JPS63213933A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS63213933A JPS63213933A JP4800587A JP4800587A JPS63213933A JP S63213933 A JPS63213933 A JP S63213933A JP 4800587 A JP4800587 A JP 4800587A JP 4800587 A JP4800587 A JP 4800587A JP S63213933 A JPS63213933 A JP S63213933A
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、プラズマ
化学的気相成長膜形成後の熱処理温度の改良に関する。
化学的気相成長膜形成後の熱処理温度の改良に関する。
従来、半導体集積回路に用いるアルミニウム配線のシリ
コンとのオーミックコンタクトを得るためのアロイ温度
は４５０〜ら００℃であった。このため層間絶縁膜とし
てのプラズマ窒化膜形成後も４５０℃の熱処理は行なっ
ていた。
コンとのオーミックコンタクトを得るためのアロイ温度
は４５０〜ら００℃であった。このため層間絶縁膜とし
てのプラズマ窒化膜形成後も４５０℃の熱処理は行なっ
ていた。
上述した従来の製造方法では、プラズマ窒化膜形成後の
熱処理温度が４５０℃前後であるから、下地アルミニウ
ム配線の消失あるいはプラズマ窒化膜のふくれというよ
うな不良が多発していた。
熱処理温度が４５０℃前後であるから、下地アルミニウ
ム配線の消失あるいはプラズマ窒化膜のふくれというよ
うな不良が多発していた。
これに対し、Ｊ、Ｔ、ＹｕｅらやＴ、Ｔｕｒｎｅｒらが
プロシーディンゲス・アイ・イー・イー・イー・１９８
５インターナシヨナル・リライアビリティ・フィジック
ス・シンポジウム（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ＩＥＥＥ
１９８５Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅ１ｉａ
ｂｉｌｉｔｙ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
）に発表したように応力が原因とする説があり、この従
来の応力原因膜に基づき、プラズマ窒化膜の厚さを変え
たり、応力、すなわちウェーハのそり量を変化させたり
して、アルミニウム消失や窒化膜ふくれを防ごうとした
が成功しなかった。
プロシーディンゲス・アイ・イー・イー・イー・１９８
５インターナシヨナル・リライアビリティ・フィジック
ス・シンポジウム（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ＩＥＥＥ
１９８５Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｒｅ１ｉａ
ｂｉｌｉｔｙ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ
）に発表したように応力が原因とする説があり、この従
来の応力原因膜に基づき、プラズマ窒化膜の厚さを変え
たり、応力、すなわちウェーハのそり量を変化させたり
して、アルミニウム消失や窒化膜ふくれを防ごうとした
が成功しなかった。
従って、これまではアルミニウム配線の消失やプラズマ
窒化膜のふくれ原因は不明であった。
窒化膜のふくれ原因は不明であった。
本発明の目的は、プラズマ化学的気相成長膜を絶縁膜と
する半導体装置のプラズマ化学的気相成長絶縁膜形成後
の熱処理によりアルミニウム配線の消失やプラズマ絶縁
膜のふくれなどが生じない半導体装置の製造方法を提供
することにある。
する半導体装置のプラズマ化学的気相成長絶縁膜形成後
の熱処理によりアルミニウム配線の消失やプラズマ絶縁
膜のふくれなどが生じない半導体装置の製造方法を提供
することにある。
本発明の半導体装置の製造方法は、プラズマ化学的気相
成長膜を絶縁膜とする半導体装置の製造方法において、
前記プラズマ化学的気相成長膜を熱処理温度を前記プラ
ズマ化学的気相成長膜から水素が離脱する温度以下の温
度にすることを特徴として構成される。
成長膜を絶縁膜とする半導体装置の製造方法において、
前記プラズマ化学的気相成長膜を熱処理温度を前記プラ
ズマ化学的気相成長膜から水素が離脱する温度以下の温
度にすることを特徴として構成される。
そして、本発明の原理は、本発明者がアルミニウム消失
やプラズマ窒化膜のふくれの原因がプラズマ窒化膜の応
力でなく、プラズマ窒化膜中に含まれる水素にあり、こ
の水素のプラズマ窒化膜からの離脱に温度依存性がある
ことを見い出したことに基づき、プラズマ量化膜形成後
の熱処理を、この水素の離脱温度以下にしたことにある
。
やプラズマ窒化膜のふくれの原因がプラズマ窒化膜の応
力でなく、プラズマ窒化膜中に含まれる水素にあり、こ
の水素のプラズマ窒化膜からの離脱に温度依存性がある
ことを見い出したことに基づき、プラズマ量化膜形成後
の熱処理を、この水素の離脱温度以下にしたことにある
。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
実施例の説明にさきたち本発明の作用について説明する
。第３図はプラズマ窒化膜の組成の熱処理温度による変
化を示す図である。第３図かられかるように、プラズマ
窒化膜中の窒素−水素結合（Ｎ−Ｈ結合）は約４００℃
から分解しはじめる。一方シリコンー水素結合（Ｓ ｉ
−Ｈ結合）は約６００℃から分解しはじめる。
。第３図はプラズマ窒化膜の組成の熱処理温度による変
化を示す図である。第３図かられかるように、プラズマ
窒化膜中の窒素−水素結合（Ｎ−Ｈ結合）は約４００℃
から分解しはじめる。一方シリコンー水素結合（Ｓ ｉ
−Ｈ結合）は約６００℃から分解しはじめる。
また、第４図はプラズマ窒化膜から発生する水素の量の
熱処理温度依存性を示す図である。第４図かられかるよ
うに、プラズマ窒化膜からの水素は４００℃を越えて急
に放出され始める。
熱処理温度依存性を示す図である。第４図かられかるよ
うに、プラズマ窒化膜からの水素は４００℃を越えて急
に放出され始める。
また、第５図は、実際の半導体集積回路の構造である、
シリコン基板上に約１．Ｑ、＋ｚｍの酸化膜を成長し、
その上にアルミニウム膜１，０μｍを形成し、さらにプ
ラズマ窒化膜１．０μｍを成長した後の熱処理による水
素の放出量を示した図である。第５図かられかるように
、アルミニウム・プラズマ窒化膜の組み合わせた試料を
加熱すると極めて多量の水素が発生し、この水素がプラ
ズマ窒化膜ふくれを発生させ、その下のアルミニウム消
失の原因となることがわかった。この水素も、やはり４
００℃付近から急激に増加しはじめる。
シリコン基板上に約１．Ｑ、＋ｚｍの酸化膜を成長し、
その上にアルミニウム膜１，０μｍを形成し、さらにプ
ラズマ窒化膜１．０μｍを成長した後の熱処理による水
素の放出量を示した図である。第５図かられかるように
、アルミニウム・プラズマ窒化膜の組み合わせた試料を
加熱すると極めて多量の水素が発生し、この水素がプラ
ズマ窒化膜ふくれを発生させ、その下のアルミニウム消
失の原因となることがわかった。この水素も、やはり４
００℃付近から急激に増加しはじめる。
第４図と同様の結果は、ジャーナル・オブ・ザ・エレク
トロケミカル・ササイアティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏ
ｃｉｅｔｙ）の１９７９年１０月号の１７５３頁にも発
表されている。
トロケミカル・ササイアティ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
ｔｈｅ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｃｈｅｍｉｃａｌ ５ｏ
ｃｉｅｔｙ）の１９７９年１０月号の１７５３頁にも発
表されている。
以上の実験結果から、プラズマ窒化膜は４００℃以上で
急激に水素を放出し、この水素が量化膜ふくれ、アルミ
ニウム消失の原因となることがわかる。
急激に水素を放出し、この水素が量化膜ふくれ、アルミ
ニウム消失の原因となることがわかる。
以上の事実に基づき、以下実施例を説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した素子の縦断面図である。
めに工程順に示した素子の縦断面図である。
第１図（ａ）に示すように、比抵抗１〜２０ΩΩのＰ形
シリコン基板１上の常圧ＣＶＤ法により４モル％のＰＳ
Ｇ膜２を１．０μｍ成長する０次に、第１図（ｂ）に示
すように、アルミニウム膜３を１．０μｍＤＣマグネト
ロンスパッタにより被着し、続けてタングステンシリサ
イドＭ４を５００人をスパッタする。これを通常のフォ
トリソグラフィを用いてパターニングする。
シリコン基板１上の常圧ＣＶＤ法により４モル％のＰＳ
Ｇ膜２を１．０μｍ成長する０次に、第１図（ｂ）に示
すように、アルミニウム膜３を１．０μｍＤＣマグネト
ロンスパッタにより被着し、続けてタングステンシリサ
イドＭ４を５００人をスパッタする。これを通常のフォ
トリソグラフィを用いてパターニングする。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、基板シリコンのアル
ミニウムのオーミックコンタクトを取るため、ウェーハ
を４５０℃の窒素と水素の混合炉に入れてアロイする。
ミニウムのオーミックコンタクトを取るため、ウェーハ
を４５０℃の窒素と水素の混合炉に入れてアロイする。
その後、プラズマ窒化膜５を１．０μｍ形成する。
次に、第１図（ｄ）に示すように、スルーホールを通常
のフォトリソグラフィとフレオンと酸素の混合ガスを用
いてドライエツチングし、第２層目のアルミニウム配線
６を１．０μｍを形成する。
のフォトリソグラフィとフレオンと酸素の混合ガスを用
いてドライエツチングし、第２層目のアルミニウム配線
６を１．０μｍを形成する。
この後１層目配線と２層目配線のコンタクトを取るため
、４００℃の窒素炉でアロイする。
、４００℃の窒素炉でアロイする。
以上説明した本実施例によれば、アルミニウム配線の消
失、窒化膜のふくれなどの問題を生ずることなく、１層
目配線と２層目配線の良好なコンタクトをとることがで
きる。
失、窒化膜のふくれなどの問題を生ずることなく、１層
目配線と２層目配線の良好なコンタクトをとることがで
きる。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の他の実施例を説明する
ために工程順に示した素子の縦断面図である。
ために工程順に示した素子の縦断面図である。
まず第２図（ａ）に示すように、比抵抗１〜２ＱＩＱｃ
ｍのＰ形シリコン基板１上に４モル％のＰＳ０２を１．
０μｍ成長し、アルミニウム膜３をＤＣマグネトロンス
パッタで１．０μｍ形成し、通常のフォトリソグラフィ
を用いてパターニングする。次に、下地基板シリコンと
アルミニウムのオーミックコンタクトを取るため、４５
０℃水素−窒素混合ガス炉で約３０分アロイを行なう。
ｍのＰ形シリコン基板１上に４モル％のＰＳ０２を１．
０μｍ成長し、アルミニウム膜３をＤＣマグネトロンス
パッタで１．０μｍ形成し、通常のフォトリソグラフィ
を用いてパターニングする。次に、下地基板シリコンと
アルミニウムのオーミックコンタクトを取るため、４５
０℃水素−窒素混合ガス炉で約３０分アロイを行なう。
次に、第２図（ｂ）に示すように、プラズマ窒化膜５を
最終パッシベーション膜として、１．０μｍ形成する。
最終パッシベーション膜として、１．０μｍ形成する。
次いで、第２図（ｃ）に示すように、通常のフォトリソ
グラフィを用いてボンディング用窓７を開孔するためフ
レオンと酸素の混合ガスでドライエツチングする。最後
にドライエツチングにより発生するダメージを緩和する
ため、３５０℃窒化炉で約３０分ウェーハをアニールす
る。
グラフィを用いてボンディング用窓７を開孔するためフ
レオンと酸素の混合ガスでドライエツチングする。最後
にドライエツチングにより発生するダメージを緩和する
ため、３５０℃窒化炉で約３０分ウェーハをアニールす
る。
以上説明した第２の実施例によれば、アルミニウム配線
の消失や窒化膜のふくれを発生することなく、ドライエ
ツチングにより発生するダメージを緩和することができ
る。
の消失や窒化膜のふくれを発生することなく、ドライエ
ツチングにより発生するダメージを緩和することができ
る。
以上説明したように本発明は、プラズマ窒化膜形成後の
熱処理温度を水素の離脱温度以下とすることで、プラズ
マ窒化膜からの水素の離脱を防ぐことができ、この水素
が原因のプラズマ窒化膜ふくれ、アルミニウム配線消失
不良を防ぐことができる効果がある。
熱処理温度を水素の離脱温度以下とすることで、プラズ
マ窒化膜からの水素の離脱を防ぐことができ、この水素
が原因のプラズマ窒化膜ふくれ、アルミニウム配線消失
不良を防ぐことができる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を説明するた
めの工程順に示した素子の縦断面図、第２図（ａ）〜（
Ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するために工程順に
示した素子縦断面図、第３図は本発明の根拠となるプラ
ズマ窒化膜組成の熱処理温度依存性を示す図、第４図は
本発明の根拠となるプラズマ窒化膜からの水素の発生量
の熱処理温度依存性を示す図、第５図は本発明の根拠と
なるプラズマ窒化膜−アルミニウム配線構造から発生す
る水素の量の熱処理温度依存性を示す図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・アルミニウム配線、４・・・タングステンシリサイ
ド膜、５・・・プラズマ窒化膜、６・・・第２のアルミ
ニウム配線、７・・・ボンディング開孔。
めの工程順に示した素子の縦断面図、第２図（ａ）〜（
Ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するために工程順に
示した素子縦断面図、第３図は本発明の根拠となるプラ
ズマ窒化膜組成の熱処理温度依存性を示す図、第４図は
本発明の根拠となるプラズマ窒化膜からの水素の発生量
の熱処理温度依存性を示す図、第５図は本発明の根拠と
なるプラズマ窒化膜−アルミニウム配線構造から発生す
る水素の量の熱処理温度依存性を示す図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・アルミニウム配線、４・・・タングステンシリサイ
ド膜、５・・・プラズマ窒化膜、６・・・第２のアルミ
ニウム配線、７・・・ボンディング開孔。
Claims (1)
- プラズマ化学的気相成長膜を絶縁膜とする半導体装置の
製造方法において、前記プラズマ化学的気相成長膜を形
成後の熱処理温度を前記プラズマ化学的気相成長膜から
水素が離脱する温度以下の温度にすることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048005A JPH0750737B2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62048005A JPH0750737B2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63213933A true JPS63213933A (ja) | 1988-09-06 |
| JPH0750737B2 JPH0750737B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=12791184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62048005A Expired - Fee Related JPH0750737B2 (ja) | 1987-03-02 | 1987-03-02 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0750737B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459087A (en) * | 1992-08-03 | 1995-10-17 | Nec Corporation | Method of fabricating a multi-layer gate electrode with annealing step |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125626A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS6030153A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60136259A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JPS60152046A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1987
- 1987-03-02 JP JP62048005A patent/JPH0750737B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55125626A (en) * | 1979-03-20 | 1980-09-27 | Fujitsu Ltd | Production of semiconductor device |
| JPS6030153A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS60136259A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-19 | Sony Corp | 電界効果型トランジスタの製造方法 |
| JPS60152046A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5459087A (en) * | 1992-08-03 | 1995-10-17 | Nec Corporation | Method of fabricating a multi-layer gate electrode with annealing step |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0750737B2 (ja) | 1995-05-31 |
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