JPS63242941A - 光フアイバ用母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ用母材の製造方法Info
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- JPS63242941A JPS63242941A JP7452087A JP7452087A JPS63242941A JP S63242941 A JPS63242941 A JP S63242941A JP 7452087 A JP7452087 A JP 7452087A JP 7452087 A JP7452087 A JP 7452087A JP S63242941 A JPS63242941 A JP S63242941A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
- C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は元ファイバ用母材の製造方法に関し、特にＦ（
ふっ素）を含有する石英系元ファイバ用母材の新規な製
造方法に関する。
ふっ素）を含有する石英系元ファイバ用母材の新規な製
造方法に関する。
元ファイバ用母材の製造方法の一つとしてＭＣＶＤ法（
Ｍｏｄｉｆｉｅａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉ−ｔｌＯｎ Ｍｅｔｈｏａモディファイド
ケミカル グエイバー デボジッション メソッド、内
付けＣＶＤ法ともいう）が一般的に知られている。
Ｍｏｄｉｆｉｅａ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉ−ｔｌＯｎ Ｍｅｔｈｏａモディファイド
ケミカル グエイバー デボジッション メソッド、内
付けＣＶＤ法ともいう）が一般的に知られている。
このＭＣＶＤ法では第３図に示すように、出発石英ガラ
ス管３１の内部に例えばＳ ｉＣ４等のガラス原°科、
０鵞ガス等を流しつつ、ガスの流入側から流出側へと外
部加熱源５２を移動させていくことにより、同図中に破
線で囲み３５として示すような高温領域において、上記
ガラス原料ガスの気相酸化反応によ５ Ｓｉｎ、微粉末
を発生させ該ガラス管３１の内面に、外部加熱源に対し
ガスの流出側の領域でＳｉＯ２微粉末を堆積させて５１
０１微粉末層Ｓ５を形成させるとともに該５１０１微粉
末堆積層５５を外部加熱源３２の熱を利用して透明ガラ
ス化していき透明ガラス層３４を形成し、必要に応じて
この透明ガラス層３４の堆積をくり返し、所定の厚みの
透明ガラス層３４をガラス管３１の内面に形成したのち
加熱中実化する方法である。このようなＭＣＶＤ法でＦ
を含有し九透明ガラス層を形成しようとする場合は、ガ
ラス原料ガス、０！ガスなどとともにＦを含有する化合
物ガス、例えばＣＣ１，Ｆｚ、 ８Ｆ、 、 ８１Ｆ４
などを混合させる方法が一般的である。
ス管３１の内部に例えばＳ ｉＣ４等のガラス原°科、
０鵞ガス等を流しつつ、ガスの流入側から流出側へと外
部加熱源５２を移動させていくことにより、同図中に破
線で囲み３５として示すような高温領域において、上記
ガラス原料ガスの気相酸化反応によ５ Ｓｉｎ、微粉末
を発生させ該ガラス管３１の内面に、外部加熱源に対し
ガスの流出側の領域でＳｉＯ２微粉末を堆積させて５１
０１微粉末層Ｓ５を形成させるとともに該５１０１微粉
末堆積層５５を外部加熱源３２の熱を利用して透明ガラ
ス化していき透明ガラス層３４を形成し、必要に応じて
この透明ガラス層３４の堆積をくり返し、所定の厚みの
透明ガラス層３４をガラス管３１の内面に形成したのち
加熱中実化する方法である。このようなＭＣＶＤ法でＦ
を含有し九透明ガラス層を形成しようとする場合は、ガ
ラス原料ガス、０！ガスなどとともにＦを含有する化合
物ガス、例えばＣＣ１，Ｆｚ、 ８Ｆ、 、 ８１Ｆ４
などを混合させる方法が一般的である。
前記のように従来のＭＣＶＤ法でＦを添加したガラス層
を形成しようとする場合、Ｆの添加量に制限がめった。
を形成しようとする場合、Ｆの添加量に制限がめった。
例えば第４図にはガラス管内に流す５ｉｃＬ４流量を一
定とし、ＳｉＦ４流量を変化させた場合のＳｉＦ′４流
量： ８１ＣＬ４流量比と添加されるＦの量の関係（実
線イ）及び堆積速度との関係（破線口）の例を示す。第
４図からも判るように８１Ｆ’４供給量を増していくと
Ｆ添加量は徐々に増加するものの堆積速度は劣化しＰｉ
（Ｌ９重量％以上添加しようとするとほとんど透明ガラ
ス層が形成されなくなっている。したがって従来のＭＣ
ＶＤ法ではＦｔ−１Ｆｔ％以上添加することが困難でめ
った。
定とし、ＳｉＦ４流量を変化させた場合のＳｉＦ′４流
量： ８１ＣＬ４流量比と添加されるＦの量の関係（実
線イ）及び堆積速度との関係（破線口）の例を示す。第
４図からも判るように８１Ｆ’４供給量を増していくと
Ｆ添加量は徐々に増加するものの堆積速度は劣化しＰｉ
（Ｌ９重量％以上添加しようとするとほとんど透明ガラ
ス層が形成されなくなっている。したがって従来のＭＣ
ＶＤ法ではＦｔ−１Ｆｔ％以上添加することが困難でめ
った。
本発明は上記した現状に鑑みてなされたものでろって、
Ｆを１重量チ以上容易に添加しうるＦを含有する石英系
元ファイバ用母材の新規かつ効率良い製造法を実現せん
とするものでめる。
Ｆを１重量チ以上容易に添加しうるＦを含有する石英系
元ファイバ用母材の新規かつ効率良い製造法を実現せん
とするものでめる。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕本発明は出発
ガラス管の中空部に該ガラス管の一端部より少なくとも
ガラス原料ガス及びｏ２ガスを含むガスを流しつつ、移
動する加熱源により外部から該ガラス管を加熱すること
によ先願熱源に対しガス流出側の該ガラス管内面にＳｉ
Ｏ２微粉末を堆積させてゆ＠ ＳｉＯ．微粉末層を形成
した後、続いて該ガラス管中空部に少なくともＦｔ−含
有するガスを流しつつ、移動する加熱源により外部から
該ガラス管を加熱することＫより該ＳｉＯ２微粉末層に
Ｆを添加するとともに該ＳｉＯ２微粉末層を透明ガラス
化して、これにより該ガラス管内面にＦを含有するＳｉ
ｎ、ガラス層を形成する工程を有することｔ−Ｗ徴とす
る元ファイバ用母材の製造方法である。
ガラス管の中空部に該ガラス管の一端部より少なくとも
ガラス原料ガス及びｏ２ガスを含むガスを流しつつ、移
動する加熱源により外部から該ガラス管を加熱すること
によ先願熱源に対しガス流出側の該ガラス管内面にＳｉ
Ｏ２微粉末を堆積させてゆ＠ ＳｉＯ．微粉末層を形成
した後、続いて該ガラス管中空部に少なくともＦｔ−含
有するガスを流しつつ、移動する加熱源により外部から
該ガラス管を加熱することＫより該ＳｉＯ２微粉末層に
Ｆを添加するとともに該ＳｉＯ２微粉末層を透明ガラス
化して、これにより該ガラス管内面にＦを含有するＳｉ
ｎ、ガラス層を形成する工程を有することｔ−Ｗ徴とす
る元ファイバ用母材の製造方法である。
本発明におけるＦｔ−含有するガスとしては、ＳｉＦ４
が特に好ましく、またＦｔ−含有するガスとともにＣｌ
２又はＣｔ ｆ：含有する化合物のガスを共存させて、
Ｆを添加しつつＳｉＯ−微粉末層を透明ガラス化するこ
とは特に好ましい実施態様でろる。
が特に好ましく、またＦｔ−含有するガスとともにＣｌ
２又はＣｔ ｆ：含有する化合物のガスを共存させて、
Ｆを添加しつつＳｉＯ−微粉末層を透明ガラス化するこ
とは特に好ましい実施態様でろる。
筐た上記方法においてはＳｉＯ−微粉末の堆積から５ｉ
Ｏ−微粉末層へのＦ添加及び透明化までの工程を１回又
は複数回繰り返して行なうことにより、所定厚さのＦを
含有するガラス層を得ることができる０ 従来のＭＣＶＤ法ではＦ添加量を増加する九めに原料ガ
ス中のＦ化合物ガスの流！−金上げてゆくと、Ｓｉｎ、
微粉末の堆積効率が急激に低下していた（第４図）。
Ｏ−微粉末層へのＦ添加及び透明化までの工程を１回又
は複数回繰り返して行なうことにより、所定厚さのＦを
含有するガラス層を得ることができる０ 従来のＭＣＶＤ法ではＦ添加量を増加する九めに原料ガ
ス中のＦ化合物ガスの流！−金上げてゆくと、Ｓｉｎ、
微粉末の堆積効率が急激に低下していた（第４図）。
従来のＭＣＶＤ法でＦが添加されるメカニズムとしては
例えば８１Ｆ４をＦ原料とした場合３ＳｉＯ１（ｓ）
＋ ＳｉＦ４（ｇ） ；Ｘ：４Ｓｉ０１，５Ｆ（８
） （１１という反応式が当てはまると考えられる。す
なわちＦが多く添加されるためには（１１式で反応が右
に進筐ねばならず、そのためにはガラス微粉末（Ｓ１０
◇が発生して透明になるまでの空間において、 ８１Ｆ
４の分圧が高くなくてはならない。一方、ＳｉＦ４はＯ
Ｎとの共存下においても下記（２）式８式％ のような酸化反応は極めて起りにくくなる◇そのため、
８１Ｆ４分圧を上げてもＳｉＯ２発生量は増えることが
ない。逆に、ＳｉＦ′４分圧を上げるためにはガラス原
料ガス例えば８１Ｃ４や０１ガスの量を減らすか、或い
はＳｉＦ４流量を上げていくことが必要であるが、前者
の場合は当然ガラス微粉未発生量が減少するのは言うま
でもなく、また後者の場合も出発ガラス管内の流速が早
くなり、ＳｉＯ２発生反厄やＦ添加反応が十分に行われ
ず、やｆ′ｉリガラス微粉微粉未発生滅少したり、十分
なＦ添加量が得られない。
例えば８１Ｆ４をＦ原料とした場合３ＳｉＯ１（ｓ）
＋ ＳｉＦ４（ｇ） ；Ｘ：４Ｓｉ０１，５Ｆ（８
） （１１という反応式が当てはまると考えられる。す
なわちＦが多く添加されるためには（１１式で反応が右
に進筐ねばならず、そのためにはガラス微粉末（Ｓ１０
◇が発生して透明になるまでの空間において、 ８１Ｆ
４の分圧が高くなくてはならない。一方、ＳｉＦ４はＯ
Ｎとの共存下においても下記（２）式８式％ のような酸化反応は極めて起りにくくなる◇そのため、
８１Ｆ４分圧を上げてもＳｉＯ２発生量は増えることが
ない。逆に、ＳｉＦ′４分圧を上げるためにはガラス原
料ガス例えば８１Ｃ４や０１ガスの量を減らすか、或い
はＳｉＦ４流量を上げていくことが必要であるが、前者
の場合は当然ガラス微粉未発生量が減少するのは言うま
でもなく、また後者の場合も出発ガラス管内の流速が早
くなり、ＳｉＯ２発生反厄やＦ添加反応が十分に行われ
ず、やｆ′ｉリガラス微粉微粉未発生滅少したり、十分
なＦ添加量が得られない。
そこで本発明ではガラス微粉末の発生堆積とＦ添加の工
程を分離することにより、上記のような従来のＭＣＶＤ
法での欠点を克服した。
程を分離することにより、上記のような従来のＭＣＶＤ
法での欠点を克服した。
本発明ｔ−＠１図を参照して説明する。第１図において
囚ないしく口）部分は各工程を示しており、白矢印は工
程の順を、また黒矢印は加熱源１２の移動方向を示す。
囚ないしく口）部分は各工程を示しており、白矢印は工
程の順を、また黒矢印は加熱源１２の移動方向を示す。
本発明ではまずＦ化合物ガスを流さずにＳｉＯ１微粉末
の堆積層を形成する。この工程の第一の方法としてはｗ
、１図の囚及びＣＢ）に示すように、通常のＭＣＶＤ法
とは逆に、加熱源１２ｔ−ガラス原料ガスの流出側から
流入側へと移動していく。
の堆積層を形成する。この工程の第一の方法としてはｗ
、１図の囚及びＣＢ）に示すように、通常のＭＣＶＤ法
とは逆に、加熱源１２ｔ−ガラス原料ガスの流出側から
流入側へと移動していく。
このように行なうことにより、加熱源１２に対してガラ
ス原料ガスの流出側に堆積する５１０２微粉末は、この
工程では再度加熱源１２に熱せられることがないので透
明ガラス化することがない。そして加熱源１２が出発ガ
ラス管１１のガス流入側端部まで移動しきった後には、
該出発ガラス管１１の内面にはＳｉＯ．微粉末堆積層１
３が形成されることになる。
ス原料ガスの流出側に堆積する５１０２微粉末は、この
工程では再度加熱源１２に熱せられることがないので透
明ガラス化することがない。そして加熱源１２が出発ガ
ラス管１１のガス流入側端部まで移動しきった後には、
該出発ガラス管１１の内面にはＳｉＯ．微粉末堆積層１
３が形成されることになる。
第二の方法として、ガラス原料ガスの流れ方向と同方向
に外部加熱源を移動させるが、このときにガラス微粉末
の発生・堆積のみが起こり透明化が起きないように加熱
量を低減させて行なう方法をとってもよい。
に外部加熱源を移動させるが、このときにガラス微粉末
の発生・堆積のみが起こり透明化が起きないように加熱
量を低減させて行なう方法をとってもよい。
次に、出発ガラス管１１の内部に少なくともＦｔ−含有
するガスを流し、加熱源１２を該ガスの流れ方向と同方
向又は逆方向に移動させながら、該出発ガラス管１１の
外部から加熱してゆく〔第１図の（Ｃ）及び（６）〕。
するガスを流し、加熱源１２を該ガスの流れ方向と同方
向又は逆方向に移動させながら、該出発ガラス管１１の
外部から加熱してゆく〔第１図の（Ｃ）及び（６）〕。
このように加熱していくことによ５、ＦがＳｉＯ！微粉
末堆積層１５中に添加されていくと共に、該ＳｉＯ．微
粉末堆積層１３は溶融して、透明ガラス層１４が形成さ
れる０ さらに必要に応じて第１図の四〜（６）に示した、５１
０２微粉末の堆積、該堆積５１０２微粉末へのＦ添加及
び透明ガラス化の工程を繰シ返すことにより、所定の厚
さのＦを含有する透明ガラス層を形成できる。
末堆積層１５中に添加されていくと共に、該ＳｉＯ．微
粉末堆積層１３は溶融して、透明ガラス層１４が形成さ
れる０ さらに必要に応じて第１図の四〜（６）に示した、５１
０２微粉末の堆積、該堆積５１０２微粉末へのＦ添加及
び透明ガラス化の工程を繰シ返すことにより、所定の厚
さのＦを含有する透明ガラス層を形成できる。
本発明におけるＦ添加用の少なくともＦｉ金含有るガス
としては、例えばｃｃｔｌＦ鵞ａ ８１６ ｚ Ｆ３１
Ｆ４ｒＣＦ４ 、 ＣｌＦ、等が挙げられ、なかでもエ
ツチング作用の少ないＳｉＦ４が特に好筐しい。また、
Ｆ添加の際に、Ｆ化合物ガスの含有する水分や、配管の
ごく僅かな濡れ等に起因してＯＨ基が混入する場合があ
るが、このような場合には脱水作用のめる例えばｃｔ２
．ｃｔ化合物ガス等をＦｔＮガス中に共存させると、
ＯＨ基の除去が可能であり効果的である。さらに、Ｆを
添加する際のＦ化合物の濃度を調整することによ５，５
ｉＯ１微粉末へのＦ添加量を調整することができる。
としては、例えばｃｃｔｌＦ鵞ａ ８１６ ｚ Ｆ３１
Ｆ４ｒＣＦ４ 、 ＣｌＦ、等が挙げられ、なかでもエ
ツチング作用の少ないＳｉＦ４が特に好筐しい。また、
Ｆ添加の際に、Ｆ化合物ガスの含有する水分や、配管の
ごく僅かな濡れ等に起因してＯＨ基が混入する場合があ
るが、このような場合には脱水作用のめる例えばｃｔ２
．ｃｔ化合物ガス等をＦｔＮガス中に共存させると、
ＯＨ基の除去が可能であり効果的である。さらに、Ｆを
添加する際のＦ化合物の濃度を調整することによ５，５
ｉＯ１微粉末へのＦ添加量を調整することができる。
本発明において用いる出発ガラス管としては、例えば石
英ガラス管、Ｆを含有する石英管やガラス管等の熱膨張
係数が小さい材質のものを用いることが、加熱時或いは
冷却時のクラック発生防止のため有効でおる。
英ガラス管、Ｆを含有する石英管やガラス管等の熱膨張
係数が小さい材質のものを用いることが、加熱時或いは
冷却時のクラック発生防止のため有効でおる。
本発明におけるガラス原料は気相であって、例えばＳｉ
Ｏ４等が用いられる。これらのガスは０３ ガスと共
に、あるいはガラス原料ガスのキャリヤガスとしての不
活性なガス例えばＡｒ、Ｈｅ。
Ｏ４等が用いられる。これらのガスは０３ ガスと共
に、あるいはガラス原料ガスのキャリヤガスとしての不
活性なガス例えばＡｒ、Ｈｅ。
Ｎｅ 等の共存のもとに用いられる。またＨｅは熱伝導
率が高く加熱効率を高めることができるのでさらに共存
させることも有効である場合がある。
率が高く加熱効率を高めることができるのでさらに共存
させることも有効である場合がある。
本発明における移動する外部加熱源としては、例え１［
水素炎バーナー、誘導プラズマ火炎。
水素炎バーナー、誘導プラズマ火炎。
電気抵抗炉等が用いられる。
実施例１
外径２１ｍφ、肉厚２■の出発石英ガラス管をガラス旋
盤に装着して、第１図の（５）〜Ω）に示したような本
発明の方法により該ガラス管の内面に５１０２微粉末層
の形成及び該５１０１微粉末層へのＦ添加とその透明化
を行った。加熱源としては酸水素バーナーを用い、該バ
ーナーを該出発石英ガラス管のガス流出側からガス流入
１１Ｇまで移動させる間に８１ｏ２微粉末層の堆積を行
ない、該バーナーを該出発石英ガラス管のガス流入側か
らガス流出側まで移動させる間に、上記の堆積５１０２
微粉末層へのＦ添加とその透明ガラス化を行った。この
ときの条件を表１に示す。
盤に装着して、第１図の（５）〜Ω）に示したような本
発明の方法により該ガラス管の内面に５１０２微粉末層
の形成及び該５１０１微粉末層へのＦ添加とその透明化
を行った。加熱源としては酸水素バーナーを用い、該バ
ーナーを該出発石英ガラス管のガス流出側からガス流入
１１Ｇまで移動させる間に８１ｏ２微粉末層の堆積を行
ない、該バーナーを該出発石英ガラス管のガス流入側か
らガス流出側まで移動させる間に、上記の堆積５１０２
微粉末層へのＦ添加とその透明ガラス化を行った。この
ときの条件を表１に示す。
表１に示した条件で、Ｆを含有する透明ガラス層を４０
層形成した。次に第５図に示したような通常のＭＣＶＤ
法に従い、Ｆ含有透明ガラス層に重ねて純粋Ｓｉｎ、ガ
ラス層を形成した後、加熱中実化した。
層形成した。次に第５図に示したような通常のＭＣＶＤ
法に従い、Ｆ含有透明ガラス層に重ねて純粋Ｓｉｎ、ガ
ラス層を形成した後、加熱中実化した。
以上により得られ九九ファイバ用ガラス母材の屈折率分
布を第２図に示すが、本発明の方法により形成したＦ添
加ガラス層がクラッド２１に対応し、最後に従来のＭＣ
ＶＤ法にて形成した純粋５１０２ガラス層がコア２２に
対応してシ９、該母材はコア・りラッド間の比屈折率差
１４％のシングルモードファイバ用母材として用い得る
ものでめった。なお、本発明によるクラッド層には１．
３重量−〇Ｆが添加されてい次が、このような１！［９
６を越える添加は従来のＭＣＶＤ法では実現できなかっ
たものである。
布を第２図に示すが、本発明の方法により形成したＦ添
加ガラス層がクラッド２１に対応し、最後に従来のＭＣ
ＶＤ法にて形成した純粋５１０２ガラス層がコア２２に
対応してシ９、該母材はコア・りラッド間の比屈折率差
１４％のシングルモードファイバ用母材として用い得る
ものでめった。なお、本発明によるクラッド層には１．
３重量−〇Ｆが添加されてい次が、このような１！［９
６を越える添加は従来のＭＣＶＤ法では実現できなかっ
たものである。
本発明はＭＣＶＤ法にてＦを添加したＳｉＯ２層を形成
するにおいて、ガラス堆積速度を低下させることなくＦ
を多量に添加できる効果金臭する。
するにおいて、ガラス堆積速度を低下させることなくＦ
を多量に添加できる効果金臭する。
特に、従来のＭＣＶＤ法では困難でめった。、Ｆ１＆：
１重量％以上含有するＳ １０２層を所定厚さに形成す
ることを容易に実現できるので、Ｆを含有する元ファイ
バ用母材の製造方法として非常に有効でめる。
１重量％以上含有するＳ １０２層を所定厚さに形成す
ることを容易に実現できるので、Ｆを含有する元ファイ
バ用母材の製造方法として非常に有効でめる。
第１図は本発明の方法を工程順に説明する概念図である
。 第２図は本発明の実施例において製造した元ファイバ用
母材の径方向における屈折率分布図である。 第３図は従来のＭＣＶＤ法を説明する概念図、第４図は
従来のＭＣＶＤ法におけるＦ添加の際の問題点を説明す
る図であって、ＳｉＦ４／５ｉＣｔ４の流量比を横軸に
とり、Ｆ添加量（ＴＪＬ量％）を左縦軸に、堆積速度（
２！分）を右縦軸にとって、流量比とＦ添加量の関係を
実線イで、流量比と堆積速度の関係を破線口で示した図
である。
。 第２図は本発明の実施例において製造した元ファイバ用
母材の径方向における屈折率分布図である。 第３図は従来のＭＣＶＤ法を説明する概念図、第４図は
従来のＭＣＶＤ法におけるＦ添加の際の問題点を説明す
る図であって、ＳｉＦ４／５ｉＣｔ４の流量比を横軸に
とり、Ｆ添加量（ＴＪＬ量％）を左縦軸に、堆積速度（
２！分）を右縦軸にとって、流量比とＦ添加量の関係を
実線イで、流量比と堆積速度の関係を破線口で示した図
である。
Claims (3)
- （１）出発ガラス管の中空部に該ガラス管の一端部より
少なくともガラス原料ガス及びＯ＿２ガスを含むガスを
流しつつ、移動する加熱源により外部から該ガラス管を
加熱することにより、加熱源に対しガス流出側の該ガラ
ス管内面にＳｉＯ＿２微粉末を堆積させてゆきＳｉＯ＿
２微粉末層を形成した後、続いて該ガラス管中空部に少
なくともＦを含有するガスを流しつつ、移動する加熱源
により外部から該ガラス管を加熱することにより該Ｓｉ
Ｏ＿２微粉末層にＦを添加するとともに該ＳｉＯ＿２微
粉末層を透明ガラス化して、これにより該ガラス管内面
にＦを含有する ＳｉＯ＿２ガラス層を形成する工程を有することを特徴
とする光ファイバ用母材の製造方法。 - （２）Ｆを含有するガスとしてＳｉＦ＿４を用いる特許
請求の範囲第１項に記載される光ファイバ用母材の製造
方法。 - （３）Ｆを含有するガスとともにＣｌ＿２又はＣｌ化合
物ガスを共存させて、Ｆを添加しつつＳｉＯ＿２微粉末
層を透明ガラス化する特許請求の範囲第１項に記載され
る光ファイバ用母材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7452087A JPS63242941A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7452087A JPS63242941A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63242941A true JPS63242941A (ja) | 1988-10-07 |
Family
ID=13549680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7452087A Pending JPS63242941A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63242941A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100776096B1 (ko) | 2006-03-10 | 2007-11-15 | 엘에스전선 주식회사 | 저손실 광섬유 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 저손실광섬유 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042242A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用ガラスの製造方法 |
| JPS60239337A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用ガラス母材の製造法 |
| JPS6117432A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JPS61236624A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-21 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 石英ガラス系光フアイバ母材の製法 |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP7452087A patent/JPS63242941A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6042242A (ja) * | 1983-08-12 | 1985-03-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用ガラスの製造方法 |
| JPS60239337A (ja) * | 1984-05-15 | 1985-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ−用ガラス母材の製造法 |
| JPS6117432A (ja) * | 1984-07-02 | 1986-01-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JPS61236624A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-21 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 石英ガラス系光フアイバ母材の製法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100776096B1 (ko) | 2006-03-10 | 2007-11-15 | 엘에스전선 주식회사 | 저손실 광섬유 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 저손실광섬유 |
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