JPS63216291A - 分散型電場発光素子 - Google Patents

分散型電場発光素子

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JPS63216291A
JPS63216291A JP62049754A JP4975487A JPS63216291A JP S63216291 A JPS63216291 A JP S63216291A JP 62049754 A JP62049754 A JP 62049754A JP 4975487 A JP4975487 A JP 4975487A JP S63216291 A JPS63216291 A JP S63216291A
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JP
Japan
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particles
fluororesin
coated
dispersed
moisture
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Pending
Application number
JP62049754A
Other languages
English (en)
Inventor
椎名 大之
豊 中林
上田 善一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は分散型電場発光素子に関する。
(従来の技術) 分散型電場発光素子としては、アルミニウム箔等の背面
電極、樹脂バインダー中にBaTiOs粉末等を分散さ
せた絶縁層、樹脂バインダー中にZn5bCu、 C1
等の螢光体粒子を分散させた発光層および透明電極を積
層し、更に全体を防湿フィルム被覆した構造のものが知
られている。なお、樹脂バインタートシてはンアノエチ
ルセルロース、シアノエチルプルラン、シアノエテルサ
ッカロース等が用いられ、透明電極はIn2O5,5n
o2のような金属酸化物薄膜やAu、Pdのような金属
薄膜によって形成される。
上記電場発光素子においては、一般に、樹脂バインダー
の誘電率が大きいほど発光輝度が高くなる反面、素子寿
命は短かくなることが知られている。そして、この素子
寿命の短命化は誘電率の大きな樹脂はど吸湿性も大きく
、素子内への水分浸入により螢光体の劣化が進み易いこ
とが原因であると認識されている。
そこで、電場発光素子の長寿命化の方法として。
螢光体粒子をガラス、チタン酸バリウム、酸化チタン、
微結晶化チタン酸バリウム或は酸化チタン等の防湿材で
被覆する方法が、特公昭36−14226号公報、特公
昭39−17874号公報或いは特公昭40−2837
7号公報において提案されている。
また1発光/l形成成分としての樹脂バインダーとして
フッ素樹脂を用い、該フッ素樹脂バインダー中に螢光体
粒子を分散させる方法(特開昭58−111296号公
報)も提案されている。
(発明が解決しようとする問題点) ところで、前者の方法による螢光体粒子の防湿材被覆は
防湿材の懸濁液中に螢光体粒子を混合し。
これを熱処理(約200℃)して螢光体含有ブロックを
得、該ブロックを粉砕する方法によって行なわれる。し
かしながら、かようにして得られる粒子においては、被
覆が不充分なことが多く、螢光体粒子表面の露出部分が
存在することになり。
防湿効果が不充分であった。
そして、この方法では上記のような熱処理が不可欠であ
り、また螢光体粒子表面に被覆したチタン酸バリウムや
酸化チタンを微結晶化させるには更に高温処理(約60
0℃)を必要とし、これら熱処理、高温処理により螢光
体粒子の熱劣化を生ずることがあり、得られる発光素子
の輝度低下を招来することもあった。
一方、後者の方法によりフッ素樹脂バインダー中に螢光
体粒子を分散させて発光層を形成した場合1発光輝度が
低く実用レベルに達しない。
(問題点を解決するための手段) 本発明tsは従来技術の有する上記問題を解決した分散
型電場発光米子に係り、フッ素樹脂により表面を被覆し
た螢光体粒子を樹脂バインダー中に分散せしめることに
より発光JIl′f:形成したことを特徴とするもので
ある。
ココに用いるフッ素樹脂の具体例としては、4フッ化エ
チレン樹脂、37フ化塩化エチレン樹脂。
フッ化ビニリデン樹脂やこれらを共重合した樹脂等が挙
げられる。
また、螢光体粒子としては、硫化亜鉛に活性剤(銅等)
および共活性剤(アルミニウム、塩素。
臭素等)t−加え九もの、硫化亜鉛にマンガンを加えた
もの等を用い得る。これらの粒径は通常、約lO〜40
μ慣である。
本発明においては、この螢光体粒子上[il(、フッ素
樹脂によって被覆される。フッ素樹脂による螢光体粒子
の被覆は5例えば、フッ素樹脂粒子の分散液中に螢光体
粒子を加えこれを均一に分散せしめ虎後、噴霧器などで
噴霧し、分散媒を気化せしめ、次いで熱処理する方法に
より達成できる。
分散媒としてはケトン、キシレンのような有機溶剤や水
を用いることができる。上記熱処理により螢光体粒子上
に吸着したフッ素樹脂粒子が溶融し、螢光体粒子表面に
フッ素樹脂の防湿性被覆が形成される。この防tIii
l性被覆の厚さは特に限定されないが通常的0.1〜1
5μ鴨である7、本発明は、h記した如く、螢光体粒子
表面をフッ素樹脂で被覆して用いるものでオシ、素子へ
の適用に際してはバインダーとしての高誘電率樹脂、例
えば、シアノエチルセルロース、シアノエチルサッカロ
ース、シアノエチルプルランなどに分散して発光層を形
成する。
(実施例) 以下、実施例によシ本発明を更に詳細に説明する。
実施例1 平均粒径0.1μ毒のPCTI粒子をキシレン中に分散
させ、PCTFE#度30重量%のディスパルシコンを
作成する。このディスパージョンに粒径15〜25μ雲
の硫什亜鉛(箒光体)飴−7−を加ジキシレンに対し螢
光体濃度20重量%の液を作成する。
これをエアーガンを用いて霧状に射出させ、その後23
0℃で熱処理することにより、PCTFE’で被覆され
た硫化亜鉛粒子を得る。なお、このときのPCTFHの
被覆厚さは約5μ惟である。
一方、これとは別にシアノエチルサッカロースとシアノ
エチルプルランを重量比1:2の割合で乾燥脱水ジメチ
ルホルムアミドに溶解し、30重量%溶液(以下、A液
と称す)を得る。
このA液100重量部に対し1粒径lμ溝のチタン酸/
< IJウム粒子11130重量部を分散せ[2めてペ
ースト状物を得、背面電極1としての厚さ100μ嘱の
アルミ箔とにへ−スト状物をスクリーン印刷により塗布
する。その後、120℃で60分間乾燥し厚さ10μ鴨
の絶縁層2を形成する。
次に、A液100重量部に対し、PCTFE 被覆した
硫化亜鉛粒子50fi量部を分散せしめてペースト状物
を得、これを絶縁@2上にスクリーン印刷し、120℃
で60分間乾燥した。これによりシ7ノエチルヤルロー
スおよびシアノエチルプルランから成るバインダー中に
硫化亜鉛粒子(PCTFEにて被覆)が分散された、厚
さ60μ溝の発光/i 3を形成する。
この発光層3上に、絶縁基板5としての厚さ75μmの
ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にSnドー
プIn2O5から成る透明電極4を形成した積層体を重
ね合わせ、ロールラミネータで加熱加圧する。
更に、全体をホットメルト接剤層6,7付きの2枚の防
湿フィルム8,9で封止することにより、分散型電場発
光素子を得た。なお、防湿フィルムとしては厚さ250
μ講のPCTFEフィルムを用いた。
この発光素子は100”v’−400Hzで初期輝度6
4cd/7であシ、40℃X90%Rf(の高温高湿下
での輝度半減期は400 hrsであった。
比較のため、硫化亜鉛粒子に対するPCTF’E彼覆を
施さない以外は全て上記と同様に作業して、分散型電場
発光素子を得た。
この素子の初期輝度は68cd/7で、本発明と同レベ
ルであったが、半減期はl OOhraであり、寿命が
短かった。
実施例2 キシレンに代えメタノールを用いること、硫化亜鉛粒子
の被覆のためPCTFE粒子に代え平均粒径0.3pm
の−F’TFE、−を2用・いること、゛オヨヒ乾燥温
度を350℃に設定すること以外は実施例1と同様に作
業して1分散型電場発光素子を得た。
この発光素子の初期輝度は66cd/rIlであり。
また半減期は350 hrsであった。
(発明の効果) 本発明は上記した如く、螢光体粒子表面をフッ素樹脂で
被覆したので、該粒子が湿気から保護され、実施例にも
示されているように素子を長寿命化できる特徴がある。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明に係る分散型電場発光素子の実例を示す断
面図である。 1・・・背面電極   2・・・絶縁層    3・・
・発光層   4・・・透明電極   5・・・絶縁基
板6.7・・・ホットメルト接着剤層   8% 9・
・・防湿フィルム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フツ素樹脂により表面を被覆した螢光体により発光層を
    形成したことを特徴とする分散型電場発光素子。
JP62049754A 1987-03-03 1987-03-03 分散型電場発光素子 Pending JPS63216291A (ja)

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JP (1) JPS63216291A (ja)

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