JPS63224331A - ドライエツチングの方法 - Google Patents
ドライエツチングの方法Info
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- JPS63224331A JPS63224331A JP5930987A JP5930987A JPS63224331A JP S63224331 A JPS63224331 A JP S63224331A JP 5930987 A JP5930987 A JP 5930987A JP 5930987 A JP5930987 A JP 5930987A JP S63224331 A JPS63224331 A JP S63224331A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、化合物半導体デバイスの作製に用いる微細加
工に関わる。砒化ガリウムと砒アルミニウムガリウムの
ドライエツチングの方法に関するものである。
工に関わる。砒化ガリウムと砒アルミニウムガリウムの
ドライエツチングの方法に関するものである。
従来の技術
近年、トランジスタあるいは集積回路などの半導体素子
の製造において、エツチングを中心とする微細加工技術
は非常に重要になってきている。
の製造において、エツチングを中心とする微細加工技術
は非常に重要になってきている。
特に、１ミクロン以下といった微細パターンの形成には
、湿式化学エツチングよりも垂直性の優れるドライエツ
チングが適しているため、その検討が活発に行われてい
る。
、湿式化学エツチングよりも垂直性の優れるドライエツ
チングが適しているため、その検討が活発に行われてい
る。
以下図面を参照しながら、上述した従来のドライエツチ
ングの方法の一例について説明する。
ングの方法の一例について説明する。
第２図は、従来のドライエツチングの方法の一例を示す
ものである。第２図において、１１は砒化ガリウム層、
１２は砒化アルミニウムガリウム層、１３は基板、１４
はマスク、１５はプラズマを示す。
ものである。第２図において、１１は砒化ガリウム層、
１２は砒化アルミニウムガリウム層、１３は基板、１４
はマスク、１５はプラズマを示す。
以上のように構成されたドライエツチングの方法につい
て、以下その動作を説明する。
て、以下その動作を説明する。
まず、第２図（ａｌに示す。砒化ガリウム基板１３上に
砒化ガリウムＮ１１と砒化アルミニウムガリウム層１２
を形成した試料の表面に、第２図（ｂ）のようにマスク
を形成する。次に、この試料をドライエツチング装置の
中に入れ、真空排気を行う。所定の真空度（以下、到達
真空度という）に達した後、第２図（Ｃ）に示すごとく
、塩素ガスを用いて電子サイクロトロン共鳴により発生
させたプラズマ１５を用いて、砒化ガリウムと砒化アル
ミニウムガリウムを等速でエツチングする。この場合、
到達真空度は３ Ｘ １０−’ トール以下にする必要
がある。
砒化ガリウムＮ１１と砒化アルミニウムガリウム層１２
を形成した試料の表面に、第２図（ｂ）のようにマスク
を形成する。次に、この試料をドライエツチング装置の
中に入れ、真空排気を行う。所定の真空度（以下、到達
真空度という）に達した後、第２図（Ｃ）に示すごとく
、塩素ガスを用いて電子サイクロトロン共鳴により発生
させたプラズマ１５を用いて、砒化ガリウムと砒化アル
ミニウムガリウムを等速でエツチングする。この場合、
到達真空度は３ Ｘ １０−’ トール以下にする必要
がある。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記の構成では、到達真空度３×１０−６
トールを得るためには時間がかかるので、生産効率を下
げるという問題点を有していた。
トールを得るためには時間がかかるので、生産効率を下
げるという問題点を有していた。
そこで本発明は上記問題点を解決するために大幅にエツ
チングに要する時間を短縮し、生産効率を上げるドライ
エツチングの方法を提供するものである。
チングに要する時間を短縮し、生産効率を上げるドライ
エツチングの方法を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のドライエツチング
の方法では三塩化硼素を用いて電子サイクロトロン共鳴
により発生させたプラズマを用いて、砒化ガリウムと砒
化アルミニウムガリウムを等速でエツチングする方法を
用いる。
の方法では三塩化硼素を用いて電子サイクロトロン共鳴
により発生させたプラズマを用いて、砒化ガリウムと砒
化アルミニウムガリウムを等速でエツチングする方法を
用いる。
作用
本発明の方法では、到達真空度を塩素ガスを用いる場合
ぼど低くしなくても、砒化ガリウムと砒化アルミニウム
ガリウムを等速でエツチングすることが可能となる。こ
れにより、真空排気に要する時間が短かくなり、生産効
率を上げることができる。
ぼど低くしなくても、砒化ガリウムと砒化アルミニウム
ガリウムを等速でエツチングすることが可能となる。こ
れにより、真空排気に要する時間が短かくなり、生産効
率を上げることができる。
実施例
以下本発明の一実施例のドライエツチングの方法につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の一実施例のドライエツチングの方法
を示すものである。第１図において、１は砒化ガリウム
層、２は砒化アルミニウムガリウム層、３は基板、４は
マスク、５はプラズマである。
を示すものである。第１図において、１は砒化ガリウム
層、２は砒化アルミニウムガリウム層、３は基板、４は
マスク、５はプラズマである。
まず、第１図（ａ）に示す。砒化ガリウム基板３上に砒
化ガリウム層１と砒化アルミニウムガリウム層２を形成
した試料の表面に、第１図（ｂｌのようにレジストを用
いてマスクを形成する。次に、この試料をドライエツチ
ング装置の中に入れ、到達真空度３ｘｌＯ−’）−ルま
で真空排気を行う。ついで、三塩化硼素を用いて電子サ
イクロトロン共鳴により発生させたプラズマを用いて、
砒化ガリウムと砒化アルミニウムガリウムを等速でエツ
チングする。エツチング時の条件は、三塩化硼素圧とじ
てｌＸｌ０−’トール、三塩化硼素流量として２５ｃｃ
／分、電子サイクロトロン共鳴を発生させるための投入
電力として４００ワツト、プラズマの引き出し電圧とし
て４００ボルトを用いた。砒化ガリウムと砒化アルミニ
ウムガリウムのエツチング速度はともに、毎分０．０３
５ ミクロンであった。
化ガリウム層１と砒化アルミニウムガリウム層２を形成
した試料の表面に、第１図（ｂｌのようにレジストを用
いてマスクを形成する。次に、この試料をドライエツチ
ング装置の中に入れ、到達真空度３ｘｌＯ−’）−ルま
で真空排気を行う。ついで、三塩化硼素を用いて電子サ
イクロトロン共鳴により発生させたプラズマを用いて、
砒化ガリウムと砒化アルミニウムガリウムを等速でエツ
チングする。エツチング時の条件は、三塩化硼素圧とじ
てｌＸｌ０−’トール、三塩化硼素流量として２５ｃｃ
／分、電子サイクロトロン共鳴を発生させるための投入
電力として４００ワツト、プラズマの引き出し電圧とし
て４００ボルトを用いた。砒化ガリウムと砒化アルミニ
ウムガリウムのエツチング速度はともに、毎分０．０３
５ ミクロンであった。
以上のように本実施例によれば、三塩化硼素を用いて電
子サイクロトロン共鳴により発生させたプラズマを用い
ることにより、塩素ガスを用いる場合よりもはるかに高
い到達真空度である３×１〇−５トールにおいても、砒
化ガリウムと砒化アルミニウムガリウムを等速でエツチ
ングすることができる。
子サイクロトロン共鳴により発生させたプラズマを用い
ることにより、塩素ガスを用いる場合よりもはるかに高
い到達真空度である３×１〇−５トールにおいても、砒
化ガリウムと砒化アルミニウムガリウムを等速でエツチ
ングすることができる。
なお、本実施例においては、到達真空度として３ＸＩＯ
−’を用いたが、より高い到達真空度であってもよい。
−’を用いたが、より高い到達真空度であってもよい。
また、本実施例においては、マスク４としてレジストを
用いたが、酸化硅素あるいは窒化硅素を用いてもよい。
用いたが、酸化硅素あるいは窒化硅素を用いてもよい。
発明の効果
以上のように本発明の方法では、三塩化硼素を用いて電
子サイクロトロン共鳴により発生させたプラズマを用い
て、砒化ガリウムと砒化アルミニウムガリウムを従来よ
りも格段に高い到達真空度において等速でエツチングす
ることができるため、従来の方法と比較してエツチング
に要する時間を格段に減少させ、生産効率を上げること
ができる。
子サイクロトロン共鳴により発生させたプラズマを用い
て、砒化ガリウムと砒化アルミニウムガリウムを従来よ
りも格段に高い到達真空度において等速でエツチングす
ることができるため、従来の方法と比較してエツチング
に要する時間を格段に減少させ、生産効率を上げること
ができる。
第１図は本発明の一実施例におけるドライエツチングの
方法の説明をするための試料の断面図、第２図は従来の
ドライエツチング方法の説明をするための試料の断面図
である。 ■・・・・・・砒化カリウム、２・・・・・・砒化アル
ミニウムガリウム、３・・・・・・基板、４・・・・・
・マスク、５・・・・・・プラズマ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばかＩ名ｊゾクム １３−基 板
方法の説明をするための試料の断面図、第２図は従来の
ドライエツチング方法の説明をするための試料の断面図
である。 ■・・・・・・砒化カリウム、２・・・・・・砒化アル
ミニウムガリウム、３・・・・・・基板、４・・・・・
・マスク、５・・・・・・プラズマ。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ばかＩ名ｊゾクム １３−基 板
Claims (1)
- 三塩化硼素を用いて電子サイクロトロン共鳴により発生
させたプラズマを用いて、砒化ガリウムと砒化アルミニ
ウムガリウムをエッチングすることを特徴とするドライ
エッチングの方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059309A JP2548177B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ドライエツチングの方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059309A JP2548177B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ドライエツチングの方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224331A true JPS63224331A (ja) | 1988-09-19 |
| JP2548177B2 JP2548177B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=13109643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62059309A Expired - Lifetime JP2548177B2 (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | ドライエツチングの方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548177B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03142927A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202941A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Toshiba Corp | 化合物半導体のドライエツチング法 |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62059309A patent/JP2548177B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60202941A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | Toshiba Corp | 化合物半導体のドライエツチング法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03142927A (ja) * | 1989-10-30 | 1991-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | エッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2548177B2 (ja) | 1996-10-30 |
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