JPS63236793A - 配向性積層膜 - Google Patents
配向性積層膜Info
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子デバイス分野に用いられる電子材料に関す
るものであり、特に、結晶軸に配向性を有する配向性積
層膜に関するものである。
るものであり、特に、結晶軸に配向性を有する配向性積
層膜に関するものである。
従来の技術
ペロブスカイト酸化物の薄膜の研究は、近年活発に行な
われつ＼あるが、これらの薄膜素子ですぐれた特性を得
るためには結晶軸を配向させる事が必要でアシ、そのた
めにＭｇＯなどの単結晶を基板にし、その上にスパッタ
リング法などでエピタキシャル成長させる方法がとられ
てきた。この様にして単結晶基板上に生成されたペロブ
スカイト酸化物薄膜はすぐれた配向性を示すが、たとえ
ば、ＰｂＴｉ０１薄膜を用いた焦電形熱検出素子の様に
信号検出用として電極をＭｇＯとＰｂ Ｔｉ Ｏ３薄膜
の間に設ける事が必要であシ、このためにＰｂＴｉ０．
薄膜の配向性が低下し、また、単結晶基板を用いるため
に高価になるという問題があった。
われつ＼あるが、これらの薄膜素子ですぐれた特性を得
るためには結晶軸を配向させる事が必要でアシ、そのた
めにＭｇＯなどの単結晶を基板にし、その上にスパッタ
リング法などでエピタキシャル成長させる方法がとられ
てきた。この様にして単結晶基板上に生成されたペロブ
スカイト酸化物薄膜はすぐれた配向性を示すが、たとえ
ば、ＰｂＴｉ０１薄膜を用いた焦電形熱検出素子の様に
信号検出用として電極をＭｇＯとＰｂ Ｔｉ Ｏ３薄膜
の間に設ける事が必要であシ、このためにＰｂＴｉ０．
薄膜の配向性が低下し、また、単結晶基板を用いるため
に高価になるという問題があった。
発明が解決しようとする問題点
本発明者らは、ペロブスカイト酸化合物ＡＢＯ３のうち
で、ＡサイトにＬａなどの稀工類元素単独かもしくはそ
の一部にＢａ、 Ｓｒの如きアルカリニ類元素を含み、
ＢサイトにＦｉ’Ｉｒ ％ ＦｅＸＣｏの如き鉄属元素
を含む化合物をスパッタリング法で薄膜化した場合、石
英ガラスの様な結晶軸に全く配向性のない基板を用いて
も配向性のすぐれたペロブスカイト酸化物薄膜が得られ
、かつ、スパッタリングの条件によって（００１）配向
と（１１０’）配向の２種が得られる事を見出し、さら
に、上記ペロブスカイト酸化物が導電性を示す事から、
これらの導電性を有する配向性ペロブスカイト酸化物薄
膜上に同じ結晶型のＰｂＴｉＯ３，５ｒＴｉ０３、ＰＬ
ＺＴなどの配向性薄膜を作成できることを見出した。し
かし、この技術は基板の薄膜とこの上にスパッタリング
で作成される薄膜の結晶型が同じペロブスカイト構造に
限定されていた。
で、ＡサイトにＬａなどの稀工類元素単独かもしくはそ
の一部にＢａ、 Ｓｒの如きアルカリニ類元素を含み、
ＢサイトにＦｉ’Ｉｒ ％ ＦｅＸＣｏの如き鉄属元素
を含む化合物をスパッタリング法で薄膜化した場合、石
英ガラスの様な結晶軸に全く配向性のない基板を用いて
も配向性のすぐれたペロブスカイト酸化物薄膜が得られ
、かつ、スパッタリングの条件によって（００１）配向
と（１１０’）配向の２種が得られる事を見出し、さら
に、上記ペロブスカイト酸化物が導電性を示す事から、
これらの導電性を有する配向性ペロブスカイト酸化物薄
膜上に同じ結晶型のＰｂＴｉＯ３，５ｒＴｉ０３、ＰＬ
ＺＴなどの配向性薄膜を作成できることを見出した。し
かし、この技術は基板の薄膜とこの上にスパッタリング
で作成される薄膜の結晶型が同じペロブスカイト構造に
限定されていた。
本発明は上記従来の問題点に鑑み、ペロブスカイト構造
ＡＢＯ３膜上に、これを結晶型の異なるＡ−Ｂ’、ｏ、
ｔで表わされるペロブスカイト構造をもつ酸化物の（０
０１）配向膜を堆積した配向性積層膜を提出する事を目
的とするものである。
ＡＢＯ３膜上に、これを結晶型の異なるＡ−Ｂ’、ｏ、
ｔで表わされるペロブスカイト構造をもつ酸化物の（０
０１）配向膜を堆積した配向性積層膜を提出する事を目
的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するもので、ペロブスカイト類
似酸化物Ａ’３ Ｂ’２０ ？の（００１）配向膜を、
（００１）配向したペロブスカイト酸化物ＡＢＯ３の薄
膜上に成長せしめた事を特徴とし、（００１）配向した
ＡＢＯ３薄膜は、結晶軸に配向性をもたない、たとえば
ガラスの様な基板上に製膜される事を特徴とする。
似酸化物Ａ’３ Ｂ’２０ ？の（００１）配向膜を、
（００１）配向したペロブスカイト酸化物ＡＢＯ３の薄
膜上に成長せしめた事を特徴とし、（００１）配向した
ＡＢＯ３薄膜は、結晶軸に配向性をもたない、たとえば
ガラスの様な基板上に製膜される事を特徴とする。
作用
本発明は、ＡＢＯ３の（００１）配向膜上にＡ’３Ｂ’
２０７の（００１）配向膜を可能にしたものである。
２０７の（００１）配向膜を可能にしたものである。
本発明において、ＡサイトにはＬａ、 ＰｒＸＮａ。
Ｓｍ、 Ｇｄ、Ｄｙ、 Ｈｏのうちから選ばれた少なく
とも１種か、もしくは、その一部がＣａ、 Ｓｒ、 Ｂ
ａの少なくとも１種で置換されたものを含み、Ｂサイト
にはＣｒ、凧、ＦｅＸＣｏ、Ｎｉのうちから選ばれた少
なくとも１種を含み、Ａ′サイトにはＹ、Ｌａ、ｎａ、
Ｓｒのうちから選ばれた少なくとも１種を、Ｂ′ザイ
トにはＴｉＸＣｕ、 Ｃｏのうちから選ばれた少なくと
も１種を含む事が望ましい。
とも１種か、もしくは、その一部がＣａ、 Ｓｒ、 Ｂ
ａの少なくとも１種で置換されたものを含み、Ｂサイト
にはＣｒ、凧、ＦｅＸＣｏ、Ｎｉのうちから選ばれた少
なくとも１種を含み、Ａ′サイトにはＹ、Ｌａ、ｎａ、
Ｓｒのうちから選ばれた少なくとも１種を、Ｂ′ザイ
トにはＴｉＸＣｕ、 Ｃｏのうちから選ばれた少なくと
も１種を含む事が望ましい。
またＡＢＯ３薄膜及びＡ’ａ Ｂ’ ０？薄膜はいずれ
もスパッタリング法で形成されることが好ましい。
もスパッタリング法で形成されることが好ましい。
実施例
以下に本発明の実施例について図面を用いて説明する。
ペロブスカイト酸化物ＡＢＯ３は第１図の様な構造をも
つ。たとえば、代表的な５ｒＴｉ０３ではＡサイトを５
ｒＸＢサイトをＴｒが占め、図に示す様に第１層がＳｒ
と０、第２層がＴｉとＯで形成され、このくシ返しで結
晶格子が構造される。５ｒＴｉ Ｏ８の場合、３つの層
で構成される単位格子は立法対称を示し、格子窓数ａ＝
３．９０４Ａである。
つ。たとえば、代表的な５ｒＴｉ０３ではＡサイトを５
ｒＸＢサイトをＴｒが占め、図に示す様に第１層がＳｒ
と０、第２層がＴｉとＯで形成され、このくシ返しで結
晶格子が構造される。５ｒＴｉ Ｏ８の場合、３つの層
で構成される単位格子は立法対称を示し、格子窓数ａ＝
３．９０４Ａである。
一方、ペロブスカイト類似酸化物Ａ’３ Ｂ’２０？は
第２図の様な構造をもつ。たとえば、ＳｒＴｉＯ３と対
比して５ｒ３ＴｔｚＯ７で説明すると、第１〜第３層と
第９〜第１１層、第４〜第６層と第６〜第８層でペロブ
スカイト単位格子が形成される。単純なペロブスカイト
構造は前述の様にＳｒとＯを含む層とＴｒと０を含む層
がくり返し積み重なった構造をもつが、Ｓｒ３ Ｔｉ２
０？では第３と第４層、第８と第９層でＳｒとＯを含む
面が連脱して積み重なシ、かつ、それぞれの層内でのＳ
ｒと０の位置が入替った構造となる。第３層と第４層の
面間隔は、第８層と第９層のそれと同じでＣ軸の０．１
２４倍である。他の層はすべて等間隔で面間距離はＣ軸
の０．０９４倍である。
第２図の様な構造をもつ。たとえば、ＳｒＴｉＯ３と対
比して５ｒ３ＴｔｚＯ７で説明すると、第１〜第３層と
第９〜第１１層、第４〜第６層と第６〜第８層でペロブ
スカイト単位格子が形成される。単純なペロブスカイト
構造は前述の様にＳｒとＯを含む層とＴｒと０を含む層
がくり返し積み重なった構造をもつが、Ｓｒ３ Ｔｉ２
０？では第３と第４層、第８と第９層でＳｒとＯを含む
面が連脱して積み重なシ、かつ、それぞれの層内でのＳ
ｒと０の位置が入替った構造となる。第３層と第４層の
面間隔は、第８層と第９層のそれと同じでＣ軸の０．１
２４倍である。他の層はすべて等間隔で面間距離はＣ軸
の０．０９４倍である。
この様に、ペロブスカイトＡＢＯ３構造とペロブスカイ
ト類似Ａ’３Ｂ’２０７構造は、Ｃ軸方向でのＡ、Ｂ、
ＯとＡ′、Ｂ′、Ｏの配置は異なるが０面（（００１）
）内では等価であるため、Ｃ軸配向、すなわち、基板に
垂直な面が（ＯＯ１）であるＡＢＯ３の配向膜上に、
（００１）配向したＡ′３Ｂ′２ｏフを得る事が可能と
なる。
ト類似Ａ’３Ｂ’２０７構造は、Ｃ軸方向でのＡ、Ｂ、
ＯとＡ′、Ｂ′、Ｏの配置は異なるが０面（（００１）
）内では等価であるため、Ｃ軸配向、すなわち、基板に
垂直な面が（ＯＯ１）であるＡＢＯ３の配向膜上に、
（００１）配向したＡ′３Ｂ′２ｏフを得る事が可能と
なる。
本実施例においてペロブスカイト酸化物ＡＢＯ３および
ペロブスカイト類似酸化物Ａ’、Ｂ’、０７の薄膜はい
ずれもスパッタリング法で作成された。
ペロブスカイト類似酸化物Ａ’、Ｂ’、０７の薄膜はい
ずれもスパッタリング法で作成された。
第３図に石英ガラス基板として、ペロブスカイト酸化物
Ｌａ０．５ Ｓｒｏ、ｓ Ｃｏ ０３−δの薄膜をＲＦ
スパッタリング法で作成し、６００ｔ：”で熱処理を行
なった場合のＸ！回折パターンを示す。スパッタリング
のターゲットに用いたＬａｏ、ｓ Ｓｒｏ、、 ＣＯＯ
３原料粉末の回折パターンでは、２θが２０°と６０°
の範囲で（１００）、（１１０）、（１１１）、（２０
０）、 （０１２Ｌ （１２１）面からの合計６本の
回折線が立方対称に対応して観測され、（１１０）回折
線が最も強（（２００）回折線の約３倍の強度を示す（
図示省略）。それに対し第３図では（１００）、（２０
０）回折線のみが観測され完全に（１００） （＝（
００１））配向した膜である事がわかる。スパッタガス
には混合比３：１のアルゴンと酸素との混合ガスを用い
、全圧を８ ＸＩＯ〜２ ＸＩＯＴｏｒｒｓ基板温度基
板温度２久００１ あった。Ｌａ（＞５ Ｓｒ６，５ Ｃｏ Ｏｓ−δスパ
ッタ膜は入力電力を増すにつれて非晶質、（ １１０
”）配向膜、（１１０）と（ ｉｏｏ ）の混ざった膜
、（１００）配向膜と変化する。入力電力以外にも基板
温度、ガス圧などによっても配向膜のでき方は変化する
が、通常、スパッタ膜では酸素欠損（句が生じδ〉０．
５ではペロブスカイト構造をとシ得なくなるため、基板
温度は７００Ｃ以下、ガス圧は１０ 〜１０ Ｔｏｒ
ｒの間が望ましい。
Ｌａ０．５ Ｓｒｏ、ｓ Ｃｏ ０３−δの薄膜をＲＦ
スパッタリング法で作成し、６００ｔ：”で熱処理を行
なった場合のＸ！回折パターンを示す。スパッタリング
のターゲットに用いたＬａｏ、ｓ Ｓｒｏ、、 ＣＯＯ
３原料粉末の回折パターンでは、２θが２０°と６０°
の範囲で（１００）、（１１０）、（１１１）、（２０
０）、 （０１２Ｌ （１２１）面からの合計６本の
回折線が立方対称に対応して観測され、（１１０）回折
線が最も強（（２００）回折線の約３倍の強度を示す（
図示省略）。それに対し第３図では（１００）、（２０
０）回折線のみが観測され完全に（１００） （＝（
００１））配向した膜である事がわかる。スパッタガス
には混合比３：１のアルゴンと酸素との混合ガスを用い
、全圧を８ ＸＩＯ〜２ ＸＩＯＴｏｒｒｓ基板温度基
板温度２久００１ あった。Ｌａ（＞５ Ｓｒ６，５ Ｃｏ Ｏｓ−δスパ
ッタ膜は入力電力を増すにつれて非晶質、（ １１０
”）配向膜、（１１０）と（ ｉｏｏ ）の混ざった膜
、（１００）配向膜と変化する。入力電力以外にも基板
温度、ガス圧などによっても配向膜のでき方は変化する
が、通常、スパッタ膜では酸素欠損（句が生じδ〉０．
５ではペロブスカイト構造をとシ得なくなるため、基板
温度は７００Ｃ以下、ガス圧は１０ 〜１０ Ｔｏｒ
ｒの間が望ましい。
Ｌａｏ，、 ５ｒｏｊＣＯＯ３でＬａとＳｒの割合いを
変化させた，９、Ｌａ以外の稀工類元素、Ｓｒ以外のア
ルカリニ類元素、ｃｏ以外の鉄属元素を用いても同様の
結果が得られるか、稀工類元素のうちＣｅではペロブス
カイト構造が得に＜＜、稀工類元素としてはＬａ、Ｐｒ
， Ｎｄ１５ｍ， Ｇｄ， Ｄｙｓ Ｈｏ，アルカリニ
類元累としてはＣａｚ Ｓｒｓ Ｂａ，鉄属元素として
はＣｒ，Ｍｎ。
変化させた，９、Ｌａ以外の稀工類元素、Ｓｒ以外のア
ルカリニ類元素、ｃｏ以外の鉄属元素を用いても同様の
結果が得られるか、稀工類元素のうちＣｅではペロブス
カイト構造が得に＜＜、稀工類元素としてはＬａ、Ｐｒ
， Ｎｄ１５ｍ， Ｇｄ， Ｄｙｓ Ｈｏ，アルカリニ
類元累としてはＣａｚ Ｓｒｓ Ｂａ，鉄属元素として
はＣｒ，Ｍｎ。
Ｆｅ， Ｃｏ， Ｎｉが望ましい。これらの元素を含む
ペロブスカイト酸化物は多くの場合、立方晶、正方品、
六方晶のいずれかに属すが、特に、Ｌａｏ．ｓ ＳｒＯ
，！ｌ Ｃｏ Ｏ３の様に立方晶に近い対称性を示すス
パッタ膜で良好な配向性が認められた。
ペロブスカイト酸化物は多くの場合、立方晶、正方品、
六方晶のいずれかに属すが、特に、Ｌａｏ．ｓ ＳｒＯ
，！ｌ Ｃｏ Ｏ３の様に立方晶に近い対称性を示すス
パッタ膜で良好な配向性が認められた。
ペロブスカイト酸化物の配向性薄膜を作成する際の基板
としては石英ガラス以外に、Ｍ２Ｏ３焼結体、ＺｒＯ２
焼結体でもよい。基板によって配向性は若干具なるが、
スパッタリングの入力電圧を低くシ、まず非晶質膜をご
く薄く設け、その後入力電力を高＜Ｌ（００１）配向膜
を作成すると基板に関係なく良好な配向膜を得る事が可
能である。
としては石英ガラス以外に、Ｍ２Ｏ３焼結体、ＺｒＯ２
焼結体でもよい。基板によって配向性は若干具なるが、
スパッタリングの入力電圧を低くシ、まず非晶質膜をご
く薄く設け、その後入力電力を高＜Ｌ（００１）配向膜
を作成すると基板に関係なく良好な配向膜を得る事が可
能である。
この様にして得られたＡＢＯ３配向膜上にペロブスカイ
ト類似酸化物Ａ′，Ｂ′２０７の配向膜をスパッタリン
グで作成した具体例を以下に述べる。
ト類似酸化物Ａ′，Ｂ′２０７の配向膜をスパッタリン
グで作成した具体例を以下に述べる。
〈実施例１〉
（ ００１ ）配向したＬａｏ．ｓ Ｓｒｏ，、 ＣＯ
Ｏ３ −Ｊ （δ≦０．５）膜上Ｋ Ｓ ３Ｔ ｉ ２
０？膜をＲＴスパッタリング法で作成した。５５０Ｃ
，スパッタガスは混合比９：工のアルゴンと酸素の混合
ガスを用い、全圧は２Ｘ１０−２ＴｏｒｒであったＯ 得られた膜のＸ線回折パターンからはソ完全に（ ００
１ ）配向した５ｒ３Ｔｉ２０，膜である事が認められ
た。
Ｏ３ −Ｊ （δ≦０．５）膜上Ｋ Ｓ ３Ｔ ｉ ２
０？膜をＲＴスパッタリング法で作成した。５５０Ｃ
，スパッタガスは混合比９：工のアルゴンと酸素の混合
ガスを用い、全圧は２Ｘ１０−２ＴｏｒｒであったＯ 得られた膜のＸ線回折パターンからはソ完全に（ ００
１ ）配向した５ｒ３Ｔｉ２０，膜である事が認められ
た。
〈実施例２〉
（ ００１ ）配向したＬａ６，ｌ５ｒｏ，ｓＭｎｏｓ
−７３ （δ≦０、５）膜を用い、実施例１と同じ
条件で５ｒ３Ｔｉ２０７膜を作成し、はぼ同等の配向性
膜を得た。
−７３ （δ≦０、５）膜を用い、実施例１と同じ
条件で５ｒ３Ｔｉ２０７膜を作成し、はぼ同等の配向性
膜を得た。
〈実施例３〉
（００１）配向したＳｍｏ，ｓ Ｓｒｏ．ｓ Ｃｏｏ，
。Ｆｅｏ，＋０３−１（δく０１５）膜を用い、実施例
１と同じ条件で５ｒ３Ｔｉ２０，膜を作成し、はソ同等
の配向性膜を得た。
。Ｆｅｏ，＋０３−１（δく０１５）膜を用い、実施例
１と同じ条件で５ｒ３Ｔｉ２０，膜を作成し、はソ同等
の配向性膜を得た。
〈実施例４〉
（００１）配向したＬａａ＋ Ｓｒｏ．ａ Ｃｏ ｏ３
−７！ｌ （ ａ ＜０．１）膜上に、Ｙ２． ｓ Ｂ
ａ ｏ． ＩＣ ｕ２ ０？膜をＲＦスパッタリング法
で作成した。基板温度６００Ｃ，スパッタガス、全圧は
実施例１と同じ条件であった。
−７！ｌ （ ａ ＜０．１）膜上に、Ｙ２． ｓ Ｂ
ａ ｏ． ＩＣ ｕ２ ０？膜をＲＦスパッタリング法
で作成した。基板温度６００Ｃ，スパッタガス、全圧は
実施例１と同じ条件であった。
得られた膜は（ ００１ ）配向を示す事がＸ線回折パ
ターンから確認された。
ターンから確認された。
発明の効果
以上要するに本発明は、結晶軸に配向性を有さない基板
上に、ＡＢＯ，の（００１）配向膜及びＡ１Ｂ’ｔ Ｏ
ｔの（００１）配向膜を積層したもので、すぐれた（０
０１ ）配向を示し、高価な単結晶を基板に用いないた
め、高性能で安価な薄膜コンデンサ素子や、高温層導体
素子等に応用する事ができる。
上に、ＡＢＯ，の（００１）配向膜及びＡ１Ｂ’ｔ Ｏ
ｔの（００１）配向膜を積層したもので、すぐれた（０
０１ ）配向を示し、高価な単結晶を基板に用いないた
め、高性能で安価な薄膜コンデンサ素子や、高温層導体
素子等に応用する事ができる。
第１図及び第２図は本発明に、用いられるペロブスカイ
ト酸化物ＡＢＯ，、ペロブスカイト類似酸化物Ａｌ５ｏ
ｙの結晶構造を示す図、第３図は本発明の一実施例にお
けるペロブスカイト酸化物Ｌａ ｏ、 ５Ｓｒ（１，５
Ｃｏ Ｏａ−，５（δ≦０．５）スパッタ膜のＸ線回折
パターンを示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名図面
の浄書 図面の浄誓 第 ２ 図 第３図 ２１ＳＬ（洩） 手続補正書働式） 昭和６２年７ 月２４日 ２発明の名称 配向性積層膜 ３補正をする者 事件との囲体 特 許 出 願 人
住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表省
谷 井 昭 雄４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内。
ト酸化物ＡＢＯ，、ペロブスカイト類似酸化物Ａｌ５ｏ
ｙの結晶構造を示す図、第３図は本発明の一実施例にお
けるペロブスカイト酸化物Ｌａ ｏ、 ５Ｓｒ（１，５
Ｃｏ Ｏａ−，５（δ≦０．５）スパッタ膜のＸ線回折
パターンを示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名図面
の浄書 図面の浄誓 第 ２ 図 第３図 ２１ＳＬ（洩） 手続補正書働式） 昭和６２年７ 月２４日 ２発明の名称 配向性積層膜 ３補正をする者 事件との囲体 特 許 出 願 人
住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地名 称
（５８２）松下電器産業株式会社代表省
谷 井 昭 雄４代理人 〒５７１ 住 所 大阪府門真市大字門真１００６番地松下電器
産業株式会社内。
Claims (5)
- （１）結晶軸に配向性を有さない基板上に、（００１）
配向しかつ導電性を示すペロブスカイト酸化物ＡＢＯ＿
３の薄膜を設け、前記ペロブスカイト酸化物薄膜上にペ
ロブスカイト類似酸化物Ａ′＿３Ｂ′＿２Ｏ＿７の（０
０１）配向薄膜を形成したことを特徴とする配向性積層
膜。 - （２）ペロブスカイト酸化物ＡＢＯ＿３のＡサイトにＬ
ａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏのうちから選
ばれた少なくとも１種を、ＢサイトにＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ
、Ｃｏ、Ｎｉのうちから選ばれた少なくとも１種を含む
事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の配向性積層
膜。 - （３）Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏを含
むペロブスカイト酸化物ＡＢＯ＿３のＡサイトの一部が
ＣａＳｒ、Ｂａのうちの少なくとも１種で置換された事
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の配向性積層膜
。 - （４）ペロブスカイト類似酸化物Ａ′＿３Ｂ′＿２Ｏ＿
７のＡ′サイトにＹ、Ｌａ、Ｂａ、Ｓｒの少なくとも１
種を、Ｂ′サイトＴｉ、Ｃｕ、Ｃｏの少なくとも１種を
含む事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の配向性
積層膜。 - （５）ペロブスカイト酸化物ＡＢＯ＿３およびペロブス
カイト類似酸化物Ａ′＿３Ｂ′＿２Ｏ＿７の薄膜がスパ
ッタリング法で作成された事を特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の配向性積層膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7243487A JPS63236793A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 配向性積層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7243487A JPS63236793A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 配向性積層膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63236793A true JPS63236793A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13489191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7243487A Pending JPS63236793A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 配向性積層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63236793A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996000704A1 (fr) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | Hitachi, Ltd. | Materiau ferroelectrique a couches d'oxyde de bismuth |
| EP1449817A1 (en) * | 2001-11-09 | 2004-08-25 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Production of oriented material or composite material through centrifugal burning |
| JP2006093385A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光電変換構造体及びその製造方法 |
| WO2011129341A1 (ja) * | 2010-04-13 | 2011-10-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 配向ペロブスカイト酸化物薄膜 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP7243487A patent/JPS63236793A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996000704A1 (fr) * | 1994-06-30 | 1996-01-11 | Hitachi, Ltd. | Materiau ferroelectrique a couches d'oxyde de bismuth |
| EP1449817A1 (en) * | 2001-11-09 | 2004-08-25 | National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | Production of oriented material or composite material through centrifugal burning |
| EP1449817A4 (en) * | 2001-11-09 | 2008-04-23 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | PRODUCTION OF ORIENTED MATERIAL OR COMPOSITE MATERIAL BY CENTRIFUGAL COOKING |
| JP2006093385A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光電変換構造体及びその製造方法 |
| WO2011129341A1 (ja) * | 2010-04-13 | 2011-10-20 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 配向ペロブスカイト酸化物薄膜 |
| JP2011236112A (ja) * | 2010-04-13 | 2011-11-24 | National Institute Of Advanced Industrial Science & Technology | 配向ペロブスカイト酸化物薄膜 |
| US9187842B2 (en) | 2010-04-13 | 2015-11-17 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Oriented perovskite oxide thin film |
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