JPS63244795A - 配線基板 - Google Patents

配線基板

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Publication number
JPS63244795A
JPS63244795A JP7772387A JP7772387A JPS63244795A JP S63244795 A JPS63244795 A JP S63244795A JP 7772387 A JP7772387 A JP 7772387A JP 7772387 A JP7772387 A JP 7772387A JP S63244795 A JPS63244795 A JP S63244795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
wiring pattern
wiring
insulating film
pattern
Prior art date
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Pending
Application number
JP7772387A
Other languages
English (en)
Inventor
修司 近藤
北広 勇
中村 恒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP7772387A priority Critical patent/JPS63244795A/ja
Publication of JPS63244795A publication Critical patent/JPS63244795A/ja
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はガラスエポキシ基板などの絶縁基板上に、銅箔
などの導体材料による配線パターンを積層形成した電子
部品実装用の配線基板に関するものである。
従来の技術 ガラスエポキシ基板などの絶縁基板上に、銅箔などの導
体材料で配線パターンを形成したいわゆるプリント配線
基板において、同基板に多数の電子部品を搭載し、かつ
その電子部品相互間を所定の回路で接続する場合、搭載
部品の増加あるいは実装密度の増加にともなって、基板
は配線パターン数の増加とともに配線密度も高くなる。
さらに配線パターン数が増えると必然的にパターン相互
間の交差部位が増えるが、これに対応するため、基板の
両面に配線パターンを形成し配線相互間を導通貫通孔(
スルーホール)で結合したスルーホール両面基板、ある
いは複数枚の配線基板を積層形成した多層配線基板が多
用されるようになっている。
また、片面配線基板をもちいて配線パターンの交差部に
絶縁被膜層を形成し、同絶縁被膜層上に導体ペーストと
うによる配線パターンを印刷して交差部を形成した、片
面2層配線基板なども一部実用化がなされている。
発明が解決しようとする問題点 このスルーホール両面基板はその構造上基板両面の配線
パターンを結合するスルーホール径は最小0.1 II
Iφ程度であり、特別な用途例を除いて実用化されてい
る高密度配線パターン基板におけるスルーホール径は0
.31+Bφ、導体部の外形(いわゆるランド径)は0
.511φ程度がごく一般的なものである。
従ってこのスルーホール部分の寸法が基板上のパターン
密度、即ち配線ピッチを決める主要因となることが多く
例えば線間、線巾をそれぞれ0.1語中(ピッチ0.2
1B)で設計し、配線パターンの途中にスルーホールを
設ケた場合、スルーホールの無い領域では0.21Bピ
ツチの配線パターンとなり、プリント基板としては微細
な配線パターンがえられるが、上記スルーホール部に隣
接した部位を通す配線は、ランド部分を回避して配線す
る必要があるため、必然的に同部位における見かけ上の
配線ピッチが増大することとなり、これが両面配線基板
の微細化、高密度化を阻害する一因となっている。
次に片面2層配線基板の場合は、第1層配線パターン上
に絶縁被膜層を形成し、配線の交差部は同絶縁被膜層に
第2層の配線パターンを、導電性ベーストなどの導電性
材料を用いて印刷する方式が一般に採用されている。
しかし、印刷方式では線巾に制約が生じ微細なパターン
を印刷することが難かしく、また段差部での配線切れ、
あるいはパターンの痩せを防止するためにも微細化は不
適当であった。さらに導電性ペーストを使用した印刷方
式の場合には、線巾を細くした際には配線抵抗の増加が
問題となり、また第1層配線パターンとの接続部での接
続抵抗を下げるには接続部面積を大きくする必要があり
印刷時の位置ずれによるショートを防ぐためには、接続
部の1層配線パターンの間隔を拡げる必要があるなど、
パターンの微細化を図ることが難しかった。
問題点を解決するための手段 本発明は、第1層配線パターン上に同配線パターン巾と
同等以下の接続用突起電極を設け、突起電極形成部以外
の基板表面には層間絶縁膜層を形成した構造であり、ま
た層間絶縁膜層の表面と接続用突起電極表面を略同一平
面とすることにより、層間絶縁膜層表面に形成する第2
層配線を接続用突起電極を介して接続するものである。
作用 本発明のプリント配線基板では第1層配線パターン2第
2層配線パターンの接続を、第1層配線パターンのパタ
ーン巾以下の寸法で形成した突起電極によって行ないさ
らに第2層配線パターンは段差の少ない平面上に形成し
た構造であるため、0.218ピツチ以下の微細パター
ンを持った片面2層プリント配線基板でも容易に提供す
ることが出来る。
実施例 以下図面に基づいて詳細な説明を行う。
第1図は本発明の配線基板の平面図、第2図ta)〜(
d)は第1図のx −x’  部の断面で、本発明の構
造を示した断面図である。第1図、第2図において1は
配線基板基材、2は第1層配線パターン、6は層間絶縁
膜層、6は第1層配線パターン2の所定位置に形成した
突起電極用開孔部、7は第1層配線パターンの所定位置
に積層形成した突起電極、8は突起電極7の表面、9は
層間絶縁膜層5の表面、1oは突起電極7の表面を含む
層間絶縁膜層6上に形成した第2層配線パターンである
本実施例の配線基板における第1層配線パターン2は、
第2図aのようにガラスエポキシ基板などの基板基材1
上に設けた銅箔等の導体金属を、写真食刻プロセス(い
わゆるホトエツチングあるいはホトプロセス)によシ所
定の寸法形状で第1層配線パターン2として形成しであ
る。これは通常の片面配線基板と基本的には同じである
。また第1図のように、後述する突起電極7を電解メ・
スキ法で形成する際のメッキ電極2′ として、配線パ
ターン2の周辺余剰部など配線基板完成時に切断する切
断a3の外側不用部4などに、配線相互間を仮接続した
メッキ電極2′ 用配線が設けである。
また第1層配線パターン2を含む配線基板基材1上には
、数μmから数1oμmの膜厚を有する層間絶縁膜層6
を形成し、同層間絶縁膜層5には第1層配線パターン2
と第2層配線パターン1゜との接続を図るための突起電
極用開孔部6が、ホトプロセスにより第1層配線パター
ン2上の所定の位置に、同配線パターンの線巾と同等も
しくは同等以下の寸法で、例えば第1層配線パターン2
の線巾ムが100μmの場合、同開孔部6の寸法φ、は
100μmφ以下で同配線パターン上の所定の位置に合
致させて開孔形成する。(第2図b)この突起電極用開
孔部6には、第1層配線パターン2の配線導体を下地基
材としてCuなどの導体金属を、層間絶縁膜層5の膜厚
が薄い場合には無電界メッキ法で、膜厚が厚い場合には
前述のメッキ電極2′ 用配線を用いた電界メッキ法に
より、層間絶縁膜層6の膜厚と同一層厚となるように、
回部に選択的に析出形成した突起電極7が設けである。
すなわち第1層配線パターン2上に析出形成した突起電
極7の表面8と、層間絶縁膜層6の表面9が同一平面と
なるよう、換言すれば層間絶縁膜層5の表面を段差の少
ない平滑面とした構成である。(第2図C) 以上のようにして形成した、突起電極7の表面部8を含
む層間絶縁膜層6の表面層上9には第2層配線用金属層
を蒸着法、メッキ法あるいは両者の複合等によって全面
に被着させたのち、ホトプロセスにより所定の第2層配
線パターン1oを同層上に形成しである。(第2図d) この時第2層配線パターン1oは上記のように段差の少
ない概略平滑な面を持った下地上に形成しであるため、
微細なホトエツチングが可能となり100μm以下の微
細配線とすることができるとともに、突起電極7の表面
8に接して形成されている第2層配線パターン1oは、
同突起電極7を介して第1層配線パターン2とそれぞれ
結合してあり、他の領域の第2層配線パターン10’ 
 は層間絶縁膜層6によシ第1層配線パターン2とは絶
縁分離された構造を持った微細パターンの2層配線基板
である。
なお、上記の説明では第1層配線パターン2の所定位置
に形成する突起電極7は、層間絶縁膜層5に形成した開
孔部内に形成しているが、あらかじめ第1層配線パター
ン2上の所定位置へ選択的に突起電極7を形成したのち
、突起電極7と同一高さとなるように眉間絶縁膜層6を
基板の表面に形成し、同層上に第2層配線パターン1o
を構成した場合においても、同一構造の微細パターンの
2層配線基板とすることが出来る。
発明の効果 以上のように、本発明は第1層配線パターンの所定の位
置には突起電極を、同配線パターンを含む基板表面に層
間絶縁膜層を、同層間絶縁膜層上には第2層配線パター
ンをそれぞれ形成し、突起電極によって第1層配線パタ
ーンと第2層配線パターンを接続したものであるので、
微細配線パターンとすることが出来るなど、従来にない
高密度な2層配線基板も容易に提供することが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明一実施例の配線基板の部分平面図、第2
図(a)〜(d)は第1図のX−X’  部の断面図で
ある。 1・・・・・・配線基板基材、2・・・・・・第1層配
線パターン、2′・・・・・・メッキ電極、5・・・・
・・層間絶縁層、6・・・・・突起電型用開孔部、7・
・・・・・第1層配線パターンの所望位置に形成した接
続用突起電極、10・・・・・・層間絶縁膜層上に形成
した第2層配線パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1−
配疎墓抜慕材 2−第1層配趨バクーン 7−W?枝Ff4tA起電極 Io−名2層12線パターン 42′ 第2図 tC+)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  第1層の配線パターンを形成した配線基板の前記第1
    層の配線パターン上の所定位置に、この配線パターンの
    巾と同等もしくは同等以下の寸法からなる突起電極を形
    成し、同突起電極部以外の配線パターンを含むプリント
    配線基板上には、突起電極の高さと略同一寸法で絶縁層
    を設け、突起電極の表面を含むこの絶縁層上に第2の配
    線パターンを形成し、前記突起電極部において第1層、
    第2層の配線パターンを電気的に接続すると共に、他の
    領域においては第1層、第2層の配線パターン間を絶縁
    分離した配線基板。
JP7772387A 1987-03-31 1987-03-31 配線基板 Pending JPS63244795A (ja)

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JP7772387A JPS63244795A (ja) 1987-03-31 1987-03-31 配線基板

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011100871A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Fujitsu Ltd 配線基板及び電子装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4894866A (ja) * 1972-03-15 1973-12-06
JPS55158697A (en) * 1979-05-30 1980-12-10 Nippon Electric Co Multilayer wiring substrate
JPS61179598A (ja) * 1985-02-04 1986-08-12 沖電気工業株式会社 多層配線形成方法

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