JPS63225143A - 流体中の不純微粒子計測方法及び計測装置 - Google Patents
流体中の不純微粒子計測方法及び計測装置Info
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- JPS63225143A JPS63225143A JP62060329A JP6032987A JPS63225143A JP S63225143 A JPS63225143 A JP S63225143A JP 62060329 A JP62060329 A JP 62060329A JP 6032987 A JP6032987 A JP 6032987A JP S63225143 A JPS63225143 A JP S63225143A
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は水、空気等の流体中の不純微粒子計測方法及び
計測装置に関するものである。
計測装置に関するものである。
〈従来の技術)
従来において水、空気等の流体にレーザービームを照射
し反射光の出力により該流体中の不純機f、2 ソを計
測する方法は公知である。
し反射光の出力により該流体中の不純機f、2 ソを計
測する方法は公知である。
しかしながらこの従来の方法ではレーザーヒーl、はそ
の断面上の強度分布が一様でないために計測される微粒
子がビームのとの位置にあるかによって同一粒径であっ
ても反射光の出力に差が生じ、その結果粒径分解能が悪
かった。
の断面上の強度分布が一様でないために計測される微粒
子がビームのとの位置にあるかによって同一粒径であっ
ても反射光の出力に差が生じ、その結果粒径分解能が悪
かった。
叉従来においてはレーザービームの断面上の強度針イ1
1を調整したもの(例えばマルチモートビーム)がある
がこの場合ビームのピーク値が低下してしまい小さな粒
径の不純微粒子は計測出来ないという新たな問題を生し
る。
1を調整したもの(例えばマルチモートビーム)がある
がこの場合ビームのピーク値が低下してしまい小さな粒
径の不純微粒子は計測出来ないという新たな問題を生し
る。
史に従来の方法では迷光によるノイズ防止を目的として
通常スリットにより計測領域を紋っていたため十分なサ
ンプリング体積を確保す、その結果所要の精度を得るに
は長時間の計測が必要となっていた。
通常スリットにより計測領域を紋っていたため十分なサ
ンプリング体積を確保す、その結果所要の精度を得るに
は長時間の計測が必要となっていた。
以上の問題を解決すべく特開昭61−288139号の
装置が提案されており、該装置はレーザービームを走査
させて不純微粒子からの反応光をパルス出力として15
るものである。
装置が提案されており、該装置はレーザービームを走査
させて不純微粒子からの反応光をパルス出力として15
るものである。
しかし該装置においてはレーザービームを走査させなけ
ればならないことから機構的に複雑になりそれに伴う種
々の問題が発生する危れがあった。
ればならないことから機構的に複雑になりそれに伴う種
々の問題が発生する危れがあった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明は以上の従来の問題を解決し粒径分解能が高く及
び小さな粒径の不純微粒子も計測出来るのみならず8!
!横的に極めて単純な流体中の不純微粒子計測方法及び
計測装置の提供を目的とする。
び小さな粒径の不純微粒子も計測出来るのみならず8!
!横的に極めて単純な流体中の不純微粒子計測方法及び
計測装置の提供を目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は以上の目的達成のために
1、流れのある流体中の微粒子に流れを横切る状態でレ
ーザービームを断続照射し該微粒子からの反応光をパル
ス列の出力として得る流体中の不純微粒子計測方法 2、流体中のy!i粒子へのレーザービームの断続照射
手段と、レーザービーム照射による反応光を検出する光
検出器と、該光検出器の出力を高周波増幅する高周波増
幅回路とからなる流体中の不純微粒子計測装置 以上を提案するものである。
ーザービームを断続照射し該微粒子からの反応光をパル
ス列の出力として得る流体中の不純微粒子計測方法 2、流体中のy!i粒子へのレーザービームの断続照射
手段と、レーザービーム照射による反応光を検出する光
検出器と、該光検出器の出力を高周波増幅する高周波増
幅回路とからなる流体中の不純微粒子計測装置 以上を提案するものである。
(作用)
木た明の計測方法は特に同一微粒子からの反応光をパル
ス列の出力として得るため例えはパルス列のピーク値を
求めることによりレーザービームの断面Lの強度分布が
一様でなくても粒径に対する一定の出力11αを得るこ
とが出来、その結果粒径分解能が極めて高い。
ス列の出力として得るため例えはパルス列のピーク値を
求めることによりレーザービームの断面Lの強度分布が
一様でなくても粒径に対する一定の出力11αを得るこ
とが出来、その結果粒径分解能が極めて高い。
本発明の計測方法は特にレーザービームが断続発Q(さ
れるので十分強いビーム強度にすることが可能となり、
その結果率さな粒径の不純微粒子も計測可能となる。
れるので十分強いビーム強度にすることが可能となり、
その結果率さな粒径の不純微粒子も計測可能となる。
本発明の計測装置は特にレーザービームの断続!!!羽
手投手段いるためレーザービームを走査させる必要がな
く、その結果走査のための機構が不要となり全体として
の装置の構造が極めて単純になる。
手投手段いるためレーザービームを走査させる必要がな
く、その結果走査のための機構が不要となり全体として
の装置の構造が極めて単純になる。
(実施例)
以下本発明の流体中の不純微粒子計測方法を図面に示す
実施例に従い説明する。
実施例に従い説明する。
第1図は本発明の計測方法を示し、該計測方法は例えば
サンプリングセル(1)内に計測すべき流体を導き一定
方向に流す。
サンプリングセル(1)内に計測すべき流体を導き一定
方向に流す。
すなわち図示の実施例では流体は第1図の下から上へサ
ンプリングセル(1)内を流される。
ンプリングセル(1)内を流される。
サンプリングセル(+)内の流体に該流体の流れ「を横
切る状態でレーザービームbが周期的に断続照射される
。
切る状態でレーザービームbが周期的に断続照射される
。
すなわち第2図に示す様に流体の流れ(これは微粒子(
20)の流れに相当)fを横切ってレーザービームbが
周期的に断続照射されるのである。
20)の流れに相当)fを横切ってレーザービームbが
周期的に断続照射されるのである。
以上のレーザービームb内を微粒子(20)が下から上
へと流れた場合該微粒子(20)からの反応光としての
反射光は次の状態となる。
へと流れた場合該微粒子(20)からの反応光としての
反射光は次の状態となる。
すなわちレーザービームbの照射がt4時、t2時、t
3時・・・に行われたとし各々における微粒子(20)
の流れ方向位置が図示の通りであったとする。
3時・・・に行われたとし各々における微粒子(20)
の流れ方向位置が図示の通りであったとする。
図を参照すれば明らかな様にレーザービームbの縦方向
断面の強度分布は中央部が盛り上っているため中央部を
通過する時の反射光の強度が最も強<」二下両端部にお
ける反射光の強度は弱い。
断面の強度分布は中央部が盛り上っているため中央部を
通過する時の反射光の強度が最も強<」二下両端部にお
ける反射光の強度は弱い。
すなわち第3図に示す様な強度eの反射光のパルス列が
発生ずることになる。
発生ずることになる。
つまり両端部が低く中央部が高いパルス列となるのであ
る。
る。
以上で明らかな通り流体を流してそれにレーザービーム
bを断続照射することにより同一微粒子からの反応光で
ある反射光をパルス列の出力として得られるのである。
bを断続照射することにより同一微粒子からの反応光で
ある反射光をパルス列の出力として得られるのである。
この様なパルス列の出力は光等のノイズが低周波である
ことから高周波増幅をすることによりその除去が極めて
容易である。
ことから高周波増幅をすることによりその除去が極めて
容易である。
従って得られたパルス列の出力を適宜処理すれば流体中
に含まれている微粒子(2o)の粒径及びその個数が求
められるのである。
に含まれている微粒子(2o)の粒径及びその個数が求
められるのである。
このパルス列の出力の処理回路の一例を計測装置全体と
共に第4図に示し、以下計測装置を説明する。
共に第4図に示し、以下計測装置を説明する。
すなわちレーザービーム発Q−4;3(3)からレーザ
ービームbが周期的に断続発射される レーザービームbの断続発射方法としては半導体レーザ
ー発生器を用いれば安価に十分強いビーム強度が得られ
る。
ービームbが周期的に断続発射される レーザービームbの断続発射方法としては半導体レーザ
ー発生器を用いれば安価に十分強いビーム強度が得られ
る。
例えば−例としてアルゴンレーザー発生器では20 r
n m W出力のものが200万円するのに対し・て半
導体レーザー発生器ではIOW出力のものがlO万円で
手に入る。
n m W出力のものが200万円するのに対し・て半
導体レーザー発生器ではIOW出力のものがlO万円で
手に入る。
ここで広い照射断面積及び横方向に均一など−1、強度
の分布を得るため次の様な照射系を用いる。
の分布を得るため次の様な照射系を用いる。
すなわちレーザービームbはレンズ(4)(シリンドリ
カルレンズ)により第5図に示す円形断面光から第6図
に示す様な横方向に拡がった断面光になる。
カルレンズ)により第5図に示す円形断面光から第6図
に示す様な横方向に拡がった断面光になる。
次にレーザービームbはミクサロッド(5)に大引され
て断面内のビーム強度を均一にされる(ミクサロッド(
5)の出口の断面光を第7図に示す)。
て断面内のビーム強度を均一にされる(ミクサロッド(
5)の出口の断面光を第7図に示す)。
すなわちミクサロッド(5)内でレーザービームbは反
射を繰り返してそのビーム強度が均一になるのである。
射を繰り返してそのビーム強度が均一になるのである。
次にレーザービームbはレンズ(6)(シリンドリカル
レンズ)により適々1な横幅(1m rn程度)に調整
されてサンプリング七ル(+)に大引される。
レンズ)により適々1な横幅(1m rn程度)に調整
されてサンプリング七ル(+)に大引される。
次にレーザーと−J、bの断続発射方法については第2
図に示した様にレーザービームb内を縦方向に微粒子(
20)が横切る開に複数個(望ましくは3個以上)(よ
り望ましくは10個以上)の出力パルスが得られる様に
その周間を調整すればよい。
図に示した様にレーザービームb内を縦方向に微粒子(
20)が横切る開に複数個(望ましくは3個以上)(よ
り望ましくは10個以上)の出力パルスが得られる様に
その周間を調整すればよい。
次にレーザービームbによる反応光である反射光を集め
るレンズ(7)及び計測領域を決定するスリット(8)
が設けられる。
るレンズ(7)及び計測領域を決定するスリット(8)
が設けられる。
これらを通って反射光(パルス列の出力)は光検出器(
9)に人力される。
9)に人力される。
光検出器(9)から順次高周波増幅回路(11)、検波
?!!流回路(12)、ピーク値検出回路(13)、Δ
/D変換回路(14)及び計数処理回路(15)が接続
される。
?!!流回路(12)、ピーク値検出回路(13)、Δ
/D変換回路(14)及び計数処理回路(15)が接続
される。
まず高周波増幅回路(11)はしきい値以下の雑音をカ
ットして高周波成分(出力のパルス列は高周波成分であ
る)を増幅する。
ットして高周波成分(出力のパルス列は高周波成分であ
る)を増幅する。
すなわち高周波増幅回路(11)により低周波ノイズが
除去されてS/N比の向上が図れるのであるゆ次に以上
の出力は検波整流回路(12)により検波!2流されパ
ルス列の出力が単一の山伏の連続出力に変換され、これ
によりショット雑音等の高周波ノイズが除去されるので
ある。
除去されてS/N比の向上が図れるのであるゆ次に以上
の出力は検波整流回路(12)により検波!2流されパ
ルス列の出力が単一の山伏の連続出力に変換され、これ
によりショット雑音等の高周波ノイズが除去されるので
ある。
次のピーク値検出回路(13)は山状の連続出力のピー
ク値を取り出すものである。
ク値を取り出すものである。
該ピーク値はA/D変換回路(14)によりデジタルか
に変換された後計数処理回路(15)に人力される。
に変換された後計数処理回路(15)に人力される。
計数処理回路(15)は得られたデーターの必要な処理
を行うものである。
を行うものである。
更に以上の計測装置の実施例は一例でありより改良され
た出力の処理装置は種々考えられる。
た出力の処理装置は種々考えられる。
例えばレーザービーム発射器(3)からのレーザー出力
は発04 wにわずかな差異を有するのでこれの補正の
ため及び経時変化の補正のためレーザー出力検出回″t
!4(17)を設けこの出力を計数処理回路(15)に
人力して必要な処理を行ってもよい。
は発04 wにわずかな差異を有するのでこれの補正の
ため及び経時変化の補正のためレーザー出力検出回″t
!4(17)を設けこの出力を計数処理回路(15)に
人力して必要な処理を行ってもよい。
更に微粒子(20)の粒径はピーク値検出回路(13)
により検出されるピーク値から決定していたが粒径の概
略決定のためには次の方法でも可能である。
により検出されるピーク値から決定していたが粒径の概
略決定のためには次の方法でも可能である。
すなわち第4図に示す高周波増幅回路(11)の出力パ
ルスにおいて一定のしきい値以上のパルスの数を数える
。
ルスにおいて一定のしきい値以上のパルスの数を数える
。
すなわちこの数は粒径が大きい程多くなるためこれを利
用すれば粒径の概略決定が出来るのである。
用すれば粒径の概略決定が出来るのである。
次に以上の計測方法における計測領域により決定される
サンプリング体積であるが、該サンプリング体積はその
内に確率的に不純微粒子が1個しか含まれない程度にす
るものとする。
サンプリング体積であるが、該サンプリング体積はその
内に確率的に不純微粒子が1個しか含まれない程度にす
るものとする。
改に以上に述べた流体中の微粒子(20)とは気体中の
液体、固体又は他の気体微粒子(20)、液体中の気体
、固体又は他の液体のvIk粒子(20)等が考えられ
る。
液体、固体又は他の気体微粒子(20)、液体中の気体
、固体又は他の液体のvIk粒子(20)等が考えられ
る。
叉微粒子(20)からの反応光としては反射光以外に散
乱光、蛍光、ラマンシフト光等が考えられる。
乱光、蛍光、ラマンシフト光等が考えられる。
(発明の効果)
本発明の流体中の不純微粒子計測方法及び計測SRi:
!>の実施例は以上の通りでありその効果を次に列記す
る。
!>の実施例は以上の通りでありその効果を次に列記す
る。
(1)本発明の計測方法は特許請求の範囲に記載した構
成であり、特に同一微粒子からの反応光をパルス列の出
力として得るため例えばパルス列のピーク値を求めるこ
とによりレーザービームの断面上の強度分布が一様でな
くても粒径に対する一定の出力値を得ることが出来、そ
の結果粒径分解能が極めて高い。
成であり、特に同一微粒子からの反応光をパルス列の出
力として得るため例えばパルス列のピーク値を求めるこ
とによりレーザービームの断面上の強度分布が一様でな
くても粒径に対する一定の出力値を得ることが出来、そ
の結果粒径分解能が極めて高い。
(2)本発明の計測方法は同上の構成であり、特にレー
ザービームは断続発射されるので十分強いビーム強度に
することが可能となり、その結果小さな粒径の不純微粒
子も計測可能となる。
ザービームは断続発射されるので十分強いビーム強度に
することが可能となり、その結果小さな粒径の不純微粒
子も計測可能となる。
(3)本発明の計測装置は特許請求の範囲に記載した構
成であり、特にレーザービームの断続照射手段を用いる
ためレーザービームを走査させる必要がなく、その結果
走査のための機構が不要となり全体としての装置の構造
が極めて単純になる。
成であり、特にレーザービームの断続照射手段を用いる
ためレーザービームを走査させる必要がなく、その結果
走査のための機構が不要となり全体としての装置の構造
が極めて単純になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の計測方法の概念図
第2図は同上計測方法における微粒子の動き等を示す図
第′、3図は第2図にλ・1応する反応光のパルス列の
出力を示す図 第4図は本発明の計測装置の概念図 第5図、第6図及び第7図はレーザービーlいの断面状
態を示す図 1:サンプリングセル 3:レーザービーム発射器 4:レンズ 5:ミクサロッド6:レンズ
7:レンズ 8ニスリツト 9:光検出器 11:高周波増幅回路 12:検波整流回路13:ビー
ク値検出回路14 : A/D変換回路15:計数処理
回路 17:レーザー出力検出回路 20:?jII1粒子
出力を示す図 第4図は本発明の計測装置の概念図 第5図、第6図及び第7図はレーザービーlいの断面状
態を示す図 1:サンプリングセル 3:レーザービーム発射器 4:レンズ 5:ミクサロッド6:レンズ
7:レンズ 8ニスリツト 9:光検出器 11:高周波増幅回路 12:検波整流回路13:ビー
ク値検出回路14 : A/D変換回路15:計数処理
回路 17:レーザー出力検出回路 20:?jII1粒子
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、流れのある流体中の微粒子に流れを横切る状態でレ
ーザービームを断続照射し該微粒子からの反応光をパル
ス列の出力として得る流体中の不純微粒子計測方法 2、流体中の微粒子へのレーザービームの断続照射手段
と、レーザービーム照射による反応光を検出する光検出
器と、該光検出器の出力を高周波増幅する高周波増幅回
路とからなる流体中の不純微粒子計測装置
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62060329A JPS63225143A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 流体中の不純微粒子計測方法及び計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62060329A JPS63225143A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 流体中の不純微粒子計測方法及び計測装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63225143A true JPS63225143A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=13139021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62060329A Pending JPS63225143A (ja) | 1987-03-16 | 1987-03-16 | 流体中の不純微粒子計測方法及び計測装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63225143A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63241336A (ja) * | 1987-03-28 | 1988-10-06 | Toshiba Corp | 粒径測定装置 |
JP2004520569A (ja) * | 2000-09-06 | 2004-07-08 | グアヴァ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 粒子又は細胞分析器及び方法 |
-
1987
- 1987-03-16 JP JP62060329A patent/JPS63225143A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63241336A (ja) * | 1987-03-28 | 1988-10-06 | Toshiba Corp | 粒径測定装置 |
JP2004520569A (ja) * | 2000-09-06 | 2004-07-08 | グアヴァ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 粒子又は細胞分析器及び方法 |
US7410809B2 (en) | 2000-09-06 | 2008-08-12 | Guava Technologies, Inc. | Particle or cell analyzer and method |
JP2008191163A (ja) * | 2000-09-06 | 2008-08-21 | Guava Technologies Inc | 粒子分析装置 |
US7972559B2 (en) | 2000-09-06 | 2011-07-05 | Millipore Corporation | Particle or cell analyzer and method |
US8241571B2 (en) | 2000-09-06 | 2012-08-14 | Emd Millipore Corporation | Particle or cell analyzer and method |
US8524489B2 (en) | 2000-09-06 | 2013-09-03 | Emd Millipore Corporation | Particle or cell analyzer and method |
JP2014206549A (ja) * | 2000-09-06 | 2014-10-30 | イー・エム・デイー・ミリポア・コーポレイシヨン | 粒子分析装置 |
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