JPS63232567A - 密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
密着形イメ−ジセンサInfo
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- JPS63232567A JPS63232567A JP62066860A JP6686087A JPS63232567A JP S63232567 A JPS63232567 A JP S63232567A JP 62066860 A JP62066860 A JP 62066860A JP 6686087 A JP6686087 A JP 6686087A JP S63232567 A JPS63232567 A JP S63232567A
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- Pending
Links
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
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- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
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- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
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Landscapes
- Facsimile Heads (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、文字や画像などの読取り人力l&置に好適に
実施される密着形イメージセンサに関する。
実施される密着形イメージセンサに関する。
背景技術
77クンミリや複写機などでは、蛍光灯や発光ダイオー
ドで照明されたMAm紙面を、光学レンズやロッドレン
ズアレイを介して当該紙面の画像をイメージセンサの受
光面上に結像させ、原稿紙面と読取り!It!!とを相
対的に移動させて紙面を順次的に走査して光学情報を得
、これを電気信号に変換するように構成されており、イ
メージセンサには受光素子として電荷結合素子(いわゆ
るC0D)あるいはMOS形の固体撮像素子と、光学レ
ンズを組み合わせたWItI&のもの、あるいはイメー
ジセンサとロッドレンズアレイを岨み合わせた構成のも
のがあり、特に後者は密着形イメージセンサと呼ばれ、
小形、低コスト化が期待され、各種方式が提案されてい
る。
ドで照明されたMAm紙面を、光学レンズやロッドレン
ズアレイを介して当該紙面の画像をイメージセンサの受
光面上に結像させ、原稿紙面と読取り!It!!とを相
対的に移動させて紙面を順次的に走査して光学情報を得
、これを電気信号に変換するように構成されており、イ
メージセンサには受光素子として電荷結合素子(いわゆ
るC0D)あるいはMOS形の固体撮像素子と、光学レ
ンズを組み合わせたWItI&のもの、あるいはイメー
ジセンサとロッドレンズアレイを岨み合わせた構成のも
のがあり、特に後者は密着形イメージセンサと呼ばれ、
小形、低コスト化が期待され、各種方式が提案されてい
る。
発明が解決しようとする問題点
上述のロフトレンズアレイを用いた読取り装置において
は、ロッドレンズアレイの共役長だけセンサと読取9対
象面を離さなければならないので、通常のffi’l形
イノーノセンサの場合、ユニットとしては20〜30−
の厚さになってしまう、ことに共役長とはロッドレンズ
長にレンズ端面がら読取り対象面までの距離の2倍を加
えたものをいう。
は、ロッドレンズアレイの共役長だけセンサと読取9対
象面を離さなければならないので、通常のffi’l形
イノーノセンサの場合、ユニットとしては20〜30−
の厚さになってしまう、ことに共役長とはロッドレンズ
長にレンズ端面がら読取り対象面までの距離の2倍を加
えたものをいう。
したがってその小形化には限界があり、さらにロッドレ
ンズ7レイを介して結像させているため、所定の焦点深
度を保持するための紙面、ロフドレンXアレイ、センサ
相互間の高い位置精度が要求されるなどの工作上の問題
点があった。
ンズ7レイを介して結像させているため、所定の焦点深
度を保持するための紙面、ロフドレンXアレイ、センサ
相互間の高い位置精度が要求されるなどの工作上の問題
点があった。
これに対し、レンズ系を使わずに原稿と読取り装置を密
着させるようにしたいわゆる完全密着形イメージセンサ
と称する方式のものがあり、レンズ系を用いないため上
に述べたような不具合が解消され、小形化の実現には適
しているけれども、IrX稿を照射するためにセンサ基
板の受光素子側に受光系子の近傍に照射窓を形成し、光
源をセンサ基板背面に配し、センサ基板を透して照射窓
g分から原稿を照射し、その反射光を受光部で検出する
方法がとられている。そのため原稿面への照射光むらお
よび照射窓作製の困難さ、紙面と受光面との接触移動の
ため読取り′i!cr!1表面の汚染と摩耗、これらに
よる感度低下と読取りむらなどの不具合が発生していた
。
着させるようにしたいわゆる完全密着形イメージセンサ
と称する方式のものがあり、レンズ系を用いないため上
に述べたような不具合が解消され、小形化の実現には適
しているけれども、IrX稿を照射するためにセンサ基
板の受光素子側に受光系子の近傍に照射窓を形成し、光
源をセンサ基板背面に配し、センサ基板を透して照射窓
g分から原稿を照射し、その反射光を受光部で検出する
方法がとられている。そのため原稿面への照射光むらお
よび照射窓作製の困難さ、紙面と受光面との接触移動の
ため読取り′i!cr!1表面の汚染と摩耗、これらに
よる感度低下と読取りむらなどの不具合が発生していた
。
したがって本発明の目的は、上述の技術的課コをhイ決
し、小形、低コストで解像度と読取り精度が向上した′
W!着形イメーノセンサを提供することである。
し、小形、低コストで解像度と読取り精度が向上した′
W!着形イメーノセンサを提供することである。
問題点を解決するための手段
本発明は、複数の受光素子に近接してその前ノjに上記
受光素子上に結像・′するためのレンズ体を上記受光素
子に一対一対応して連続して配列し、上記受光素子およ
びレンズ体以外の部分には遮光膜を形成するようにした
ことを特徴とする密着形イメージセンサである。
受光素子上に結像・′するためのレンズ体を上記受光素
子に一対一対応して連続して配列し、上記受光素子およ
びレンズ体以外の部分には遮光膜を形成するようにした
ことを特徴とする密着形イメージセンサである。
作 用
本発明に従う密着形イメージセンサは、複数の受光素子
に近接してその前方に上記受光素子上に結像するための
レンズ体が受光素子に一対一対応して配列されており、
上記レンズ体を介して読取9対象紙面の画像情報を読取
る。
に近接してその前方に上記受光素子上に結像するための
レンズ体が受光素子に一対一対応して配列されており、
上記レンズ体を介して読取9対象紙面の画像情報を読取
る。
実施例
第1図は本発明の一実施例の読取り装置1の構成を一部
を切欠いて示す平面図であり、第2図はその断面図であ
る。PtIJ1図と第2図を併せて参照しつつ、説明す
る。
を切欠いて示す平面図であり、第2図はその断面図であ
る。PtIJ1図と第2図を併せて参照しつつ、説明す
る。
プラスなどで実現される透光性基板2上に、光導′I1
1膜3を帯状に形成し、その上に個別側電極4と共通側
電極5とを、たとえば電極幅60μ鋤、電極間ピッチ1
25μ論、対向する電極間の距離が50μ曽となるよう
にす7トオ7法により配設し、対向電極6を形成する。
1膜3を帯状に形成し、その上に個別側電極4と共通側
電極5とを、たとえば電極幅60μ鋤、電極間ピッチ1
25μ論、対向する電極間の距離が50μ曽となるよう
にす7トオ7法により配設し、対向電極6を形成する。
これによって光導電v43の1個の対向電極6に挟まれ
た部分に1つの受光素子3aが形成される。
た部分に1つの受光素子3aが形成される。
次にポリイミド樹脂を上記光導電a3、個別側電極4お
よび共通側電極5上に塗布してこれらを被覆し、眉間絶
縁膜7を形成し、半熟硬化状態にして複数のスルーホー
ル(図示せず)を穿設した後、itの上部配線8と遮光
膜9を上記層間絶縁膜7上に同時に形成して、個別側電
極4を上記スルーホールを介して上部配線8に接続して
マ、トリクス配線8aを形成し、その後層間絶&tg!
7を完全に熱硬化させる。
よび共通側電極5上に塗布してこれらを被覆し、眉間絶
縁膜7を形成し、半熟硬化状態にして複数のスルーホー
ル(図示せず)を穿設した後、itの上部配線8と遮光
膜9を上記層間絶縁膜7上に同時に形成して、個別側電
極4を上記スルーホールを介して上部配線8に接続して
マ、トリクス配線8aを形成し、その後層間絶&tg!
7を完全に熱硬化させる。
次に′Wiプラス板などの透光性絶縁材により実現され
る支持体11に、たとえばイオン交換法を用いて複数個
のレンズ体であるマイクロレンズ12を7レイ状に形成
する。個々のマイクロレンズ12はいずれも受光素子3
aに個別的に一対一対応し、その配列間隔は対向電極6
の隣接間隔に等しく、たとえば本実施例では125μ−
である。個々のマイクロレンズ12はレンズ表面の中心
で屈折率が最も高く、半径方向内方に支持体11の屈折
率への連続に変化し、大略半球状をなし、その直径はた
とえば100μ論である。さらにマイクロレンーX’1
2以外の部分を遮光膜13によって被覆する。このよう
にして一方の側の表面にマイクロレンズ12と遮光11
i13が作成された支持体11と、受光素子3aが形成
された基板2とを接着材10によって接着し、また支持
体11には原稿紙面15との間隔dをたとえば60μ輸
に保持し、紙面との接触による汚染摩耗を防止するため
のスペーサ16が設けられる。なお上記マイクロレンズ
12の焦点距離は2気中においてたとえば30μ鴫であ
り、マイクロレンズ12が形成された支持体11と受光
素子3aの受光面間の距離は約100μ鴫である。この
ような相互の位置関係および支持体11内のマイクロレ
ンズ12によって紙面15から受光素子3aの受光面ま
での距離は、マイクロレンX:12を挟んで焦点距離の
2倍の位置となり、結像関係となっている。
る支持体11に、たとえばイオン交換法を用いて複数個
のレンズ体であるマイクロレンズ12を7レイ状に形成
する。個々のマイクロレンズ12はいずれも受光素子3
aに個別的に一対一対応し、その配列間隔は対向電極6
の隣接間隔に等しく、たとえば本実施例では125μ−
である。個々のマイクロレンズ12はレンズ表面の中心
で屈折率が最も高く、半径方向内方に支持体11の屈折
率への連続に変化し、大略半球状をなし、その直径はた
とえば100μ論である。さらにマイクロレンーX’1
2以外の部分を遮光膜13によって被覆する。このよう
にして一方の側の表面にマイクロレンズ12と遮光11
i13が作成された支持体11と、受光素子3aが形成
された基板2とを接着材10によって接着し、また支持
体11には原稿紙面15との間隔dをたとえば60μ輸
に保持し、紙面との接触による汚染摩耗を防止するため
のスペーサ16が設けられる。なお上記マイクロレンズ
12の焦点距離は2気中においてたとえば30μ鴫であ
り、マイクロレンズ12が形成された支持体11と受光
素子3aの受光面間の距離は約100μ鴫である。この
ような相互の位置関係および支持体11内のマイクロレ
ンズ12によって紙面15から受光素子3aの受光面ま
での距離は、マイクロレンX:12を挟んで焦点距離の
2倍の位置となり、結像関係となっている。
f53図は本発明の一実施例の読取り11111による
画像読取り状態を示す図である。原稿紙面15に複数個
の大略半球状をなすマイクロレンズ12が相対している
0紙面15上の画像Aからの反射光はライン11 *
I 2で示されるように約90度の広がりをもって1つ
のマイクロレンズ12aに入り、その後ライン!3.ノ
4の行路で受光素子3aに入射し、参照符aで示される
位置に結像する。
画像読取り状態を示す図である。原稿紙面15に複数個
の大略半球状をなすマイクロレンズ12が相対している
0紙面15上の画像Aからの反射光はライン11 *
I 2で示されるように約90度の広がりをもって1つ
のマイクロレンズ12aに入り、その後ライン!3.ノ
4の行路で受光素子3aに入射し、参照符aで示される
位置に結像する。
また画像Bからの反射光はライン15→17、ライン1
a→18で示されるように約1/2の光が受光素子3a
に入射し、参照符すで示される位置に結像するが、残り
約1/2の光は隣接するマイクロレンズ12bを介して
ライン!9→J!11、ラインノ10→112の行路で
遮光膜9C上の参照符b′で示される位置に結像するた
め無効となる。
a→18で示されるように約1/2の光が受光素子3a
に入射し、参照符すで示される位置に結像するが、残り
約1/2の光は隣接するマイクロレンズ12bを介して
ライン!9→J!11、ラインノ10→112の行路で
遮光膜9C上の参照符b′で示される位置に結像するた
め無効となる。
さらに画像Cからの反射光はライン!13→!15、ラ
インJ?14→71Gの行路でいずれも遮光膜9&上の
参照符e”、e″で示される位置に結像するため無効に
なる。したがって画像情報としてはマイクロレンズ12
aに関しては、その直下の参照狩B−B’間の範囲が有
効情報として受光素子3mに入射し、在米技術のように
レンズの無い読取り*iに比し、解像度と読取り精度が
格段に向上する。また本実施例に用いたマイクロレンズ
12は在米技術に用いられていたロフトレンズアレイに
比し薄いので、読取り装置全体の厚さを減することがで
き、装置の小形軽量化が実現する。
インJ?14→71Gの行路でいずれも遮光膜9&上の
参照符e”、e″で示される位置に結像するため無効に
なる。したがって画像情報としてはマイクロレンズ12
aに関しては、その直下の参照狩B−B’間の範囲が有
効情報として受光素子3mに入射し、在米技術のように
レンズの無い読取り*iに比し、解像度と読取り精度が
格段に向上する。また本実施例に用いたマイクロレンズ
12は在米技術に用いられていたロフトレンズアレイに
比し薄いので、読取り装置全体の厚さを減することがで
き、装置の小形軽量化が実現する。
効 果
以上のように本発明によれば、複数の受光素子に近接し
てその前方に上記受光素子上に結像するためのマイクロ
レンズを受光素子に一対一対応して配列し、受光素子お
よびマイクロレンズ以外の部分1こ、はそれぞれ遮光膜
を形成するようにしたので・、当該マイクロレンズの読
取る範囲外のM域からの入射光を確実に遮断することが
できる。したがって解像度と、読取り精度が向上する。
てその前方に上記受光素子上に結像するためのマイクロ
レンズを受光素子に一対一対応して配列し、受光素子お
よびマイクロレンズ以外の部分1こ、はそれぞれ遮光膜
を形成するようにしたので・、当該マイクロレンズの読
取る範囲外のM域からの入射光を確実に遮断することが
できる。したがって解像度と、読取り精度が向上する。
また先行技術の項で説明した口γドレンズを用いる必要
がなく、したがって読取り装置の厚さを減することがで
き、読取り*raの小形軽量化が実現される。
がなく、したがって読取り装置の厚さを減することがで
き、読取り*raの小形軽量化が実現される。
tjSi図は本発明の一実施例の読取りvc装置の61
造をその一部を切欠いて示す平面図、第2図はその断面
図、第3図は本実施例の読取り装rf11に上るii!
ii像読取りを示す図である。 1・・・読取り装置、2・・・透光性基板、3・・・光
導電膜、3a・・・受光素子、4・・・個別側電極、5
・・・共通側電極、7・・・層間絶#l膜、9,13・
・・遮光膜、fl・・・支持体、12・・・マイクロレ
ンズ、15・・・Wy%稿紙面、16・・・スペーサ 代理人 弁理士 画数 圭一部 第1II
造をその一部を切欠いて示す平面図、第2図はその断面
図、第3図は本実施例の読取り装rf11に上るii!
ii像読取りを示す図である。 1・・・読取り装置、2・・・透光性基板、3・・・光
導電膜、3a・・・受光素子、4・・・個別側電極、5
・・・共通側電極、7・・・層間絶#l膜、9,13・
・・遮光膜、fl・・・支持体、12・・・マイクロレ
ンズ、15・・・Wy%稿紙面、16・・・スペーサ 代理人 弁理士 画数 圭一部 第1II
Claims (1)
- 複数の受光素子に近接してその前方に上記受光素子上
に結像するためのレンズ体を上記受光素子に一対一対応
して連続して配列し、上記受光素子およびレンズ体以外
の部分には遮光膜を形成するようにしたことを特徴とす
る密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62066860A JPS63232567A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62066860A JPS63232567A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 密着形イメ−ジセンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63232567A true JPS63232567A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13328028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62066860A Pending JPS63232567A (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63232567A (ja) |
-
1987
- 1987-03-19 JP JP62066860A patent/JPS63232567A/ja active Pending
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