JPS63213975A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS63213975A JPS63213975A JP62048109A JP4810987A JPS63213975A JP S63213975 A JPS63213975 A JP S63213975A JP 62048109 A JP62048109 A JP 62048109A JP 4810987 A JP4810987 A JP 4810987A JP S63213975 A JPS63213975 A JP S63213975A
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- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 claims 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 abstract description 24
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 abstract description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光起電力装置の電極に関するものである。
従来の技術
従来は、電極材料としてＡｑを主成分とするペーストが
主として使われて来た。光起電力装置を実用化するにあ
たり、素子の電極部にリード線を取り付ける必要性が増
大してきた。そこで、電極部に導直性接着剤を塗布し、
リード線を接Ｍ固定するか、又は超音波半田ゴテにより
リード線を電極部に半田付する方法が用いられてきた。
主として使われて来た。光起電力装置を実用化するにあ
たり、素子の電極部にリード線を取り付ける必要性が増
大してきた。そこで、電極部に導直性接着剤を塗布し、
リード線を接Ｍ固定するか、又は超音波半田ゴテにより
リード線を電極部に半田付する方法が用いられてきた。
発明が解決しようとする問題点
光起電力素子のリード線の取り付けは、材料コスト、生
産スピード、長期信頼性の面から考えて、半田付けが最
も望ましいとされているが、従来は上記に示す様にＡｑ
を主成分とするペーストを用いて電極部が形成されてい
るために、半田付が非常に困難であった。Ａｑペースト
を用いて形成した電極上の半田付については古（から研
究が進められて来たが、半田によりＡｑペーストが流出
消耗する、いわゆるＡｇ食われ現象が生じ、温度コント
ロール及び半田付時間を精密に管理することが必要であ
り、又最適条件で得られた半田付強度は、２００〜５０
０！ｊ／−と実用上満足できる強度は得られていない。
産スピード、長期信頼性の面から考えて、半田付けが最
も望ましいとされているが、従来は上記に示す様にＡｑ
を主成分とするペーストを用いて電極部が形成されてい
るために、半田付が非常に困難であった。Ａｑペースト
を用いて形成した電極上の半田付については古（から研
究が進められて来たが、半田によりＡｑペーストが流出
消耗する、いわゆるＡｇ食われ現象が生じ、温度コント
ロール及び半田付時間を精密に管理することが必要であ
り、又最適条件で得られた半田付強度は、２００〜５０
０！ｊ／−と実用上満足できる強度は得られていない。
このため、従来は第３図に示す様に、電極部５゜６に導
電性接着剤７を塗布し、リード線８を接着固定する方法
と、第４図に示す様に超音波半田ゴテによりリード線８
を半田付し、接着強度を補強するために、樹脂１０によ
り半田付は部をモールドする方法が用いられてきた。
電性接着剤７を塗布し、リード線８を接着固定する方法
と、第４図に示す様に超音波半田ゴテによりリード線８
を半田付し、接着強度を補強するために、樹脂１０によ
り半田付は部をモールドする方法が用いられてきた。
しかしながら、パｇ３図に示す方法においては、Ｉ量化
が難かしぐ、接着強１度、長期信頼性の而で開通があり
、第４図に示す方法においては、超音波半田付の自動化
が錐かしく、半田付強度のバラツキも太きぐ、また光起
電力素子部と樹脂との膨張係数の差も大きいため、長期
信頼性の点でも問題があった。
が難かしぐ、接着強１度、長期信頼性の而で開通があり
、第４図に示す方法においては、超音波半田付の自動化
が錐かしく、半田付強度のバラツキも太きぐ、また光起
電力素子部と樹脂との膨張係数の差も大きいため、長期
信頼性の点でも問題があった。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決すべく、電極をＣｕ又はＣ
ｕ化合物を含むペーストで構成したこと全特徴とする。
ｕ化合物を含むペーストで構成したこと全特徴とする。
作 用
本発明による電極材料を用いれば、Ｃｕ又はその化合物
の半田による食われ性が極めて小さいために、リード線
の電極部への半田取付けが容易に可能となり、半田接着
強度も５００〜２０００ＫＰ／ｍＡの安定したものが得
られる。又半田ゴテの温度管理においても、１８０℃〜
２８０℃１で半田付可能であり、半田付処理時間も、１
〜１．５分の範囲で半田付可能である。また、電極材料
コストは、従来のＡｑを主成分とするペーストと比較し
て、その約１／３〜１／２であるため、低コストな光起
電力装置の商品化のために非常に有効である。
の半田による食われ性が極めて小さいために、リード線
の電極部への半田取付けが容易に可能となり、半田接着
強度も５００〜２０００ＫＰ／ｍＡの安定したものが得
られる。又半田ゴテの温度管理においても、１８０℃〜
２８０℃１で半田付可能であり、半田付処理時間も、１
〜１．５分の範囲で半田付可能である。また、電極材料
コストは、従来のＡｑを主成分とするペーストと比較し
て、その約１／３〜１／２であるため、低コストな光起
電力装置の商品化のために非常に有効である。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
〔実施例１〕
本実施例の光起電力装置の断面図を第１図に示した。第
１図に示す様に、ガラス基板１上にｎ形ＣｄＳ焼結膜２
を形成し、その上にＣｄＴｅ焼結膜３を形成する。Ｃｄ
Ｔｅ膜３上には適量のアクセプタ不純物を添加したカー
ボン膜４を形成し、カーボン膜４中に含まれるアクセプ
タ不純物をカーボン膜４焼成時にＣｄＴｅ模３中にドー
プすることにより、ｐ形のＣｄＴｅ膜３を形成した。こ
の様にしてｎ形α＄焼結膜２とｐ形焼結膜３との間に光
起電力効果を持つヘテロ接合を形成した。次にＣｄＳ焼
結膜２上およびカーボン膜４上に、Ｃｕ ：Ａｇ ：Ｎ
ｉ ：エポキシ樹脂バインダを６０：２０：１８：１２
のｍＡ混合比で混合したペーストを印刷塗布し、２００
ｔ１ｍの温度で１時間乾燥硬化させる。
１図に示す様に、ガラス基板１上にｎ形ＣｄＳ焼結膜２
を形成し、その上にＣｄＴｅ焼結膜３を形成する。Ｃｄ
Ｔｅ膜３上には適量のアクセプタ不純物を添加したカー
ボン膜４を形成し、カーボン膜４中に含まれるアクセプ
タ不純物をカーボン膜４焼成時にＣｄＴｅ模３中にドー
プすることにより、ｐ形のＣｄＴｅ膜３を形成した。こ
の様にしてｎ形α＄焼結膜２とｐ形焼結膜３との間に光
起電力効果を持つヘテロ接合を形成した。次にＣｄＳ焼
結膜２上およびカーボン膜４上に、Ｃｕ ：Ａｇ ：Ｎ
ｉ ：エポキシ樹脂バインダを６０：２０：１８：１２
のｍＡ混合比で混合したペーストを印刷塗布し、２００
ｔ１ｍの温度で１時間乾燥硬化させる。
本発明で用いるＣｕ粒子は、その表層部をＡｑ 。
Ｎｉ又はその化合物によりコーティングされており、Ｃ
ｕの酸化による導電性の低下を防止している。
ｕの酸化による導電性の低下を防止している。
この様にして形成した電極部５，６Ｋ、半田付によりリ
ード線を取り付ける。半田付温度は、２００℃〜２５０
℃の範囲が最も望ましく、２ｏ。
ード線を取り付ける。半田付温度は、２００℃〜２５０
℃の範囲が最も望ましく、２ｏ。
℃以下では、半田が溶融しにぐいために半田付の作業性
が悪い。１だ、２６０℃以上では、Ｃｕ自体が酸化され
やすくなり、半田のぬれ性が悪くなる。
が悪い。１だ、２６０℃以上では、Ｃｕ自体が酸化され
やすくなり、半田のぬれ性が悪くなる。
〔実施例２〕
本実施例の光起電力装置の断面図を第２図に示した。本
実施例では、実施例１で示した電極の半田付特性をさら
に向上させるものである。
実施例では、実施例１で示した電極の半田付特性をさら
に向上させるものである。
実施例１で作成した電極膜６，６上に、Ｃｕ：エポキシ
樹脂を７０ ： ３０の比率で混合したものを印刷し、
１６０℃で６０分間乾燥硬化して電極膜１１とする。こ
の電極膜１１への半田付については、実施例１と同様に
行う。
樹脂を７０ ： ３０の比率で混合したものを印刷し、
１６０℃で６０分間乾燥硬化して電極膜１１とする。こ
の電極膜１１への半田付については、実施例１と同様に
行う。
発明の効果
以上のように本発明によれば次の効果を得ることができ
る。
る。
（１） 電ｉへのリード線取り付けが半田付によりで
きるため、量産性、長期信頼性、リード線取付はコスト
の面でメリットが大きい。
きるため、量産性、長期信頼性、リード線取付はコスト
の面でメリットが大きい。
Ｅ） ’、ｆｆ：極構成材料中における銀の割合が減
り、銅をかわりに用いるため、材料コストが低減される
。
り、銅をかわりに用いるため、材料コストが低減される
。
（３）銀ペースト電極で見られたマイグレーンヨンが銅
を用いる事により防止できる。
を用いる事により防止できる。
第１図、第２図は本発明の実施例によるＣｕ含有ペース
トを用いて電極部を形成した光起電力装置を示す断面図
、第３図は、従来のＡｑ主体導電ペーストを用いた光起
電力装置の断面図、第４図は超音波半田ゴテによりリー
ド線を半田付した光起電力装置の断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・ＣｄＴｅ膜、４・・・・・カーボン膜、
６・・・・・・陽極側電極、６・・・・・・陰極側電極
、７・・ 導電性接着剤、８・・・ ＩＪ −ド線、９
・・・・半田、１０−・・・・・樹脂、１１・・・・・
電極膜。
トを用いて電極部を形成した光起電力装置を示す断面図
、第３図は、従来のＡｑ主体導電ペーストを用いた光起
電力装置の断面図、第４図は超音波半田ゴテによりリー
ド線を半田付した光起電力装置の断面図である。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＣｄＳ膜、
３・・・・・・ＣｄＴｅ膜、４・・・・・カーボン膜、
６・・・・・・陽極側電極、６・・・・・・陰極側電極
、７・・ 導電性接着剤、８・・・ ＩＪ −ド線、９
・・・・半田、１０−・・・・・樹脂、１１・・・・・
電極膜。
Claims (4)
- （１）光起電力素子の電極として、銅又は銅化合物を含
有するペーストを用いたことを特徴とする光起電力装置
。 - （２）光起電力素子が、透明基板上にＣｄＳもしくはそ
れを含む化合物半導体焼結膜を、その上にＣｄＴｅもし
くはＣｄ，Ｔｅ化合物を含む化合物半導体焼結膜さらに
その上にアクセプタ不純物を含有するカーボン膜を順に
形成した構造である特許請求の範囲第１項記載の光起電
力装置。 - （３）光起電力素子の電極部が陽極電極部と陰極電極部
の２つより成り、陽極電極部はカーボン膜上に導電物質
を設置することにより形成され、陰極電極部はＣｄＳも
しくはそれを含む化合物半導体焼結膜上に導電物質を設
置することにより形成され、導電物質が、Ａｇ、Ｓｎ、
Ｃｕ、Ｉｎもしくはその化合物を少くとも１つ以上含有
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光起
電力装置。 - （４）光起電力素子の電極部が２層膜より成り、第１層
膜は、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｃｕ又はその化合物を少くと
も１つ以上含有する物質により形成され、第１層膜上も
しくは、第１層膜と電気的に導通する位置に形成した第
２層膜は、銅又はその化合物を含有する物質から形成さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048109A JPS63213975A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048109A JPS63213975A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 光起電力装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213975A true JPS63213975A (ja) | 1988-09-06 |
| JPH0560675B2 JPH0560675B2 (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=12794146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62048109A Granted JPS63213975A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63213975A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0244355U (ja) * | 1988-09-20 | 1990-03-27 | ||
| JPH03283474A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | Ｓｉ基板上化合物半導体光電変換素子 |
| JPH0715022A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-17 | Hokuriku Toryo Kk | 太陽電池用電極 |
| WO2011129368A1 (ja) * | 2010-04-13 | 2011-10-20 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501040A (ja) * | 1973-03-14 | 1975-01-08 | ||
| JPS56147311A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-16 | Nippon Electric Co | Conductive paste |
| JPS58160372A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-22 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペ−スト |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP62048109A patent/JPS63213975A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS501040A (ja) * | 1973-03-14 | 1975-01-08 | ||
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| CN102754223A (zh) * | 2010-04-13 | 2012-10-24 | 京瓷株式会社 | 太阳能电池元件及其制造方法 |
| JP5460860B2 (ja) * | 2010-04-13 | 2014-04-02 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
| US9171975B2 (en) | 2010-04-13 | 2015-10-27 | Kyocera Corporation | Solar cell element and process for production thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0560675B2 (ja) | 1993-09-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |