JPS63236371A - 光受信装置 - Google Patents

光受信装置

Info

Publication number
JPS63236371A
JPS63236371A JP62071271A JP7127187A JPS63236371A JP S63236371 A JPS63236371 A JP S63236371A JP 62071271 A JP62071271 A JP 62071271A JP 7127187 A JP7127187 A JP 7127187A JP S63236371 A JPS63236371 A JP S63236371A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal stem
chip
metal
photodiode
stem
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62071271A
Other languages
English (en)
Inventor
Noboru Akutsu
阿久津 昇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP62071271A priority Critical patent/JPS63236371A/ja
Publication of JPS63236371A publication Critical patent/JPS63236371A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0203Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光受信装置に関する。
〔従来の技術〕
最近、TVやVTR等の操作に赤外線信号を送受信する
リモートコントロールシステムが多くなってきた。
第2図は従来の光受信装置の一例の回路図である。
パルス変調された微弱な赤外線15をPINホトダイオ
ード11の接合部に当てると、光電変換により電源端T
cから光電源が増幅器IC14に入力し、出力端Toに
増幅信号を出力する。
第3図は第2図の光受信装置の分解斜視図である。
PINホトダイオード11とIC増幅器14をプリント
基板13に実装し、それを赤外線15を入射する窓15
を有しかつ電気シールド効果のあるアルミケース19に
入れて組立ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の光受信装置は、PINホトダイオードの
インピーダンスが高く、さらにIC増幅器の増幅利得が
大きいため、ノイズによる誤動作対策として静電シール
ドをするためにアルミケースに入れて組立ているので光
受信装置の寸法が大きくなり、携帯が不便であるという
問題があった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の受信装置は、接合部の受光信号を電気信号に変
換して出力するホトダイオードと入力端が前記電気信号
を受け出力端に増幅信号を出力するIC増幅器とを受光
窓を有するシールド効果スに実装する光受信装置におい
て、内部と電気的に接続された複数のリードを有する金
属ステムと該金属ステムに載置された前記IC増幅器の
チップと前記金属ステムに保持された複数のボールに保
持された絶縁板上の金属層に載置された前記ホトダイオ
ードのチップと上面の中央部に前記受光窓を有し前記金
属ステムに溶接する金属キャップとを含んで構成されて
いる。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
第1図(a)〜(C)は本発明の一実施例の縦断面図、
A−A’線線断断面図びB−B’線線断断面図ある。
第1図(a)に示すように、内部のチップと電気的に接
続されている6本のリード線7がガラス10をTo−5
形の金属ステム5に保持されている。
第3図のIC増幅器14の内部のICチップ4は、金属
ステム5上のメタライズ層2に載置されている。
第3図のPINホトダイオード11の内部のホトダイオ
ードチップ1は、金属ステム5に保持されている2本の
ボール6で保持されているセラミック基板3上のメタラ
イズR2の上に載置されている。
ガラス窓8を上面中央に有する金属キャップ9は、金属
ステム5に被せて縁を溶接している。
第1図(b)及び(c)に示°すように、ホトダイオー
ドチップ1はボンディングワイヤ12とメタライズ層2
を通じて2本のボール6を介して下方のICチップ4と
接続され、前述の第2図の回路と構成するので、ガラス
窓8から入る赤外線15に対し、従来と同一の光信号増
幅動作をする。
また、金属ステム5とキャップ9は接地リード線と同電
位なので静電シールドの効果がある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、ホトダイオードチップと
増幅器のICチップを一つの金属ケースに内蔵すること
により、外来ノイズに対しシールド効果があり、かつ非
常に小形になるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)〜(C)は本発明の一実施例のそれぞれ縦
断面図、A−A’線線断断面図びB−B′線線断断面図
第2図は従来の光受信装置の一例の回路図、第3図は第
2図の光受信装置の分解斜視図である。 1・・・ホトダイオードチップ、2・・・メタライズ層
、3・・・セラミック基板、4・・・ICチップ、5・
・・金属ステム、6・・・ボール、7・・・リード線、
8・・・ガラス窓、9・・・キャップ、10・・・ガラ
ス、11・・・PINホトダイオード、12・・・ボン
ディングワイヤ、13・・・プリント基板、14・・・
IC増幅器、15・・・赤外線、17.18・・・窓、
1つ・・・アルミケース。 第 2 区 第3凶

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  接合部の受光信号を電気信号に変換して出力するホト
    ダイオードと入力端が前記電気信号を受け出力端に増幅
    信号を出力するICとを受光窓を有するシールドケース
    に実装する光受信装置において、内部と電気的に接続さ
    れた複数のリードを有する金属ステムと該金属ステムに
    載置された前記ICのチップと前記金属ステムに保持さ
    れた複数のボールに保持された絶縁板上の金属層に載置
    された前記ホトダイオードのチップと上面の中央部に前
    記受光窓を有し前記金属ステムに溶接する金属キャップ
    とを含むことを特徴とする光受信装置。
JP62071271A 1987-03-24 1987-03-24 光受信装置 Pending JPS63236371A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62071271A JPS63236371A (ja) 1987-03-24 1987-03-24 光受信装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62071271A JPS63236371A (ja) 1987-03-24 1987-03-24 光受信装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63236371A true JPS63236371A (ja) 1988-10-03

Family

ID=13455884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62071271A Pending JPS63236371A (ja) 1987-03-24 1987-03-24 光受信装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63236371A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0807976A2 (en) * 1996-05-17 1997-11-19 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and camera using the same

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0807976A2 (en) * 1996-05-17 1997-11-19 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and camera using the same
EP0807976A3 (en) * 1996-05-17 1999-03-24 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and camera using the same
EP1715525A2 (en) * 1996-05-17 2006-10-25 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus
EP1715524A3 (en) * 1996-05-17 2008-01-23 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus
EP1715525A3 (en) * 1996-05-17 2008-01-23 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus
EP1715526A3 (en) * 1996-05-17 2008-01-23 Sony Corporation Solid-state imaging apparatus and camera using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101346054B1 (ko) 적외선 센서
US5567942A (en) Infrared array sensor system
US20060153568A1 (en) Remote-control light receiving unit and electronic apparatus using the same
US6580077B2 (en) Infrared sensor
US5668383A (en) Semiconductor device for bidirectional non-conducted optical data transmission
US20010013573A1 (en) Photosensor-amplifier device
JP4828103B2 (ja) 光送受信モジュール
JPS63236371A (ja) 光受信装置
EP0450496B1 (en) Infrared sensor
GB2150747A (en) Pyroelectric infra-red radiation detector
JP2004117216A (ja) 赤外線検出器
JPS58199575A (ja) 光電装置
JP3129052U (ja) 赤外線検出器
JPS58206177A (ja) 光リンク受信回路
JPS58204573A (ja) 光リンク送受信回路
JPS6059788A (ja) 光通信用半導体装置
JP2590811B2 (ja) 電気回路装置
JPH07245420A (ja) 半導体装置およびリモコン受光装置
JPS58194400A (ja) 電磁シ−ルドされた受光素子印刷配線回路
JPS6344135A (ja) アレイ赤外検出器
JPH01242928A (ja) 焦電型赤外線アレイセンサ
JP6868828B2 (ja) 焦電素子及びそれを備える赤外線検出装置
JPH03180077A (ja) ホトカプラ
JPS60227486A (ja) 光配線方式
JPH0982989A (ja) 受光装置及びこれを用いた電気機器