漏洩経路が回避される充
分な重なりを提供するように接触領域と関連して活性領
域を拡大することにより軽減される。この手法の欠点は
、基板領域の一部が素子の性能に寄与せず単に漏洩経路
の形成を防止する比較的大きな活性領域により占められ
ることである。

致方のこのような素子が１つのチップ上にこのように構
成されると、素子の密度におけるかなりのインパクトと
なる。従って、素子の寸法および集積密度に悪影響を及
ぼす、ことなくこの漏洩問題を克服することが望ましい
。

ＭＯ３型素子においてフィールド酸化物を形成するため
の最近開発された手法は、密閉界面局部酸化（ＳＩＬＯ
）プロセスとして知られている。このＳ　Ｉ　ＬＯプロ
セスは、例えば、Ｊ、Ｈｕｉ等のｒＳ　Ｉ　ＬＯ手法で
作られたＭＯ５素子の電気的特性Ｊ（ＩＥＤＭ、２２０
〜２２３頁、１９８２年５月刊）により記載されている
。このプロセスは、シリコンの表面上の窒化物の密閉膜
の形成を含み、窒化物マスキング層下方の蒸気その他の
酸化物の側方への拡散を防止する。フィールド酸化物を
形成するためのＳ　Ｉ　ＬＯプロセスは、フィールド酸
化物層と活性要素との間の界面に略々垂直な段部な生じ
た。

［問題点を解決するための手段］ 本発明の一最的な目的は、半導体素子の製造のための斬
新な方法を提供することにある。

本発明の別の目的は、バード・ビーク縁部が金属接点と
下側の基板との間の漏洩経路として取除かれる半導体素
子の製造方法の提供にある。

本発明の他の目的はは、酸化物のｌ１１１壁スペーサが
金属接点と下側基板との間の漏洩経路を取除くために使
用される半導体素子の製造方法の提供にある。

本発明の他の目的は、接点が作られる領域を拡大するこ
となく金属接点からの漏洩が排除される半導体素子の製
造方法の提供にある。

本発明の池の目的は、接触される活性領域を拡大するこ
となく金属接点と下側の基板との間の漏洩経路が取除か
れる半導体素子の提供にある。

本発明によれば、上記および他の目的および利点が半導
体素子の製造方法において達成される。

本方法は、基板の表面上に活性領域を画成し、次いで活
性領域を実質的に取巻くフィールド酸化物を成長させる
ステップからなっている。フィールド酸化物は、活性領
域上方に高くなった表面を有し、フィールド酸化物表面
と活性領域とを結合する略々垂直な側壁を有する０本方
法は更に、所要の純度で活性領域をドーピングし、素子
表面を酸化物層で同じ形にコーティングし、接点孔をパ
ターン化したマスキング層で画成し、接点孔を酸化物層
を通って活性領域まで異方性を呈するようにエツチング
し、接点孔内に金属を付着させて活性領域と接触させる
ステップからなる。異方性エツチング工程は、接点孔が
フィールド酸化物と交差して金属接点と活性領域の下側
の基板との間の電流の漏れを防止する酸化物の側壁スペ
ーサを残す期間を有する。

望ましい実施態様においては、フィールド酸化物の略々
垂直な壁が密閉された界面の局部酸化プロセスにおいて
形成され、このプロセスは基板の表面上に窒化物密閉膜
を用いてフィールド酸化物の成長中の側方の酸化を防止
する。

酸化物層により素子を同形にコーティングする工程は、
低圧の化学的な析出法もしくはプラズマで補強した化学
的な析出法により行なうことができる。酸化物層は、水
平面上の酸化物層の厚さの少なくとも６０％の厚さを側
壁上に持たなければならない。

本発明の別の特質によれば、上記のプロセスにより製造
される半導体素子が提供される。

本発明の池の特質によれば、上記の如きパターン化され
たマスキング層の形成の後、フォトレジストが充分に加
熱されて塑性流を生じ、これによりレジストの壁面を傾
斜させる。異方性エツチング工程はまた、酸化物よりも
やや小さな割合でレジストのエツチングを行なう、その
結果、酸化物の側壁は匡かに傾斜角度が付されて、金属
の析出操作中の側壁の金属のＴＩｔ覆を保証する。

不発四分その他の目的、利点および能力と共によく理解
するため、図面を９照すべきである。

［従来技術］ 金属接点を形成するための従来技術の手法およびこれと
関連する諸問題は、第１Ａ図および第１Ｂ図に関して示
されている。活性領域１０は基板１２に画成される。活
性領域１０の電気的な絶縁のためのフィールド酸化物１
４は、活性領域１０を取囲む基板１２の表面領域内に形
成される。フィールド酸化物１４は、応力を逃がすため
基板面上に３い酸化物のパッドを成長させ、次いで化学
析出法によるシリコン窒化物層を析出するごとを含む局
部酸化（ＬＯＧＯ３）法によって形成されるのが望まし
い、シリコン窒化物は、従来のフォトマスキング法にお
いてパターン化され、次いでプラズマ・エツチング工程
でエツチングされる０次に、フォトレジストが素子から
剥離される０次に蒸気による熱酸化法を用いて、比較的
厚いフィールド酸化物層１４を形成する０次いで、シリ
コン窒化物が素子から剥離され、活性領域１０がイオン
注入法またはイオン拡散法の如き従来の手法によりドー
ピングされる。活性領域１０は、Ｐ形基板１２に形成さ
れたＭＯＳトランジスタのｎ十形メサ電極であり得る。

ＬＯＣＯ９法の１つの欠点は、シリコン表面の酸化のた
め用いられる蒸気がシリコン窒化物のマスキング層の下
方で側方に拡散して、フィールド酸化物１４にテーパ状
の「バード・ビーク」縁部１６を持たせる。このテーパ
状縁部１６は、活性領域１０の表面と比較的小さな角度
（典型的には、４５°より小さい）をなす。

従来の以降の処理工程においては、酸化物層２０が素子
の表面全体に付着される０次いで、フォトレジスト層（
図示せず）が酸「ヒ物層２０上に塗布され、従来のフォ
トマスキング操作においてパターン化される０次に、接
触孔２２がフォトレジストにより画成されるパターンに
より酸化物層２０を介してエツチングされる。フォトレ
ジスト素子から剥離され、金属接触層２４が付着される
。金灰層２４は、活性領域１０と他の回路素子との間の
電気的接触を確保する。

第１Ｂ図に示された素子の構造においては、活性領域１
０のエツジ２６に問題が生じる。フィールド酸化物１４
のテーバ状を呈するエツジ１６のため、活性領域１０に
接するフィールド酸化物１４の基板１２上の厚さは非常
に小さい、その結果、もし接触孔２２が活性領域１０の
エツジを越えて基板１２上に延在するならば、バード・
ピークの端部は接触エツチング中エツチング除去でき、
電流の漏れは金属接点２４基板１２間に生じ得、これに
より活性領域１０を電気的にバイパスする。

ｎ＋領域１０およびｐ−基板１２により形成されるダイ
オードの特性は大きな漏れ電流により劣化され、ある場
合には、短絡回路が生じる。過去においては、この問題
は短緒回路が接触孔２２の縁部を越えて延長するように
活性領域１ｏを強化することにより克服された。素子の
レイアウトでは、通常のプロセスの偏りおよびフォトリ
トグラフの整合公差で接点が常に活性領域によって重合
されるように別の重合マージンが与えられる。しかし、
この拡張措置は、致方のこのような素子を有するａ閉回
路に対して用いられる場合、回路面積のがなりの増加お
よび非生産的な目的に対するチップ面間の損失をもたら
ず結果となる。

［本発明］ 本発明は、上記の漏洩の間顕が活性領域と拡大する必要
もなく解決される半導体の製造方法を提供するものであ
る。要約すれば、本発明の方法は、半導体素子の表面上
に活性領域を画成することを含む０次に、活性領域を実
質的に取囲むフィールド酸化物が、望ましくは５ＩＬＯ
法により成長させられる。５ＩＬＯ法により形成される
フィールド酸化物は、活性領域上に高くなった表面な有
し、また上記の大きなテーパ状エツジの代りにフィール
ド酸化物表面と活性領域を結合する略々垂直なｆｌｌｌ
壁を有する０次に、活性領域は従来の手法を用いてドー
ピングされ、フィールド酸化物表面、活性領域および側
壁が、典型的には側壁のコーティングを保証するため低
圧のＣヒ学的な析出法により、酸化物層により同形にコ
ーティングされる。接触孔は、パターン化されたマスキ
ング層により画成され、次いで酸化物層を介して活性領
域まで異方性を生じるようにエツチングされる。このエ
ツチング工程は、接触孔がフィールド酸化物と交差し、
自ら整合されかつ活性領域のエツジにおける漏洩を阻止
する酸化物の側壁スペーサを残す期間を有する。最後に
、金属が活性領域上の接触孔内に付着される。

本発明のプロセスについては、次に、本プロセスの各ス
テップを示す第２Ａ図乃至第２Ｇ図に関して詳細に記述
する。典型例として示され記述される多くの構造が単一
の集積回路素子上に生じることが理解されよう、素子は
ＭＯ３集積回路でよい。

密閉界面局部酸化（Ｓ　Ｉ　ＬＯ）プロセスは、後で所
要の不純物でドーピングされる活性領域４０を取囲む基
板４２上のフィールド酸化物４４の形成のため用いられ
る。５ＩＬＯプロセスにおいては、薄い低圧の化学析出
窒化物層、即ち熱窒化物５０、低圧化学析出酸化物層５
２および低圧化学析出窒化物層５４からなるサンドイッ
チ構造が、第２Ａ図に示されるように、ｐ−ドープ・シ
リコン基板４２の表面上に塗布される。窒化物層５０は
、下側の基板の表面を明方の酸化物に対して密封する。

この素子は、次に従来周知のフォトマスキング工程にお
いてパターン化される０層５０．５２．５４は、適当な
エツチング工程により露出されたパターン領域において
除去されて、フィールド酸化物の成長孔５６を形成する
。第２Ｂ図に示されるように、フィールド酸化物４４は
、適当に１９０分間９５０℃の蒸気に露出することによ
り形成することができる。フィールド酸化物４４は、典
型的には４，０００乃至１０，０００人の範囲内の厚さ
で、望ましくは約６．５００人の厚さで形成される。そ
の後、露出されない領域における層５０．５２．５４の
残部が除去される（第２Ｃ図）、　５ＩＬＯ法のこれ以
上の詳細については、参考のため本文に引用されるＨｕ
ｉ等の文献において記載されている。活性領域４０は、
その後、漂単的な自己整合されるシリコン・ゲートＭＯ
Ｓプロセスに従ってイオン注入法によりｎ＋ドープが施
される。

窒化物密封層５０を含む５ＩＬＯ法の使用により、フィ
ールド酸化物４４がその上面６２と活性領域４０間に延
長する略々垂直の（ｌｌｌ壁６０を持つ。

ＬＯＣＯ３法のテーバ状エツジ特性はこのように取除か
れる。

次に、酸化物層６６（第２Ｄ図）はウェーハの上面ニ、
３，０００乃至１０，０００人の範囲内の厚さで付着さ
れる。この厚さは約６　、ＯＯ０人であることが望まし
い、ｖＩ化物層６６は、ウェーハ表面の等方性の析出お
よび同形のコーティングを保証するため、低圧化学析出
法またはプラズマ強化化学析出法により析出されること
が望ましい、同形のコーティングは、側壁６０が酸化物
層６６によって覆われることを保証するため重要である
。

第２Ｄ図に示されるように、側壁６０上の酸化物層６６
の厚さｔｌは、以下に述べる理由のため、水平面上の酸
化物層６６の厚さｔｌの少なくとも６０％でなければな
らない。

第２Ｆ図に示されるように、フォトレジスト７０は、酸
化物層６６の表面上に塗布され、従来のフォトマスキン
グ法におけるフォトマスクを介して露出される。このフ
ォトレジスト層７０は、次いで現像され、露出部分を取
除くことにより接触孔７２を画成するため洗浄される。

パターン化工程の完了後、本素子は異方性を生じるよう
にエツチングされて、第２Ｆ図に示される如き素子の面
と直角方向に酸化物層６６の均一な除去を行なう、異方
性エツチングは、酸化物のプラズマ・エツチング・シス
テムにおいて実施することができる。酸化物層６６は、
接触孔７２内のみでエツチングされ、フォトレジスト層
７０が素子の表面上で残る場所では保護される。エツチ
ング法の異方性の性買により、酸化物の側壁スペーサ７
４と呼ばれる酸化物層６６の部分はエツチング工程の完
了後も残る。第２Ｄ図によれば、側壁６０に隣接する酸
化物１６６の垂直方向の厚さ１、が水平な領域における
酸化物層６６の厚さＬ２よりもかなり大きいことが判る
。このため、厚さＬ２の層のエツチングに充分な異方性
エツチングは、側壁６０と隣接する酸化物層６６の部分
のみを除去し、酸化物の側壁スペーサ７４を残す、側壁
スペーサ７４は、活性領域４０のエツジ７６周囲の電流
の漏洩に対する誘電保護を行なう上で非常に有利である
。スペーサ７４は、これが接触孔７２がフィールド酸化
物４４と交差する側壁６０上に自動的に形成されるため
、自己整合性を呈する。

次に金属の接点８０が、活性領域４０に対する電気的な
接触を確保するため接触孔７２内に付着される。第２Ｇ
図に示されるように、側壁スペーサ７４は金属接点８０
を活性領域４０のエツジ７６から隔てて電流の漏洩を阻
止する。その結果、従来技術に関して本文に述べた電流
の漏洩を阻止するための活性領域４０の拡大は不必要と
なる。

本発明による方法は、第３Ａ図乃至第３Ｃ図に示される
如き所謂軽くドープされたドレーン構造の形成と関連し
て用いることができる。最初に、フィールド酸化物４４
が第２Ａ図および第２Ｂ図において示された本文に既に
述べた如き活性領域の周囲に形成される０次に、軽くド
ープされたｎ−領域１００が、第３ＡＩＮに示された如
きイオン注入法またはイオン拡散法によって活性領域に
形成される０次いで、素子は、低圧化学析出法またはプ
ラズマ強ｆヒ化学析出法により、酸化物層１０２で同形
にコーティングが施される０次に第３Ｂ図においては、
酸化物層１０２が異方性エツチング操作において取除か
れて、側壁スペーサ７４と関連して本文に既に述べた理
由により、活性領域のエツジに酸化物の側壁スペーサ１
０４を残す０次に、活性領域はイオン注入法またはイオ
ン拡散法によりドープされて、側壁スペーサ１０４によ
り保護されない活性領域のｎ十部分１００ａを形成する
。側壁スペーサ１０４の下方では、活性領域が１００ｂ
で示される如くｎ−ドーピングのまま残る。

その後は、本プロセスは第２Ｂ図乃至第２Ｇ図に示され
本文に述べた通りである。第３Ｃ図に示される最終的な
素子においては、操作スペーサ７４は金属接点８０を１
＋領域１００ａのエツジから隔て、金属接点８０と基板
４２間の電流の漏洩を阻止する。軽くドープされたドレ
ーン・プロセスに関するこれ以上の内容については、参
考のため本文に引用されるＹ、　ＭａＬｓｕａｏｔｏ等
のｒＩ　ＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ　　ｏｎ　　
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　　Ｄｅｖｉｃｓｅ」第ＥＤ−３２巻
、第２号、４２９〜４３３頁（１９８５年２月刊）を参
照されたい。

本発明の別の実ｍｎａｔにおいては、上記のプロセスは
、第２Ｅ図に示されるようにフォトレジストのパターン
化後、素子を略々フォトレジスト層７０の融点まで加熱
するスステップを更に含む。

この加熱工程は、フォトレジスト層の小さな可塑流なら
びにパターンのエツジにおけるレジスト層の勾配を生じ
る０次に、このエツチング工程は、異方性を生じるよう
に行なわれるが、エツチング・プロセスは、酸化物がエ
ツチングされる速度の略々半分でフォトレジストをエツ
チングするように調整される。この加熱ならびに調整さ
れるエツチング・プロセスは、僅かに傾斜した壁面を有
する接触孔７２を生じる。この傾斜した壁面は、金属に
よる段階的な被覆の達成が困難であり得る垂直の側壁と
は対照的に、均一な金属層の析出を容易にする。

本文においては本発明の望ましい実施態様の現在考えら
れるところのものについて示し記述したが、当業者には
頭書の特許請求の範囲により定義される如き本発明の範
囲から逸脱することなく種々の変更および修正が可能で
あることが明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図および第１Ｂ図は従来技術による接点孔の形成
方法を示す概略図、第２Ａ図乃至第２Ｇ図は本発明の１
０セスの諸工程およびこれにより作られる半導体素子を
示す概略図、第３図および第３Ａ図乃至第３Ｃ図は本発
明の望ましい他の実施態様による金属接点の形成を示す
概略図である。 ４０・・・活性領域　　　４２・・・基板４４・・・フ
ィールド酸化物 ５０・・・熱窒化物 ５２・・・低圧化学析出酸化物層 ５４・・・低圧化学析出窒化物層 ５６・・・フィールド酸化物成長孔 ６０・・・略々垂直な側壁　６２・・・上面６６・・・
酸化物層　　　　７０・・・フォトレジスト７２・・・
接触孔 ７４・・・酸化物の側壁スペーサ ７６・・・エツジ　　　　　８０・・・金属接点１００
・・・軽くドープされたｎ−領域１０２・・・酸化物層
　　　１０４・・・側壁スペーサη　　　　　　　　（ Ｎ　　　　　　　　へ 手続補正書□ 昭和６２年　９月　７日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基板の表面上に活性領域を画成し、該活性領
   域を実質的に取囲むフィールド酸化物を成長させるステ
   ップからなり、該フィールド酸化物は前記活性領域上に
   高くなった表面を有し、かつ前記フィールド酸化物表面
   と前記活性領域とを結合する実質的に垂直の側壁を有し
   、 前記活性領域を所要の不純物でドーピングし、前記フィ
   ールド酸化物表面と、前記活性領域と、前記側壁とを酸
   化物層で同じ形状にコーティングし、 接触孔をパターン化されたマスキング層で画成し、 該接触孔を前記酸化物層を介して前記活性領域まで異方
   性を生じるようにエッチングするステップを含み、該エ
   ッチング・ステップは前記接触孔が前記フィールド酸化
   物と交差する場所で酸化物の側壁スペーサを残す期間を
   有し、 金属を前記活性領域の表面上に前記接触孔に析出するス
   テップを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 ２、前記素子を酸化物層で同一形状にコーティングする
   前記ステップが、前記活性領域および前記フィールド酸
   化物の表面上の酸化物層の厚さの少なくとも６０％の厚
   さを有する酸化物層で前記側壁をコーティングするステ
   ップを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
   の半導体素子の製造方法。 ３、フィールド酸化物を成長させる前記ステップが、窒
   化物の密閉層が前記素子の表面に対して塗布されて側方
   の酸化を阻止し、かつ前記の実質的に垂直の側壁を提供
   する密閉界面の局部酸化プロセスにより行なわれること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体素子の
   製造方法。 ４、前記素子を酸化物層で同一形状にコーティングする
   前記ステップが、前記酸化物層の低圧化学析出法を含む
   ことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半導体素
   子の製造方法。 ５、前記素子を同一形状にコーティングする前記ステッ
   プが、前記酸化物層のプラズマ・エ・ハンス化学析出法
   を含むことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の半
   導体素子の製造方法。 ６、前記活性領域がＭＯＳトランジスタのメサ電極を構
   成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
   導体素子の製造方法。 ７、接触孔を画成す前記ステップが、 前記酸化物層の表面上にフォトレジスト層を塗布し、 該フォトレジスト層の選択された部分を露出させ、 前記フォトレジスト層の選択された部分を現像してこれ
   を取除き、前記のパターン化されたマスキング層を提供
   することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導
   体素子の製造方法。 ８、パターン化の後塑性流動を生じるに充分なだけ前記
   フォトレジスト層を加熱し、制御されたフォトレジスト
   ・エッチングにより接触孔を異方性を生じるようにエッ
   チングする前記ステップを実施するステップを更に含む
   ことを特徴とする特許請求の範囲第７項記載の半導体素
   子の製造方法。 ９、前記フィールド酸化物が、４，０００乃至１０，０
   ００Åの範囲内の厚さまで成長させられることを特徴と
   する特許請求の範囲第３項記載の半導体素子の製造方法
   。 １０、前記酸化物層が、３，０００乃至１０，０００Å
   の範囲内の厚さまで析出されることを特徴とする特許請
   求の範囲第９項記載の半導体素子の製造方法。 １１、半導体素子の基板の表面上に活性領域を画成し、 該活性領域に隣接するフィールド酸化物を成長させるス
   テップからなり、該フィールド酸化物は前記活性領域上
   に高くなった表面を有し、かつ前記フィールド酸化物表
   面と前記活性領域とを結合する実質的に垂直の側壁を有
   し、 前記活性領域を所要の不純物でドーピングし、前記側壁
   前記酸化物層の実質的な厚さでコーティングされるよう
   に、前記素子の表面を酸化物層で同じ形状にコーティン
   グし、 フォトレジスト層を前記酸化物層に塗布し、前記フォト
   レジスト層の選択された部分を露出し、現像してこれを
   取除いて、接触孔を画成するパターン化されたマスキン
   グ層を提供し、 前記接触孔を、前記酸化物層を介して前記のパターン化
   されたマスキング層の前記選択された部分における前記
   活性領域まで異方性を生じるようにエッチングするステ
   ップからなり、該エッチング・ステップは、前記接触孔
   が前記フィールド酸化物と交差する場所に酸化物の側壁
   スペーサを残す期間を有し、 金属を前記素子上に析出して前記活性領域と前記接触孔
   を介して接触させるステップを含むことを特徴とする半
   導体素子の製造方法。 １２、前記素子を酸化物層で同一形状にコーティングす
   る前記ステップが、前記活性領域および前記フィールド
   酸化物の表面上の酸化物層の厚さの少なくとも６０％の
   厚さを有する酸化物層で前記側壁をコーティングするス
   テップを含むことを特徴とする特許請求の範囲第１１項
   記載の半導体素子の製造方法。 １３、フィールド酸化物を成長させる前記ステップが、
   窒化物の密閉層が前記素子の表面に対して塗布されて側
   方の酸化物を阻止し、かつ前記の実質的に垂直の側壁を
   提供する密閉界面の局部酸化プロセスにより行なわれる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１１項記載の半導体
   素子の製造方法。 １４、フィールド酸化物を成長させるステップの後、 前記活性領域を軽くドーピングし、 前記素子を酸化物で同一形状にコーティングし、前記フ
   ィールド酸化物の側壁上の部分を除いて前記酸化物を異
   方性を生じるようにエッチングする付加的なステップを
   更に含むことを特徴とする特許請求の範囲第１１項記載
   の半導体素子の製造方法。 １５、電気的に絶縁するため活性領域を取囲む基板のフ
   ィールド酸化物の表面上の少なくとも１つの活性領域と
   、該活性領域に対する金属接点とを含む半導体素子にお
   いて、 前記基板の表面上に前記活性領域を画成し、該活性領域
   を実質的に取囲むフィールド酸化物を成長させるステッ
   プからなり、該フィールド酸化物は前記活性領域上に高
   くなった表面を有し、かつ前記フィールド酸化物表面と
   前記活性領域とを結合する実質的に垂直の側壁を有し、 前記活性領域を所要の不純物でドーピングし、前記側壁
   が前記酸化物層で実質的に覆われるように、前記素子の
   表面を酸化物層で同じ形状にコーティングし、 接触孔をパターン化されたマスキング層で画成し、 該接触孔を前記酸化物層を介して前記活性領域まで異方
   性を生じるようにエッチングするステップを含み、該エ
   ッチング・ステップは前記接触孔が前記フィールド酸化
   物と交差する場所で酸化物の側壁スペーサを残すように
   選択された期間を有し、 パターン化された金属層を前記活性領域の表面上の前記
   接触孔に析出するステップを含むプロセスにより製造さ
   れることを特徴とする半導体素子。