JPH0560675B2 - - Google Patents
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- JPH0560675B2 JPH0560675B2 JP62048109A JP4810987A JPH0560675B2 JP H0560675 B2 JPH0560675 B2 JP H0560675B2 JP 62048109 A JP62048109 A JP 62048109A JP 4810987 A JP4810987 A JP 4810987A JP H0560675 B2 JPH0560675 B2 JP H0560675B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/543—Solar cells from Group II-VI materials
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光起電力装置の電極に関するもので
ある。
ある。
従来の技術
従来は、電極材料としてAgを主成分とするペ
ーストが主として使われて来た。光起電力装置を
実用化するにあたり、素子の電極部にリード線を
取り付ける必要性が増大してきた。そこで、電極
部に導電性接着剤を塗布し、リード線を接着固定
するか、又は超音波半田ゴテによりリード線を電
極部に半田付する方法が用いられてきた。
ーストが主として使われて来た。光起電力装置を
実用化するにあたり、素子の電極部にリード線を
取り付ける必要性が増大してきた。そこで、電極
部に導電性接着剤を塗布し、リード線を接着固定
するか、又は超音波半田ゴテによりリード線を電
極部に半田付する方法が用いられてきた。
発明が解決しようとする問題点
光起電力素子のリード線の取り付けは、材料コ
スト、生産スピード、長期信頼性の面から考え
て、半田付けが最も望ましいとされているが、従
来は上記に示す様にAgを主成分とするペースト
を用いて電極部が形成されているために、半田付
が非常に困難であつた。Agペーストを用いて形
成した電極上の半田付については古くから研究が
進められて来たが、半田によりAgペーストが流
出消耗する、いわゆるAg食われ現象が生じ、温
度コントロール及び半田付時間を精密に管理する
ことが必要であり、又最適条件で得られた半田付
強度は、200〜500g/mm2と実用上満足できる強度
は得られていない。
スト、生産スピード、長期信頼性の面から考え
て、半田付けが最も望ましいとされているが、従
来は上記に示す様にAgを主成分とするペースト
を用いて電極部が形成されているために、半田付
が非常に困難であつた。Agペーストを用いて形
成した電極上の半田付については古くから研究が
進められて来たが、半田によりAgペーストが流
出消耗する、いわゆるAg食われ現象が生じ、温
度コントロール及び半田付時間を精密に管理する
ことが必要であり、又最適条件で得られた半田付
強度は、200〜500g/mm2と実用上満足できる強度
は得られていない。
このため、従来は第3図に示す様に、電極部
5,6に導電性接着剤7を塗布し、リード線8を
接着固定する方法と、第4図に示す様に超音波半
田ゴテによりリード線8を半田付し、接着強度を
補強するために、樹脂10により半田付け部をモ
ールドする方法が用いられてきた。
5,6に導電性接着剤7を塗布し、リード線8を
接着固定する方法と、第4図に示す様に超音波半
田ゴテによりリード線8を半田付し、接着強度を
補強するために、樹脂10により半田付け部をモ
ールドする方法が用いられてきた。
しかしながら、第3図に示す方法においては、
量産化が難かしく、接着強度、長期信頼性の面で
問題があり、第4図に示す方法においては、超音
波半田付の自動化が難かしく、半田付強度のバラ
ツキも大きく、また光起電力素子部と樹脂との膨
張係数の差も大きいため、長期信頼性の点でも問
題があつた。
量産化が難かしく、接着強度、長期信頼性の面で
問題があり、第4図に示す方法においては、超音
波半田付の自動化が難かしく、半田付強度のバラ
ツキも大きく、また光起電力素子部と樹脂との膨
張係数の差も大きいため、長期信頼性の点でも問
題があつた。
問題点を解決するための手段
本発明は、上記問題点を解決すべく、電極を
Cu又はCu化合物を含むペーストで構成したこと
を特徴とする。
Cu又はCu化合物を含むペーストで構成したこと
を特徴とする。
作 用
本発明による電極材料を用いれば、Cu又はそ
の化合物の半田による食われ性が極めて小さいた
めに、リード線の電極部への半田取付けが容易に
可能となり、半田接着強度も500〜2000Kg/mm2の
安定したものが得られる。又半田ゴテの温度管理
においても、180℃〜280℃まで半田付可能であ
り、半田付処理時間も、1〜1.5分の範囲で半田
付可能である。また、電極材料コストは、従来の
Agを主成分とするペーストと比較して、その約
1/3〜1/2であるため、低コストな光起電力装置の
商品化のために非常に有効である。
の化合物の半田による食われ性が極めて小さいた
めに、リード線の電極部への半田取付けが容易に
可能となり、半田接着強度も500〜2000Kg/mm2の
安定したものが得られる。又半田ゴテの温度管理
においても、180℃〜280℃まで半田付可能であ
り、半田付処理時間も、1〜1.5分の範囲で半田
付可能である。また、電極材料コストは、従来の
Agを主成分とするペーストと比較して、その約
1/3〜1/2であるため、低コストな光起電力装置の
商品化のために非常に有効である。
実施例
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例 1
本実施例の光起電力装置の断面図を第1図に示
した。第1図に示す様に、ガラス基板1上にn形
CdS焼結膜2を形成し、その上にCdTe焼結膜3
を形成する。CdTe膜3上には適量のアクセプタ
不純物を添加したカーボン膜4を形成し、カーボ
ン膜4中に含まれるアクセプタ不純物をカーボン
膜4焼成時にCdTe膜3中にドープすることによ
り、p形のCdTe膜3を形成した。この様にして
n形CdS焼結膜2とp形焼結膜3との間に光起電
力効果を持つヘテロ接合を形成した。次にCdS焼
結膜2上およびカーボン膜4上に、Cu:In:
Sn:エポキシ樹脂バインダを50:20:18:12の
重量混合比で混合したペーストを印刷塗布し、
200℃の温度で1時間乾燥硬化させる。
した。第1図に示す様に、ガラス基板1上にn形
CdS焼結膜2を形成し、その上にCdTe焼結膜3
を形成する。CdTe膜3上には適量のアクセプタ
不純物を添加したカーボン膜4を形成し、カーボ
ン膜4中に含まれるアクセプタ不純物をカーボン
膜4焼成時にCdTe膜3中にドープすることによ
り、p形のCdTe膜3を形成した。この様にして
n形CdS焼結膜2とp形焼結膜3との間に光起電
力効果を持つヘテロ接合を形成した。次にCdS焼
結膜2上およびカーボン膜4上に、Cu:In:
Sn:エポキシ樹脂バインダを50:20:18:12の
重量混合比で混合したペーストを印刷塗布し、
200℃の温度で1時間乾燥硬化させる。
本発明で用いる。Cu粒子は、その表層部をAg、
Ni又はその化合物によりコーテイングされてお
り、Cuの酸化による導電性の低下を防止してい
る。
Ni又はその化合物によりコーテイングされてお
り、Cuの酸化による導電性の低下を防止してい
る。
この様にして形成した電極部5,6に、半田付
によりリード線を取り付ける。半田付温度は、
200℃〜250℃の範囲が最も望ましく、200℃以下
では、半田が溶融しにくいために半田付の作業性
が悪い。また、250℃以上では、Cu自体が酸化さ
れやすくなり、半田のぬれ性が悪くなる。なお、
本実施例ではCuにInとSnの両方を添加したペー
ストについて示したが、In又はSnのどちらかを
Cuに添加してもよい。又InやSnの化合物を添加
してもよい。
によりリード線を取り付ける。半田付温度は、
200℃〜250℃の範囲が最も望ましく、200℃以下
では、半田が溶融しにくいために半田付の作業性
が悪い。また、250℃以上では、Cu自体が酸化さ
れやすくなり、半田のぬれ性が悪くなる。なお、
本実施例ではCuにInとSnの両方を添加したペー
ストについて示したが、In又はSnのどちらかを
Cuに添加してもよい。又InやSnの化合物を添加
してもよい。
実施例 2
本実施例の光起電力装置の断面図を第2図に示
した。本実施例では、実施例1で示した電極の半
田付特性をさらに向上させるものである。
した。本実施例では、実施例1で示した電極の半
田付特性をさらに向上させるものである。
実施例1で作成した電極膜5,6上に、Cu:
エポキシ樹脂を70:30の比率で混合したものを印
刷し、150℃で60分間乾燥硬化して電極膜11と
する。この電極膜11への半田付については、実
施例1と同様に行う。
エポキシ樹脂を70:30の比率で混合したものを印
刷し、150℃で60分間乾燥硬化して電極膜11と
する。この電極膜11への半田付については、実
施例1と同様に行う。
発明の効果
以上のように本発明によれば次の効果を得るこ
とができる。
とができる。
(1) 電極へのリード線取り付けが半田付によりで
きるため、量産性、長期信頼性、リード線取付
けコストの面でメリツトが大きい。
きるため、量産性、長期信頼性、リード線取付
けコストの面でメリツトが大きい。
(2) 電極構成材料中における銀の割合が減り、銅
をかわりに用いるため、材料コストが低減され
る。
をかわりに用いるため、材料コストが低減され
る。
(3) 銀ペースト電極で見られたマイグレーシヨン
が銅を用いる事により防止できる。
が銅を用いる事により防止できる。
第1図、第2図は本発明の実施例によるCuが
含有ペーストを用いて電極部を形成した光起電力
装置を示す断面図、第3図は、従来のAg主体導
電ペーストを用いた光起電力装置の断面図、第4
図は超音波半田ゴテによりリード線を半田付した
光起電力装置の断面図である。 1……ガラス基板、2……CdS膜、3……
CdTe膜、4……カーボン膜、5……陽極側電
極、6……陰極側電極、7……導電性接着剤、8
……リード線、9……半田、10……樹脂、11
……電極膜。
含有ペーストを用いて電極部を形成した光起電力
装置を示す断面図、第3図は、従来のAg主体導
電ペーストを用いた光起電力装置の断面図、第4
図は超音波半田ゴテによりリード線を半田付した
光起電力装置の断面図である。 1……ガラス基板、2……CdS膜、3……
CdTe膜、4……カーボン膜、5……陽極側電
極、6……陰極側電極、7……導電性接着剤、8
……リード線、9……半田、10……樹脂、11
……電極膜。
Claims (1)
- 1 透明基板上にCdSもしくはそれを含む化合物
半導体焼結膜を、その上にCdTeもしくはCd、
Te化合物を含む化合物半導体焼結膜さらにその
上にアクセプタ不純物を含有するカーボン膜を順
に形成した構造である光起電力素子の電極部が2
層膜より成り、CdSもしくはそれを含む化合物半
導体焼結膜又はカーボン膜に接する第1層膜は銅
又は銅化合物を含有し、さらにIn、Sn又はそれ
らの化合物のうち少なくとも1つ以上含有するペ
ーストにより形成され、第1層膜上もしくは、第
1層膜と電気的に導通する位置に形成した第2層
膜は、銅又はその化合物を有するペーストにより
形成されていることを特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62048109A JPS63213975A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62048109A JPS63213975A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 光起電力装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63213975A JPS63213975A (ja) | 1988-09-06 |
JPH0560675B2 true JPH0560675B2 (ja) | 1993-09-02 |
Family
ID=12794146
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62048109A Granted JPS63213975A (ja) | 1987-03-03 | 1987-03-03 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63213975A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2544212Y2 (ja) * | 1988-09-20 | 1997-08-13 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置 |
JP2548820B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1996-10-30 | 三菱電機株式会社 | Si基板上化合物半導体光電変換素子 |
JP3254044B2 (ja) * | 1993-06-16 | 2002-02-04 | ナミックス株式会社 | 太陽電池用電極 |
WO2011129368A1 (ja) * | 2010-04-13 | 2011-10-20 | 京セラ株式会社 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501040A (ja) * | 1973-03-14 | 1975-01-08 | ||
JPS56147311A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-16 | Nippon Electric Co | Conductive paste |
JPS58160372A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-22 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペ−スト |
-
1987
- 1987-03-03 JP JP62048109A patent/JPS63213975A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS501040A (ja) * | 1973-03-14 | 1975-01-08 | ||
JPS56147311A (en) * | 1980-04-15 | 1981-11-16 | Nippon Electric Co | Conductive paste |
JPS58160372A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-22 | Toshiba Chem Corp | 導電性ペ−スト |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63213975A (ja) | 1988-09-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |