JPS632231B2 - - Google Patents
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- JPS632231B2 JPS632231B2 JP4057483A JP4057483A JPS632231B2 JP S632231 B2 JPS632231 B2 JP S632231B2 JP 4057483 A JP4057483 A JP 4057483A JP 4057483 A JP4057483 A JP 4057483A JP S632231 B2 JPS632231 B2 JP S632231B2
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- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 32
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 15
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M Bicarbonate Chemical compound OC([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000001223 reverse osmosis Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体製造分野で使用される超純水
の比抵抗を低下させる超純水の比抵抗制御装置に
関する。
の比抵抗を低下させる超純水の比抵抗制御装置に
関する。
超純水は工業用水中の微粒子、生菌、有機物、
塩類等を過、イオン交換樹脂、活性炭、逆浸透
膜、限外過膜、紫外線照射などの手段の組合わ
せにより除去して製造し、半導体製造分野では製
造したウエハにこの超純水を高圧(300〜
3000Psi)でスプレーし、ジエツト作用で洗浄を
行つている。しかし、その際圧力の高さと、スプ
レーする超純水の比抵抗の大きさに比例してウエ
ハに静電気を発生させる欠点があるので超純水の
比抵抗を低下させることが要望されている。
塩類等を過、イオン交換樹脂、活性炭、逆浸透
膜、限外過膜、紫外線照射などの手段の組合わ
せにより除去して製造し、半導体製造分野では製
造したウエハにこの超純水を高圧(300〜
3000Psi)でスプレーし、ジエツト作用で洗浄を
行つている。しかし、その際圧力の高さと、スプ
レーする超純水の比抵抗の大きさに比例してウエ
ハに静電気を発生させる欠点があるので超純水の
比抵抗を低下させることが要望されている。
そこで本発明はスプレーノズルに向かつて流れ
る主流路から超純水の一部を分流して炭酸ガスと
接触させたのち主流路に合流させ、その際合流し
て混合した超純水の比抵抗を測定して炭酸ガスを
溶解した超純水の分流が主流に合流する流量を調
節し、比抵抗がほゞ一定に低下した超純水をスプ
レーノズルから噴出させてウエハに静電気を発生
させることを無くしたのであつて、以下、図示の
実施例を参照して本発明を説明する。
る主流路から超純水の一部を分流して炭酸ガスと
接触させたのち主流路に合流させ、その際合流し
て混合した超純水の比抵抗を測定して炭酸ガスを
溶解した超純水の分流が主流に合流する流量を調
節し、比抵抗がほゞ一定に低下した超純水をスプ
レーノズルから噴出させてウエハに静電気を発生
させることを無くしたのであつて、以下、図示の
実施例を参照して本発明を説明する。
1はスプレーノズルなどに至る超純水の主流路
で、これには上流の分岐点1aに分岐流路2の一
端が接続し、分岐流路の他端は分岐点1aよりも
下流の合流点1bで再び主流路に接続する。分岐
流路2の途中には充填材層を有する炭酸ガスとの
接触塔3があり、接触塔の下流には流量調節弁4
が設けてある。従つて、流量調節弁4の開度によ
つて主流路1から分岐流路2に流込む超純水の流
量が定まる。
で、これには上流の分岐点1aに分岐流路2の一
端が接続し、分岐流路の他端は分岐点1aよりも
下流の合流点1bで再び主流路に接続する。分岐
流路2の途中には充填材層を有する炭酸ガスとの
接触塔3があり、接触塔の下流には流量調節弁4
が設けてある。従つて、流量調節弁4の開度によ
つて主流路1から分岐流路2に流込む超純水の流
量が定まる。
接触塔3は分岐流路に流込んだ超純水を充填材
層3′の上面上に散水すると共に、充填材層3′の
下にはボンベ5中の炭酸ガスを減圧弁6を介して
導入し、超純水と炭酸ガスを充填材層中で向流接
触させ、超純水中に炭酸ガスを溶解させる。図示
の実施例では、炭酸ガスの供給源としてボンベを
用いているが、化学反応、例えば炭酸塩又は重炭
酸塩に鉱酸を反応させて炭酸ガスを得る様にして
もよい。
層3′の上面上に散水すると共に、充填材層3′の
下にはボンベ5中の炭酸ガスを減圧弁6を介して
導入し、超純水と炭酸ガスを充填材層中で向流接
触させ、超純水中に炭酸ガスを溶解させる。図示
の実施例では、炭酸ガスの供給源としてボンベを
用いているが、化学反応、例えば炭酸塩又は重炭
酸塩に鉱酸を反応させて炭酸ガスを得る様にして
もよい。
接触塔3は例えば容量が200、操作圧が50mm
Ag、塔内を下向流する超純水の通水線度は
10m/Hである。
Ag、塔内を下向流する超純水の通水線度は
10m/Hである。
接触塔の塔底から出る炭酸ガスを溶解した超純
水はポンプ7で分岐流路中を前述の流量調節弁4
に圧送され、流量調節弁の開度に応じた流量で合
流点1bにて主流路1を流れる超純水の主流と合
流、混合する。
水はポンプ7で分岐流路中を前述の流量調節弁4
に圧送され、流量調節弁の開度に応じた流量で合
流点1bにて主流路1を流れる超純水の主流と合
流、混合する。
上記流量調節弁4の開度を調節するため、主流
路1には合流点1bよりも下流に、合流混合した
超純水の電導度を測定し、好ましくは記録する測
定手段8を設けてあり、その測定値によつて電気
信号で流量調節弁を調節する様になつている。
路1には合流点1bよりも下流に、合流混合した
超純水の電導度を測定し、好ましくは記録する測
定手段8を設けてあり、その測定値によつて電気
信号で流量調節弁を調節する様になつている。
勿論、分岐流路2にも例えばポンプ7と流量調
節弁4の間に炭酸ガスを溶解した超純水の電導度
を測定し、好ましくは記録する測定手段9を設け
て置く。
節弁4の間に炭酸ガスを溶解した超純水の電導度
を測定し、好ましくは記録する測定手段9を設け
て置く。
尚、必要に応じボンベ5から炭酸ガスを接触塔
に導入する通気管10と、分岐流路のポンプと測
定手段9の間にメンブランフイルタ11を設ける
と共に、主流路1の分岐点1aの下流、分岐流路
の接触塔よりも上流と流量調節弁4の上流、並び
に通気管10の途中には夫々非常の場合に流れを
止める停止弁12を設ける。
に導入する通気管10と、分岐流路のポンプと測
定手段9の間にメンブランフイルタ11を設ける
と共に、主流路1の分岐点1aの下流、分岐流路
の接触塔よりも上流と流量調節弁4の上流、並び
に通気管10の途中には夫々非常の場合に流れを
止める停止弁12を設ける。
これにより本発明では流量15m3/Hで主流路1
中を分岐点1aまで流れて来た比抵抗18MΩcmの
超純水の一部1m3/Hを分岐流路2に流込ませ、
接触塔3で二酸化炭素を75mg/m溶解させて
合流点1bで残部の超純水(14m3/H)と合流、
混合し、合流した超純水の比抵抗を8MΩcm低い
10MΩcmにしスプレーノズルなどに供給すること
ができ、高圧で噴出してウエハを洗浄してもウエ
ハには静電気が発生することはない。そして、主
流路の合流点1bの下流で合流した超純水の電導
度を測定し、その値に基いて分岐流路2中の流量
調節弁4の開度を調節し、炭酸ガスを溶解して比
抵抗を著しく下げた分岐流路中の超純水の主流路
中に合流、混合させる流量を調節するので、製造
した超純水の比抵抗が変化しても常に一定の低い
比抵抗の超純水をスプレーなどに供給することが
できる。
中を分岐点1aまで流れて来た比抵抗18MΩcmの
超純水の一部1m3/Hを分岐流路2に流込ませ、
接触塔3で二酸化炭素を75mg/m溶解させて
合流点1bで残部の超純水(14m3/H)と合流、
混合し、合流した超純水の比抵抗を8MΩcm低い
10MΩcmにしスプレーノズルなどに供給すること
ができ、高圧で噴出してウエハを洗浄してもウエ
ハには静電気が発生することはない。そして、主
流路の合流点1bの下流で合流した超純水の電導
度を測定し、その値に基いて分岐流路2中の流量
調節弁4の開度を調節し、炭酸ガスを溶解して比
抵抗を著しく下げた分岐流路中の超純水の主流路
中に合流、混合させる流量を調節するので、製造
した超純水の比抵抗が変化しても常に一定の低い
比抵抗の超純水をスプレーなどに供給することが
できる。
図面は本発明の一実施例を示すフローシート
で、図中、1は主流路、1aはその分岐点、1b
は同じく合流点、2は分岐流路、3は炭酸ガスと
の接触装置として例示した接触塔、4は流量調節
弁、8は流量調節弁を調節するための測定手段を
示す。
で、図中、1は主流路、1aはその分岐点、1b
は同じく合流点、2は分岐流路、3は炭酸ガスと
の接触装置として例示した接触塔、4は流量調節
弁、8は流量調節弁を調節するための測定手段を
示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 超純水の流れる主流路と、 主流路の分岐点に一端が接続し、他端は分岐点
よりも下流の合流点で主流路に接続した分岐流路
と、 分岐流路中に設けられて分岐流路中の超純水に
炭酸ガスを溶解する手段と、 主流路の合流点よりも下流で超純水の比抵抗を
測定する手段と、 分岐流路中に設けられ、上記測定手段により分
岐流路中を流れる超純水の流量を調節する流量調
節弁と を有することを特徴とする超純水の比抵抗制御装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4057483A JPS59166285A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 超純水の比抵抗制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4057483A JPS59166285A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 超純水の比抵抗制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59166285A JPS59166285A (ja) | 1984-09-19 |
JPS632231B2 true JPS632231B2 (ja) | 1988-01-18 |
Family
ID=12584248
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4057483A Granted JPS59166285A (ja) | 1983-03-14 | 1983-03-14 | 超純水の比抵抗制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59166285A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011245425A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Disco Corp | 混合装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60876A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-01-05 | Nomura Micro Sci Kk | ウェ−ハの洗浄などに使用する比抵抗の低い超純水の製法並びにその装置 |
JPH0767554B2 (ja) * | 1986-07-02 | 1995-07-26 | 野村マイクロ・サイエンス株式会社 | 超純水の比抵抗制御方法及び装置 |
JPS6320085A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-27 | Toray Ind Inc | 精製水製造装置 |
JPH10324502A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-08 | Dainippon Ink & Chem Inc | 超純水の炭酸ガス付加装置及び付加方法 |
JP4786955B2 (ja) * | 2005-07-21 | 2011-10-05 | 日本碍子株式会社 | 機能水生成装置及びそれを用いた機能水生成方法 |
-
1983
- 1983-03-14 JP JP4057483A patent/JPS59166285A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011245425A (ja) * | 2010-05-27 | 2011-12-08 | Disco Corp | 混合装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59166285A (ja) | 1984-09-19 |
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