JP2000012920A - 磁気抵抗トンネル接合素子 - Google Patents
磁気抵抗トンネル接合素子Info
- Publication number
- JP2000012920A JP2000012920A JP10177526A JP17752698A JP2000012920A JP 2000012920 A JP2000012920 A JP 2000012920A JP 10177526 A JP10177526 A JP 10177526A JP 17752698 A JP17752698 A JP 17752698A JP 2000012920 A JP2000012920 A JP 2000012920A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tunnel junction
- layer
- oxide
- magnetoresistive
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 層状ペロブスカイト型マンガン酸化物を用い
た高感度の磁気抵抗トンネル接合素子の提供する。 【解決手段】 化学式Ｌ2(Ａ1-wＲw)2Ａn-1ＭｎnＯ
2n+4+xにより表され、結晶構造内に(Ｌ−Ｏ)2層を有す
る層状ペロブスカイト型マンガン酸化物１４を含む磁気
抵抗トンネル接合素子を形成した。この酸化物は、結晶
構造内の(Ｌ−Ｏ)2層を介して磁気抵抗トンネル効果が
得られる磁気抵抗トンネル接合素子となる。ここで、Ａ
はＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の
元素であり、ＬはＢｉ、ＴｌおよびＰｂから選ばれる少
なくとも一種の元素であり、Ｒは希土類元素であり、ｎ
は１以上の整数であり、ｗは０≦ｗ＜１の数値であり、
ｘは０≦ｘ≦１の数値である。
た高感度の磁気抵抗トンネル接合素子の提供する。 【解決手段】 化学式Ｌ2(Ａ1-wＲw)2Ａn-1ＭｎnＯ
2n+4+xにより表され、結晶構造内に(Ｌ−Ｏ)2層を有す
る層状ペロブスカイト型マンガン酸化物１４を含む磁気
抵抗トンネル接合素子を形成した。この酸化物は、結晶
構造内の(Ｌ−Ｏ)2層を介して磁気抵抗トンネル効果が
得られる磁気抵抗トンネル接合素子となる。ここで、Ａ
はＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種の
元素であり、ＬはＢｉ、ＴｌおよびＰｂから選ばれる少
なくとも一種の元素であり、Ｒは希土類元素であり、ｎ
は１以上の整数であり、ｗは０≦ｗ＜１の数値であり、
ｘは０≦ｘ≦１の数値である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低磁場でも高磁場
感度を有する磁気デバイスの要素部品となる磁気抵抗ト
ンネル接合素子に関するものである。
感度を有する磁気デバイスの要素部品となる磁気抵抗ト
ンネル接合素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年発見されたペロブスカイト型Ｍｎ
（マンガン）酸化物には巨大な磁気抵抗効果が観測され
ており、抵抗率が１０桁以上も変化する大きな磁気抵抗
効果も測定されている。一方、磁気ディスクヘッドや磁
気センサーに用いるためには、低磁場で大きな磁気抵抗
効果を発現させる磁気抵抗素子が求められている。しか
し、ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物を用いた磁気抵抗素子
から大きな磁気抵抗効果を得るためには、大きな印加磁
場を必要とし、これが応用に向けての素子開発を妨げる
要因となっていた。
（マンガン）酸化物には巨大な磁気抵抗効果が観測され
ており、抵抗率が１０桁以上も変化する大きな磁気抵抗
効果も測定されている。一方、磁気ディスクヘッドや磁
気センサーに用いるためには、低磁場で大きな磁気抵抗
効果を発現させる磁気抵抗素子が求められている。しか
し、ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物を用いた磁気抵抗素子
から大きな磁気抵抗効果を得るためには、大きな印加磁
場を必要とし、これが応用に向けての素子開発を妨げる
要因となっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】低磁場で大きな磁気抵
抗効果を発現させるためには、磁気抵抗効果を示す磁性
材料を、バルク単体として使用するよりも、２つの磁性
材料により薄い絶縁体バリアを挟み込んだ磁気トンネル
構造を構成して使用するほうが有利であることが報告さ
れている（Y. Lu et al., Phys. Rev. B54, (1996) R83
57)。このような磁気トンネル接合は、磁気抵抗効果材
料とバリア材料という異種の材料により構成されるた
め、磁性抵抗効果層とバリア層との界面の状態がその磁
気特性を大きく左右する。界面における急峻な構造変化
があると良好なトンネル接合を得られないため、従来
は、ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物のような複合酸化物を
用いて、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を得られる磁気
抵抗トンネル接合素子を作製することは、技術的に困難
であった。
抗効果を発現させるためには、磁気抵抗効果を示す磁性
材料を、バルク単体として使用するよりも、２つの磁性
材料により薄い絶縁体バリアを挟み込んだ磁気トンネル
構造を構成して使用するほうが有利であることが報告さ
れている（Y. Lu et al., Phys. Rev. B54, (1996) R83
57)。このような磁気トンネル接合は、磁気抵抗効果材
料とバリア材料という異種の材料により構成されるた
め、磁性抵抗効果層とバリア層との界面の状態がその磁
気特性を大きく左右する。界面における急峻な構造変化
があると良好なトンネル接合を得られないため、従来
は、ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物のような複合酸化物を
用いて、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を得られる磁気
抵抗トンネル接合素子を作製することは、技術的に困難
であった。
【０００４】本発明は、このような事情に鑑み、ペロブ
スカイト型Ｍｎ酸化物を利用した良好なトンネル接合を
実現し、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を発現しうる磁
気抵抗トンネル接合素子を提供することを目的とする。
スカイト型Ｍｎ酸化物を利用した良好なトンネル接合を
実現し、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を発現しうる磁
気抵抗トンネル接合素子を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するべ
く、本発明の磁気抵抗トンネル接合素子は、化学式Ｌ
2(Ａ1-wＲw)2Ａn-1ＭｎnＯ2n+4+xにより表示され、結晶
構造内に(Ｌ−Ｏ)2層を有する層状ペロブスカイト型マ
ンガン酸化物を含み、前記(Ｌ−Ｏ)2層を介して磁気抵
抗トンネル効果が得られることを特徴とする。
く、本発明の磁気抵抗トンネル接合素子は、化学式Ｌ
2(Ａ1-wＲw)2Ａn-1ＭｎnＯ2n+4+xにより表示され、結晶
構造内に(Ｌ−Ｏ)2層を有する層状ペロブスカイト型マ
ンガン酸化物を含み、前記(Ｌ−Ｏ)2層を介して磁気抵
抗トンネル効果が得られることを特徴とする。
【０００６】ここで、ＡはＣａ（カルシウム）、Ｓｒ
（ストロンチウム）およびＢａ（バリウム）から選ばれ
る少なくとも一種の元素であり、ＬはＢｉ（ビスマ
ス）、Ｔｌ（タリウム）およびＰｂ（鉛）から選ばれる
少なくとも一種の元素であり、Ｒは希土類元素、好まし
くはＬａ、Ｐｒ、ＮｄおよびＳｍから選ばれる少なくと
も一種の元素であり、ｎは１以上の整数であり、ｗは０
≦ｗ＜１の数値であり、ｘは０≦ｘ≦１の数値である。
（ストロンチウム）およびＢａ（バリウム）から選ばれ
る少なくとも一種の元素であり、ＬはＢｉ（ビスマ
ス）、Ｔｌ（タリウム）およびＰｂ（鉛）から選ばれる
少なくとも一種の元素であり、Ｒは希土類元素、好まし
くはＬａ、Ｐｒ、ＮｄおよびＳｍから選ばれる少なくと
も一種の元素であり、ｎは１以上の整数であり、ｗは０
≦ｗ＜１の数値であり、ｘは０≦ｘ≦１の数値である。
【０００７】上記化学式により表示される酸化物は、磁
気抵抗効果を有する複合マンガン酸化物層とバリア層と
なる(Ｌ−Ｏ)2層との周期的積層構造を有し、それ自身
が磁気抵抗トンネル接合アレイを内包する構造を有す
る。このように結晶自体にバリア層が内在するため、複
合マンガン酸化物層とバリア層との良好な接合が実現さ
れる。従って、本発明の磁気抵抗トンネル接合素子によ
れば、高感度の磁気抵抗トンネル接合特性を得ることが
できる。
気抵抗効果を有する複合マンガン酸化物層とバリア層と
なる(Ｌ−Ｏ)2層との周期的積層構造を有し、それ自身
が磁気抵抗トンネル接合アレイを内包する構造を有す
る。このように結晶自体にバリア層が内在するため、複
合マンガン酸化物層とバリア層との良好な接合が実現さ
れる。従って、本発明の磁気抵抗トンネル接合素子によ
れば、高感度の磁気抵抗トンネル接合特性を得ることが
できる。
【０００８】上記磁気トンネル接合素子においては、上
記層状ペロブスカイト型マンガン酸化物に接合する電極
として、化学式(Ｒ1-yＡy)mＭＯm+2により表されるペロ
ブスカイト型複合酸化物を含むことが好ましい。ここ
で、ＭはＴｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｕ
（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｎｉ（ニッケル）および
Ｍｎから選ばれる少なくとも一種の元素であり、Ｒは上
記と同様の希土類元素、好ましくはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄお
よびＳｍから選ばれる少なくとも一種の元素であり、ｍ
は１または２であり、ｙは０≦ｙ≦１の数値である。
記層状ペロブスカイト型マンガン酸化物に接合する電極
として、化学式(Ｒ1-yＡy)mＭＯm+2により表されるペロ
ブスカイト型複合酸化物を含むことが好ましい。ここ
で、ＭはＴｉ（チタン）、Ｖ（バナジウム）、Ｃｕ
（銅）、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｎｉ（ニッケル）および
Ｍｎから選ばれる少なくとも一種の元素であり、Ｒは上
記と同様の希土類元素、好ましくはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄお
よびＳｍから選ばれる少なくとも一種の元素であり、ｍ
は１または２であり、ｙは０≦ｙ≦１の数値である。
【０００９】このような電極を、複合マンガン酸化物層
に接合する、上部電極および下部電極から選ばれる少な
くとも一方の電極として使用することにより、良質の接
触を達成し、実用的に優れた特性を有する素子を得るこ
とができる。特に複合酸化物電極の希土類元素の一部が
アルカリ土類元素により置換されていると（０＜ｙ＜
１）、素子特性が向上するのに加えて相性も良くなって
作製しやすくなる。
に接合する、上部電極および下部電極から選ばれる少な
くとも一方の電極として使用することにより、良質の接
触を達成し、実用的に優れた特性を有する素子を得るこ
とができる。特に複合酸化物電極の希土類元素の一部が
アルカリ土類元素により置換されていると（０＜ｙ＜
１）、素子特性が向上するのに加えて相性も良くなって
作製しやすくなる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１１】（実施の形態１）磁気抵抗効果を有する層
状ペロブスカイト型酸化物として、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ
0.35)2ＭｎＯ6を用いて磁気抵抗トンネル接合素子を作
製した。薄膜の作製は、Ｂｉ2.4(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2Ｍ
ｎ1.2Ｏ7のターゲットを用いたスパッタリング法により
行った。スパッタリングは酸素を２０％混合した圧力
０．５Ｐａのアルゴン雰囲気中で５０Ｗの放電電力で行
い、約６５０℃に加熱した基板上に成膜を実施した。
状ペロブスカイト型酸化物として、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ
0.35)2ＭｎＯ6を用いて磁気抵抗トンネル接合素子を作
製した。薄膜の作製は、Ｂｉ2.4(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2Ｍ
ｎ1.2Ｏ7のターゲットを用いたスパッタリング法により
行った。スパッタリングは酸素を２０％混合した圧力
０．５Ｐａのアルゴン雰囲気中で５０Ｗの放電電力で行
い、約６５０℃に加熱した基板上に成膜を実施した。
【００１２】まず、基板であるＳｒＴｉＯ3の（１０
０）面上に、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35) 2ＭｎＯ6薄膜を
厚さが５０ｎｍとなるように堆積させた。また、堆積速
度換算により、０．４ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で種々の
膜厚を有する上記薄膜を形成した。これらの薄膜は全て
ｃ軸方位が基板面に垂直に配向して成長していることが
確認されている。
０）面上に、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35) 2ＭｎＯ6薄膜を
厚さが５０ｎｍとなるように堆積させた。また、堆積速
度換算により、０．４ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で種々の
膜厚を有する上記薄膜を形成した。これらの薄膜は全て
ｃ軸方位が基板面に垂直に配向して成長していることが
確認されている。
【００１３】素子面積５μｍ×５μｍに描画したフォト
レジストを形成した後、アルゴンイオンでエッチングを
行い、接合部の切り出しを行った。その後ＣａＦ2薄膜
の絶縁分離層を形成し、引き出し電極を配線して素子を
完成させた。この素子の４．２Ｋにおける磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）特性を測定し、薄膜の厚みとの関係を調べた。
レジストを形成した後、アルゴンイオンでエッチングを
行い、接合部の切り出しを行った。その後ＣａＦ2薄膜
の絶縁分離層を形成し、引き出し電極を配線して素子を
完成させた。この素子の４．２Ｋにおける磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）特性を測定し、薄膜の厚みとの関係を調べた。
【００１４】作製した素子のいずれにも明確なＭＲ効果
が認められた。ＭＲ特性は、特に膜厚が１〜１０ｎｍの
範囲で再現性良く得ることができた。また、ＭＲ材料で
あるＬａ0.65Ｓｒ0.35ＭｎＯ3のＭＲ効果が数ｋＧ程度
で得られるのに対し、作製した素子のＭＲ効果は約１０
０Ｇの低磁場で得られることが確認された。
が認められた。ＭＲ特性は、特に膜厚が１〜１０ｎｍの
範囲で再現性良く得ることができた。また、ＭＲ材料で
あるＬａ0.65Ｓｒ0.35ＭｎＯ3のＭＲ効果が数ｋＧ程度
で得られるのに対し、作製した素子のＭＲ効果は約１０
０Ｇの低磁場で得られることが確認された。
【００１５】上記素子においてＭＲ特性が得られるの
は、作製したＢｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＭｎＯ6が磁気
抵抗効果層とバリア層とのいわゆる磁気抵抗トンネル接
合が周期的に積層された結晶構造を有することに起因し
ている。磁気抵抗効果層の磁化は、バリア層を挟む上下
層において反平行状態となっていると考えられる。ま
た、結晶自体にバリア層が内在するため、複合マンガン
酸化物層とバリア層との相性が非常に良く、高感度の磁
気抵抗トンネル接合素子を得ることができた。なお、上
記特性は再現性良く実現できた。
は、作製したＢｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＭｎＯ6が磁気
抵抗効果層とバリア層とのいわゆる磁気抵抗トンネル接
合が周期的に積層された結晶構造を有することに起因し
ている。磁気抵抗効果層の磁化は、バリア層を挟む上下
層において反平行状態となっていると考えられる。ま
た、結晶自体にバリア層が内在するため、複合マンガン
酸化物層とバリア層との相性が非常に良く、高感度の磁
気抵抗トンネル接合素子を得ることができた。なお、上
記特性は再現性良く実現できた。
【００１６】同様のＭＲ効果は、ほぼ０．３≦ｗ（希土
類元素置換量；ここではＬａ）≦０．８の範囲で、特に
再現性の良い特性が得られた。
類元素置換量；ここではＬａ）≦０．８の範囲で、特に
再現性の良い特性が得られた。
【００１７】（実施の形態２）実施の形態１と同様、磁
気抵抗効果を有する層状ペロブスカイト型酸化物とし
て、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＭｎＯ6を用いて磁気抵
抗トンネル接合素子の作製を行った。薄膜の作製はＢｉ
2.4(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2Ｍｎ1.2Ｏ7ターゲットを用いた
スパッタリング法により行った。スパッタリングは酸素
２０％混合した圧力０．５Ｐａのアルゴン雰囲気中で５
０Ｗの放電電力で行い、約２００℃に加熱した基板上に
成膜を実施した。
気抵抗効果を有する層状ペロブスカイト型酸化物とし
て、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＭｎＯ6を用いて磁気抵
抗トンネル接合素子の作製を行った。薄膜の作製はＢｉ
2.4(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2Ｍｎ1.2Ｏ7ターゲットを用いた
スパッタリング法により行った。スパッタリングは酸素
２０％混合した圧力０．５Ｐａのアルゴン雰囲気中で５
０Ｗの放電電力で行い、約２００℃に加熱した基板上に
成膜を実施した。
【００１８】まず、基板であるＭｇＯの（１００）面上
にビスマス層状物質Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＭｎＯ6
薄膜を厚さ５０ｎｍとなるように堆積させた。また、堆
積速度換算により、０．４ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で種
々の膜厚を有する薄膜を形成した。これらの薄膜は、形
成した時点ではいずれもアモルファスであったが、その
後、酸素流中約８５０℃の高温アニール処理により結晶
化させた。結晶化した薄膜は、基板面に対してｃ軸が垂
直に配向したものであることがＸ線回折および断面構造
解析により確認された。作製した薄膜上に素子面積２０
μｍ×２０μｍに描画したフォトレジストを形成した
後、アルゴンイオンでエッチングを行い、接合部の切り
出しを行った。その後ＣａＦ2薄膜の絶縁分離層を形成
し、引き出し電極を配線して素子を完成させた。
にビスマス層状物質Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＭｎＯ6
薄膜を厚さ５０ｎｍとなるように堆積させた。また、堆
積速度換算により、０．４ｎｍ〜１００ｎｍの範囲で種
々の膜厚を有する薄膜を形成した。これらの薄膜は、形
成した時点ではいずれもアモルファスであったが、その
後、酸素流中約８５０℃の高温アニール処理により結晶
化させた。結晶化した薄膜は、基板面に対してｃ軸が垂
直に配向したものであることがＸ線回折および断面構造
解析により確認された。作製した薄膜上に素子面積２０
μｍ×２０μｍに描画したフォトレジストを形成した
後、アルゴンイオンでエッチングを行い、接合部の切り
出しを行った。その後ＣａＦ2薄膜の絶縁分離層を形成
し、引き出し電極を配線して素子を完成させた。
【００１９】この素子の４．２ＫにおけるＭＲ特性を測
定した。実施の形態１と同様、作製した素子のいずれに
も明確なＭＲ効果が認められ、特に膜厚が１〜１０ｎｍ
の範囲で再現性の良いＭＲ特性を得ることができた。ま
た、ＭＲ材料であるＬａ0.65Ｓｒ0.35ＭｎＯ3のＭＲ効
果が数ｋＧ程度で得られるのに対し、作製した素子のＭ
Ｒ効果は約１００Ｇの低磁場で得られることが確認され
た。
定した。実施の形態１と同様、作製した素子のいずれに
も明確なＭＲ効果が認められ、特に膜厚が１〜１０ｎｍ
の範囲で再現性の良いＭＲ特性を得ることができた。ま
た、ＭＲ材料であるＬａ0.65Ｓｒ0.35ＭｎＯ3のＭＲ効
果が数ｋＧ程度で得られるのに対し、作製した素子のＭ
Ｒ効果は約１００Ｇの低磁場で得られることが確認され
た。
【００２０】（実施の形態３）磁気抵抗効果を有する層
状ペロブスカイト型酸化物として、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ
0.35)2ＭｎＯ6を、電極用酸化物として(Ｌａ0.65Ｓｒ
0.35)2ＲｕＯ4を用いて磁気抵抗トンネル接合素子の作
製を行った。薄膜の作製は、それぞれＢｉ2.4(Ｌａ0.65
Ｓｒ0.35)2Ｍｎ1.2Ｏ7および(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2Ｒｕ
1.2Ｏ4.2のターゲットを用いたスパッタリング法により
行い、同一真空槽内で積層を実施した。スパッタリング
は酸素を２０％混合した圧力０．５Ｐａのアルゴン雰囲
気中において５０Ｗの放電電力で行い、約６００℃に加
熱した基板上に成膜を実施した。
状ペロブスカイト型酸化物として、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ
0.35)2ＭｎＯ6を、電極用酸化物として(Ｌａ0.65Ｓｒ
0.35)2ＲｕＯ4を用いて磁気抵抗トンネル接合素子の作
製を行った。薄膜の作製は、それぞれＢｉ2.4(Ｌａ0.65
Ｓｒ0.35)2Ｍｎ1.2Ｏ7および(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2Ｒｕ
1.2Ｏ4.2のターゲットを用いたスパッタリング法により
行い、同一真空槽内で積層を実施した。スパッタリング
は酸素を２０％混合した圧力０．５Ｐａのアルゴン雰囲
気中において５０Ｗの放電電力で行い、約６００℃に加
熱した基板上に成膜を実施した。
【００２１】図１により素子形成の工程を説明する。基
板１１であるＳｒＴｉＯ3の（１００）面上に、バッフ
ァ層１２としてＬａ0.65Ｓｒ0.35ＭｎＯ3薄膜を厚さが
２０ｎｍとなるように堆積させ、その上に下部電極１３
として(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＲｕＯ4薄膜を厚さが５０ｎ
ｍとなるように堆積させ、その上に磁気抵抗トンネル接
合素子となる層状ペロブスカイト型酸化物層１４とし
て、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＭｎＯ6薄膜を堆積さ
せ、再び(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＲｕＯ4を厚さが２０ｎｍ
となるように堆積させて上部電極１５とした（図１
（ａ））。層状ペロブスカイト型酸化物層の厚さは、堆
積速度換算で０．４ｎｍ〜１００ｎｍまで変化させた。
これらの薄膜は全てｃ軸方位が基板面に垂直に配向して
成長していることが確認されている。
板１１であるＳｒＴｉＯ3の（１００）面上に、バッフ
ァ層１２としてＬａ0.65Ｓｒ0.35ＭｎＯ3薄膜を厚さが
２０ｎｍとなるように堆積させ、その上に下部電極１３
として(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＲｕＯ4薄膜を厚さが５０ｎ
ｍとなるように堆積させ、その上に磁気抵抗トンネル接
合素子となる層状ペロブスカイト型酸化物層１４とし
て、Ｂｉ2(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＭｎＯ6薄膜を堆積さ
せ、再び(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＲｕＯ4を厚さが２０ｎｍ
となるように堆積させて上部電極１５とした（図１
（ａ））。層状ペロブスカイト型酸化物層の厚さは、堆
積速度換算で０．４ｎｍ〜１００ｎｍまで変化させた。
これらの薄膜は全てｃ軸方位が基板面に垂直に配向して
成長していることが確認されている。
【００２２】さらに素子面積５μｍ×５μｍに描画した
フォトレジスト１６を形成した後、アルゴンイオンでエ
ッチングを行い、接合部１７の切り出しを行った（図１
（ｂ））。その後ＣａＦ2薄膜の絶縁分離層１８を形成
し、上部引き出し金電極１９および下部引き出し電極２
０を配線して素子を完成させた（図１（ｃ））。図２に
作製した接合部１７の断面を示す斜視図を示す。
フォトレジスト１６を形成した後、アルゴンイオンでエ
ッチングを行い、接合部１７の切り出しを行った（図１
（ｂ））。その後ＣａＦ2薄膜の絶縁分離層１８を形成
し、上部引き出し金電極１９および下部引き出し電極２
０を配線して素子を完成させた（図１（ｃ））。図２に
作製した接合部１７の断面を示す斜視図を示す。
【００２３】この素子の４．２Ｋにおける磁気抵抗（Ｍ
Ｒ）特性を測定した。図３は、接合層の厚みが１．５ｎ
ｍの場合のＭＲ特性である。作製した素子のいずれにも
図示したような明確なＭＲ効果が認められた。なお、図
３におけるＭＲ比とは、高磁場下である程度一定値にな
った抵抗値Ｒ1に対して磁気抵抗効果によって得られる
抵抗の最大値をＲ2としたときに、（Ｒ2−Ｒ1）／Ｒ
1（×１００［％］）で定義される数値である。ＭＲ特
性は、特に接合層の厚みが１〜１０ｎｍの範囲で再現性
良く得ることができた。また、ＭＲ材料であるＬａ0.65
Ｓｒ0.35ＭｎＯ3のＭＲ効果が数ｋＧ程度で得られるの
に対し、作製した素子のＭＲ効果は数１０Ｇの低磁場で
得られた。また、このＭＲ効果は室温でも確認された。
Ｒ）特性を測定した。図３は、接合層の厚みが１．５ｎ
ｍの場合のＭＲ特性である。作製した素子のいずれにも
図示したような明確なＭＲ効果が認められた。なお、図
３におけるＭＲ比とは、高磁場下である程度一定値にな
った抵抗値Ｒ1に対して磁気抵抗効果によって得られる
抵抗の最大値をＲ2としたときに、（Ｒ2−Ｒ1）／Ｒ
1（×１００［％］）で定義される数値である。ＭＲ特
性は、特に接合層の厚みが１〜１０ｎｍの範囲で再現性
良く得ることができた。また、ＭＲ材料であるＬａ0.65
Ｓｒ0.35ＭｎＯ3のＭＲ効果が数ｋＧ程度で得られるの
に対し、作製した素子のＭＲ効果は数１０Ｇの低磁場で
得られた。また、このＭＲ効果は室温でも確認された。
【００２４】また、上記のような素子構成とすることに
より、バッファ層あるいは酸化物電極層を用いない場合
に比べて、より高感度のＭＲ特性が得られた。層状ペロ
ブスカイト型酸化物からなる磁気抵抗トンネル接合層
と、上記の酸化物電極層やバッファ層との相性が良好で
あったためである。酸化物電極層は、磁気抵抗トンネル
接合層の保護膜としても作用したと考えられる。
より、バッファ層あるいは酸化物電極層を用いない場合
に比べて、より高感度のＭＲ特性が得られた。層状ペロ
ブスカイト型酸化物からなる磁気抵抗トンネル接合層
と、上記の酸化物電極層やバッファ層との相性が良好で
あったためである。酸化物電極層は、磁気抵抗トンネル
接合層の保護膜としても作用したと考えられる。
【００２５】図４に、厚さ１．５ｎｍの磁気抵抗トンネ
ル接合層に対する酸化物電極層の接合界面付近の結晶構
造模式図を示す。図４に示したように、磁気抵抗トンネ
ル接合層１４と酸化物電極層１３、１５との界面結晶構
造は良く適合している。このことが、良質で高感度の磁
気抵抗トンネル接合素子の実現を可能にしたと思われ
る。
ル接合層に対する酸化物電極層の接合界面付近の結晶構
造模式図を示す。図４に示したように、磁気抵抗トンネ
ル接合層１４と酸化物電極層１３、１５との界面結晶構
造は良く適合している。このことが、良質で高感度の磁
気抵抗トンネル接合素子の実現を可能にしたと思われ
る。
【００２６】なお、ここでは、酸化物電極として(Ｌａ
0.65Ｓｒ0.35)2ＲｕＯ4を用いたが、Ｌａ0.65Ｓｒ0.35
ＲｕＯ3、(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＣｕＯ4、Ｌａ0.65Ｓｒ
0.35ＶＯ3を用いた場合でも、上記特性と大差無い特性
が得られることも併せて確認した。さらに、酸化物電極
としてＳｒ2ＲｕＯ4を用いた場合にも素子動作が確認さ
れたが、本実施の形態のようにアルカリ土類元素の一部
を希土類元素により置換すると、素子構造の安定性が向
上した。
0.65Ｓｒ0.35)2ＲｕＯ4を用いたが、Ｌａ0.65Ｓｒ0.35
ＲｕＯ3、(Ｌａ0.65Ｓｒ0.35)2ＣｕＯ4、Ｌａ0.65Ｓｒ
0.35ＶＯ3を用いた場合でも、上記特性と大差無い特性
が得られることも併せて確認した。さらに、酸化物電極
としてＳｒ2ＲｕＯ4を用いた場合にも素子動作が確認さ
れたが、本実施の形態のようにアルカリ土類元素の一部
を希土類元素により置換すると、素子構造の安定性が向
上した。
【００２７】（実施の形態４）磁気抵抗トンネル接合層
として約２ｎｍのＢｉＰｂ(Ｌａ0.55Ｓｒ0.45)2ＣａＭ
ｎ2Ｏ8を、酸化物電極として(Ｌａ0.5Ｓｒ0.5)2ＮｉＯ4
を用いた以外は、実施の形態３と同様にして素子作製を
行った。ＭＲ特性を測定した結果、約２００Ｋ以下でＭ
Ｒ特性を観測できた。
として約２ｎｍのＢｉＰｂ(Ｌａ0.55Ｓｒ0.45)2ＣａＭ
ｎ2Ｏ8を、酸化物電極として(Ｌａ0.5Ｓｒ0.5)2ＮｉＯ4
を用いた以外は、実施の形態３と同様にして素子作製を
行った。ＭＲ特性を測定した結果、約２００Ｋ以下でＭ
Ｒ特性を観測できた。
【００２８】本実施の形態では、酸化物電極に(Ｌａ0.5
Ｓｒ0.5)2ＮｉＯ4を用いたが、Ｌａ 0.5Ｓｒ0.5ＴｉＯ3
を用いた場合でも特性に大差無いことを確認した。さら
に、酸化物電極としてＬａＴｉＯ3を用いた場合でも素
子動作が確認されたが、本実施の形態においても、希土
類元素の一部をアルカリ土類元素により置換すると、素
子構造の安定性から好ましい特性が得られた。
Ｓｒ0.5)2ＮｉＯ4を用いたが、Ｌａ 0.5Ｓｒ0.5ＴｉＯ3
を用いた場合でも特性に大差無いことを確認した。さら
に、酸化物電極としてＬａＴｉＯ3を用いた場合でも素
子動作が確認されたが、本実施の形態においても、希土
類元素の一部をアルカリ土類元素により置換すると、素
子構造の安定性から好ましい特性が得られた。
【００２９】なお、希土類元素Ｌａは他の希土類元素で
も同様に良質な特性を再現できたが、特にＬａ元素を使
用した場合に再現性よく素子を得ることができた。な
お、アルカリ土類元素として、本実施の形態以外の組み
合わせでも磁気抵抗トンネル接合素子が形成できる。
も同様に良質な特性を再現できたが、特にＬａ元素を使
用した場合に再現性よく素子を得ることができた。な
お、アルカリ土類元素として、本実施の形態以外の組み
合わせでも磁気抵抗トンネル接合素子が形成できる。
【００３０】（実施の形態５）磁気抵抗トンネル接合層
として約２ｎｍのＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｍｎ3Ｏ10を、酸化物
電極として(Ｌａ0.85Ｓｒ0.15)2ＣｕＯ4を用いて素子作
製を行った。
として約２ｎｍのＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｍｎ3Ｏ10を、酸化物
電極として(Ｌａ0.85Ｓｒ0.15)2ＣｕＯ4を用いて素子作
製を行った。
【００３１】薄膜の作製は、それぞれＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2
Ｍｎ3Ｏ10および(Ｌａ0.85Ｓｒ0.15) 2Ｃｕ1.2Ｏ4.2のタ
ーゲットを用いたスパッタリング法により行い、同一真
空槽内で積層を実施した。スパッタリングは、酸素を２
０％混合した圧力０．５Ｐａのアルゴン雰囲気中で５０
Ｗの放電電力で行い、約６００℃に加熱した基板上に成
膜を実施した。
Ｍｎ3Ｏ10および(Ｌａ0.85Ｓｒ0.15) 2Ｃｕ1.2Ｏ4.2のタ
ーゲットを用いたスパッタリング法により行い、同一真
空槽内で積層を実施した。スパッタリングは、酸素を２
０％混合した圧力０．５Ｐａのアルゴン雰囲気中で５０
Ｗの放電電力で行い、約６００℃に加熱した基板上に成
膜を実施した。
【００３２】基板であるＳｒＴｉＯ3の（１００）面上
に、バッファ層としてＬａＣｕＯ3薄膜を厚さが２０ｎ
ｍとなるように堆積させ、その上に下部電極として(Ｌ
ａ0.85Ｓｒ0.15)2ＣｕＯ4薄膜を厚さが５０ｎｍとなる
ように堆積させ、その上に磁気抵抗トンネル接合層とし
てＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｍｎ3Ｏ10薄膜を堆積させ、さらにそ
の上に再び(Ｌａ0.85Ｓｒ0.15)2ＣｕＯ4薄膜を厚さが２
０ｎｍとなるように堆積させ、上部電極とした。
に、バッファ層としてＬａＣｕＯ3薄膜を厚さが２０ｎ
ｍとなるように堆積させ、その上に下部電極として(Ｌ
ａ0.85Ｓｒ0.15)2ＣｕＯ4薄膜を厚さが５０ｎｍとなる
ように堆積させ、その上に磁気抵抗トンネル接合層とし
てＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2Ｍｎ3Ｏ10薄膜を堆積させ、さらにそ
の上に再び(Ｌａ0.85Ｓｒ0.15)2ＣｕＯ4薄膜を厚さが２
０ｎｍとなるように堆積させ、上部電極とした。
【００３３】これらの薄膜は全てｃ軸方位が基板面に垂
直に配向して成長していることが確認されている。素子
面積５μｍ×５μｍに描画したフォトレジストを形成し
た後、アルゴンイオンでエッチングを行い、接合部の切
り出しを行った。その後ＣａＦ2薄膜の絶縁分離層を形
成し、引き出し金電極を配線して素子を完成させた。Ｍ
Ｒ特性を測定した結果、約２００Ｋ以下でＭＲ特性を観
測できた。なお、電極である(Ｌａ0.85Ｓｒ0.15)2Ｃｕ
Ｏ4は、約３０Ｋ以下で超伝導転移を示した。またここ
では、磁気抵抗トンネル接合層としてＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2
Ｍｎ3Ｏ10を用いたが、Ｂｉ1.4Ｔｌ0.6Ｓｒ2Ｃａ2Ｍｎ3
Ｏ10を用いた場合でも特性に大差無いことも併せて確認
した。
直に配向して成長していることが確認されている。素子
面積５μｍ×５μｍに描画したフォトレジストを形成し
た後、アルゴンイオンでエッチングを行い、接合部の切
り出しを行った。その後ＣａＦ2薄膜の絶縁分離層を形
成し、引き出し金電極を配線して素子を完成させた。Ｍ
Ｒ特性を測定した結果、約２００Ｋ以下でＭＲ特性を観
測できた。なお、電極である(Ｌａ0.85Ｓｒ0.15)2Ｃｕ
Ｏ4は、約３０Ｋ以下で超伝導転移を示した。またここ
では、磁気抵抗トンネル接合層としてＴｌ2Ｂａ2Ｃａ2
Ｍｎ3Ｏ10を用いたが、Ｂｉ1.4Ｔｌ0.6Ｓｒ2Ｃａ2Ｍｎ3
Ｏ10を用いた場合でも特性に大差無いことも併せて確認
した。
【００３４】また、希土類元素Ｌａは他の希土類元素で
も同様に良質な特性を再現できたが、特にＬａ、Ｐｒ、
ＮｄおよびＳｍの各元素を使用した場合に再現性よく素
子の実現できた。また、アルカリ土類元素は、上記以外
の組み合わせでも磁気抵抗トンネル接合素子が形成でき
る。
も同様に良質な特性を再現できたが、特にＬａ、Ｐｒ、
ＮｄおよびＳｍの各元素を使用した場合に再現性よく素
子の実現できた。また、アルカリ土類元素は、上記以外
の組み合わせでも磁気抵抗トンネル接合素子が形成でき
る。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低磁場で、かつ低温だけでなく室温で動作可能なマンガ
ン酸化物を用いた高感度の磁気抵抗トンネル接合特性を
有する素子を実現することができる。本発明は、磁気デ
バイスの基本要素部品を提供し、その発展を大いに促す
ものである。
低磁場で、かつ低温だけでなく室温で動作可能なマンガ
ン酸化物を用いた高感度の磁気抵抗トンネル接合特性を
有する素子を実現することができる。本発明は、磁気デ
バイスの基本要素部品を提供し、その発展を大いに促す
ものである。
【図１】 本発明の磁気抵抗トンネル接合素子の作製工
程の例を示す図である。
程の例を示す図である。
【図２】 本発明の磁気抵抗トンネル接合素子の接合部
の断面の例を切り出して示す斜視図である。
の断面の例を切り出して示す斜視図である。
【図３】 本発明の磁気抵抗トンネル接合素子のＭＲ特
性の例を示す図である。
性の例を示す図である。
【図４】 本発明の磁気抵抗トンネル接合素子の接合部
付近の結晶構造の例を示す図である。
付近の結晶構造の例を示す図である。
１１ 基板 １２ バッファ層 １３ 下部電極 １４ 磁気抵抗トンネル接合層 １５ 上部電極 １６ フォトレジスト １７ 接合部 １８ 絶縁分離層 １９ 引き出し電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 瀬恒 謙太郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 4M113 AA01 AA25 AC46 AD35 AD36 AD37 BA04 BA29 BC04 5E049 AB09 AB10 AC00 AC05 BA12 BA16 DB04 DB14
Claims (4)
- 【請求項１】 化学式Ｌ2(Ａ1-wＲw)2Ａn-1ＭｎnＯ
2n+4+xにより表され、結晶構造内に(Ｌ−Ｏ)2層を有す
る層状ペロブスカイト型マンガン酸化物を含み、前記
(Ｌ−Ｏ)2層を介して磁気抵抗トンネル効果が得られる
ことを特徴とする磁気抵抗トンネル接合素子。ここで、
ＡはＣａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも一種
の元素であり、ＬはＢｉ、ＴｌおよびＰｂから選ばれる
少なくとも一種の元素であり、Ｒは希土類元素であり、
ｎは１以上の整数であり、ｗは０≦ｗ＜１の数値であ
り、ｘは０≦ｘ≦１の数値である。 - 【請求項２】 層状ペロブスカイト型マンガン酸化物に
接合する電極として、化学式(Ｒ1-yＡy)mＭＯm+2により
表されるペロブスカイト型複合酸化物を含む請求項１に
記載の磁気抵抗トンネル接合素子。ここで、ＭはＴｉ、
Ｖ、Ｃｕ、Ｒｕ、ＮｉおよびＭｎから選ばれる少なくと
も一種の元素であり、Ｒは上記と同様の元素であり、ｍ
は１または２であり、ｙは０≦ｙ≦１の数値である。 - 【請求項３】 層状ペロブスカイト型マンガン酸化物の
膜厚が０．４〜１００ｎｍである請求項１または２に記
載の磁気抵抗トンネル接合素子。 - 【請求項４】 希土類元素Ｒが、Ｌａ、Ｐｒ、Ｎｄおよ
びＳｍから選ばれる少なくとも一種の元素である請求項
１〜３のいずれかに記載の磁気抵抗トンネル接合素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10177526A JP2000012920A (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | 磁気抵抗トンネル接合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10177526A JP2000012920A (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | 磁気抵抗トンネル接合素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000012920A true JP2000012920A (ja) | 2000-01-14 |
Family
ID=16032473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10177526A Pending JP2000012920A (ja) | 1998-06-24 | 1998-06-24 | 磁気抵抗トンネル接合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000012920A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1162672A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-12-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element and magnetic memory element and magnetic head using the same |
| JP2002310813A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 荷重センサ素子 |
| CN1324720C (zh) * | 2001-09-20 | 2007-07-04 | 北京有色金属研究总院 | 制备钙钛矿型稀土锰氧化物巨磁电阻材料的工艺及其产品用途 |
| US7522388B2 (en) | 2004-01-13 | 2009-04-21 | Seiko Epson Corporation | Magnetoresistance effect element having a lower magnetic layer formed over a base substrate through a transition metal oxide layer having a predetermined orientation plane |
| US8288289B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
-
1998
- 1998-06-24 JP JP10177526A patent/JP2000012920A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1162672A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-12-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element and magnetic memory element and magnetic head using the same |
| US6594120B2 (en) | 2000-05-24 | 2003-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element and magnetic memory element and magnetic head using the same |
| EP1162672A3 (en) * | 2000-05-24 | 2003-11-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element and magnetic memory element and magnetic head using the same |
| JP2002310813A (ja) * | 2001-04-10 | 2002-10-23 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 荷重センサ素子 |
| CN1324720C (zh) * | 2001-09-20 | 2007-07-04 | 北京有色金属研究总院 | 制备钙钛矿型稀土锰氧化物巨磁电阻材料的工艺及其产品用途 |
| US7522388B2 (en) | 2004-01-13 | 2009-04-21 | Seiko Epson Corporation | Magnetoresistance effect element having a lower magnetic layer formed over a base substrate through a transition metal oxide layer having a predetermined orientation plane |
| US8288289B2 (en) | 2010-01-29 | 2012-10-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100451871B1 (ko) | 자기저항효과형 소자, 및 이를 이용한 자기기억소자 및자기 헤드 | |
| JP2007266303A (ja) | 機能性膜含有構造体及び圧電素子 | |
| JP2000012920A (ja) | 磁気抵抗トンネル接合素子 | |
| JPH08253324A (ja) | 強誘電体薄膜構成体 | |
| US5164349A (en) | Electromagnetic effect material | |
| JP2001332781A (ja) | 磁気抵抗素子およびそれを用いた磁気ヘッド、メモリー装置 | |
| JP2000012921A (ja) | 磁気抵抗トンネル接合素子 | |
| TW200425182A (en) | Thin film capacitive element, and electronic circuit and electronic device including the same | |
| JPH0358488A (ja) | プレーナ型ジョセフソン素子及びその製造方法 | |
| JPS63236793A (ja) | 配向性積層膜 | |
| JP3795346B2 (ja) | 磁気抵抗効果型素子ならびにこれを用いた磁気記憶素子および磁気ヘッド | |
| JP2796099B2 (ja) | 超電導素子 | |
| JP3688559B2 (ja) | （Ｌａ，Ｂａ）ＭｎＯ３系室温超巨大磁気抵抗材料 | |
| JP3251093B2 (ja) | 超伝導体およびその製造方法 | |
| JPH0935926A (ja) | 化合物磁気抵抗効果材料およびその製造方法 | |
| JPH10178220A (ja) | トンネル型超伝導接合素子 | |
| JP2532986B2 (ja) | 酸化物超電導線材及びそれを用いたコイル | |
| JP2006196828A (ja) | 酸化物薄膜素子 | |
| JPH04300211A (ja) | 超伝導体 | |
| JP2023122266A (ja) | 圧電積層体、圧電素子及び圧電積層体の製造方法 | |
| JPH04199746A (ja) | 薄膜強誘電体の製造方法 | |
| JPH03242320A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜 | |
| JPH06144997A (ja) | 銅酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JP3085492B2 (ja) | マイクロブリッジ型ジョセフソン素子及び積層型ジョセフソン素子 | |
| JPWO2004077563A1 (ja) | 電極層および誘電体層を含む積層体ユニット |