JPS63216298A - プラズマ発生処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、マイクロ波発生器、ガス室、部分的に電子
サイクロトロン共振を発生させるマグネットシステム、
及び室内で被覆される基盤を備えたプラズマ発生、処理
装置に関するものである。

ある対称物に、純粋な物質の薄い被膜を形成させるのと
が、多くの分野で必要である。例えば、窓硝子に太陽光
線の特定波長のフィルタとして、薄い金属又は金属酸化
物が被覆されている。半導体では、基盤上に１又は数種
の物質の薄い被膜が形成されている。薄い被膜は純粋で
あるばかりでなく、被膜厚が正しく、また化合物を被覆
する場合にはその組成に反復性の有ることが必要である
。

これら被膜厚は、一般に、２乃至数千ナノメータである
。

フィルム、硝子その他の基盤に薄い被膜を形成する各種
の方法が知られている。第１の方法は、化学又は電気化
学的デポジット、第２の方法は真空蒸着法である。蒸着
法では、広い面積に所要の厚さの被膜を均一に反復性を
もってすることが困難である。第３の方法として、スパ
ッタリングがある。しかし、スパッタリングはガス相か
らの被覆には適当でない。

ガス相から純粋の物質又は化合物をデポジットさせるに
は、プラズマ状態にされる。プラズマ中のラジカルが基
盤上にデポジットされる。このようなプラズマを発生さ
せるために、各種の電気エネルギが利用される。例えば
、直流、低周波交流、コロナ放電である。マイクロ波に
よるプラズマの発生は、特に好都合である。何故なら、
この場合には、汚染の原因となる電極を必要としない。

また、プラズマはイオン及びラジカルの高い密度を有し
ているので、他の方法による場合に比べ高い圧力に維持
することができる。更に、モノマーの化学構造が少なく
とも部分的には維持される。最後に、マイクロ波プラズ
マは、冷陰極イオン源の確立の好都合である。

通常は、マイクロ波によっては小容量のプラズマしか得
られない。何故なら、例えばアンテナ、導波部及び真空
共振器等の装置が、大容量のプラズマ発生を許さない。

ガスプラズマを発生させるには、電界強度がガスの破壊
電界強度を越えなければならない。破壊電界強度はガス
圧に従って増加するので、高圧で高い電界強度が必要に
なる。

電磁放射により、高い電界強度を有するプラズマ発生装
置が知られている（ＵＳＰ３．８１４．９８３）。

この装置では、電気エネルギをプラズマに供給するのに
遅延線路即ち低いグループ速度（“低波構造°）のマイ
クロ波導体が使用されている。そして、エネルギ源はレ
セプタクルの外に置かれ、電界がレセプタクルの壁を通
るようになっている。

この遅延線路は、長さ９０ＣＭの“半放射”システムで
構成され、退化／２モード又は退化／２モードに近い状
態で動作する。バンドエツジ近く即ち、退化／２モード
又はモードでの動作では、遅延線路近くでの電界強度は
特に強くなる。この理由は、電界強度は波のグループ速
度に半比例し、この速度はバンドエツジ近くでは非常に
小さくなるからである。更に、このシステムでは、電界
強度は遅延線路面に垂直な距離により減少する。この装
置では、大きな容量の均一なプラズマゾーンは得られな
い。従って、基盤の幅方向のデポジット割合いは不均一
になる。更に、応等体中の波と、プラズマ中の波の相互
作用により、プラズマゾーンの輪郭に悪影響を及ぼす。

ポリマーのデポジット割合いを均一にする装置がＵＳＰ
３．８１４．９８３に開示され、更に、第２の伸長遅延
線路を基盤の同じ側に配設した遅延線路が西独特許３１
４７９８６に示されている。

しかし、この“クロス構造”配列では、最強のプラズマ
がマイクロ波が導入されるマイクロ波窓の内側で発生し
、これにより窓に大きな望ましくない被膜が形成される
問題がある。

更に、硝子管が入っている導波部に高周波を導入してプ
ラズマを発生させる装置が、西独公開３１４４０１６に
示されている。プラズマ発生管の周りに、硝子管の軸に
沿って磁界を発生させるコイルがある。高周波の周波数
と、磁束密度Ｂとにより、電子サイクロトロン共振周波
数は、ｅ×Ｂ　／　ｍとなる。この周波数で、高周波の
プラズマ電子への結合が特に強くなる。しかし、僅かな
比較的小さいプラズマゾーンしか得られない。更に、硝
子管は、ガス相からのデポジットにより容易に被覆され
る。

放電室としての真空室を有するマイクロ波プラズマ源が
ＵＳＰ４．４３３．２２８に開示されている。マイクロ
波源は、マイクロ波伝播路を通って、放電室に導かれる
。放電室及びマイクロ波伝播路の外側に、マイクロ波か
ら作られたプラズマを案内する永久磁石が設けられてい
る。しかし、これら永久磁石の磁界は、プラズマ電子の
サイクロトロン共振を処理室の限られた範囲に収める作
用はしない。

他の公知のマイクロ波プラズマ源は、西独公開３１４４
０１６に開示されているものとと殆んど同じであるが、
処理される基盤の後にマグネットコイルを付加したもの
がある。これら公知のプラズマ源の適用は、例えば、ア
ルミニウムを被覆したサーチライト反射板にプラズマ重
合保護被覆をすることである。現在まで、この被覆は、
いわゆるバッチ処理で、直流プラズマを用い、表面の親
水はある場合には、酸素を加えてなされている。

水素を含む５ｉ０２を生成させる目的で、シラン及びＮ
２０をデポジットさせることが知られている。この場合
には、一般的に、高周波プラズマが使用されている。デ
ポジットフィルムの品質を改善するために、シランに対
して極めて高い流量割合い、例えば２０：１〜１００：
１のＮ２０が必要となる。典型的なデポジット割合いは
１０ｎｍ／中ｉｎである。

本発明の目的は、一方では、均一な、大きな容量のプラ
ズマを発生させ、他方ではプラズマをマイクロ波窓から
離すことができる装置を提供する。

ことである。

この目′的は、特許請求の範囲第１項の特徴部分の記載
により達成される。

この発明による効果は、大きな面積の均一なプラズマを
発生させることができることである。他の効果は、入り
口窓にデポジットが形成されないことである。これらの
効果は、マグネットシステムにより得られる磁界が充分
に大きく、少なくともある面積において、いわゆる電子
サイクロトロン共振が得られることによる。電子サイク
ロトロン共振が起こる領域でのプラズマ発生に必要な電
界強度が、磁界フリーの領域におけるよりも相当に小さ
いことを利用している。電子サイクロトロン共振を起こ
すに充分な磁界の場所を限定することにより、対応した
プラズマ発生場所を限定することができる。更に、本発
明による装置は、連続的に直進する基盤の被覆に好適で
ある。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面により説明する。

第１図は、本発明の第１の実施例の説明図である。接続
管２を介して真空にされるハウジング１中に、直進する
被覆さるべき基盤３が配されている。被覆は、入り口管
４から供給され、イオン化されたガスによってなされる
。室５は、金属壁６．７．１２及び１３を有している。

側壁６．７には、マイクロ波の透過及び室５のガス交換
ができる網８．９が設けられている。また、室５には、
パドル車の形をした金属の回転反射器１０が設けられて
いる。基盤支持体３の後には、境界壁１２．１３の間に
位置してマグネットシステム１１が配設されている。マ
グネットシステム１１の反対側に、好ましくは石英硝子
であるマイクロ波窓１４があり、ホーン１５からのマイ
クロ波が室５に入るようになっている。このホーン１５
はマイクロ波の導波部１６に接続され、この導波部は図
示しないマイクロ波伝播器に接続されている。マイクロ
波窓１４の直前のマイクロ波パワーは、窓部でプラズマ
の自然発生が生じない程度の強さになっている。

フランジ２２に接続されたホーン１５の中に、金属回転
反射器１７が配設され、また反射器の反対側にフィール
ド分布を制御する金属、誘電ロッド１８が配設されてい
る。ハウジング１の両端部は、圧力室１９．２０により
シールされ、この室は基盤支持体３のシールの作用をす
る。

ホーン１５からのローブ状のマイクロ波が、金属壁によ
り形成された室５に投入され、壁６．７．１２及び１３
並びに基盤支持体３に繰返して反射される。こうして、
プラズマによりる波の吸収を無視すれば、室５中に異な
った位置に節、波頭を有する多くの定常波が発生する。

数多くの定常波は、マルチモードシステムとなる。多く
の振動の重なりにより、ホーン１５から放射されたロー
ブに比べ均一になる。波、モードの付加的混合が、撹拌
器としての金属回転反射器１０．１７によってなされる
。

本発明の本質は、例えば第１図に示す、基盤支持体３の
後に配設されたマグネットシステムにある。こりマグネ
ットシステムにより、電子サイクロトロン共振が発生す
る。マイクロ波によりイオン化されたガス粒子は、ロー
レンツの力により、磁力線にそって曲がった路に引かれ
る。均質磁界中の荷電粒子の回転周波数は、速度が極端
に大きくなければ、曲率に無関係であり、粒子の荷電比
及び磁束密度に関係する。かくて、サイクロトロン共振
周波数は、 ここで、ｆは粒子の回転周波数、ｅＯは粒子の電荷、ｍ
は粒子の質量、またＢは磁束密度である。

ホーン１５からのマイクロ波の周波数が２．４５ＧＨ２
の場合、電子サイクロトロン共振を得るためには、磁束
密度Ｂ−０，０８８Ｖｓ／７Ｉｉ−８００ガウスが必要
になる。かかる条件をプラズマ室５に生じさせるには、
マグネットシステムの磁力線周りの電子の回転周波数は
マイクロ波の励磁周波数になる。マイクロ波の電界の正
負半波は、電子の周りに位置して、常に加速される。こ
うして、サイクロトロン技術で知られているように、電
子が残留ガス粒子と衝突しないように注意すれば、電子
を非常に大きなエネルギに加速することができる。

この発明では、電子がガス粒子と衝突することを防ぐの
が目的ではなく、逆に、衝突はラジカル及びイオンを生
じさせる面で望ましい。しかし、頬繁に衝突が起こると
、サイクロトロン共振は得られない。何故なら、衝突が
起こる前に、少なくとも電子の完全な１回転が必要であ
るからである。

この最低１回転は、ガス圧が低いときに得られる。経験
的に、最良の結果は、ガス圧が１０−３ｍｂａｒの範囲
で得られる。

２．４５ＧＨｚのマイクロ波で、サイクロトロン共振に
必要な磁束密度は前述のように、０．０８８テスラであ
る。かかる磁束密度を得るのに適した永久磁石は、Ｃ０
８ｍ又はＮｄ−Ｆｅ−Ｂ磁石であることが明らかになっ
た。かかる磁石を第１図に示すマグネットシステムで使
用した場合、実線で示すサイクロトロン共振２１が得ら
れた。プラズマはこの領域で発生し、窓１４上にデポジ
ットを生じさせるようなプラズマは発生しない。それ故
、この発明では、プラズマを所望の位置即ち基盤支持体
３の所に位置させることができる。

しかし、大きな基盤に被覆するような場合には、不適当
である。何故なら、サイクロトロン共振２１は磁極から
約２０ＪＩＪ１以上離れては発生しないからである。

これに打ち勝つ１つの装置が第２図に示されている。こ
れでは、プラズマは基盤３の前に発生する。それ故、３
次元基盤に被覆することができる。

これでは、２つのマグネットシステム２４．２５が、ホ
ーン１５の軸線に対し鏡対称に配設されている。そして
、プラズマ発生ゾーンとしてのサイクロトロン共振領域
２６．２７が形成される。第１図に示す２つの境界壁１
２．１３は、第２図に示す１つの境界壁２３に置き変え
られる。

第３図は、第１図の■−■線に沿う断面図である。ホー
ン１５に、複数のロッド１８が異なった深さにねじ込ま
れている。これらのロッドによりマイクロ波フィールド
が制御される。マイクロ波撹拌器１０の横に、網９があ
る。基盤支持体３には、プラズマ前面２１が通る開口２
８．２９があけられている。基盤支持体３はループ３０
．３１の上に乗っている。

第４ａ図〜第４ｅ図に、マグネットシステム１１に好適
な各種の永久磁石配列が示されている。

第４ａ図に、ヨーク３３に２つのレグを結合したＵ形の
永久磁石３２が示されている。サイクロトロン共振が２
１で示されている。破線３６．３７は磁力線を示し、こ
の上ではサイクロトロン共振は起こっていない。レグ３
４．３５は棒磁石で、磁極の位置はレグ３４と３５とで
逆になりでいる。磁界は、デポジット層の厚さを長さ方
向で平均化する作用をする。これは、マグネトロン技術
で知られている、電子のドリフトによるものと思われる
。スパッタリングマグネトロンで知られに垂直な一定の
Ｅ界が無いからである。しかし、サイクロトロン共振面
の上下のＢ界の減少による磁界の長さ方向ドリフトを推
定することは出来る。

３図に示すように基盤支持体がマグネットシステムに面
する部分にスロットを有する場合は、磁界発生装置を覆
う基盤支持体前面にプラズマバーンをもたらす。

永久磁石の他の配列が第４ｂ図に示されている。

これでは、棒磁石３８．３９及び４０が、磁極の向きを
交互に逆にして共通のヨーク４１上に配設されている。

こうして、２つの小さな共振アーク４２．４３が並んで
生ずるので、サイクロトロン共振ゾーンを平滑化するこ
とができる。外側の２つの棒磁石３８と４０とは、レグ
４４．４５により結合されている。この配列は、“レー
ス・トラック”配列と呼ばれている。

第４Ｃ図に、２つのサイクロトロン共振領域４７．４８
を形成する棒磁石４６が示されている。

両極間め距離は、長さに比べ短くなっている。一般的に
、０．０８８テスラの大きな面積が望まれる。しかし、
これには、通常のマグネトロン磁界に対し必要な磁石質
量の約３倍の磁石質量が必要になる。

第４ｄ図に、磁石のいわゆる“マトリックス”配列が示
されている。９つの永久磁石４８〜５６が磁極の向きを
交互に変えて、等間隔に配列されている。

第４ｅ図に、第４ａ図とに類似した永久磁石が示されて
いる。しかし、この場合には、棒磁石５７．５８のそれ
ぞれの磁極間でサイクロトロン共振６０．６１を形成す
るように、棒磁石がヨーク５９に接続されている。これ
は、例えばスパッタリングマグネトロン用に使用される
。

共振を発生させる機能に加えて、磁界は、通常のマグネ
ット回路におけるように、マグネットトラップしとして
機能する。即ち、プラズマは磁界領域に集中される。

第５図に導波部１６が、２つの導波部６２．６３に分割
された装置が示されている。各導波部６２．６３に、そ
れぞれホーン６４．６５が接続されている。２つのホー
ンからの波は、１つのホーンからの波に比べて、均一に
なる。

第６図に、本発明により、可撓性材料に被覆する状態が
示されている。これでは、マイクロ波の投入は略されて
いる。マグネットシステム１１と、ローラ６８．６９に
より案内される可撓性材料６７のガイドローラの一部が
示されている。ローラ６６は、円７０の円周上にある。

第７図に、本発明で使用されるマイクロ波伝播システム
が示されている。マイクロ波発生器７１に、サーキュレ
ータ７２、及び３極チユーナ７３が接続され、ホーン７
４に達している。反射力を測定する装置７５がサーキュ
レータに接続されている。この装置は、ダイオードで示
されている。

３極チユーナ７３とホーン７４との間に、フォワードパ
ワーを測定する測定器７６が接続されている。この測定
器７６も簡単にダイオードで示されてる。

マイクロ波パワーは、ホローコンダクタから投入される
。この場合、マイクロ波パワーの一部は一端からでる。

しかし、急激な変位部により、マイクロ波出力。

の一部の反射がホローコンダクタに入る。殆んどの放射
は、ホローコンダクタのホーンに向うフレアによる滑ら
かな変位部によりなされる。この場合、放射パワーの５
〜１０％の反射は許容される。

第１図、第２図及び第３図に大略が示されている形状で
充分である。

第８ａ図及び第８ｂ図では、シールド７７．７８．７９
．８０及び８１が付加されている。第８ｂ図では、イオ
ンサポーテドデポジットが形成される。また第８ａ図で
は、そのデポジットが同時イオンボンバード無しでなさ
れる。マグネットシステムは、前記の図のマグネットシ
ステムの場合も、カバー８２を備えている。電子サイク
ロトロン共振周波数の範囲内で、衝突の間に電子が充分
に回転したときは、電子は高い運動エネルギを得ること
になる。第１図及び第３図に示す例の場合には、磁界は
磁力線方向に抵抗を与えないので、磁力線が通る基盤部
は対応する電子ボンバードにさらされる。こうして、い
わゆる“セルフ・バイアス１という負の電荷により、こ
の部に正のイオンによる対応したボンバードが生ずる。

このイオンボンバードはシールドにより制御される。

この発明の図面に示された実施例は、色々に変形できる
。例えば、マイクロ波窓１４面の基盤面に対する位置は
、第１図ないし第３図に示す平行に限定されない。室５
内がマルチモードの場合には、マイクロ波窓１４を所望
の位置に持っていくことができる。重要なことは、処理
さるべき基盤と電子サイクロトロン共振領域との相対関
係である。

電極面は、第４ａ、ｂｓ　ｃｓ　ｄ及び０図に示すよう
に、同一面にある必要は無い。更に、全てのＮ極を第１
の面に、また全てのＳ極を異なる＊２の面にずらせて設
けけてもよい。またＮ極とＳ極との間隔を変えてもよい
。

この発明は、Ｘが１〜２の間にある可視光線に対し透明
な５ｉ０２保護被覆をするのに特に好適であることが明
らかになった。ガス状のハイドロ、　　ジエンシリサイ
ドは、プラズマ放電中に酸素又は酸素化合物を供給する
ことにより分解され、形成された５ｉＯ）（が基盤面に
デポジットする。

また、シリコンハイドロカーボン類のガス状モノマーを
プラズマ放電中に入れてもよい。

マイクロ波プラズマ中でのプラズマ重合により、良好な
保護被膜を高いデポジット割合いでデポジットできるこ
とが明らかになった。この方法で、例えばアルミニウム
被覆及び耐食被覆を有するサーチライト反射板を作るこ
とができる。２つの被覆を１台の機械で行う場合、始め
にスパッタリングによりアルミニウムを被覆し、次に上
記プラズマ重合により保護被膜をデポジットする。

マイクロ波プラズマ中で、シランと英気ガス（Ｎ２０）
とから水素を含む２酸化珪素をデポジットさせるに際し
、本発明による保護被膜と従来のプラズマ重合にる被膜
との透過性に付いて定量比較測定をした。テストガスと
して酸素を用いた。

本発明による被膜は、酸素の透過性について、従来法に
よる同じ厚さの被膜に対し、４０倍小さがった。

本発明では、Ｎ２０ニジランの割合いが〉２程度でも、
ち密な被膜を得ることができた。即ち、従来法の場合の
ような多量のＮ２０を必要としない。多量のＮ２０を流
すには容量の大きいポンプを必要とし、またこのＮ２ｏ
はデポジット割合いの増加には同等寄与しないものであ
る。本発明によるＮ２０の必要流量は、従来法の流量の
約１０〜５０倍小さい。更に、本発明によるデポジット
割合いは約１０ｎｍ／ｓで、従来法のデポジット割合い
の少なくとも５０倍以上である。

［具体例］ マイクロ波プラズマ被覆装置を、まず残留ガス圧力く１
・１０−４に減圧する。それから、シランガス（Ｓ　ｉ
　Ｈ４）をシラン分圧が２・１０−３ｍ　ｂ　ａ　ｒに
なるように投入する。ついで、英気ガス（Ｎ２０）を全
圧が６・１０−３ｍｂａｒになるまで投入する。それか
ら、マイクロ波パワーを、マイクロ波に対し透明な窓か
ら投入する。この場合のパワー密度は、約３Ｗ／ｄ　（
窓面積）である。

装置内の磁界でプラズマが発生する。

基盤支持体に取り付けられたアルミニウム被覆がされた
サーチライト反射板が、各点がプラズマ中に５秒間ある
ような速度でプラズマゾーンを通過させる。こうして、
反射板上に平均厚さ４０ｎｍの被膜がデポジットされる
。これは、８ｎｍ／Ｓのデポジット割合いに相当する。

この被膜を光電子分光器で検査した所、Ｓｉ　ｓｏは約
１：１．１８で良い割合いになっていた。

これを０．２％ＮａＯＨ溶液中に入れ、アルミニウムが
溶は出すまでの時間を測定した。その結果は、３時間以
上であった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例の説明図、第２図は第２
の実施例の説明図、第３図は第１図の断面図、第４ａ図
〜第４ｅ図は永久磁石の各種配列の説明図、第５図はマ
イクロ波分配器の説明図、ｍ６図はスプールに巻回され
る被覆材の配列を示す説明図、第７図はマイクロ波伝播
器の説明図、第８ａ図及び第８ｂ図は永久磁石と被覆さ
るべき基盤の配設状態を示す説明図である。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 、＋　ＩＩＩ ）４　　ココ ＦＩＧ、８ａ ＦＩＧ、８ｂ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、マイクロ波発生器、ガス室、部分的に電子サイクロ
   トロン共振を発生させるマグネットシステム、及び室内
   で被覆される基盤を備えたプラズマ発生、処理装置にお
   いて、室（５）が金属壁（６、７、１２、１３）で形成
   され、マイクロ波の入り口窓（１４）を有しており、且
   つ電子サイクロトロン共振を発生させるマグネットシス
   テム（１１）の磁界（２１）が、基盤から所定の距離で
   、室内の選択された位置に自由に位置されるようになっ
   ているプラズマ発生、処理装置。 ２、基盤がマグネットシステム（１１）に対し可動にな
   っている特許請求の範囲第１項に記載の装置。 ３、入り口窓（１４）が石英ガラスである特許請求の範
   囲第１項に記載の装置。 ４、入り口窓（１４）が、マイクロ波導波部（１６）に
   接続されたホーン（１５）に接続され、上記マイクロ波
   導波部はマイクロ波発生器（７１）に接続されている特
   許請求の範囲第１項に記載の装置。 ５、被覆さるべき基盤（３）が、室（５）の後壁（１２
   、１３）の前に配設されている特許請求の範囲第１項に
   記載の装置。 ６、マグネットシステム（１１）が、被覆さるべき基盤
   （３）の入り口窓（１４）から離れている側に配設され
   、電子サイクロトロン共振が基盤（３）の前面でなされ
   る特許請求の範囲第１項に記載の装置。 ７、マグネットシステム（２４、２５）が入り口窓（１
   ４）と被覆さるべき基盤（３）との間に配設されている
   特許請求の範囲第１項に記載の装置。 ８、マグネットシステム（２４、２５）が、被覆さるべ
   き基盤（３）に垂直な面に対して鏡対称に配設されてい
   る特許請求の範囲第７項に記載の装置。 ９、２つのマグネットシステム（２４、２５）の法線が
   角をなしている特許請求の範囲第８項に記載の装置。 １０、室（５）はガス交換のための網開口（８、９）を
   有している特許請求の範囲第１項に記載の装置。 １１、マグネットシステム（１１；２４、２５）は少な
   くとも１つの永久磁石を含んでいる特許請求の範囲第１
   項に記載の装置。 １２、室（５）は少なくとも１つの撹拌器（１０）を含
   んでいる特許請求の範囲第１項に記載の装置。 １３、電子サイクロトロン共振が発生する領域は、マグ
   ネットシステム（１１、２４、２５）の磁極面の前で少
   なくとも１０ｍｍに位置している特許請求の範囲第１項
   に記載の装置。 １４、室（５）は少なくとも１つのスガス供給管（４）
   を有している特許請求の範囲第１項に記載の装置。 １５、ホーン（１５）内に少なくとも１のマイクロ波撹
   拌器（１７）が設けられている特許請求の範囲第４項に
   記載の装置。 １６、マイクロ波撹拌器（１０、１７）は、軸の回りを
   回転するパドル車で、各パドルは金属表面を有している
   特許請求の範囲第１２項又は第１５項に記載の装置。 １７、金属壁（６、７、１２、１３）で形成される室（
   ５）が、真空ケーシング（１）内に位置している特許請
   求の範囲第１項に記載の装置。 １８、真空ケーシング（１）は、例えば外側から供給さ
   れる帯状基盤（３）の入り口開口と、これら開口部に設
   けられたシール手段とを有している特許請求の範囲第１
   ７項に記載の装置。 １９、ホーン（１５）の少なくとも１つの壁には、マイ
   クロ波の空間分布を調整する装置（１８）が設けられて
   いる特許請求の範囲第４項に記載の装置。 ２０、装置（１８）は、導電体からなるホーン（１５）
   の壁にネジ込まれる複数の金属ロッドで構成されている
   特許請求の範囲第１９項に記載の装置。 ２１、基盤支持体（３）は、開口（２８、２９）を有し
   ており、これら開口から電子マイクロ波共振の前面（２
   １）がマグネットシステム（１１）に到達できるような
   になっている特許請求の範囲第１項に記載の装置。 ２２、永久マグネットシステム（３２）は、２つのレグ
   （３４、３５）とヨーク（３３）とから構成され、一方
   のレグ（３４）はＳ極で、また他方のレグ（３５）はＮ
   極でヨーク（３３）に当接している特許請求の範囲第１
   １項に記載の装置。 ２３、永久マグネットシステムは３つのレグ（３８、３
   ９、４０）を有し、外側レグ（３８、４０）は横部材（
   ４４、４５）で接続され、中レグ（３９）を囲んでいる
   特許請求の範囲第１１項に記載の装置。 ２４、永久マグネットシステムは等間隔に配設されたｎ
   個の個別の磁石（４８〜５６）を含み、隣接する個別の
   磁石の磁極端の極性が互いに異なっている特許請求の範
   囲第１１項に記載の装置。 ２５、入り口窓が、マイクロ波がディバイダ（６２、６
   ３）介して供給されるｎ個のホーン（６４、６５）に接
   続されている特許請求の範囲第１項に記載の装置。 ２６、マイクロ波発生器は、サーキュレータ（７２）及
   びチューナ（７３）を介してホーン（７４）に接続され
   るマイクロ波伝播器（７１）を有している特許請求の範
   囲第１項に記載の装置。 ２７、マイクロ波伝播器（７１）とホーン （７４）との間に、反射パワー測定用の測定器（７５）
   及びフォワードパワー測定用の測定器（７６）が設けら
   れいている特許請求の範囲第２６項に記載の装置。 ２８、個別の磁石（４８〜５６）の出力磁極面は、高さ
   方向にも、横方向にも可変になっている特許請求の範囲
   第１１項、第２２項、第２３項又は第２４項のいずれか
   に記載の装置。 ２９、基盤（３）に磁力線が入る部分にシールド（７７
   、７８）が設けらるている特許請求の範囲第６項に記載
   の装置。 ３０、基盤（３）がシールド（７９、８０、８１）で覆
   われ、その中で電子サイクロトロン共振が起こる磁界領
   域はシールドの外にあり、磁界が基盤を通る領域はオー
   プンになっている特許請求の範囲第６項に記載の装置。 ３１、可撓性材料（６７）に被覆するためのロール（６
   ６）の少なくとも一部が室（５）内にあり、マグネット
   システム（１１）は、電子サイクロトロン共振が領域が
   ロール（６６）の外側で、且つ基盤とロールの接触する
   部の上にあるように配設されている特許請求の範囲第１
   項に記載の装置。 ３２、ガス圧が１×１０＾−＾４と１×１０＾−＾２ｍ
   ｂａｒの間にある特許請求の範囲第１項に記載の装置。 ３３、特許請求の範囲第１項〜第３２項に記載の少なく
   とも１つの装置を用い、ガス状ハイドロジエンシリサイ
   ドを、酸素又は酸素を含む化合物を供給してプラズマ放
   電中で分解させ、ｘが１〜２である可視光線に透明なＳ
   ｉＯ＿ｘを基盤上に蒸着させて保護被膜を形成する装置
   の使用方法。 ３４、シリコンハイドロカーボングルーブのガス状モノ
   マーをプラズマ放電中に入れる特許請求の範囲第３３項
   に記載の使用方法。