JP3124288B2 - マイクロ波により生成され、ガス支援下のプラズマ中での基板処理装置 - Google Patents
マイクロ波により生成され、ガス支援下のプラズマ中での基板処理装置Info
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
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- H01J37/3222—Antennas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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Description
【発明の詳細な説明】 従来の技術 DE−OS2625448から、例えば光学的反射器、有利には
アルミニウム蒸着前照灯反射器を、プラズマポリマー層
により腐食から保護することが公知である。そのために
反射器は真空槽で、有機化合物、有利には有機珪素物質
のモノマー蒸気に曝され、保護層が重合により蒸気相か
ら、タングステン白熱フィラメントを使用した非自続型
グロー放電からのビームを用いて析出される。この手段
により得られる析出率は、高められた復水耐久性に対し
て必要な最小層厚を得るにはしばしば十分でない。さら
に、最小層厚が析出されるようにするだけでなく、所定
の露出個所、例えば反射器の平坦表面において最大層厚
を越えることがないように注意すべきである。約70nmの
限界層厚からは通常、障害となる干渉色の形成が生じ得
る。というのは青光の破壊的干渉に対する位相条件が満
たされるからである（保護層の屈折率 ｎ≒1.5）。従
って反射器は品質要求を満たすことができない。そのた
め、比較的に大きい保護層厚、例えば前表面の平坦個所
と、最小厚、例えばランプ頸部領域との関係は、深絞り
された反射器の場合でも最大で約2.8:1を越えてはなら
ない。それ以外には、数百時間にわたる所要の復水耐久
性を多色の干渉色による光学的損失なしには達成するこ
とができない。
アルミニウム蒸着前照灯反射器を、プラズマポリマー層
により腐食から保護することが公知である。そのために
反射器は真空槽で、有機化合物、有利には有機珪素物質
のモノマー蒸気に曝され、保護層が重合により蒸気相か
ら、タングステン白熱フィラメントを使用した非自続型
グロー放電からのビームを用いて析出される。この手段
により得られる析出率は、高められた復水耐久性に対し
て必要な最小層厚を得るにはしばしば十分でない。さら
に、最小層厚が析出されるようにするだけでなく、所定
の露出個所、例えば反射器の平坦表面において最大層厚
を越えることがないように注意すべきである。約70nmの
限界層厚からは通常、障害となる干渉色の形成が生じ得
る。というのは青光の破壊的干渉に対する位相条件が満
たされるからである（保護層の屈折率 ｎ≒1.5）。従
って反射器は品質要求を満たすことができない。そのた
め、比較的に大きい保護層厚、例えば前表面の平坦個所
と、最小厚、例えばランプ頸部領域との関係は、深絞り
された反射器の場合でも最大で約2.8:1を越えてはなら
ない。それ以外には、数百時間にわたる所要の復水耐久
性を多色の干渉色による光学的損失なしには達成するこ
とができない。
この条件は前記の手段（タングステン白熱フィラメン
ト−非自続型グロー放電）によってはしばしば満たすこ
とができない。多くの場合に許容されない層厚分布が生
じる原因は、層の経済的な析出に必要なプロセス圧が比
較的に高いことにある。このプロセス圧は10-3〜10-2mb
arのオーダにあり、この圧力の場合、反応種の自由行程
長が被覆すべき反射器の深さ寸法よりも小さい。この手
段の別の欠点は、タングステン白熱フィラメントを消費
するためコストが比較的高いことである。
ト−非自続型グロー放電）によってはしばしば満たすこ
とができない。多くの場合に許容されない層厚分布が生
じる原因は、層の経済的な析出に必要なプロセス圧が比
較的に高いことにある。このプロセス圧は10-3〜10-2mb
arのオーダにあり、この圧力の場合、反応種の自由行程
長が被覆すべき反射器の深さ寸法よりも小さい。この手
段の別の欠点は、タングステン白熱フィラメントを消費
するためコストが比較的高いことである。
刊行物から、特に作用効率の高いプラズマ形成法が公
知である。この手段では基本的に約10-5mbarまでの圧力
低減が許容される。これには、励起周波数がGHz領域の
電子サイクロトロン共振プラズマ発生法（ECR）が含ま
れる。反応種の自由行程長はこのようにプロセス圧が低
い場合、被覆すべき部材の深さ寸法よりも格段に大き
い。そのため、反射器の保護層分布の驚異的な改善が期
待される。
知である。この手段では基本的に約10-5mbarまでの圧力
低減が許容される。これには、励起周波数がGHz領域の
電子サイクロトロン共振プラズマ発生法（ECR）が含ま
れる。反応種の自由行程長はこのようにプロセス圧が低
い場合、被覆すべき部材の深さ寸法よりも格段に大き
い。そのため、反射器の保護層分布の驚異的な改善が期
待される。
DE−OS3705666から、プラズマを形成し、その中の基
板を処理するための装置が公知である。マイクロ波によ
り生成されたプラズマは、基板を被覆するために用いら
れる。基板は排気可能なケーシング内に存在する。被覆
すべき物質の近傍に設けられた永久磁石によって、ケー
シング内に電子サイクロトロン共振を形成することが可
能である。この共振によりプラズマを場所的に目標とす
る個所で点弧することが可能である（DE−OS3705666に
は電子サイクロトロン共振の基本が詳細に取り扱われて
いるので、ここでは述べない）。マイクロ波を入力結合
するために、ケーシングの側壁には、ケーシングの縦方
向に延在する大きな方形の窓が設けられている。この窓
は石英ガラス板によって気密に閉鎖されている。そのた
めケーシングはそのほぼ全長にわたって分割されねばな
らない。窓の後方には、被覆すべき基板に対して非常に
小さな間隔で、その個所にECRプラズマを形成するため
にそれ自体閉鎖された磁石構造体が設けられている。こ
の装置はきわだった３次元の対象物を被覆するのにも適
する。
板を処理するための装置が公知である。マイクロ波によ
り生成されたプラズマは、基板を被覆するために用いら
れる。基板は排気可能なケーシング内に存在する。被覆
すべき物質の近傍に設けられた永久磁石によって、ケー
シング内に電子サイクロトロン共振を形成することが可
能である。この共振によりプラズマを場所的に目標とす
る個所で点弧することが可能である（DE−OS3705666に
は電子サイクロトロン共振の基本が詳細に取り扱われて
いるので、ここでは述べない）。マイクロ波を入力結合
するために、ケーシングの側壁には、ケーシングの縦方
向に延在する大きな方形の窓が設けられている。この窓
は石英ガラス板によって気密に閉鎖されている。そのた
めケーシングはそのほぼ全長にわたって分割されねばな
らない。窓の後方には、被覆すべき基板に対して非常に
小さな間隔で、その個所にECRプラズマを形成するため
にそれ自体閉鎖された磁石構造体が設けられている。こ
の装置はきわだった３次元の対象物を被覆するのにも適
する。
発明の利点 請求項１の特徴部分の構成を有する本発明の装置はこ
れに対し、槽がマイクロ波窓として用いられる割れ目に
よって顕著な弱体化を受けないという利点を有する。な
ぜなら窓を比較的小さく保持することができるからであ
る。本発明により例えば、マイクロ波窓を既に存在して
いる鐘に後から容易に組み込むことができる。マイクロ
波送出器により形成されたマイクロ波エネルギはマイク
ロ波アンテナにより鐘内で分配される。鐘は内部で石英
ガラス等により覆われた窓に続いている。この構成によ
り鐘内に存在する空間を被覆すべき物質を収容するため
に最適に利用することができる。これは例えば、公知の
ようにドラム状の装填キャリッジの遊星かごに挿入され
る物質に対してもあてはまる。遊星かごは扉をとおって
鐘内に搬入される。この場合被覆源は、被覆さるべき基
板から比較的大きな間隔を置いて配置される。このこと
は深絞りされた基板上での有利な層厚分布に対して同様
に利点である。さらに被覆は大きな立体角内で実行する
ことができる。このことにより装填毎に必要な被覆時間
が同じプロセス圧の下で著しく短縮される。
れに対し、槽がマイクロ波窓として用いられる割れ目に
よって顕著な弱体化を受けないという利点を有する。な
ぜなら窓を比較的小さく保持することができるからであ
る。本発明により例えば、マイクロ波窓を既に存在して
いる鐘に後から容易に組み込むことができる。マイクロ
波送出器により形成されたマイクロ波エネルギはマイク
ロ波アンテナにより鐘内で分配される。鐘は内部で石英
ガラス等により覆われた窓に続いている。この構成によ
り鐘内に存在する空間を被覆すべき物質を収容するため
に最適に利用することができる。これは例えば、公知の
ようにドラム状の装填キャリッジの遊星かごに挿入され
る物質に対してもあてはまる。遊星かごは扉をとおって
鐘内に搬入される。この場合被覆源は、被覆さるべき基
板から比較的大きな間隔を置いて配置される。このこと
は深絞りされた基板上での有利な層厚分布に対して同様
に利点である。さらに被覆は大きな立体角内で実行する
ことができる。このことにより装填毎に必要な被覆時間
が同じプロセス圧の下で著しく短縮される。
従属請求項に記載された手段により請求項１に記載の
装置の有利な実施例および発展形態が可能である。特に
有利には、鐘の内部で窓に続くマイクロ波アンテナを中
空導波体として構成する。中空導波体はスペースを節約
するように真空鐘の縦軸方向に延在する。
装置の有利な実施例および発展形態が可能である。特に
有利には、鐘の内部で窓に続くマイクロ波アンテナを中
空導波体として構成する。中空導波体はスペースを節約
するように真空鐘の縦軸方向に延在する。
真空窓におけるマイクロ波出力密度を低減するため
に、その個所においてマイクロ波導波体の横断面を変形
し、これを拡大した横断面と結合すると有利である。こ
の中空導波体は同時に、基板が金属蒸気、例えばアルミ
ニウム蒸気のプラズマポリマー被覆に曝されるときに、
真空窓の内側を汚れから保護する。マイクロ波アンテナ
に対して平行に延在するマグネットバンクを使用するこ
とにより、位置的に制限された電子サイクロトロン共振
が可能である。この電子サイクロトロン共振は非常に低
いプロセス圧の際に、真空鐘の全縦軸線にわたってプラ
ズマの特に均質な分布に作用する。このマグネットバン
クは有利には永久磁石から組成され、隣接する磁石列は
交互の極性を有する。
に、その個所においてマイクロ波導波体の横断面を変形
し、これを拡大した横断面と結合すると有利である。こ
の中空導波体は同時に、基板が金属蒸気、例えばアルミ
ニウム蒸気のプラズマポリマー被覆に曝されるときに、
真空窓の内側を汚れから保護する。マイクロ波アンテナ
に対して平行に延在するマグネットバンクを使用するこ
とにより、位置的に制限された電子サイクロトロン共振
が可能である。この電子サイクロトロン共振は非常に低
いプロセス圧の際に、真空鐘の全縦軸線にわたってプラ
ズマの特に均質な分布に作用する。このマグネットバン
クは有利には永久磁石から組成され、隣接する磁石列は
交互の極性を有する。
特に有利には、窓は端面壁の開口部へ続く取外し可能
な覆いに設ける。鐘自体にはこのようにしてマイクロ波
窓のための割れ目がない。覆いは有利には端面壁の中央
に配置する。従い被覆源も鐘の中央または中央付近に、
被覆すべき基板から十分な距離をおいて設けることがで
きる。
な覆いに設ける。鐘自体にはこのようにしてマイクロ波
窓のための割れ目がない。覆いは有利には端面壁の中央
に配置する。従い被覆源も鐘の中央または中央付近に、
被覆すべき基板から十分な距離をおいて設けることがで
きる。
図面 本発明の詳細および別の特徴は図面および以下の説明
から得られる。ここで図面には本発明の実施例が示され
ている。図１は前照灯反射器を処理するための装置を模
式的に縦断面図で示す。図２は図１の装置の横断面を示
す。
から得られる。ここで図面には本発明の実施例が示され
ている。図１は前照灯反射器を処理するための装置を模
式的に縦断面図で示す。図２は図１の装置の横断面を示
す。
実施例の説明 図１には１により真空鐘が示されている。真空鐘は長
く延びた円筒状のケーシング２を有しており、ケーシン
グは正面側でそれぞれ１つの壁３ないし４により閉鎖さ
れている。端面壁４は気密に閉鎖可能な扉として構成さ
れ、扉は開放位置で、処理すべき基板による鐘１への装
填を可能にする。ケーシング２はスリーブ５を介して排
気することができる。スリーブ５は図示しないポンプと
接続されている。基板の被覆はモノマー蒸気を用いて行
う。この蒸気は入口スリーブ６を介してケーシング２に
導入され、そこでイオン化される。モノマーないしモノ
マー混合気は有利には有利には、DE−OS265448に記載さ
れた、シロキサン群およびシラン群からの化学化合物で
ある。
く延びた円筒状のケーシング２を有しており、ケーシン
グは正面側でそれぞれ１つの壁３ないし４により閉鎖さ
れている。端面壁４は気密に閉鎖可能な扉として構成さ
れ、扉は開放位置で、処理すべき基板による鐘１への装
填を可能にする。ケーシング２はスリーブ５を介して排
気することができる。スリーブ５は図示しないポンプと
接続されている。基板の被覆はモノマー蒸気を用いて行
う。この蒸気は入口スリーブ６を介してケーシング２に
導入され、そこでイオン化される。モノマーないしモノ
マー混合気は有利には有利には、DE−OS265448に記載さ
れた、シロキサン群およびシラン群からの化学化合物で
ある。
ケーシング２の他方の端面壁３にはマイクロ波エネル
ギに対する通過窓７が設けられている。この窓は、マイ
クロ波ビームに対して透過性の材料、例えば石英ガラス
製のプレート８により閉鎖されている。窓７は取外し可
能な覆い９に設けられている。覆いはケーシング内部へ
の接近開口部10を閉鎖する。開口部10は実施例では端面
壁３の中央に、窓７は覆い９の中央に配置されている。
ギに対する通過窓７が設けられている。この窓は、マイ
クロ波ビームに対して透過性の材料、例えば石英ガラス
製のプレート８により閉鎖されている。窓７は取外し可
能な覆い９に設けられている。覆いはケーシング内部へ
の接近開口部10を閉鎖する。開口部10は実施例では端面
壁３の中央に、窓７は覆い９の中央に配置されている。
マイクロ波発生器11により形成されたビームはプレー
ト８および窓７をとおりマイクロ波アンテナ12を介して
入力結合される。原則的にマイクロ波アンテナに対して
は多数の実施形態が考えられる。例えば、ホーン型アン
テナ、スリット型アンテナまたは結合ピンを有するアン
テナである。マイクロ波アンテナは図１からわかるよう
に中央に配置された管として構成されている。管はケー
シング２の縦軸線方向に延在している。キャップ状に構
成されたその端部を以て、マイクロ波アンテナ12に覆い
９の内側に片側で固定されている。その際中空導波部材
（13′）は、窓７およびプレート８を完全に覆う。これ
は、プレートに沈殿物が形成されるのを阻止する。沈澱
物は供給されるマイクロ波を反射し、そのため出力に悪
影響を与える。プレートのこのような保護は、被覆すべ
き基板が特に同じ鐘内で金属層、例えばアルミニウム層
により蒸着されるような場合に特に重要であり、例えば
前照灯反射器に対しては必要かつ通常のことである。こ
のような蒸着装置に所属する蒸着ワイヤは図面に14で示
されている。蒸着ワイヤは鐘の外にある電流源と接続さ
れている。蒸着ワイヤ14に対する電流供給線路14aは窓
７およびプレート８の外で覆い９を通して通過案内され
る。
ト８および窓７をとおりマイクロ波アンテナ12を介して
入力結合される。原則的にマイクロ波アンテナに対して
は多数の実施形態が考えられる。例えば、ホーン型アン
テナ、スリット型アンテナまたは結合ピンを有するアン
テナである。マイクロ波アンテナは図１からわかるよう
に中央に配置された管として構成されている。管はケー
シング２の縦軸線方向に延在している。キャップ状に構
成されたその端部を以て、マイクロ波アンテナ12に覆い
９の内側に片側で固定されている。その際中空導波部材
（13′）は、窓７およびプレート８を完全に覆う。これ
は、プレートに沈殿物が形成されるのを阻止する。沈澱
物は供給されるマイクロ波を反射し、そのため出力に悪
影響を与える。プレートのこのような保護は、被覆すべ
き基板が特に同じ鐘内で金属層、例えばアルミニウム層
により蒸着されるような場合に特に重要であり、例えば
前照灯反射器に対しては必要かつ通常のことである。こ
のような蒸着装置に所属する蒸着ワイヤは図面に14で示
されている。蒸着ワイヤは鐘の外にある電流源と接続さ
れている。蒸着ワイヤ14に対する電流供給線路14aは窓
７およびプレート８の外で覆い９を通して通過案内され
る。
マイクロ波アンテナ12に対して平行に、これに対して
僅かな間隔でロッド状のマグネットバンク15が配置され
ている。このマグネットバンクによって、電子サイクロ
トロン共振条件を満たす適切な磁界が形成される。その
際、マイクロ波フィールド内のモノマー分子のイオン化
により形成された電子はロレンツの力のため磁力線を中
心に螺旋状の軌道を強要される。それによりガス分子に
対するイオン化確率が、目標とする低プロセス圧の下で
も高められる。マグネットバンク15は次に説明する装填
キャリッジに固定される。
僅かな間隔でロッド状のマグネットバンク15が配置され
ている。このマグネットバンクによって、電子サイクロ
トロン共振条件を満たす適切な磁界が形成される。その
際、マイクロ波フィールド内のモノマー分子のイオン化
により形成された電子はロレンツの力のため磁力線を中
心に螺旋状の軌道を強要される。それによりガス分子に
対するイオン化確率が、目標とする低プロセス圧の下で
も高められる。マグネットバンク15は次に説明する装填
キャリッジに固定される。
詳細にはマグネットバンクはロッド状の支持体を有
し、この支持体は軟磁性材料からなり、相互に対向する
平行な平面を有している。この平面には実施例では、そ
れぞれ３つの個別磁石列が相互に等間隔で配置されてい
る。それらの磁極端はその極性に関しそれぞれ隣接する
個別磁石列の磁極端と異なる極性を有している。
し、この支持体は軟磁性材料からなり、相互に対向する
平行な平面を有している。この平面には実施例では、そ
れぞれ３つの個別磁石列が相互に等間隔で配置されてい
る。それらの磁極端はその極性に関しそれぞれ隣接する
個別磁石列の磁極端と異なる極性を有している。
ECR条件（マイクロ波周波数ｆ＝2.45GHzの際に磁束密
度Ｂ＝87.5mT）が満たされると、２つのハッチングで示
した領域16にプラズマが点弧される。例えばヘキサメチ
ルダイシロキサンのようなポリマー化できるモノマー
（HMDS（０））が導入されると、これによりグローポリ
マー保護層を析出することができる。
度Ｂ＝87.5mT）が満たされると、２つのハッチングで示
した領域16にプラズマが点弧される。例えばヘキサメチ
ルダイシロキサンのようなポリマー化できるモノマー
（HMDS（０））が導入されると、これによりグローポリ
マー保護層を析出することができる。
従い原則的には、タングステン白熱フィラメントの代
わりに適切なマグネットバンクを真空鐘に組み込むこと
である。これにより加熱および高電圧供給のためにこれ
まで必要であった電気的接触接続が省略される。それ自
体公知のマイクロ波放射要素を介してこの装置へマイク
ロ波エネルギが供給され、従い“潜在的”に存在する。
その際、プロセス圧は、パッシェンの法則に基づき、プ
ラズマ点弧が通常の衝突なだれプロセスを介しては行わ
れないように低く調整する。サイクロトロン共振条件が
満たされるマグネットバンク近傍でのみ、“共振プラズ
マ放電”が行われる。従って装置全長にわたるプラズマ
分布は、実際には非常に実現の困難なマイクロ波フィー
ルド分布により形成されるのではなく、適切な磁界によ
り形成される。プロセス圧に関してこのコンセプトは、
装置を10-3mbarよりも小さな圧力ｐで駆動すべきことを
意味する。予想したとおり、低いプロセス圧により、深
い反射器上のグローポリマー保護層の層厚分布を改善す
ることができる。前平坦面個所とランプ頸部領域との層
厚比に対する指数は2:1以下である。
わりに適切なマグネットバンクを真空鐘に組み込むこと
である。これにより加熱および高電圧供給のためにこれ
まで必要であった電気的接触接続が省略される。それ自
体公知のマイクロ波放射要素を介してこの装置へマイク
ロ波エネルギが供給され、従い“潜在的”に存在する。
その際、プロセス圧は、パッシェンの法則に基づき、プ
ラズマ点弧が通常の衝突なだれプロセスを介しては行わ
れないように低く調整する。サイクロトロン共振条件が
満たされるマグネットバンク近傍でのみ、“共振プラズ
マ放電”が行われる。従って装置全長にわたるプラズマ
分布は、実際には非常に実現の困難なマイクロ波フィー
ルド分布により形成されるのではなく、適切な磁界によ
り形成される。プロセス圧に関してこのコンセプトは、
装置を10-3mbarよりも小さな圧力ｐで駆動すべきことを
意味する。予想したとおり、低いプロセス圧により、深
い反射器上のグローポリマー保護層の層厚分布を改善す
ることができる。前平坦面個所とランプ頸部領域との層
厚比に対する指数は2:1以下である。
被覆すべき物質は例えば前照灯反射器17である。それ
らのそれぞれ複数が公知のように、円筒状輪郭を有する
遊星かご18に挿入される。遊星かごはそれぞれそれぞれ
円形状の中央切欠部19を有する２つのディスク20の間に
回転可能に支承されている。ディスク20は図示されない
フレームに回転可能に設けられている。フレームには相
互に対角線で対向する回転装置21が設けられている。各
回転装置にはケーシング２の内側に設けられたガイドレ
ールが配属されている。このレール上を、部材18と20を
有する装填キャリッジがローラ21により片持ちされてケ
ーシング２内へ装填され、ここから出てくる。
らのそれぞれ複数が公知のように、円筒状輪郭を有する
遊星かご18に挿入される。遊星かごはそれぞれそれぞれ
円形状の中央切欠部19を有する２つのディスク20の間に
回転可能に支承されている。ディスク20は図示されない
フレームに回転可能に設けられている。フレームには相
互に対角線で対向する回転装置21が設けられている。各
回転装置にはケーシング２の内側に設けられたガイドレ
ールが配属されている。このレール上を、部材18と20を
有する装填キャリッジがローラ21により片持ちされてケ
ーシング２内へ装填され、ここから出てくる。
２つのディスクの駆動はシャフト23に座したそれぞれ
１つのローラ（または歯車）24により行われる。ローラ
はディスクの外周に係合する。ディスク20の回転運動に
より篭18の駆動も開始することができる。シャフト23の
駆動はクラッチ26を介してモータシャフト25により行
う。
１つのローラ（または歯車）24により行われる。ローラ
はディスクの外周に係合する。ディスク20の回転運動に
より篭18の駆動も開始することができる。シャフト23の
駆動はクラッチ26を介してモータシャフト25により行
う。
図面からわかるように、装置は被覆源12、15を収容す
るためにいずれにしろ備えられている装填キャリッジ内
部の自由空間を利用する。そのため部材12、15に対して
ケーシング２内の付加的なスペースが必要ない。図２か
らわかるように、被覆源12、15により形成されたプラズ
マ16は約180゜の立体角を網羅する。それにより少なく
とも２列の反射器を同時に被覆することができる。この
ことは被覆時間を明らかに短縮する。付加的な絞り等に
よりアルミニウム蒸気からディスク８を保護することは
省略される。なぜならマイクロ波中空導波体がディスク
を覆っているからである。被覆源の前記の構成により、
既に存在している装置にも問題なくECR法を再装備する
ことができる。
るためにいずれにしろ備えられている装填キャリッジ内
部の自由空間を利用する。そのため部材12、15に対して
ケーシング２内の付加的なスペースが必要ない。図２か
らわかるように、被覆源12、15により形成されたプラズ
マ16は約180゜の立体角を網羅する。それにより少なく
とも２列の反射器を同時に被覆することができる。この
ことは被覆時間を明らかに短縮する。付加的な絞り等に
よりアルミニウム蒸気からディスク８を保護することは
省略される。なぜならマイクロ波中空導波体がディスク
を覆っているからである。被覆源の前記の構成により、
既に存在している装置にも問題なくECR法を再装備する
ことができる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−103089（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−11772（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−156526（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C23C 14/00 - 14/58 H01L 21/205 H05H 1/46
Claims (11)
- 【請求項１】マイクロ波により生成され、ガス支援下の
プラズマ中での基板処理のための装置、例えば光学的反
射器の表面に保護層を被覆する装置であって、 ドラム状に構成され、ガス入口部を有する真空鐘を処理
すべき基板の収容のために有し、 該真空鐘は石英ガラス等により閉鎖された通過窓を、当
該鐘の外部に配置された発生器により形成されたマイク
ロ波エネルギに対して有し、 マイクロ波エネルギは、窓（７）に続くマイクロ波アン
テナ（12）により鐘の内部へ供給される形式の基板処理
装置において、 真空鐘（1,2）にはマイクロ波アンテナ（12）と関連し
て、局所的に電子サイクロトロン共振を形成するための
マグネットバンク（15）が配置されている、 ことを特徴とする、マイクロ波により生成され、ガス支
援下のプラズマ中での基板処理装置。 - 【請求項２】マイクロ波アンテナ（12）は中空導波体
（13）を有し、該中空導波体は真空鐘（１、２）の縦軸
線方向に延在する請求項１記載の装置。 - 【請求項３】マイクロ波アンテナ（12）はその端部を以
て真空鐘（１、２）の内側に取付固定されている請求項
１または２記載の装置。 - 【請求項４】マイクロ波アンテナ（12）は中空導波体部
材（13′）を有し、該中空導波体部材は真空鐘（１、
２）内に形成された窓（７）を内部から覆う請求項１か
ら３までのいずれか１記載の装置。 - 【請求項５】マイクロ波アンテナは、真空鐘（１、２）
の内部に配置され、ロッド状のマグネットバンク（15）
を有し、該マグネットバンクは局所的に電子サイクロト
ロン共振を形成するためのものであり、かつ当該マグネ
ットバンクはマイクロ波アンテナ（12）に対して平行に
延在する請求項１から４までのいずれか１記載の装置。 - 【請求項６】マグネットバンク（15）は永久磁石系から
なり、該永久磁石系は軟磁性材料からなるロッド状の支
持体を有し、該支持体には相互に対抗する２つの平行な
平坦面を備えており、当該平坦面にはそれぞれ個別磁石
列が相互に等間隔で配置されており、該個別磁石列の磁
極端は極性に関しそれぞれ隣接する個別磁石列の磁極端
の極性と異なる請求項５記載の装置。 - 【請求項７】マイクロ波エネルギの鐘（１、２）内部へ
の通過を許容する窓（７）が鐘の端面壁に設けられてい
る請求項１から６までのいずれか１記載の装置。 - 【請求項８】窓（７）は端面壁（３）の中央領域に配置
されている請求項７記載の装置。 - 【請求項９】窓（７）は、端面壁（３）の開口部（10）
を閉鎖し、取外し可能な覆い（９）に設けられている請
求項７または８記載の装置。 - 【請求項１０】真空鐘（１、２）には、少なくとも１つ
の電気的に加熱される蒸着ワイヤ（14）が配置されてお
り、該蒸着ワイヤは被覆すべき物質の一次金属蒸気に対
するものであり、当該ワイヤの電流供給線路（14a）
は、窓（７）を含む鐘の端面壁（３）を通過案内される
請求項１から９までのいずれか１記載の装置。 - 【請求項１１】電流供給線路（14a）に対する通過案内
孔は、窓（７）を有する覆い（９）の内部に設けられて
いる請求項10記載の装置
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4003904A DE4003904A1 (de) | 1990-02-09 | 1990-02-09 | Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem durch mikrowellen erzeugten, gasgestuetzten plasma |
| DE4003904.8 | 1990-02-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05504168A JPH05504168A (ja) | 1993-07-01 |
| JP3124288B2 true JP3124288B2 (ja) | 2001-01-15 |
Family
ID=6399763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03502023A Expired - Lifetime JP3124288B2 (ja) | 1990-02-09 | 1991-01-10 | マイクロ波により生成され、ガス支援下のプラズマ中での基板処理装置 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5324362A (ja) |
| EP (1) | EP0514384B1 (ja) |
| JP (1) | JP3124288B2 (ja) |
| KR (1) | KR100204196B1 (ja) |
| CZ (1) | CZ279621B6 (ja) |
| DE (2) | DE4003904A1 (ja) |
| ES (1) | ES2076515T3 (ja) |
| RU (1) | RU2074534C1 (ja) |
| WO (1) | WO1991012353A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4039352A1 (de) * | 1990-12-10 | 1992-06-11 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von schichten auf oberflaechen von werkstoffen |
| DE4203632C2 (de) * | 1992-02-08 | 2003-01-23 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vakuumbeschichtungsanlage |
| FR2693619B1 (fr) * | 1992-07-08 | 1994-10-07 | Valeo Vision | Dispositif pour le dépôt de polymère par l'intermédiaire d'un plasma excité par micro-ondes. |
| FR2693620B1 (fr) * | 1992-07-09 | 1994-10-07 | Valeo Vision | Appareil pour le dépôt d'un polymère par l'intermédiaire d'un plasma excité par micro-ondes. |
| DE4310258A1 (de) * | 1993-03-30 | 1994-10-06 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zur Herstellung einer Plasmapolymerschutzschicht auf Werkstücken, insbesondere Scheinwerferreflektoren |
| US5472509A (en) * | 1993-11-30 | 1995-12-05 | Neomecs Incorporated | Gas plasma apparatus with movable film liners |
| US5641359A (en) * | 1996-02-08 | 1997-06-24 | Applied Materials, Inc. | Process gas delivery system |
| TW460756B (en) | 1998-11-02 | 2001-10-21 | Advantest Corp | Electrostatic deflector for electron beam exposure apparatus |
| DE10064237A1 (de) * | 2000-12-22 | 2002-07-04 | Volkswagen Ag | Radarradom zum Schutz von Radarstrahlern |
| DE10202311B4 (de) * | 2002-01-23 | 2007-01-04 | Schott Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von dielektrischen Körpern |
| DE10240160A1 (de) * | 2002-08-30 | 2004-03-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Korrosionsgeschütztes Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
| US7493869B1 (en) | 2005-12-16 | 2009-02-24 | The United States Of America As Represented By The Administration Of Nasa | Very large area/volume microwave ECR plasma and ion source |
| FR2922358B1 (fr) * | 2007-10-16 | 2013-02-01 | Hydromecanique & Frottement | Procede de traitement de surface d'au moins une piece au moyen de sources elementaires de plasma par resonance cyclotronique electronique |
| FR3019708B1 (fr) * | 2014-04-04 | 2016-05-06 | Hydromecanique & Frottement | Procede et dispositif pour generer un plasma excite par une energie micro-onde dans le domaine de la resonnance cyclonique electronique (rce), pour realiser un traitement de surface ou revetement autour d'un element filiforme. |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2625448C3 (de) * | 1976-06-05 | 1986-11-13 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Schutzschicht auf der Oberfläche optischer Reflektoren |
| SE435297B (sv) * | 1975-08-22 | 1984-09-17 | Bosch Gmbh Robert | Optiska reflektorer framstellda genom att reflektorytan belegges med ett skyddsskikt |
| JPS5673539A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-18 | Toshiba Corp | Surface treating apparatus of microwave plasma |
| JPS6113626A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-21 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| FR2583250B1 (fr) * | 1985-06-07 | 1989-06-30 | France Etat | Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique |
| JPS63103089A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Canon Inc | 気相励起装置及びそれを用いた気体処理装置 |
| DE3705666A1 (de) * | 1987-02-21 | 1988-09-01 | Leybold Ag | Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin |
| US5126635A (en) * | 1988-04-08 | 1992-06-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Microwave plasma operation using a high power microwave transmissive window assembly |
| US5180436A (en) * | 1988-07-26 | 1993-01-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microwave plasma film deposition system |
-
1990
- 1990-02-09 DE DE4003904A patent/DE4003904A1/de not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-01-10 EP EP91901683A patent/EP0514384B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-10 RU SU915053032A patent/RU2074534C1/ru active
- 1991-01-10 JP JP03502023A patent/JP3124288B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-10 DE DE59106272T patent/DE59106272D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-10 US US07/917,133 patent/US5324362A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-01-10 WO PCT/DE1991/000018 patent/WO1991012353A1/de active IP Right Grant
- 1991-01-10 KR KR1019920701891A patent/KR100204196B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-01-10 ES ES91901683T patent/ES2076515T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-02-07 CZ CS91295A patent/CZ279621B6/cs not_active IP Right Cessation
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|---|---|
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| DE4003904A1 (de) | 1991-08-14 |
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