RU2074534C1 - Устройство для обработки материалов - Google Patents

Устройство для обработки материалов Download PDF

Info

Publication number
RU2074534C1
RU2074534C1 SU915053032A SU5053032A RU2074534C1 RU 2074534 C1 RU2074534 C1 RU 2074534C1 SU 915053032 A SU915053032 A SU 915053032A SU 5053032 A SU5053032 A SU 5053032A RU 2074534 C1 RU2074534 C1 RU 2074534C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
vacuum vessel
window
vessel
microwave antenna
microwave
Prior art date
Application number
SU915053032A
Other languages
English (en)
Inventor
Шнайдер Гюнтер
Бенц Герхард
Original Assignee
Роберт Бош Гмбх
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Роберт Бош Гмбх filed Critical Роберт Бош Гмбх
Application granted granted Critical
Publication of RU2074534C1 publication Critical patent/RU2074534C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H01J37/3222—Antennas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3266—Magnetic control means
    • H01J37/32678—Electron cyclotron resonance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/338—Changing chemical properties of treated surfaces
    • H01J2237/3382—Polymerising

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Использование: для плазменной обработки материалов, в частности для нанесения защитного покрытия. Сущность изобретения: устройство для обработки материалов содержит вакуумный сосуд 1 для размещения обрабатываемого материала, снабженный газовым вводом и генератор микроволновой энергии, расположенный вне вакуумного сосуда. Вакуумный сосуд 1 снабжен окном 7 для прохождения микроволновой энергии, вырабатываемой генератором. Внутри вакуумного сосуда расположена микроволновая антенна 12, примыкающая к окну 7, и магнитная система 15, расположенная вблизи микроволновой антенны с возможностью создания локальных электронно-циклотронных резонансов. Магнитная система 15 содержит держатель в виде стержня из магнитомягкого материала, выполненного с параллельными плоскими поверхностями, на которых размещены отдельные магниты в виде рядов, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга. Полюсные концы ближайших магнитов соседних рядов имеют противоположную полярность. 8 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к устройствам для обработки материалов, в частности, для нанесения защитного слоя на поверхность оптических рефлекторов.
Из патента ФРГ N 2625448 известен способ покрытия оптических рефлекторов, предпочтительно с осажденным из паров алюминиевым отражающим слоем, полимерным слоем из плазмы для защиты от коррозии. Для этого рефлекторы в вакуумном сосуде подвергаются воздействию паров мономера органического соединения, предпочтительно кремний-органического вещества, и защитный слой получают посредством полимеризации из паровой фазы с помощью излучения из вынужденного тлеющего разряда с использованием накаленной вольфрамовой проволоки. Получаемая при этом скорость осаждения слоя часто недостаточна для получения необходимой для защиты от действия водного конденсата минимальной толщины слоя.
Далее следует учитывать, что должна быть достигнута не только минимально необходимая толщина слоя, но что на особо подверженных воздействиям частях рефлектора, напр. на плоскостях, нельзя превышать максимальной толщины пленки. Начиная с толщины примерно 70 нм, в противном случае могут возникнуть мешающие интерференционные цвета, так как фазовая зависимость для мешающей интерференции в синем цвете уже выполняется (коэффициент преломления защитного слоя n примерно 1,5). При этом рефлектор не выполняет требований к качеству, поэтому отношение между наибольшей толщиной защитного слоя, например, на передних плоских поверхностях рефлектора, и наименьшей толщиной, например, в области шейки колбы лампы, также и в глубоких рефлекторах, должно составлять максимум 2,8 1. В противном случае требуемая стойкость к водному конденсату в течение более нескольких сотен часов недостижима без оптических ухудшений за счет интерференционных цветов.
Это условие предлагаемым способом (вынужденным тлеющим разрядом с вольфрамовой нитью накала) часто не выполняется. Причина недостаточного во многих случаях распределения толщин заключается в сравнительно высоком для экономичного осаждения покрытий давлении порядка 10-3 10-2 миллибар, при котором длина свободного пробега реагирующего вещества получается меньше, чем глубина подлежащего покрытию рефлектора. Еще одним недостатком этого способа является сравнительно высокая стоимость вследствие расхода вольфрамовых нитей накала.
Из литературы известны способы возбуждения плазмы с особо высоким кпд, которые в принципе допускают снижение давления до примерно 10-5 миллибар. К ним принадлежит возбуждение плазмы по способу электронно-циклотронного резонанса (ЕСР) при частотах возбуждения в гигагерцовом диапазоне. Так как длина свободного пробега реагирующего вещества при таких низких давлениях значительно превышает глубину подлежащих покрытию деталей, следует ожидать значительного снижения разброса толщин покрытия на рефлекторах.
Из выложенной заявки ФРГ N 3705666 известно устройство для возбуждения плазмы и для обработки субстратов в этой плазме. Возбуждаемая с помощью микроволн плазма служит для того, чтобы покрыть субстрат, находящийся в эвакуированном сосуде. С помощью постоянных магнитов, установленных по соседству с покрываемыми субстратами, возможно внутри сосуда создать электронно-циклотронный резонанс, который позволяет локально зажигать плазму (в указанной заявке ФРГ 3705666 основы электронно-циклотронного резонанса подробно рассмотрены). Для ввода микроволнового излучения в боковой стенке сосуда выполнено простирающееся по длине сосуда большое прямоугольное окно, которое герметично закрыто кварцевым стеклом. Для этого сосуд приходится разрезать практически на всю его длину. За окном на очень малом расстоянии от покрываемого субстрата крепится замкнутая конфигурация из магнитов, для возбуждения там плазмы ЕСР. Устройство также годится для покрытия объемных трехмерных предметов.
Из французского патента N 3583250 известно устройство для обработки носителей в возбужденной микроволнами газовой плазме, с имеющим газовой ввод вакуумным сосудом для размещения подлежащих обработке носителей и с генератором микроволновой энергии, находящимся вне сосуда. Вакуумный сосуд снабжен окном для прохождения микроволновой энергии, вырабатываемой генератором, а также примыкающей к окну микроволновой антенной, которая проходит внутрь вакуумного сосуда. Внутри сосуда расположена магнитная система с возможностью создания локального электронно-циклотронного резонанса, за счет чего на периферии вакуумного сосуда образуется замкнутое магнитное поле. Магнитная система состоит из нескольких рядов отдельных магнитов, однако не гарантирует, что в центре вакуумного сосуда возникнет магнитное поле той же интенсивности.
Задача изобретения создание устройства для обработки материалов, которое обеспечило бы более равномерное покрытие искривленных поверхностей при сокращении времени нанесения покрытия.
Задача решается тем, что в устройстве для обработки материалов, в возбужденной микроволновой энергией газовой плазме, содержащем имеющий газовый ввод вакуумный сосуд для размещения обрабатываемого материала и генератор микроволновой энергии, расположенный вне вакуумного сосуда, причем вакуумный сосуд снабжен окном для прохождения микроволновой энергии, вырабатываемой генератором, а внутри вакуумного сосуда расположена микроволновая антенна, примыкающая к окну, и магнитная система, расположенная с микроволновой антенной с возможностью создания локальных электронно-циклотронных резонансов, согласно изобретению магнитная система содержит держатель в виде стержня из магнитомягкого материала, выполненного с параллельными плоскими поверхностями, на которых размещены отдельные магниты в виде рядов, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга, причем полюсные концы ближайших магнитов соседних рядов имеют противоположную полярность.
Целесообразно, чтобы в устройстве согласно изобретению, микроволновая антенна состояла из волновода, расположенного в направлении продольной оси вакуумного сосуда.
Целесообразно, чтобы в устройстве согласно изобретению микроволновая антенна одним своим концом была прикреплена к внутренней стороне вакуумного сосуда.
Удобно, чтобы в устройстве согласно изобретению микроволновая антенна имела секцию волновода, закрывающую изнутри выполненное в вакуумном сосуде окно.
Выгодно, чтобы в устройстве согласно изобретению окно для прохождения микроволновой энергии внутрь вакуумного сосуда было выполнено в торцевой стенке сосуда.
Удобно, чтобы в устройстве согласно изобретению окно было расположено в центральной части торцевой стенки.
Целесообразно, чтобы в устройстве согласно изобретению окно было выполнено в съемной крышке, закрывающей отверстие торцевой стенки.
Выгодно, чтобы в устройстве согласно изобретению в вакуумном сосуде была расположена по меньшей мере одна электрически нагреваемая испаряющаяся проволока для первичного осаждения металла из пара на подлежащие обработке материалы, токоподводящие провода которой проведены через торцевую стенку сосуда, содержащую окно.
Удобно, чтобы в устройстве согласно изобретению проходные отверстия для токоподводящих проводов были выполнены в крышке, имеющей окно.
Изобретение поясняется более подробно с помощью чертежей на примере исполнения изобретения, на которых представлены:
На фиг. 1 схематично устройство для обработки pефлекторов фар в продольном разрезе;
на фиг. 2 поперечный разрез устройства по фиг. 1;
на фиг. 3 схематично устройство магнитной системы.
На фиг. 1 и 2 изображен вакуумный сосуд 1 с длинным цилиндрическим кожухом 2, который с торцов закрыт стенками 3 или 4. Торцовая стенка 4 выполнена в виде герметически закрываемой двери, которая в открытом положении позволяет загружать в сосуд 1 обрабатываемый материал. Из кожуха 2 может через штуцер 5 откачиваться воздух с помощью не показанного вакуумного насоса. Нанесение покрытия производится посредством парообразного мономера, который вводится в сосуд 2 через штуцер 6, и там ионизируется. Мономер или смесь мономеров является, например, химическим соединением из группы силоксанов и силанов, указанным в патенте ФРГ N 2625448.
Другая торцовая стенка 3 кожуха 2 оборудована проходным окном 7 для микроволновой энергии, которое закрыто пластинкой из пропускающего микроволновое излучение материала, например, кварцевого стекла. Окно 7 выполнено в съемной крышке 9, которая закрывает отверстие 10 доступа внутрь сосуда. Отверстие 10 в примере исполнения расположено в центре торцевой стенки 3, а окно 7 в центре крышки 9.
Генерируемое микроволновым генератором 11 излучение через стекло 8 в окне 7 вводится в микроволновую антенну 12. В принципе в качестве микроволновой антенны возможны многие формы исполнения, такие, например, как рупор, щелевые антенны или антенны со штифтами связи. Микроволновая антенна, как видно из фиг. 1, выполнена в виде трубы, проходящей по центру и расположенной по продольной оси кожуха 2. Одним концом микроволновая антенна 12 крепится к внутренней части крышки 9, причем этот конец в виде волновода 13 полностью закрывает окно 7 и стекло 8. Это предотвращает образование на стекле осадков, которые отражали бы микроволновую энергию и за этот счет снижали бы мощность. Такая защита для стекла особенно необходимо тогда, когда подлежащие покрытию субстраты в том же вакуумном сосуде сначала покрываются слоем металла, в частности, слоем алюминия, как это обязательно и обычно делается для рефлекторов фар. Испаряющаяся проволока 14 подключается к находящемуся вне сосуда источнику тока. Токоподводящий провод 14а для испаряющейся проволоки 14 выведен из сосуда снаружи окна 7 и стекла 8 через крышку 9.
Параллельно микроволновой антенне 12 на малом расстоянии от нее расположена магнитная система 15. С помощью этой магнитной системы 15 создается подходящее магнитное поле, которое выполняет условия электронно-циклотронного резонанса. При этом полученные путем ионизации молекул мономера электроны за счет воздействия силы Лоренца вынуждены двигаться по спиральным траекториям вокруг магнитных силовых линий. В связи с этим увеличивается вероятность ионизации газовых молекул при малом давлении в сосуде, которое весьма желательно. Магнитная система 15 укреплена на вагонетке для ввода обрабатываемых материалов, которая будет описана ниже.
Магнитная система 15 содержит держатель 27 в виде стержня из магнитомягкого материала с двумя обращенными друг к другу параллельными плоскостями, на которых в примере исполнения установлено по три отдельных постоянных магнита 28, в виде рядов на одинаковом расстоянии друг от друга, причем полюсные концы ближайших соседних рядов имеют противоположную полярность.
При выполнении условия электронно-циклотронного резонанса (плотность магнитного потока В 87,5 миллитесла при частоте микроволн f 2,45 ГГц) в обеих заштрихованных зонах 16 зажигается плазма. Если ввести полимеризуемый мономер, такой, как гексаметилдисилоксан (НИ DS (O)), то можно осадить слой полимера в условиях тлеющего разряда.
Принцип работы устройства состоит в том, что вместо обычной вольфрамовой нити накала в вакуумный сосуд нужно встроить подходящую магнитную систему. При этом исключается необходимая электрическая контактная система для накала и для подвода высокого напряжения. Посредством само по себе известной микроволновой системы излучения в установку подается микроволновая энергия, и таким образом присутствует в "скрытом" виде. При этом давление в сосуде снижается до такой величины, что по закону Пашена еще не происходит зажигание плазмы за счет обычного лавинного процесса. Только вблизи магнитной системы, где выполняются условия электронно-циклотронного резонанса, происходит "резонансный разряд в плазме". Таким образом, распределение плазмы по длине установки обеспечивается не за счет трудно реализуемого однородного распределения микроволнового поля, а за счет соответствующего магнитного поля. В отношении давления в сосуде эта концепция обозначает, что можно работать с давлениями р менее 10-3 миллибара. Как и ожидалось, низкое давление в сосуде дает лучшее распределение толщин покрытия полимерного защитного слоя в тлеющем разряде в глубоких рефлекторах: экспериментальные величины отношения толщины покрытия между передней плоскостью рефлектора и областью шейки лампы составляет меньше 2 1.
Субстратами, на которые нужно наносить защитный полимерный слой, являются, например, рефлекторы автомобильных фар 17. Некоторое количество их известным образом устанавливают по цилиндрическому внешнему контуру планетарных клеток 18, которые, в свою очередь, расположены между двумя круглыми дисками 20 с отверстиями в середине 19 с возможностью их вращения в неизображенной раме, которая оборудована диаметрально противолежащими роликовыми устройствами 21. Каждое роликовое устройство расположено на находящемся внутри сосуда 2 рельсе 22. По этим рельсам можно вагонетку, состоящую из частей 18 и 20, загруженную субсратами, ввести с помощью роликов 21 в кожух 2 и вывести оттуда.
Привод обоих дисков производится с помощью находящихся на валу 23 роликов (или зубчаток) 24, которые входят в зацепление с наружным краем дисков. Из вращения дисков 20 может производиться также вращение клеток 18. Привод вала 23 производится моторным валом 25 через муфту сцепления 26.
Как видно из чертежей, для размещения источника покрытия 12 и 15 используется свободное место внутри вагонетки с обрабатываемыми материалами. Поэтому для частей 12 и 15 не требуется добавочного места в кожухе 2. Как следует из фиг. 2, генерируемая источником 12 и 15 плазма 16 занимает телесный угол примерно 180o. За счет этого одновременно можно покрывать по меньшей мере два ряда рефлекторов, что заметно сокращает время нанесения покрытия. Защита стекла 8 добавочными диафрагмами и тому подобным при осаждении алюминия из пара отпадает, так как микроволновый волновод закрывает стекло. Посредством описанного устройства источника нанесения покрытия можно также и существующие установки без проблем переоборудовать на способ электронно-циклотронного резонанса.

Claims (9)

1. Устройство для обработки материалов, содержащее вакуумный сосуд для размещения обрабатываемого материала, снабженный газовым вводом, и генератор микроволновой энергии, расположенный вне вакуумного сосуда, причем вакуумный сосуд снабжен окном для прохождения микроволновой энергии, вырабатываемой генератором, а внутри вакуумного сосуда расположена микроволновая антенна, примыкающая к окну, и магнитная система, расположенная с возможностью создания совместно с микроволновой антенной локальных электронно-циклотронных резонансов, отличающееся тем, что магнитная система содержит держатель в виде стержня из магнитомягкого материала, выполненного с параллельными плоскими поверхностями, на которых размещены отдельные магниты в виде рядов, расположенных на одинаковом расстоянии друг от друга, причем полюсные концы ближайших магнитов соседних рядов имеют противоположную полярность.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что микроволновая антенна состоит из волновода, ориентированного в направлении продольной оси вакуумного сосуда.
3. Устройство по п.1 или 2, отличающееся тем, что микроволновая антенна одним концом прикреплена к внутренней стороне вакуумного сосуда.
4. Устройство по пп. 1 3, отличающееся тем, что микроволновая антенна содержит секцию волновода, закрывающую изнутри выполненное в вакуумном сосуде окно.
5. Устройство по пп.1 4, отличающееся тем, что окно для прохождения микроволновой энергии внутрь вакуумного сосуда выполнено в торцевой стенке сосуда.
6. Устройство по п.5, отличающееся тем, что окно расположено в центральной части торцевой стенки.
7. Устройство по п.5 или 6, отличающееся тем, что окно выполнено в съемной крышке, закрывающей отверстие торцевой стенки.
8. Устройство по пп.1 7, отличающееся тем, что в вакуумном сосуде расположена по меньшей мере одна электрически нагреваемая испаряющаяся проволока для первичного осаждения металла из пара на подлежащие обработке материалы, причем токоподводящие провода проволоки проведены через торцевую стенку сосуда, содержащую окно.
9. Устройство по п.8, отличающееся тем, что проходные отверстия для токоподводящих проводов выполнены в крышке, содержащей окно.
SU915053032A 1990-02-09 1991-01-10 Устройство для обработки материалов RU2074534C1 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4003904A DE4003904A1 (de) 1990-02-09 1990-02-09 Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem durch mikrowellen erzeugten, gasgestuetzten plasma
DEP4003904.8 1990-02-09
PCT/DE1991/000018 WO1991012353A1 (de) 1990-02-09 1991-01-10 Vorrichtung zum behandeln von substraten in einem durch mikrowellen erzeugten, gasgestützten plasma

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2074534C1 true RU2074534C1 (ru) 1997-02-27

Family

ID=6399763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU915053032A RU2074534C1 (ru) 1990-02-09 1991-01-10 Устройство для обработки материалов

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5324362A (ru)
EP (1) EP0514384B1 (ru)
JP (1) JP3124288B2 (ru)
KR (1) KR100204196B1 (ru)
CZ (1) CZ279621B6 (ru)
DE (2) DE4003904A1 (ru)
ES (1) ES2076515T3 (ru)
RU (1) RU2074534C1 (ru)
WO (1) WO1991012353A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2504042C2 (ru) * 2007-10-16 2014-01-10 Х.Е.Ф. Способ обработки поверхности, по меньшей мере, одного конструктивного элемента посредством элементарных источников плазмы путем электронного циклотронного резонанса
RU2663211C2 (ru) * 2014-04-04 2018-08-02 Х.Э.Ф. Способ и устройство для создания плазмы, возбуждаемой микроволновой энергией в области электронного циклотронного резонанса (ecr), для осуществления обработки поверхности или нанесения покрытия вокруг нитевидного компонента

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4039352A1 (de) * 1990-12-10 1992-06-11 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zur herstellung von schichten auf oberflaechen von werkstoffen
DE4203632C2 (de) * 1992-02-08 2003-01-23 Applied Films Gmbh & Co Kg Vakuumbeschichtungsanlage
FR2693619B1 (fr) * 1992-07-08 1994-10-07 Valeo Vision Dispositif pour le dépôt de polymère par l'intermédiaire d'un plasma excité par micro-ondes.
FR2693620B1 (fr) * 1992-07-09 1994-10-07 Valeo Vision Appareil pour le dépôt d'un polymère par l'intermédiaire d'un plasma excité par micro-ondes.
DE4310258A1 (de) * 1993-03-30 1994-10-06 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Herstellung einer Plasmapolymerschutzschicht auf Werkstücken, insbesondere Scheinwerferreflektoren
US5472509A (en) * 1993-11-30 1995-12-05 Neomecs Incorporated Gas plasma apparatus with movable film liners
US5641359A (en) * 1996-02-08 1997-06-24 Applied Materials, Inc. Process gas delivery system
KR100350308B1 (ko) 1998-11-02 2002-08-24 주식회사 아도반테스토 전자빔 노출 장치를 위한 정전 편향기
DE10064237A1 (de) * 2000-12-22 2002-07-04 Volkswagen Ag Radarradom zum Schutz von Radarstrahlern
DE10202311B4 (de) * 2002-01-23 2007-01-04 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von dielektrischen Körpern
DE10240160A1 (de) * 2002-08-30 2004-03-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Korrosionsgeschütztes Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US7493869B1 (en) 2005-12-16 2009-02-24 The United States Of America As Represented By The Administration Of Nasa Very large area/volume microwave ECR plasma and ion source

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2625448C3 (de) * 1976-06-05 1986-11-13 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Schutzschicht auf der Oberfläche optischer Reflektoren
SE435297B (sv) * 1975-08-22 1984-09-17 Bosch Gmbh Robert Optiska reflektorer framstellda genom att reflektorytan belegges med ett skyddsskikt
JPS5673539A (en) * 1979-11-22 1981-06-18 Toshiba Corp Surface treating apparatus of microwave plasma
JPS6113626A (ja) * 1984-06-29 1986-01-21 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
FR2583250B1 (fr) * 1985-06-07 1989-06-30 France Etat Procede et dispositif d'excitation d'un plasma par micro-ondes a la resonance cyclotronique electronique
JPS63103089A (ja) * 1986-10-20 1988-05-07 Canon Inc 気相励起装置及びそれを用いた気体処理装置
DE3705666A1 (de) * 1987-02-21 1988-09-01 Leybold Ag Einrichtung zum herstellen eines plasmas und zur behandlung von substraten darin
US5126635A (en) * 1988-04-08 1992-06-30 Energy Conversion Devices, Inc. Microwave plasma operation using a high power microwave transmissive window assembly
US5180436A (en) * 1988-07-26 1993-01-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Microwave plasma film deposition system

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Заявка ФРГ N 3705666, кл. H 05 H 1/46, 1988. 2. Патент Франции N 2583250, кл. H 05 H 1/46, 1986. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2504042C2 (ru) * 2007-10-16 2014-01-10 Х.Е.Ф. Способ обработки поверхности, по меньшей мере, одного конструктивного элемента посредством элементарных источников плазмы путем электронного циклотронного резонанса
RU2663211C2 (ru) * 2014-04-04 2018-08-02 Х.Э.Ф. Способ и устройство для создания плазмы, возбуждаемой микроволновой энергией в области электронного циклотронного резонанса (ecr), для осуществления обработки поверхности или нанесения покрытия вокруг нитевидного компонента

Also Published As

Publication number Publication date
JP3124288B2 (ja) 2001-01-15
KR100204196B1 (ko) 1999-06-15
EP0514384B1 (de) 1995-08-16
DE59106272D1 (de) 1995-09-21
WO1991012353A1 (de) 1991-08-22
ES2076515T3 (es) 1995-11-01
DE4003904A1 (de) 1991-08-14
JPH05504168A (ja) 1993-07-01
EP0514384A1 (de) 1992-11-25
CZ279621B6 (cs) 1995-05-17
US5324362A (en) 1994-06-28
KR920703871A (ko) 1992-12-18
CS9100295A2 (en) 1991-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2074534C1 (ru) Устройство для обработки материалов
US7411352B2 (en) Dual plasma beam sources and method
EP0648069B1 (en) RF induction plasma source for plasma processing
KR100234509B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 방법
KR100349426B1 (ko) 전도성재료의스퍼터링성질을갖는유도결합된플라즈마스퍼터챔버
US4980610A (en) Plasma generators
US5308461A (en) Method to deposit multilayer films
KR20010089324A (ko) 이온화 물리적 증착 방법 및 장치
JPH10259477A (ja) 電子ビーム及び磁界を用いてイオン化金属プラズマを生成する方法
US5053244A (en) Process for depositing silicon oxide on a substrate
US20100330300A1 (en) System and method for pre-ionization of surface wave launched plasma discharge sources
JP4890550B2 (ja) プラズマを発生させるための方法及び装置
US11387075B2 (en) Surface processing apparatus
KR101397646B1 (ko) 임피던스 천이와의 통합된 마이크로파 도파관
JPH0645093A (ja) プラズマ発生装置
JPH0831417B2 (ja) プラズマ加工堆積装置
EP0778608A2 (en) Plasma generators and methods of generating plasmas
CN112640028A (zh) 用于产生和处理均匀的高密度等离子体片的方法
WO2009096952A1 (en) System and method for containment shielding of pecvd deposition sources
WO2009096954A1 (en) System and method for microwave plasma species source
JPS61104559A (ja) マイクロ波放電光源装置
FI97174C (fi) Elektroditon fluoresoiva purkauslamppu
CN112602165A (zh) 高密度等离子体处理设备
KR20070082252A (ko) 무전극 조명기기의 반사갓의 코팅층 구조