JPS63252427A - P型のテルル含有2−6半導体の薄いフィルムに対する安定オーミック接点 - Google Patents
P型のテルル含有2−6半導体の薄いフィルムに対する安定オーミック接点Info
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- JPS63252427A JPS63252427A JP63001144A JP114488A JPS63252427A JP S63252427 A JPS63252427 A JP S63252427A JP 63001144 A JP63001144 A JP 63001144A JP 114488 A JP114488 A JP 114488A JP S63252427 A JPS63252427 A JP S63252427A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、P型のテルル含有If−VI半導体の薄いフ
ィルムに対する安定なオーミック接点及びその製造方法
と、この新規な安定接点を組み込んだ電子装置、特に、
光電装置とに係る。
ィルムに対する安定なオーミック接点及びその製造方法
と、この新規な安定接点を組み込んだ電子装置、特に、
光電装置とに係る。
従来の技術
テルルを含有するII−VI半導体の層を組み込んだ光
電装置は、変換効率、コスト及び製造の容易さという点
で著しく有望である。ここで使用する「テルル含有II
−VI半導体」という用語は、テルルと、アメリカン・
ケミカル・ソサエティ(Awerican Chemi
cal 5ociety)によって出版された元素の周
期率表の■B族から選択された1つ以上の元素とを含む
半導体を意味するもので、これには、テルル化水銀カド
ミウム、テルル化カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛
、テルル化水銀亜鉛、テルル化亜鉛及びテルル化水銀が
含まれる。これらの半導体の中で、テルル化カドミウム
、テルル化水銀カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛及
びテルル化亜鉛が特に有望である。テルルを含有する■
−■半導体の中で、テルル化カドミウム及びテルル化水
銀カドミウムは、おそらく、最も研究されたものである
。これらの材料は、多数の技術によって生成することが
できる。例えば、単結晶のテルル化カドミウムは、ブリ
ッジマン(Bridgeman)の技術によって生成す
ることができる。テルル化カドミウムの厚いフィルムは
、カドミウム及びテルル粒子のスクリーン印刷して乾燥
させたペーストを焼結することによって生成することが
できる。
電装置は、変換効率、コスト及び製造の容易さという点
で著しく有望である。ここで使用する「テルル含有II
−VI半導体」という用語は、テルルと、アメリカン・
ケミカル・ソサエティ(Awerican Chemi
cal 5ociety)によって出版された元素の周
期率表の■B族から選択された1つ以上の元素とを含む
半導体を意味するもので、これには、テルル化水銀カド
ミウム、テルル化カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛
、テルル化水銀亜鉛、テルル化亜鉛及びテルル化水銀が
含まれる。これらの半導体の中で、テルル化カドミウム
、テルル化水銀カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛及
びテルル化亜鉛が特に有望である。テルルを含有する■
−■半導体の中で、テルル化カドミウム及びテルル化水
銀カドミウムは、おそらく、最も研究されたものである
。これらの材料は、多数の技術によって生成することが
できる。例えば、単結晶のテルル化カドミウムは、ブリ
ッジマン(Bridgeman)の技術によって生成す
ることができる。テルル化カドミウムの厚いフィルムは
、カドミウム及びテルル粒子のスクリーン印刷して乾燥
させたペーストを焼結することによって生成することが
できる。
これらの厚いフィルム(例えば、厚みが20ミクロン)
は、カドミウム及びテルルの粒子を反応させてテルル化
カドミウムを生成するために若干高い温度(約600℃
ないし700℃)で焼結される。テルル化カドミウムの
薄いフィルムは、米国特許第4,400,244号及び
第4,425゜194号に開示されたように、便利に電
着することができる。カドミウムに富んだテルル化水銀
カドミウムの薄いフィルムは、米国特許第4,548.
681号に開示されたように電着することができる。電
着されたテルル化カドミウム含有の薄いフィルムは、一
般に、N型の導電型を呈するが、米国特許第4,388
.483号の開示に従って熱処理することによりP型の
導電型に変換することができる。テルル化カドミウムを
含有する半導体の電着された薄いフィルムに対するオー
ミック接点は、米国特許第4,456,630号の開示
に従って生成することができる。これら特許の開示は、
参考としてここに取り上げる。
は、カドミウム及びテルルの粒子を反応させてテルル化
カドミウムを生成するために若干高い温度(約600℃
ないし700℃)で焼結される。テルル化カドミウムの
薄いフィルムは、米国特許第4,400,244号及び
第4,425゜194号に開示されたように、便利に電
着することができる。カドミウムに富んだテルル化水銀
カドミウムの薄いフィルムは、米国特許第4,548.
681号に開示されたように電着することができる。電
着されたテルル化カドミウム含有の薄いフィルムは、一
般に、N型の導電型を呈するが、米国特許第4,388
.483号の開示に従って熱処理することによりP型の
導電型に変換することができる。テルル化カドミウムを
含有する半導体の電着された薄いフィルムに対するオー
ミック接点は、米国特許第4,456,630号の開示
に従って生成することができる。これら特許の開示は、
参考としてここに取り上げる。
発明が解決しようとする問題点
P型のテルル含有II−VI半導体の結晶及びフィルム
に対するオーミック接点は、米国特許第4゜456.6
30号に開示された方法を含む種々のプロセスによって
首尾良く生成されているが、P型のテルル含有n −V
I半導体の薄いフィルムに対する成るオーミック接点は
、成る時間にわたって安定性を維持できないことが分か
った。例えば、前記の′630特許に従って生成された
電着されたテルル化カドミウム及びテルル化水銀カドミ
ウム上の金の接点は、テルル含有半導体と反応するか又
は該半導体に拡散することが分かった。以下で述べるよ
うに、公知の銅−ニッケル接点は、半導体から引き剥が
される小片を形成することが分かった。適度な寿命にわ
たって有用なP型のテルル含有n−VI半導体の薄いフ
ィルムを含む光電装置を生成するためには、長期間の安
定性を有するオーミック接点を容易に且つ安価に生成で
きねばならない。
に対するオーミック接点は、米国特許第4゜456.6
30号に開示された方法を含む種々のプロセスによって
首尾良く生成されているが、P型のテルル含有n −V
I半導体の薄いフィルムに対する成るオーミック接点は
、成る時間にわたって安定性を維持できないことが分か
った。例えば、前記の′630特許に従って生成された
電着されたテルル化カドミウム及びテルル化水銀カドミ
ウム上の金の接点は、テルル含有半導体と反応するか又
は該半導体に拡散することが分かった。以下で述べるよ
うに、公知の銅−ニッケル接点は、半導体から引き剥が
される小片を形成することが分かった。適度な寿命にわ
たって有用なP型のテルル含有n−VI半導体の薄いフ
ィルムを含む光電装置を生成するためには、長期間の安
定性を有するオーミック接点を容易に且つ安価に生成で
きねばならない。
そこで、本発明の主たる目的は、長期間にわたって安定
なP型のテルル含有II−VI半導体の薄いフィルムに
対するオーミック接点を提供することである。
なP型のテルル含有II−VI半導体の薄いフィルムに
対するオーミック接点を提供することである。
本発明の別の目的は、簡単な低コストの処理段階及び材
料しか必要としないP型のテルル含有II−VI半導体
の薄いフィルムに対するオーミック接点を形成すること
である。
料しか必要としないP型のテルル含有II−VI半導体
の薄いフィルムに対するオーミック接点を形成すること
である。
本発明の更に別の目的は、P型のテルル含有II−VI
半導体の薄いフィルムを含むと共に安定なオーミック接
点を組み込んだ光電装置を提供することである。
半導体の薄いフィルムを含むと共に安定なオーミック接
点を組み込んだ光電装置を提供することである。
問題点を解決するための手段
本発明によれば、テルル含有■−■半導体材料の薄いフ
ィルムに対するオーミック接点と、安定なオーミック接
点を組み込んだ光電装置とを形成する方法が提供される
0本発明の1つの実施例において、テルル化カドミウム
を含む薄いフィルムの表面が既知の技術を用いて生成さ
れる。その後、良好な機械的及び電気的接点を形成する
金属の接点形成層がこの生成された表面上に付着される
。例えば、厚み2nmの銅の層は、P型のテルル化カド
ミウム含有半導体に良く接着するが、その薄いフィルム
を短絡できるドープ源として働くための原子はほとんど
含んでいない。接点形成層には分離層が付着される。こ
の分離層は、その後に付着される層から半導体への金属
原子の不所望な拡散及び/又はこれら層と半導体との間
の阻止接触部の形成を回避する1分離層に対する元素の
候補は多数あるが、その中でも、炭素とニッケルの薄い
層がある。この分離層の上には、外部の電気導線をオー
ミック接点に接続し易くするために比較的厚い接続層が
付着される。この接続層は、アルミニウム又は銀の1枚
の層であってもよいし、ニッケル又はアルミニウムの薄
い層で覆われた銅の層のような多数の金属層であっても
よい。この新規な接点の全ての材料層は、既に確立され
ている真空蒸着技術によって付着することができる。
ィルムに対するオーミック接点と、安定なオーミック接
点を組み込んだ光電装置とを形成する方法が提供される
0本発明の1つの実施例において、テルル化カドミウム
を含む薄いフィルムの表面が既知の技術を用いて生成さ
れる。その後、良好な機械的及び電気的接点を形成する
金属の接点形成層がこの生成された表面上に付着される
。例えば、厚み2nmの銅の層は、P型のテルル化カド
ミウム含有半導体に良く接着するが、その薄いフィルム
を短絡できるドープ源として働くための原子はほとんど
含んでいない。接点形成層には分離層が付着される。こ
の分離層は、その後に付着される層から半導体への金属
原子の不所望な拡散及び/又はこれら層と半導体との間
の阻止接触部の形成を回避する1分離層に対する元素の
候補は多数あるが、その中でも、炭素とニッケルの薄い
層がある。この分離層の上には、外部の電気導線をオー
ミック接点に接続し易くするために比較的厚い接続層が
付着される。この接続層は、アルミニウム又は銀の1枚
の層であってもよいし、ニッケル又はアルミニウムの薄
い層で覆われた銅の層のような多数の金属層であっても
よい。この新規な接点の全ての材料層は、既に確立され
ている真空蒸着技術によって付着することができる。
この新規な接点は、その下の半導体にダメージを及ぼす
ことのある熱処理を必要としない。
ことのある熱処理を必要としない。
光電装置においては、新規なオーミック接点がその装置
に対する不透明な即ちrパック」接点を形成する。光電
装置は、ガラスのような透明な基板を備えていて、この
基板には、酸化スズ又は酸化インジウムスズのような透
明な導電層が被覆され、装置に対する第1電極即ち接点
が形成される。この第1電極の上には、電着のような便
利な方法によって硫化カドミウムのような第1半導体材
料の層が付着される0次いで、テルル化カドミウム又は
テルル化水銀カドミウムのようなP型のテルル含有n−
VI半導体の薄いフィルムが上記第1半導体層の上に配
置されて、光感知接合部が形、成される。その後、上記
のオーミック接点がこのテルル含有■−■半導体フィル
ム上に形成される。
に対する不透明な即ちrパック」接点を形成する。光電
装置は、ガラスのような透明な基板を備えていて、この
基板には、酸化スズ又は酸化インジウムスズのような透
明な導電層が被覆され、装置に対する第1電極即ち接点
が形成される。この第1電極の上には、電着のような便
利な方法によって硫化カドミウムのような第1半導体材
料の層が付着される0次いで、テルル化カドミウム又は
テルル化水銀カドミウムのようなP型のテルル含有n−
VI半導体の薄いフィルムが上記第1半導体層の上に配
置されて、光感知接合部が形、成される。その後、上記
のオーミック接点がこのテルル含有■−■半導体フィル
ム上に形成される。
このオーミック接点は、各層の成分のソースの順次の真
空蒸着と、蒸気の凝縮とによって形成することができる
。
空蒸着と、蒸気の凝縮とによって形成することができる
。
実施例
本発明においては、P型のテルル含有II−VI半導体
材料の薄いフィルムに対する安定なオーミック接点が形
成される。ここで使用する「薄いフィルム」という用語
は、厚みが約3マイクロメー夕以下のフィルムを意味す
る。テルル含有II−VI半導体には、テルル化カドミ
ウム、テルル化水銀カドミウム、テルル化カドミウム亜
鉛、テルル化亜鉛、テルル化水銀亜鉛及びテルル化水銀
が含まれる。これらの半導体は、付着時にP型の導電型
を示してもよいし、熱処理後に、それらの導電型を変え
てもよく及び/又は電子的に活性な不純物を組み込むこ
とによって意図的にドープされてもよい。本発明は、カ
ドミウム及びテルルを含む■−■半導体の電着された薄
いフィルムへの使用に限定されるものではないが、参考
としてここに取り上げる米国特許に開示されたように電
着された多結晶フィルムに特に有用である。
材料の薄いフィルムに対する安定なオーミック接点が形
成される。ここで使用する「薄いフィルム」という用語
は、厚みが約3マイクロメー夕以下のフィルムを意味す
る。テルル含有II−VI半導体には、テルル化カドミ
ウム、テルル化水銀カドミウム、テルル化カドミウム亜
鉛、テルル化亜鉛、テルル化水銀亜鉛及びテルル化水銀
が含まれる。これらの半導体は、付着時にP型の導電型
を示してもよいし、熱処理後に、それらの導電型を変え
てもよく及び/又は電子的に活性な不純物を組み込むこ
とによって意図的にドープされてもよい。本発明は、カ
ドミウム及びテルルを含む■−■半導体の電着された薄
いフィルムへの使用に限定されるものではないが、参考
としてここに取り上げる米国特許に開示されたように電
着された多結晶フィルムに特に有用である。
テルル化カドミウムを含むP型のn −Vl半導体に対
してオーミック接点を形成する方法が米国特許第4,4
56,630号(’630特許)に開示されている。該
特許においては、テルル化カドミウムの電着された薄い
フィルムが先ず溶液中において短時間(例えば、2秒)
エツチングされ、この溶液は、98重量%の硫酸を1容
積部と、飽和したニクロム酸カリウム(ジクロール(D
ichrol)という商標で販売されている)を1容積
部含むものである。酸でエツチングされた表面は、ヒド
ラジン溶液、即ちアルカリ溶液に約1分間浸漬される。
してオーミック接点を形成する方法が米国特許第4,4
56,630号(’630特許)に開示されている。該
特許においては、テルル化カドミウムの電着された薄い
フィルムが先ず溶液中において短時間(例えば、2秒)
エツチングされ、この溶液は、98重量%の硫酸を1容
積部と、飽和したニクロム酸カリウム(ジクロール(D
ichrol)という商標で販売されている)を1容積
部含むものである。酸でエツチングされた表面は、ヒド
ラジン溶液、即ちアルカリ溶液に約1分間浸漬される。
このように処理された表面には、最終的に、蒸着ソース
から金が被覆され、P型のテルル化カドミウムに対する
オーミック接点が形成される。
から金が被覆され、P型のテルル化カドミウムに対する
オーミック接点が形成される。
上記特許請求の範囲には、金属層として白金や銀や銅の
ような他の金属の使用が示唆されている。
ような他の金属の使用が示唆されている。
上記の′630特許に述べられた酸−アルカリ表面生成
段階が有用であると分かった。本発明では、エツチング
時間を長くして、著しく正確に制御する必要がないよう
にジクロール溶液の酸性度を下げることにより上記の段
階を若干変更することが好ましい。又、50重量%の硫
酸19容積部をニクロム酸塩1容積部と混合した溶液は
、5秒のエツチングで優れた結果を生じることが分かっ
た・ 前記したように、酸−アルカリで生成された表面に付着
された金は、安定な即ち長期間持続する接点を形成しな
い。一般に、金は、テルル含有■−■半導体と反応し及
び/又は該半導体に拡散され、接点が削られることにな
る。銅は、前記の′630特許に開示された順次の酸性
及びアルカリ性処理段階に基づいて生成されたP型のテ
ルル化カドミウム含有半導体の薄いフィルムの表面に良
好にオーミック接触することが現在知られている。然し
乍ら、銅は、テルル含有n −VI半導体に容易に拡散
することも知られている。充分な量の銅が利用できる場
合には、テルル含有■−■半導体の薄いフィルムの全厚
みにわたって銅が拡散し。
段階が有用であると分かった。本発明では、エツチング
時間を長くして、著しく正確に制御する必要がないよう
にジクロール溶液の酸性度を下げることにより上記の段
階を若干変更することが好ましい。又、50重量%の硫
酸19容積部をニクロム酸塩1容積部と混合した溶液は
、5秒のエツチングで優れた結果を生じることが分かっ
た・ 前記したように、酸−アルカリで生成された表面に付着
された金は、安定な即ち長期間持続する接点を形成しな
い。一般に、金は、テルル含有■−■半導体と反応し及
び/又は該半導体に拡散され、接点が削られることにな
る。銅は、前記の′630特許に開示された順次の酸性
及びアルカリ性処理段階に基づいて生成されたP型のテ
ルル化カドミウム含有半導体の薄いフィルムの表面に良
好にオーミック接触することが現在知られている。然し
乍ら、銅は、テルル含有n −VI半導体に容易に拡散
することも知られている。充分な量の銅が利用できる場
合には、テルル含有■−■半導体の薄いフィルムの全厚
みにわたって銅が拡散し。
薄いフィルムを半導体又は光電装置に使用できないよう
にする。
にする。
更に、銅は、接着力及び電気的な特性が優れているため
にテルル含有II−VI半導体の薄いフィルムに対する
接点を形成するのに有用である。銅の拡散に問題に対す
る1つの解決策は、拡散ソースとして半導体表面に対し
て得られる銅の量を制限することである。得られる銅の
量は、単に、銅層の厚みを制限することによって制御さ
れる6例えば、カドミウム及びテルルを含む厚さ約1.
5ミクロンのフィルム上に付着された厚さ約1ないし5
ナノメータ(n m)の銅層は、フィルムに拡散するこ
とによってフィルムにダメージを与える程の原子は含ん
でいない。然し乍ら、このように薄い銅接点形成層は、
抵抗率が本来許容できない程高く、この層及びその下の
薄いフィルムに著しいダメージを与えることなくワイヤ
又はリードに直接接触することがほとんど不可能である
。
にテルル含有II−VI半導体の薄いフィルムに対する
接点を形成するのに有用である。銅の拡散に問題に対す
る1つの解決策は、拡散ソースとして半導体表面に対し
て得られる銅の量を制限することである。得られる銅の
量は、単に、銅層の厚みを制限することによって制御さ
れる6例えば、カドミウム及びテルルを含む厚さ約1.
5ミクロンのフィルム上に付着された厚さ約1ないし5
ナノメータ(n m)の銅層は、フィルムに拡散するこ
とによってフィルムにダメージを与える程の原子は含ん
でいない。然し乍ら、このように薄い銅接点形成層は、
抵抗率が本来許容できない程高く、この層及びその下の
薄いフィルムに著しいダメージを与えることなくワイヤ
又はリードに直接接触することがほとんど不可能である
。
外部から電気的接続を行なえるようにオーミック接点の
厚みを増加するためには、薄い接点形成層に別の材料を
付着しなければならない。テルル化カドミウムのフィル
ムに対して銅−ニッケル接点が知られているが、これは
満足なものではない。ニッケルは、抵抗率が比較的低い
から、受は入れられる抵抗値を得るために比較的厚い層
で付着しなければならない。例えば、受は入れられる低
い抵抗層を形成するためには200nm以上の厚みのニ
ッケルフィルムが必要とされる。然し乍ら、II−VI
半導体上の銅の上に設けられた二ツケルの厚いフィルム
は、機械的に不安定であることが分かった。銅の上に蒸
着された1100n以上の厚みのニッケルフィルムは、
内部のストレスを保持する傾向がある。銅の上に設けら
れた厚いニッケルフィルムを保護しない場合には、時間
と共に酸化して、内部のフィルムストレスの作用のもと
で剥がれることがwi察されている。満足なニッケルー
鋼接点は、比較的薄い、ひいては、ストレスのないニッ
ケル層を銅の接点形成層の上に付着することによって形
成できることが分かった。例えば、厚み2nmの銅の接
点形成層の上に設けられた厚み50nmのニッケル層は
1機械的及び電気的に良好な接点を形成する。薄いニッ
ケル層は、ニッケルを酸化から防止すると共に、ニッケ
ル及び銅の層に許容できないダメージを与えることなく
外部接点を接合するに充分な金属厚みを与えるために、
アルミニウムのような別の金属層で覆われるのが好まし
い。ワイヤボンディング等によってアルミニウム層に接
合される外部接点は、既知の技術で容易に形成すること
ができる。良く知られているように、アルミニウムは、
阻止接触部を形成するために、P型のテルル含有II
−VI半導体に直接接触するように用いることができな
い。従って、最も外側の接続層、例えば、アルミニウム
を半導体から分離するための適当な分離層としてニッケ
ル層が用いられる。
厚みを増加するためには、薄い接点形成層に別の材料を
付着しなければならない。テルル化カドミウムのフィル
ムに対して銅−ニッケル接点が知られているが、これは
満足なものではない。ニッケルは、抵抗率が比較的低い
から、受は入れられる抵抗値を得るために比較的厚い層
で付着しなければならない。例えば、受は入れられる低
い抵抗層を形成するためには200nm以上の厚みのニ
ッケルフィルムが必要とされる。然し乍ら、II−VI
半導体上の銅の上に設けられた二ツケルの厚いフィルム
は、機械的に不安定であることが分かった。銅の上に蒸
着された1100n以上の厚みのニッケルフィルムは、
内部のストレスを保持する傾向がある。銅の上に設けら
れた厚いニッケルフィルムを保護しない場合には、時間
と共に酸化して、内部のフィルムストレスの作用のもと
で剥がれることがwi察されている。満足なニッケルー
鋼接点は、比較的薄い、ひいては、ストレスのないニッ
ケル層を銅の接点形成層の上に付着することによって形
成できることが分かった。例えば、厚み2nmの銅の接
点形成層の上に設けられた厚み50nmのニッケル層は
1機械的及び電気的に良好な接点を形成する。薄いニッ
ケル層は、ニッケルを酸化から防止すると共に、ニッケ
ル及び銅の層に許容できないダメージを与えることなく
外部接点を接合するに充分な金属厚みを与えるために、
アルミニウムのような別の金属層で覆われるのが好まし
い。ワイヤボンディング等によってアルミニウム層に接
合される外部接点は、既知の技術で容易に形成すること
ができる。良く知られているように、アルミニウムは、
阻止接触部を形成するために、P型のテルル含有II
−VI半導体に直接接触するように用いることができな
い。従って、最も外側の接続層、例えば、アルミニウム
を半導体から分離するための適当な分離層としてニッケ
ル層が用いられる。
別の有用な分離層を炭素で形成できることが分かった。
テルル化カドミウムを含有する半導体の表面は、前記し
たように、酸性及びアルカリ性の溶液で最初に順次に処
理される。次いで、2nmの銅の薄い接点形成層が付着
される。炭素の層は、好ましくは、真空蒸着及び凝縮に
よって接点形成層の上に付着される。炭素の層は、不透
明となるに充分な厚み、少なくとも50nmそして好ま
しくは1100nでなければならない。炭素は。
たように、酸性及びアルカリ性の溶液で最初に順次に処
理される。次いで、2nmの銅の薄い接点形成層が付着
される。炭素の層は、好ましくは、真空蒸着及び凝縮に
よって接点形成層の上に付着される。炭素の層は、不透
明となるに充分な厚み、少なくとも50nmそして好ま
しくは1100nでなければならない。炭素は。
非常に効果的な分離層であり、これを通して銅が拡散す
ることはない。従って、第2の銅層を炭素の上に付着し
てワイヤボンディング又は他の外部接点を形成すること
ができ、この第2の層からの銅がテルル含有■−■半導
体へと拡散することばない、この第2の銅の接続層には
、これを酸化から保護するためにアルミニウムや銀のよ
うな別の金属が被覆される。第2の銅層に代わるものと
して、ニッケルの薄い層が被覆されたアルミニウム層又
は鋼層が接続層として炭素の層上に付着され、オーミッ
ク接点が完成する。この後者の場合には。
ることはない。従って、第2の銅層を炭素の上に付着し
てワイヤボンディング又は他の外部接点を形成すること
ができ、この第2の層からの銅がテルル含有■−■半導
体へと拡散することばない、この第2の銅の接続層には
、これを酸化から保護するためにアルミニウムや銀のよ
うな別の金属が被覆される。第2の銅層に代わるものと
して、ニッケルの薄い層が被覆されたアルミニウム層又
は鋼層が接続層として炭素の層上に付着され、オーミッ
ク接点が完成する。この後者の場合には。
もし所望ならば、アルミニウムが保護被膜としてニッケ
ルに付着されてもよい、ニッケルを炭素の上に直接付着
することは望ましくなく、炭素に対して電気的及び機械
的に良好に接触する他の金属。
ルに付着されてもよい、ニッケルを炭素の上に直接付着
することは望ましくなく、炭素に対して電気的及び機械
的に良好に接触する他の金属。
例えば、クロムを接続層として炭素層に直接接触させて
用いることができる。
用いることができる。
本発明の実施例による光電セルが第1図に概略断面で示
されている。第1図は、正しい寸法比率で描かれていな
い。セル1は、典型的にガラスである光透過基板3を備
えている。透明な導電性材料の層5が第1電極として基
板3上に配置される0層5のための適当な材料は、透明
な導電性酸化物、例えば、酸化スズ又はインジウムでド
ープされた酸化スズである。セルの第1電気端子を形成
するワイヤ6は、おそらく、薄い金属フィルム(図示せ
ず)を経て層5に電気的接触する。好ましくはN型の硫
化カドミウムである第1半導体の薄いフィルム7が電極
5上に配置される。この硫化カドミウム層は電着される
のが好ましいが、真空蒸着及び凝縮のような他の既知の
技術によって付着されてもよい、P型のテルル含有■−
■半導体の薄いフィルム層9が層7上に配置されて、光
応答性のへテロ接合を形成する。この薄いフィルム9は
、電着されたテルル化カドミウム又はテルル化水銀カド
ミウムであり、これは、熱処理によってP型の導電型に
変換されている。
されている。第1図は、正しい寸法比率で描かれていな
い。セル1は、典型的にガラスである光透過基板3を備
えている。透明な導電性材料の層5が第1電極として基
板3上に配置される0層5のための適当な材料は、透明
な導電性酸化物、例えば、酸化スズ又はインジウムでド
ープされた酸化スズである。セルの第1電気端子を形成
するワイヤ6は、おそらく、薄い金属フィルム(図示せ
ず)を経て層5に電気的接触する。好ましくはN型の硫
化カドミウムである第1半導体の薄いフィルム7が電極
5上に配置される。この硫化カドミウム層は電着される
のが好ましいが、真空蒸着及び凝縮のような他の既知の
技術によって付着されてもよい、P型のテルル含有■−
■半導体の薄いフィルム層9が層7上に配置されて、光
応答性のへテロ接合を形成する。この薄いフィルム9は
、電着されたテルル化カドミウム又はテルル化水銀カド
ミウムであり、これは、熱処理によってP型の導電型に
変換されている。
上記した構造を有するオーミック接点11が薄いフィル
ム9上に形成される。テルルを含有する薄いフィルム9
の表面が上記のように酸性及びアルカリ性の溶液で順次
に処理された後1こ、約2nmの銅の接点形成層13が
その上に付着される。
ム9上に形成される。テルルを含有する薄いフィルム9
の表面が上記のように酸性及びアルカリ性の溶液で順次
に処理された後1こ、約2nmの銅の接点形成層13が
その上に付着される。
その後、炭素又はニッケルの分離層15が接点形成層の
上に付着され、この層をその後に付着される層から分離
する。最後に、1つ以上の金属の接続層17が分離層1
5に付着され、セル1に対する第2の電気端子が形成さ
れる。スクリーン印刷された厚いフィルムのテルル化カ
ドミウム含有半導体に対する既知の接点とは異なり、多
層のオーミック接点を動作状態にするために、薄いフィ
ルム9にダメージを及ぼすような熱処理が必要とされる
ことはない。ワイヤ19は、溶接、半田付け、又は導電
性接着材での接着といった既知の手段によってオーミッ
ク接点11の接続層17に接合され、セル1の第2の端
子を形成する。或いは又、テストを行なう目的で、導電
性のプローブを接続層に接触して外部装置との電気的な
連絡を確立することもできる。
上に付着され、この層をその後に付着される層から分離
する。最後に、1つ以上の金属の接続層17が分離層1
5に付着され、セル1に対する第2の電気端子が形成さ
れる。スクリーン印刷された厚いフィルムのテルル化カ
ドミウム含有半導体に対する既知の接点とは異なり、多
層のオーミック接点を動作状態にするために、薄いフィ
ルム9にダメージを及ぼすような熱処理が必要とされる
ことはない。ワイヤ19は、溶接、半田付け、又は導電
性接着材での接着といった既知の手段によってオーミッ
ク接点11の接続層17に接合され、セル1の第2の端
子を形成する。或いは又、テストを行なう目的で、導電
性のプローブを接続層に接触して外部装置との電気的な
連絡を確立することもできる。
ここに示した新規なオーミック接点の実施例は、安定性
という点で既知の接点に対し著しい改善をもたらす。第
2図及び第3図は、第1図に示された形式の硫化カドミ
ウム−テルル化カドミウム光電セルの測定応答を時間に
対して示したものである。セルの透明電極は、1ミクロ
ン厚みのアルミニウム層が接触した酸化インジウムスズ
であった。全てのセルは、約1dの面積を有するもので
あった。通常のセルでは、後部接点即ち第2電極は、5
nm厚みの銅の層に1100n厚みのニッケルの層を被
覆したものであった。本発明の実施例によるセルは、厚
み5nmの銅の接点形成層に50nmの炭素を被覆した
ものを有する後部接点を含んだものであった。炭素の層
には、3nmの銅と、70nmのニッケルを被覆した。
という点で既知の接点に対し著しい改善をもたらす。第
2図及び第3図は、第1図に示された形式の硫化カドミ
ウム−テルル化カドミウム光電セルの測定応答を時間に
対して示したものである。セルの透明電極は、1ミクロ
ン厚みのアルミニウム層が接触した酸化インジウムスズ
であった。全てのセルは、約1dの面積を有するもので
あった。通常のセルでは、後部接点即ち第2電極は、5
nm厚みの銅の層に1100n厚みのニッケルの層を被
覆したものであった。本発明の実施例によるセルは、厚
み5nmの銅の接点形成層に50nmの炭素を被覆した
ものを有する後部接点を含んだものであった。炭素の層
には、3nmの銅と、70nmのニッケルを被覆した。
後部接点の層は、各層のソースを真空チャンバにおいて
電子ビームで順次加熱することにより付着した。
電子ビームで順次加熱することにより付着した。
従来のセルと、本発明によるセルの短絡電流密度及び効
率の正規化した測定値が各々第2図及び第3図に時間に
対してプロットされている。本発明によるセルの測定値
は十記号で示されている。
率の正規化した測定値が各々第2図及び第3図に時間に
対してプロットされている。本発明によるセルの測定値
は十記号で示されている。
全ての測定値は、約640時間にわたり太陽模擬装置に
おいて連続的に光に露出する間に成るインターバルでと
られたものである。太陽模擬装置において連続的に露光
することは、セルが通常そうであるように明−暗の日々
のサイクルに曝されるので加速寿命試験を表わしている
。測定のためのセルに対する一時的な電気的接続は、プ
ローブで確立された。連続的な光露出の時間の後に、全
てのセルが太陽模擬装置から取り出され、セルが暗い状
態、即ち、周囲光線におかれる間に更に別の測定が行な
われた。第2図及び第3図に示されたように、光に露出
した後の暗い状態において全てのセルに対する短絡電流
密度及び効率が改善された。更に重要なことに、第2図
及び第3図は、150時間光に露出するまで本発明によ
るセルでは短絡電流密度にも効率にも低下が見られない
ことを示している。既知の銅−ニッケル接点を有するセ
ルは、この低下がより早く且つ大きく生じ、本発明の新
規なセルよりも高い正規化短絡電流密度又は効率では機
能しなかった。実際には、いずれのセルも、暗い状態で
の最終的な測定のみにおいて正規化短絡電流密度及び効
率について本発明の新規なセルに近い性能を示すに過ぎ
なかった(第2図参照)、金及び他の接点を有するテル
ル化カドミウムセルでの測定実験に基づき、これらの結
果は、新規な接点をセルの後部(光を受けない接点)に
用いた時に非常に安定していて公知の接点よりも非常に
優れた性能を発揮することを示している。金を除去しそ
して新規なオーミック接点に一般的な金属を使用するこ
とは、コストの低下を意味する。更に、本発明の新規な
接点を製造するプロセスは簡単であり、且つ従来の装置
しか必要としない。
おいて連続的に光に露出する間に成るインターバルでと
られたものである。太陽模擬装置において連続的に露光
することは、セルが通常そうであるように明−暗の日々
のサイクルに曝されるので加速寿命試験を表わしている
。測定のためのセルに対する一時的な電気的接続は、プ
ローブで確立された。連続的な光露出の時間の後に、全
てのセルが太陽模擬装置から取り出され、セルが暗い状
態、即ち、周囲光線におかれる間に更に別の測定が行な
われた。第2図及び第3図に示されたように、光に露出
した後の暗い状態において全てのセルに対する短絡電流
密度及び効率が改善された。更に重要なことに、第2図
及び第3図は、150時間光に露出するまで本発明によ
るセルでは短絡電流密度にも効率にも低下が見られない
ことを示している。既知の銅−ニッケル接点を有するセ
ルは、この低下がより早く且つ大きく生じ、本発明の新
規なセルよりも高い正規化短絡電流密度又は効率では機
能しなかった。実際には、いずれのセルも、暗い状態で
の最終的な測定のみにおいて正規化短絡電流密度及び効
率について本発明の新規なセルに近い性能を示すに過ぎ
なかった(第2図参照)、金及び他の接点を有するテル
ル化カドミウムセルでの測定実験に基づき、これらの結
果は、新規な接点をセルの後部(光を受けない接点)に
用いた時に非常に安定していて公知の接点よりも非常に
優れた性能を発揮することを示している。金を除去しそ
して新規なオーミック接点に一般的な金属を使用するこ
とは、コストの低下を意味する。更に、本発明の新規な
接点を製造するプロセスは簡単であり、且つ従来の装置
しか必要としない。
以上、好ましい実施例について本発明を説明した。当業
者であれば、本発明の範囲内で種々の変更が明らかであ
ろう。従って、本発明は、特許請求の範囲のみによって
限定されるものとする。
者であれば、本発明の範囲内で種々の変更が明らかであ
ろう。従って、本発明は、特許請求の範囲のみによって
限定されるものとする。
第1図は、本発明による光電装置の概略断面図、
第2図は、光を当てる間及び当てた後に測定した本発明
による光電装置及びそれ以外の装置の正規化短絡電流密
度を時間に対してプロットしたグラフ、そして 第3図は、光を当てる間及び当てた後に測定した本発明
による光電装置及びそれ以外の装置の正規化効率を時間
に対してプロットしたグラフである。 1・・・光電セル 3・・・光透過性の基板5・・
・透明な導電材料の層 6・・・ワイヤ 7・・・第1の半導体層 9・・・P型のテルル含有II−Vl半導体の層11・
・・オーミック接点 13・・・接点形成層 15・・・分離層17・・・接
続層 19・・・ワイヤ2j 8 16
40 100 250 640時間(HR5) FIG、3 正規化した短絡電流密度 9999− ご 0〜 A Φ Φ 0〜 ”5?m″E″(9ゞゝ 63,4.281.事件の表
示 昭和63年特許願第1144号3、補正をする者 事件との関係 出願人 名 称 ザ スタンダード オイル カンノ櫂ニー4
、代理人
による光電装置及びそれ以外の装置の正規化短絡電流密
度を時間に対してプロットしたグラフ、そして 第3図は、光を当てる間及び当てた後に測定した本発明
による光電装置及びそれ以外の装置の正規化効率を時間
に対してプロットしたグラフである。 1・・・光電セル 3・・・光透過性の基板5・・
・透明な導電材料の層 6・・・ワイヤ 7・・・第1の半導体層 9・・・P型のテルル含有II−Vl半導体の層11・
・・オーミック接点 13・・・接点形成層 15・・・分離層17・・・接
続層 19・・・ワイヤ2j 8 16
40 100 250 640時間(HR5) FIG、3 正規化した短絡電流密度 9999− ご 0〜 A Φ Φ 0〜 ”5?m″E″(9ゞゝ 63,4.281.事件の表
示 昭和63年特許願第1144号3、補正をする者 事件との関係 出願人 名 称 ザ スタンダード オイル カンノ櫂ニー4
、代理人
Claims (11)
- (1)P型のテルル含有II−VI半導体の薄いフィルムに
対するオーミック接点を製造する方法において、 上記薄いフィルムに対する接着性の導電性接点を形成す
るには充分であるが上記薄いフィルムを貫通するドーパ
ント原子のソースとして働くには不充分であるような厚
みでP型のテルル含有II−VI半導体の薄いフィルムの上
に金属性の接点形成層を付着し、 上記接点形成層の上に導電性の分離層を付着してその後
に付着される層を上記薄いフィルムから分離し、そして 上記分離層の上に導電性の接続層を付着して外部の電気
導体を上記オーミック接点に接続するようにしたことを
特徴とする方法。 - (2)厚みが1ないし5ナノメータの銅の層を上記接点
形成層として付着する特許請求の範囲第1項に記載の方
法。 - (3)厚みが少なくとも50ナノメータの炭素の層を上
記分離層として付着する特許請求の範囲第1項に記載の
方法。 - (4)アルミニウム、銅及びクロムのうちの1つの層を
上記接続層として上記炭素の層上に付着する特許請求の
範囲第3項に記載の方法。 - (5)厚みが100ナノメータ未満のニッケルの層を上
記分離層として付着する特許請求の範囲第1項に記載の
方法。 - (6)光透過性の基板と、 上記基板の上に第1電極として配置された導電性の透明
な層と、 上記第1電極の上に配置された第1半導体の層と、 上記第1半導体の上に配置されてそれと光応答接合を形
成するP型のテルル含有II−VI半導体の薄いフィルムと
、 上記薄いフィルムに接触する第2電極とを具備し、この
第2電極は、上記薄いフィルムに対する接着性の導電性
接点を形成するには充分であるが上記薄いフィルムを貫
通するドーパント原子のソースとして働くには不充分で
あるような厚みで上記薄いフィルムの上に配置された金
属性の接点形成層と、上記薄いフィルムから追加層を分
離するために上記接点形成層の上に配置された導電性の
分離層と、外部の電気導線を上記第2電極に接続するた
めに上記分離層上に配置された導電性の接続層とを含ん
でいることを特徴とする光電装置。 - (7)上記薄いフィルムは、テルル化カドミウム、テル
ル化水銀カドミウム、テルル化亜鉛、テルル化カドミウ
ム亜鉛、テルル化水銀亜鉛及びテルル化水銀より成る群
から選択され、そして上記第1半導体は、N型硫化カド
ミウムより成る特許請求の範囲第6項に記載の光電装置
。 - (8)上記接点形成層は、厚みが1ないし5ナノメータ
の銅の層を含む特許請求の範囲第6項に記載の光電装置
。 - (9)上記分離層は、厚みが少なくとも50ナノメータ
の炭素の層を含む特許請求の範囲第6項に記載の光電装
置。 - (10)上記接続層は、上記炭素の層の上に配置された
アルミニウム、銅及びクロムのうちの1つの層を含む特
許請求の範囲第9項に記載の光電装置。 - (11)上記分離層は、厚みが100ナノメータ以下の
ニッケルの層を含む特許請求の範囲第6項に記載の光電
装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US07/000,714 US4735662A (en) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | Stable ohmic contacts to thin films of p-type tellurium-containing II-VI semiconductors |
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Publication Number | Publication Date |
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JPS63252427A true JPS63252427A (ja) | 1988-10-19 |
JP2742416B2 JP2742416B2 (ja) | 1998-04-22 |
Family
ID=21692710
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP88501094A Pending JPH02502589A (ja) | 1987-01-06 | 1987-12-28 | マイクロプログラム可能な言語エミュレートシステム |
JP63001144A Expired - Fee Related JP2742416B2 (ja) | 1987-01-06 | 1988-01-06 | P型のテルル含有▲ii▼−▲vi▼半導体の薄いフィルムに対する安定オーミック接点 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP88501094A Pending JPH02502589A (ja) | 1987-01-06 | 1987-12-28 | マイクロプログラム可能な言語エミュレートシステム |
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EP (1) | EP0274890B1 (ja) |
JP (2) | JPH02502589A (ja) |
KR (1) | KR0143915B1 (ja) |
AU (1) | AU598333B2 (ja) |
BR (1) | BR8800015A (ja) |
CA (1) | CA1288852C (ja) |
DE (1) | DE3751113T2 (ja) |
ES (1) | ES2069530T3 (ja) |
MX (1) | MX166509B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022529927A (ja) * | 2019-04-15 | 2022-06-27 | フォルシュングスツェントルム ユーリッヒ ゲーエムベーハー | オーミック接点の製造およびオーミック接点を備えた電子素子 |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5141564A (en) * | 1988-05-03 | 1992-08-25 | The Boeing Company | Mixed ternary heterojunction solar cell |
US5196918A (en) * | 1989-08-28 | 1993-03-23 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Integrated circuit device and method for manufacturing the same |
US5291507A (en) * | 1991-05-15 | 1994-03-01 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Blue-green laser diode |
US5404027A (en) * | 1991-05-15 | 1995-04-04 | Minnesota Mining & Manufacturing Compay | Buried ridge II-VI laser diode |
US5274269A (en) * | 1991-05-15 | 1993-12-28 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Ohmic contact for p-type group II-IV compound semiconductors |
CN1111840A (zh) * | 1991-05-15 | 1995-11-15 | 明尼苏达州采矿制造公司 | 蓝-绿激光二极管的制造方法 |
GB9123684D0 (en) * | 1991-11-07 | 1992-01-02 | Bp Solar Ltd | Ohmic contacts |
US5279678A (en) * | 1992-01-13 | 1994-01-18 | Photon Energy, Inc. | Photovoltaic cell with thin CS layer |
EP0635892B1 (en) * | 1992-07-21 | 2002-06-26 | Raytheon Company | Bake-stable HgCdTe photodetector and method for fabricating same |
US5296384A (en) * | 1992-07-21 | 1994-03-22 | Santa Barbara Research Center | Bake-stable HgCdTe photodetector and method for fabricating same |
JPH06302599A (ja) * | 1993-04-13 | 1994-10-28 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6043548A (en) * | 1993-04-14 | 2000-03-28 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Semiconductor device with stabilized junction |
US5412242A (en) * | 1993-04-14 | 1995-05-02 | Yeda Research And Development Co., Ltd. | Semiconductor device with p-n junction based on dopant profile in equilibrium with internal electric field created by this junction |
US5477088A (en) * | 1993-05-12 | 1995-12-19 | Rockett; Angus A. | Multi-phase back contacts for CIS solar cells |
US5557146A (en) * | 1993-07-14 | 1996-09-17 | University Of South Florida | Ohmic contact using binder paste with semiconductor material dispersed therein |
IL110390A0 (en) * | 1993-07-21 | 1994-10-21 | Photon Energy Inc | Method for making a photovoltaic device |
US5785236A (en) * | 1995-11-29 | 1998-07-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Advanced copper interconnect system that is compatible with existing IC wire bonding technology |
US5998235A (en) | 1997-06-26 | 1999-12-07 | Lockheed Martin Corporation | Method of fabrication for mercury-based quaternary alloys of infrared sensitive materials |
US6144039A (en) * | 1998-05-19 | 2000-11-07 | Hshieh; Fwu-Iuan | Low melting pads for instant electrical connections |
US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
WO2002091483A2 (en) * | 2001-05-08 | 2002-11-14 | Bp Corporation North America Inc. | Improved photovoltaic device |
GB2397945B (en) * | 2002-01-29 | 2005-05-11 | Univ Sheffield Hallam | Thin film photovoltaic devices and methods of making the same |
DE10239845C1 (de) * | 2002-08-29 | 2003-12-24 | Day4 Energy Inc | Elektrode für fotovoltaische Zellen, fotovoltaische Zelle und fotovoltaischer Modul |
US20070144577A1 (en) * | 2005-12-23 | 2007-06-28 | Rubin George L | Solar cell with physically separated distributed electrical contacts |
JP4993916B2 (ja) * | 2006-01-31 | 2012-08-08 | 昭和シェル石油株式会社 | Inハンダ被覆銅箔リボン導線及びその接続方法 |
US7498508B2 (en) | 2006-02-24 | 2009-03-03 | Day4 Energy, Inc. | High voltage solar cell and solar cell module |
US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US9236512B2 (en) | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US20080092944A1 (en) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Leonid Rubin | Semiconductor structure and process for forming ohmic connections to a semiconductor structure |
US20080290368A1 (en) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Day4 Energy, Inc. | Photovoltaic cell with shallow emitter |
WO2009076382A2 (en) * | 2007-12-11 | 2009-06-18 | Evergreen Solar, Inc. | Shaped tab conductors for a photovoltaic cell |
KR20100097219A (ko) * | 2007-12-18 | 2010-09-02 | 데이4 에너지 인코포레이티드 | Pv 스트링으로 에지 액세스를 수행하는 광전지 모듈, 연결 방법, 장치, 및 시스템 |
US7842534B2 (en) * | 2008-04-02 | 2010-11-30 | Sunlight Photonics Inc. | Method for forming a compound semi-conductor thin-film |
CN102105999A (zh) * | 2008-07-28 | 2011-06-22 | 达伊4能量有限公司 | 用低温精密回蚀和钝化过程制备的具有选择性发射极的晶体硅光伏电池 |
US8187963B2 (en) | 2010-05-24 | 2012-05-29 | EncoreSolar, Inc. | Method of forming back contact to a cadmium telluride solar cell |
CN102347577B (zh) * | 2010-07-27 | 2013-07-17 | 泰科电子(上海)有限公司 | 电连接系统和具有电连接系统的框架 |
US9159864B2 (en) * | 2013-07-25 | 2015-10-13 | First Solar, Inc. | Back contact paste with Te enrichment and copper doping control in thin film photovoltaic devices |
CN113782416B (zh) * | 2021-09-13 | 2024-03-05 | 安徽光智科技有限公司 | 碲镉汞液相外延生长源衬底及其制备方法、碲镉汞液相外延生长方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4085500A (en) * | 1975-07-17 | 1978-04-25 | Honeywell Inc. | Ohmic contacts to p-type mercury cadmium telluride |
JPS5984579A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シヨツトキ接合ゲ−ト形電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JPS61222180A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-10-02 | ソヒオ コマ−シヤル デイベロツプメント コムパニ− | P形半導体用多層オ−ミツク接触及びその作製方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4425194A (en) * | 1976-06-08 | 1984-01-10 | Monosolar, Inc. | Photo-voltaic power generating means and methods |
US4400244A (en) * | 1976-06-08 | 1983-08-23 | Monosolar, Inc. | Photo-voltaic power generating means and methods |
US4319069A (en) * | 1980-07-25 | 1982-03-09 | Eastman Kodak Company | Semiconductor devices having improved low-resistance contacts to p-type CdTe, and method of preparation |
US4524378A (en) * | 1980-08-04 | 1985-06-18 | Hughes Aircraft Company | Anodizable metallic contacts to mercury cadmium telleride |
US4388483A (en) * | 1981-09-08 | 1983-06-14 | Monosolar, Inc. | Thin film heterojunction photovoltaic cells and methods of making the same |
DE3328899C2 (de) * | 1983-08-10 | 1985-07-11 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Photovoltaische Zelle |
US4456630A (en) * | 1983-08-18 | 1984-06-26 | Monosolar, Inc. | Method of forming ohmic contacts |
US4548681A (en) * | 1984-02-03 | 1985-10-22 | The Standard Oil Company (Ohio) | Electrodeposition of thin film heterojunction photovoltaic devices that utilize Cd rich Hg1-x Cdx Te |
US4650921A (en) * | 1985-10-24 | 1987-03-17 | Atlantic Richfield Company | Thin film cadmium telluride solar cell |
-
1987
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- 1987-12-18 EP EP87311187A patent/EP0274890B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-28 MX MX009935A patent/MX166509B/es unknown
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- 1988-01-05 AU AU10057/88A patent/AU598333B2/en not_active Ceased
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4085500A (en) * | 1975-07-17 | 1978-04-25 | Honeywell Inc. | Ohmic contacts to p-type mercury cadmium telluride |
JPS5984579A (ja) * | 1982-11-08 | 1984-05-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | シヨツトキ接合ゲ−ト形電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JPS61222180A (ja) * | 1984-12-28 | 1986-10-02 | ソヒオ コマ−シヤル デイベロツプメント コムパニ− | P形半導体用多層オ−ミツク接触及びその作製方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022529927A (ja) * | 2019-04-15 | 2022-06-27 | フォルシュングスツェントルム ユーリッヒ ゲーエムベーハー | オーミック接点の製造およびオーミック接点を備えた電子素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2069530T3 (es) | 1995-05-16 |
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EP0274890B1 (en) | 1995-03-01 |
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US4735662A (en) | 1988-04-05 |
CA1288852C (en) | 1991-09-10 |
DE3751113D1 (de) | 1995-04-06 |
MX166509B (es) | 1993-01-13 |
BR8800015A (pt) | 1988-08-02 |
DE3751113T2 (de) | 1995-06-29 |
AU1005788A (en) | 1988-07-07 |
JP2742416B2 (ja) | 1998-04-22 |
KR0143915B1 (ko) | 1998-08-17 |
JPH02502589A (ja) | 1990-08-16 |
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Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2742416B2 (ja) | P型のテルル含有▲ii▼−▲vi▼半導体の薄いフィルムに対する安定オーミック接点 | |
US5248345A (en) | Integrated photovoltaic device | |
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