JPS63242941A - 光フアイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ用母材の製造方法Info
- Publication number
- JPS63242941A JPS63242941A JP7452087A JP7452087A JPS63242941A JP S63242941 A JPS63242941 A JP S63242941A JP 7452087 A JP7452087 A JP 7452087A JP 7452087 A JP7452087 A JP 7452087A JP S63242941 A JPS63242941 A JP S63242941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- glass tube
- glass
- fine powder
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 title claims abstract 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 claims description 4
- 239000002023 wood Substances 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 30
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 15
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 11
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004071 soot Substances 0.000 abstract 4
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 39
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004738 SiO1 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は元ファイバ用母材の製造方法に関し、特にF(
ふっ素)を含有する石英系元ファイバ用母材の新規な製
造方法に関する。
ふっ素)を含有する石英系元ファイバ用母材の新規な製
造方法に関する。
元ファイバ用母材の製造方法の一つとしてMCVD法(
Modifiea Chemical Vapor D
eposi−tlOn Methoaモディファイド
ケミカル グエイバー デボジッション メソッド、内
付けCVD法ともいう)が一般的に知られている。
Modifiea Chemical Vapor D
eposi−tlOn Methoaモディファイド
ケミカル グエイバー デボジッション メソッド、内
付けCVD法ともいう)が一般的に知られている。
このMCVD法では第3図に示すように、出発石英ガラ
ス管31の内部に例えばS iC4等のガラス原°科、
0鵞ガス等を流しつつ、ガスの流入側から流出側へと外
部加熱源52を移動させていくことにより、同図中に破
線で囲み35として示すような高温領域において、上記
ガラス原料ガスの気相酸化反応によ5 Sin、微粉末
を発生させ該ガラス管31の内面に、外部加熱源に対し
ガスの流出側の領域でSiO2微粉末を堆積させて51
01微粉末層S5を形成させるとともに該5101微粉
末堆積層55を外部加熱源32の熱を利用して透明ガラ
ス化していき透明ガラス層34を形成し、必要に応じて
この透明ガラス層34の堆積をくり返し、所定の厚みの
透明ガラス層34をガラス管31の内面に形成したのち
加熱中実化する方法である。このようなMCVD法でF
を含有し九透明ガラス層を形成しようとする場合は、ガ
ラス原料ガス、0!ガスなどとともにFを含有する化合
物ガス、例えばCC1,Fz、 8F、 、 81F4
などを混合させる方法が一般的である。
ス管31の内部に例えばS iC4等のガラス原°科、
0鵞ガス等を流しつつ、ガスの流入側から流出側へと外
部加熱源52を移動させていくことにより、同図中に破
線で囲み35として示すような高温領域において、上記
ガラス原料ガスの気相酸化反応によ5 Sin、微粉末
を発生させ該ガラス管31の内面に、外部加熱源に対し
ガスの流出側の領域でSiO2微粉末を堆積させて51
01微粉末層S5を形成させるとともに該5101微粉
末堆積層55を外部加熱源32の熱を利用して透明ガラ
ス化していき透明ガラス層34を形成し、必要に応じて
この透明ガラス層34の堆積をくり返し、所定の厚みの
透明ガラス層34をガラス管31の内面に形成したのち
加熱中実化する方法である。このようなMCVD法でF
を含有し九透明ガラス層を形成しようとする場合は、ガ
ラス原料ガス、0!ガスなどとともにFを含有する化合
物ガス、例えばCC1,Fz、 8F、 、 81F4
などを混合させる方法が一般的である。
前記のように従来のMCVD法でFを添加したガラス層
を形成しようとする場合、Fの添加量に制限がめった。
を形成しようとする場合、Fの添加量に制限がめった。
例えば第4図にはガラス管内に流す5icL4流量を一
定とし、SiF4流量を変化させた場合のSiF′4流
量: 81CL4流量比と添加されるFの量の関係(実
線イ)及び堆積速度との関係(破線口)の例を示す。第
4図からも判るように81F’4供給量を増していくと
F添加量は徐々に増加するものの堆積速度は劣化しPi
(L9重量%以上添加しようとするとほとんど透明ガラ
ス層が形成されなくなっている。したがって従来のMC
VD法ではFt−1Ft%以上添加することが困難でめ
った。
定とし、SiF4流量を変化させた場合のSiF′4流
量: 81CL4流量比と添加されるFの量の関係(実
線イ)及び堆積速度との関係(破線口)の例を示す。第
4図からも判るように81F’4供給量を増していくと
F添加量は徐々に増加するものの堆積速度は劣化しPi
(L9重量%以上添加しようとするとほとんど透明ガラ
ス層が形成されなくなっている。したがって従来のMC
VD法ではFt−1Ft%以上添加することが困難でめ
った。
本発明は上記した現状に鑑みてなされたものでろって、
Fを1重量チ以上容易に添加しうるFを含有する石英系
元ファイバ用母材の新規かつ効率良い製造法を実現せん
とするものでめる。
Fを1重量チ以上容易に添加しうるFを含有する石英系
元ファイバ用母材の新規かつ効率良い製造法を実現せん
とするものでめる。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は出発
ガラス管の中空部に該ガラス管の一端部より少なくとも
ガラス原料ガス及びo2ガスを含むガスを流しつつ、移
動する加熱源により外部から該ガラス管を加熱すること
によ先願熱源に対しガス流出側の該ガラス管内面にSi
O2微粉末を堆積させてゆ@ SiO.微粉末層を形成
した後、続いて該ガラス管中空部に少なくともFt−含
有するガスを流しつつ、移動する加熱源により外部から
該ガラス管を加熱することKより該SiO2微粉末層に
Fを添加するとともに該SiO2微粉末層を透明ガラス
化して、これにより該ガラス管内面にFを含有するSi
n、ガラス層を形成する工程を有することt−W徴とす
る元ファイバ用母材の製造方法である。
ガラス管の中空部に該ガラス管の一端部より少なくとも
ガラス原料ガス及びo2ガスを含むガスを流しつつ、移
動する加熱源により外部から該ガラス管を加熱すること
によ先願熱源に対しガス流出側の該ガラス管内面にSi
O2微粉末を堆積させてゆ@ SiO.微粉末層を形成
した後、続いて該ガラス管中空部に少なくともFt−含
有するガスを流しつつ、移動する加熱源により外部から
該ガラス管を加熱することKより該SiO2微粉末層に
Fを添加するとともに該SiO2微粉末層を透明ガラス
化して、これにより該ガラス管内面にFを含有するSi
n、ガラス層を形成する工程を有することt−W徴とす
る元ファイバ用母材の製造方法である。
本発明におけるFt−含有するガスとしては、SiF4
が特に好ましく、またFt−含有するガスとともにCl
2又はCt f:含有する化合物のガスを共存させて、
Fを添加しつつSiO−微粉末層を透明ガラス化するこ
とは特に好ましい実施態様でろる。
が特に好ましく、またFt−含有するガスとともにCl
2又はCt f:含有する化合物のガスを共存させて、
Fを添加しつつSiO−微粉末層を透明ガラス化するこ
とは特に好ましい実施態様でろる。
筐た上記方法においてはSiO−微粉末の堆積から5i
O−微粉末層へのF添加及び透明化までの工程を1回又
は複数回繰り返して行なうことにより、所定厚さのFを
含有するガラス層を得ることができる0 従来のMCVD法ではF添加量を増加する九めに原料ガ
ス中のF化合物ガスの流!−金上げてゆくと、Sin、
微粉末の堆積効率が急激に低下していた(第4図)。
O−微粉末層へのF添加及び透明化までの工程を1回又
は複数回繰り返して行なうことにより、所定厚さのFを
含有するガラス層を得ることができる0 従来のMCVD法ではF添加量を増加する九めに原料ガ
ス中のF化合物ガスの流!−金上げてゆくと、Sin、
微粉末の堆積効率が急激に低下していた(第4図)。
従来のMCVD法でFが添加されるメカニズムとしては
例えば81F4をF原料とした場合3SiO1(s)
+ SiF4(g) ;X:4Si01,5F(8
) (11という反応式が当てはまると考えられる。す
なわちFが多く添加されるためには(11式で反応が右
に進筐ねばならず、そのためにはガラス微粉末(S10
◇が発生して透明になるまでの空間において、 81F
4の分圧が高くなくてはならない。一方、SiF4はO
Nとの共存下においても下記(2)式8式% のような酸化反応は極めて起りにくくなる◇そのため、
81F4分圧を上げてもSiO2発生量は増えることが
ない。逆に、SiF′4分圧を上げるためにはガラス原
料ガス例えば81C4や01ガスの量を減らすか、或い
はSiF4流量を上げていくことが必要であるが、前者
の場合は当然ガラス微粉未発生量が減少するのは言うま
でもなく、また後者の場合も出発ガラス管内の流速が早
くなり、SiO2発生反厄やF添加反応が十分に行われ
ず、やf′iリガラス微粉微粉未発生滅少したり、十分
なF添加量が得られない。
例えば81F4をF原料とした場合3SiO1(s)
+ SiF4(g) ;X:4Si01,5F(8
) (11という反応式が当てはまると考えられる。す
なわちFが多く添加されるためには(11式で反応が右
に進筐ねばならず、そのためにはガラス微粉末(S10
◇が発生して透明になるまでの空間において、 81F
4の分圧が高くなくてはならない。一方、SiF4はO
Nとの共存下においても下記(2)式8式% のような酸化反応は極めて起りにくくなる◇そのため、
81F4分圧を上げてもSiO2発生量は増えることが
ない。逆に、SiF′4分圧を上げるためにはガラス原
料ガス例えば81C4や01ガスの量を減らすか、或い
はSiF4流量を上げていくことが必要であるが、前者
の場合は当然ガラス微粉未発生量が減少するのは言うま
でもなく、また後者の場合も出発ガラス管内の流速が早
くなり、SiO2発生反厄やF添加反応が十分に行われ
ず、やf′iリガラス微粉微粉未発生滅少したり、十分
なF添加量が得られない。
そこで本発明ではガラス微粉末の発生堆積とF添加の工
程を分離することにより、上記のような従来のMCVD
法での欠点を克服した。
程を分離することにより、上記のような従来のMCVD
法での欠点を克服した。
本発明t−@1図を参照して説明する。第1図において
囚ないしく口)部分は各工程を示しており、白矢印は工
程の順を、また黒矢印は加熱源12の移動方向を示す。
囚ないしく口)部分は各工程を示しており、白矢印は工
程の順を、また黒矢印は加熱源12の移動方向を示す。
本発明ではまずF化合物ガスを流さずにSiO1微粉末
の堆積層を形成する。この工程の第一の方法としてはw
、1図の囚及びCB)に示すように、通常のMCVD法
とは逆に、加熱源12t−ガラス原料ガスの流出側から
流入側へと移動していく。
の堆積層を形成する。この工程の第一の方法としてはw
、1図の囚及びCB)に示すように、通常のMCVD法
とは逆に、加熱源12t−ガラス原料ガスの流出側から
流入側へと移動していく。
このように行なうことにより、加熱源12に対してガラ
ス原料ガスの流出側に堆積する5102微粉末は、この
工程では再度加熱源12に熱せられることがないので透
明ガラス化することがない。そして加熱源12が出発ガ
ラス管11のガス流入側端部まで移動しきった後には、
該出発ガラス管11の内面にはSiO.微粉末堆積層1
3が形成されることになる。
ス原料ガスの流出側に堆積する5102微粉末は、この
工程では再度加熱源12に熱せられることがないので透
明ガラス化することがない。そして加熱源12が出発ガ
ラス管11のガス流入側端部まで移動しきった後には、
該出発ガラス管11の内面にはSiO.微粉末堆積層1
3が形成されることになる。
第二の方法として、ガラス原料ガスの流れ方向と同方向
に外部加熱源を移動させるが、このときにガラス微粉末
の発生・堆積のみが起こり透明化が起きないように加熱
量を低減させて行なう方法をとってもよい。
に外部加熱源を移動させるが、このときにガラス微粉末
の発生・堆積のみが起こり透明化が起きないように加熱
量を低減させて行なう方法をとってもよい。
次に、出発ガラス管11の内部に少なくともFt−含有
するガスを流し、加熱源12を該ガスの流れ方向と同方
向又は逆方向に移動させながら、該出発ガラス管11の
外部から加熱してゆく〔第1図の(C)及び(6)〕。
するガスを流し、加熱源12を該ガスの流れ方向と同方
向又は逆方向に移動させながら、該出発ガラス管11の
外部から加熱してゆく〔第1図の(C)及び(6)〕。
このように加熱していくことによ5、FがSiO!微粉
末堆積層15中に添加されていくと共に、該SiO.微
粉末堆積層13は溶融して、透明ガラス層14が形成さ
れる0 さらに必要に応じて第1図の四〜(6)に示した、51
02微粉末の堆積、該堆積5102微粉末へのF添加及
び透明ガラス化の工程を繰シ返すことにより、所定の厚
さのFを含有する透明ガラス層を形成できる。
末堆積層15中に添加されていくと共に、該SiO.微
粉末堆積層13は溶融して、透明ガラス層14が形成さ
れる0 さらに必要に応じて第1図の四〜(6)に示した、51
02微粉末の堆積、該堆積5102微粉末へのF添加及
び透明ガラス化の工程を繰シ返すことにより、所定の厚
さのFを含有する透明ガラス層を形成できる。
本発明におけるF添加用の少なくともFi金含有るガス
としては、例えばcctlF鵞a 816 z F31
F4rCF4 、 ClF、等が挙げられ、なかでもエ
ツチング作用の少ないSiF4が特に好筐しい。また、
F添加の際に、F化合物ガスの含有する水分や、配管の
ごく僅かな濡れ等に起因してOH基が混入する場合があ
るが、このような場合には脱水作用のめる例えばct2
.ct化合物ガス等をFtNガス中に共存させると、
OH基の除去が可能であり効果的である。さらに、Fを
添加する際のF化合物の濃度を調整することによ5,5
iO1微粉末へのF添加量を調整することができる。
としては、例えばcctlF鵞a 816 z F31
F4rCF4 、 ClF、等が挙げられ、なかでもエ
ツチング作用の少ないSiF4が特に好筐しい。また、
F添加の際に、F化合物ガスの含有する水分や、配管の
ごく僅かな濡れ等に起因してOH基が混入する場合があ
るが、このような場合には脱水作用のめる例えばct2
.ct化合物ガス等をFtNガス中に共存させると、
OH基の除去が可能であり効果的である。さらに、Fを
添加する際のF化合物の濃度を調整することによ5,5
iO1微粉末へのF添加量を調整することができる。
本発明において用いる出発ガラス管としては、例えば石
英ガラス管、Fを含有する石英管やガラス管等の熱膨張
係数が小さい材質のものを用いることが、加熱時或いは
冷却時のクラック発生防止のため有効でおる。
英ガラス管、Fを含有する石英管やガラス管等の熱膨張
係数が小さい材質のものを用いることが、加熱時或いは
冷却時のクラック発生防止のため有効でおる。
本発明におけるガラス原料は気相であって、例えばSi
O4等が用いられる。これらのガスは03 ガスと共
に、あるいはガラス原料ガスのキャリヤガスとしての不
活性なガス例えばAr、He。
O4等が用いられる。これらのガスは03 ガスと共
に、あるいはガラス原料ガスのキャリヤガスとしての不
活性なガス例えばAr、He。
Ne 等の共存のもとに用いられる。またHeは熱伝導
率が高く加熱効率を高めることができるのでさらに共存
させることも有効である場合がある。
率が高く加熱効率を高めることができるのでさらに共存
させることも有効である場合がある。
本発明における移動する外部加熱源としては、例え1[
水素炎バーナー、誘導プラズマ火炎。
水素炎バーナー、誘導プラズマ火炎。
電気抵抗炉等が用いられる。
実施例1
外径21mφ、肉厚2■の出発石英ガラス管をガラス旋
盤に装着して、第1図の(5)〜Ω)に示したような本
発明の方法により該ガラス管の内面に5102微粉末層
の形成及び該5101微粉末層へのF添加とその透明化
を行った。加熱源としては酸水素バーナーを用い、該バ
ーナーを該出発石英ガラス管のガス流出側からガス流入
11Gまで移動させる間に81o2微粉末層の堆積を行
ない、該バーナーを該出発石英ガラス管のガス流入側か
らガス流出側まで移動させる間に、上記の堆積5102
微粉末層へのF添加とその透明ガラス化を行った。この
ときの条件を表1に示す。
盤に装着して、第1図の(5)〜Ω)に示したような本
発明の方法により該ガラス管の内面に5102微粉末層
の形成及び該5101微粉末層へのF添加とその透明化
を行った。加熱源としては酸水素バーナーを用い、該バ
ーナーを該出発石英ガラス管のガス流出側からガス流入
11Gまで移動させる間に81o2微粉末層の堆積を行
ない、該バーナーを該出発石英ガラス管のガス流入側か
らガス流出側まで移動させる間に、上記の堆積5102
微粉末層へのF添加とその透明ガラス化を行った。この
ときの条件を表1に示す。
表1に示した条件で、Fを含有する透明ガラス層を40
層形成した。次に第5図に示したような通常のMCVD
法に従い、F含有透明ガラス層に重ねて純粋Sin、ガ
ラス層を形成した後、加熱中実化した。
層形成した。次に第5図に示したような通常のMCVD
法に従い、F含有透明ガラス層に重ねて純粋Sin、ガ
ラス層を形成した後、加熱中実化した。
以上により得られ九九ファイバ用ガラス母材の屈折率分
布を第2図に示すが、本発明の方法により形成したF添
加ガラス層がクラッド21に対応し、最後に従来のMC
VD法にて形成した純粋5102ガラス層がコア22に
対応してシ9、該母材はコア・りラッド間の比屈折率差
14%のシングルモードファイバ用母材として用い得る
ものでめった。なお、本発明によるクラッド層には1.
3重量−〇Fが添加されてい次が、このような1![9
6を越える添加は従来のMCVD法では実現できなかっ
たものである。
布を第2図に示すが、本発明の方法により形成したF添
加ガラス層がクラッド21に対応し、最後に従来のMC
VD法にて形成した純粋5102ガラス層がコア22に
対応してシ9、該母材はコア・りラッド間の比屈折率差
14%のシングルモードファイバ用母材として用い得る
ものでめった。なお、本発明によるクラッド層には1.
3重量−〇Fが添加されてい次が、このような1![9
6を越える添加は従来のMCVD法では実現できなかっ
たものである。
本発明はMCVD法にてFを添加したSiO2層を形成
するにおいて、ガラス堆積速度を低下させることなくF
を多量に添加できる効果金臭する。
するにおいて、ガラス堆積速度を低下させることなくF
を多量に添加できる効果金臭する。
特に、従来のMCVD法では困難でめった。、F1&:
1重量%以上含有するS 102層を所定厚さに形成す
ることを容易に実現できるので、Fを含有する元ファイ
バ用母材の製造方法として非常に有効でめる。
1重量%以上含有するS 102層を所定厚さに形成す
ることを容易に実現できるので、Fを含有する元ファイ
バ用母材の製造方法として非常に有効でめる。
第1図は本発明の方法を工程順に説明する概念図である
。 第2図は本発明の実施例において製造した元ファイバ用
母材の径方向における屈折率分布図である。 第3図は従来のMCVD法を説明する概念図、第4図は
従来のMCVD法におけるF添加の際の問題点を説明す
る図であって、SiF4/5iCt4の流量比を横軸に
とり、F添加量(TJL量%)を左縦軸に、堆積速度(
2!分)を右縦軸にとって、流量比とF添加量の関係を
実線イで、流量比と堆積速度の関係を破線口で示した図
である。
。 第2図は本発明の実施例において製造した元ファイバ用
母材の径方向における屈折率分布図である。 第3図は従来のMCVD法を説明する概念図、第4図は
従来のMCVD法におけるF添加の際の問題点を説明す
る図であって、SiF4/5iCt4の流量比を横軸に
とり、F添加量(TJL量%)を左縦軸に、堆積速度(
2!分)を右縦軸にとって、流量比とF添加量の関係を
実線イで、流量比と堆積速度の関係を破線口で示した図
である。
Claims (3)
- (1)出発ガラス管の中空部に該ガラス管の一端部より
少なくともガラス原料ガス及びO_2ガスを含むガスを
流しつつ、移動する加熱源により外部から該ガラス管を
加熱することにより、加熱源に対しガス流出側の該ガラ
ス管内面にSiO_2微粉末を堆積させてゆきSiO_
2微粉末層を形成した後、続いて該ガラス管中空部に少
なくともFを含有するガスを流しつつ、移動する加熱源
により外部から該ガラス管を加熱することにより該Si
O_2微粉末層にFを添加するとともに該SiO_2微
粉末層を透明ガラス化して、これにより該ガラス管内面
にFを含有する SiO_2ガラス層を形成する工程を有することを特徴
とする光ファイバ用母材の製造方法。 - (2)Fを含有するガスとしてSiF_4を用いる特許
請求の範囲第1項に記載される光ファイバ用母材の製造
方法。 - (3)Fを含有するガスとともにCl_2又はCl化合
物ガスを共存させて、Fを添加しつつSiO_2微粉末
層を透明ガラス化する特許請求の範囲第1項に記載され
る光ファイバ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7452087A JPS63242941A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7452087A JPS63242941A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63242941A true JPS63242941A (ja) | 1988-10-07 |
Family
ID=13549680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7452087A Pending JPS63242941A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63242941A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100776096B1 (ko) | 2006-03-10 | 2007-11-15 | 엘에스전선 주식회사 | 저손실 광섬유 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 저손실광섬유 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6042242A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用ガラスの製造方法 |
JPS60239337A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用ガラス母材の製造法 |
JPS6117432A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
JPS61236624A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-21 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 石英ガラス系光フアイバ母材の製法 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7452087A patent/JPS63242941A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6042242A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用ガラスの製造方法 |
JPS60239337A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用ガラス母材の製造法 |
JPS6117432A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
JPS61236624A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-21 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 石英ガラス系光フアイバ母材の製法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100776096B1 (ko) | 2006-03-10 | 2007-11-15 | 엘에스전선 주식회사 | 저손실 광섬유 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 저손실광섬유 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3982916A (en) | Method for forming optical fiber preform | |
JPS584323B2 (ja) | コウガクセンイノ セイゾウホウホウ | |
JPS589056B2 (ja) | 誘電体光学導波管及びその製造方法 | |
JPS61155225A (ja) | 光導波管製造方法 | |
JPS6236035A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
US4302230A (en) | High rate optical fiber fabrication process using thermophoretically enhanced particle deposition | |
RU2236386C2 (ru) | Способ изготовления заготовки оптического волокна | |
JP3053320B2 (ja) | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 | |
JPS60260430A (ja) | フツ素をクラツド部に含有する光フアイバ用母材の製造方法 | |
JP4124198B2 (ja) | 脱水及び脱塩素工程を含むmcvd法を用いた光ファイバ母材の製造方法及びこの方法により製造された光ファイバ | |
JPS63242941A (ja) | 光フアイバ用母材の製造方法 | |
JPS62246834A (ja) | 光フアイバ母材の製造方法 | |
US4537611A (en) | Method for manufacturing glass from the gas phase | |
JPS6036343A (ja) | 光伝送用ガラス素材の製法 | |
JPH0210095B2 (ja) | ||
JPH0479981B2 (ja) | ||
JP2965235B2 (ja) | 光ファイバ用多孔質ガラス母材の製造方法 | |
EP0135126A1 (en) | Preparation of glass for optical fibers | |
JPS63139028A (ja) | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 | |
JP3517250B2 (ja) | 光伝送路用ガラスファイバ母材の製造方法 | |
JP3788073B2 (ja) | 光ファイバ用母材の製造方法 | |
JPH0327491B2 (ja) | ||
JPH1059730A (ja) | 合成石英ガラスの製造方法 | |
JPS6127331B2 (ja) | ||
JPS5925738B2 (ja) | 光学用ガラスフアイバ製造方法 |