JPS63210167A - スクエアリリウム顔料の精製方法 - Google Patents

スクエアリリウム顔料の精製方法

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JPS63210167A
JPS63210167A JP62042897A JP4289787A JPS63210167A JP S63210167 A JPS63210167 A JP S63210167A JP 62042897 A JP62042897 A JP 62042897A JP 4289787 A JP4289787 A JP 4289787A JP S63210167 A JPS63210167 A JP S63210167A
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薫 鳥越
Hiroyuki Tanaka
浩之 田中
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子写真特性を改善するためのスクェアリリウ
ム顔料の精製方法に関する。
従来の技術 従来、電子写真感光体として、無定形セレン、セレン合
金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料やポ
リビニルカルバゾール及びポリビニルカルバゾール誘導
体に代表される有機系感光材料が広く知られている。
近年、多種類の有機系の感光体が研究され、特に電荷発
生層と電荷輸送層を有する積層型の感光体が従来のもの
に比べ優れた電気特性を有することが報告されている。
これらの感光体に用いられる電荷発生材料としては、ビ
スアゾ類、トリスアゾ類、フタロシアニン類、ピリリウ
ム類、スクェアリリウム類等が知られており、可視領域
から近赤外領域まで感度を有するものとしては、フタロ
シアニン類、トリスアゾ類、スクェアリリウム類等の顔
料が報告されている。特に、特開昭49−105536
及び同60−128453号公報等に示されるスクェア
リリウム類は、可視から近赤外領域まで比較的高い感度
を有するので、電荷発生材料として優れたものである。
一方、有機顔料の一般的精製法としては、有機溶媒によ
る再結晶法、硫酸によるアシッドペースティング法、ア
ミンによる再沈法、昇華精製法等が知られている。
発明が解決しようとする問題点 ところで、スクェアリリウム顔料を電子写真感光体に使
用する場合に、少量の不純物でも帯電性、暗減衰、繰返
し安定性等に影響を与えるため、できる限り不純物を除
去することが必要であるが、比較的高い感度を有するス
クェアリリウム顔料は溶媒類への溶解度が小さいものが
多く、高純度化が困難であった。即ち、有機溶媒による
再結晶法では、スクェアリリウム顔料の溶解度の点から
適用範囲が非常に限られ、待に難溶性のスクェアリリウ
ム顔料に対して応用可能な再結晶溶媒は未だ見出だされ
ていない。又、アシッドペースティング法、アミンによ
る再沈法及び昇華精製法は、安定性等の点から殆ど実用
に適しない。
したがって、本発明の目的は、高感度で、しかも帯電性
が高く、暗減衰が小さく、残留電位が低く、繰返し使用
に対する安定性に優れた電子写真感光体を製造するのに
適した、高純度なスクェアリリウム顔料を提供すること
にある。
問題点を解決するための手段 本発明の上記目的は、スクェアリリウム顔料を2−クロ
ロエタノールに溶解し、再結晶もしくは再沈澱させて精
製することによって達成される。
本発明に用いるスクェアリリウム顔料は、以下一般式(
I)で示される。
す 1式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ炭素数
1〜20のアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル
基、又は (式中、R7は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
水酸基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜4の
アルコキシカルボニル基又はトリフルオロメチル基を表
わす)で示されるベンジル基を表わし、R5及びR6は
、それぞれ水素原子、水酸基、メチル基、ハロゲン原子
、トリフルオロメチル −NHCOR8又は−NH8O2R9(式中、R8及び
R9は、それぞれ置換基を有してもよいアルキル基又は
フェニル基)を表わす。]特に、下記一般式(II>で
示されるスクェアリリウム顔料が好ましく用いられる。
[式中、RlolRll、R12及びR13はそれぞれ
メチル基、エチル基又は (式中、R16は水素原子、メチル基、水酸基、メトキ
シ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シ
アノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
又はトリフルオロメチル基を表わす)で示されるベンジ
ル基を表わし、R14及びR15は、それぞれ水素原子
、水酸基、メチル基又はフッ素原子を表わす。コ 一般式(I)で示されるスクェアリリウム顔料のうち、
四員環をはさんだ左右が対称のスクェアリリウム顔料は
、スクエアリン酸と対応するアニリン誘導体より公知の
方法により容易に合成することができる。又、四員環を
はさんだ左右が非対称のスクェアリリウム顔料は、下記
反応式に示す反応により合成することができる。
H 一般式(I>で示されるスクェアリリウム顔料の代表的
なものとして、次のものが例示される。
(1)2.4−ビス−[4′(1)−クロロベンジルメ
チルアミノ〉フェニル]−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート(2>2− (2′−
フルオロ−4′−ジメチルアミノフェニル)−4−(2
′−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3
−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート
(3)2.4−ビス−(4−一エチルメチルアミノフェ
ニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,
3−ジオレート (4)2.4−ビス−(4−−ジメチルアミノフェニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート (5>2.4−ビス−(2″−フルオロ−4′−ジメチ
ルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイ
リウム−1,3−ジオレート(6)2.4−ビス−(4
′−ジベンジルアミノフェニル)−1,3−シクロブタ
ジエンージイリラム−1,3−ジオレート (7)2−(2”−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−(2−一ヒドロキシー4−−ジメチルア
ミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1,3−ジオレート(8)2− (4′−ジメチル
アミノフェニル)−4−(2′−ヒドロキシ−4′−ジ
メチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート (9>2−(4”−ジメチルアミノフェニル)−4−<
2=−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,
3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレー
ト (10) 2− (4”−ジメチルアミノフェニル)−
4−(4′−ジベンジルアミノフェニル)−1゜3−シ
クロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (11) 2−(2′−フルオロー4−−ジメチルアミ
ノフェニル)−−4−[4”−(p−クロロベンジルメ
チルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート(12)2.4−ビス
−(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチルアミノフエニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート(13)2.4−ビス−(2′″−メチル−
4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタ
ジエンージイリウム−1,3−ジオレート (14)2.4−ビス−(3′−フルオロ−4−一ジメ
チルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージ
イリウム−1,3−ジオレート(15)2.4−ビス−
[4′−(p−クロロベンジルメチルアミノ)−2′−
フルオロノエニル]−1,3−シクロブタジエンージイ
ワウム−1,3−ジオレート (16)2−(2−一ヒドロキシー4′−ジメチルアミ
ノフェニル)−4−[4−−(p−クロロベンジルメチ
ルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエンージ
イリウム−1,3−ジオレート(17)2−(2−−ヒ
ドロキシ−4′−ジメチルアミノフェニル)−4−[4
−−(p−クロロペンジルメチルアミノ)−2−−フル
オロフェニル]−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1゜3−ジオレート (18)2−(2′−フルオロ−4−−ジメチルアミノ
フェニル)−4−[4−一(p−クロロベンジルメチル
アミノ)−2′−ヒドロキシフェニル]−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1゜3−ジオレート (19)2−(2”−フルオロ−4′−ジメチルアミノ
フェニル)−4−[4′−(1)−クロロベンジルメチ
ルアミノ)−2−−フルオロフェニルコ−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (20)2− (2′−フルオロー4′−ジメチルアミ
ノフェニル)−4−(4=−ジベンジルアミノフェニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート (21)2− (2”−ヒドロキシ−4′−ジメチルア
ミノフェニル)−4−(2−−メチル−4−−ジメチル
アミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリ
ウムー1,3−ジオレート(22)2−(2′−フルオ
ロ−4−−ジメチルアミノフェニル)−4−(27−メ
チル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (23)2−(4′−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフェニル)−
”l、3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジ
オレート (24)2− (2−、6−−ジフルオロー4′−ジメ
チルアミノフェニル)−4−(2′−ヒドロキシ−4−
−ジメチルアミノフェニル)−’I、3−シクロブタジ
エンージイリウム−1,3−ジオレート (25)2−(2” 、 6 ”−ジフルオロ−4−−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブ
タジエンージイリウム−1,3−ジオレート (2B)2− (2′、 6 ′−ジフルオロー4′−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4−−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)−2−一ヒドロキシフェニル]
−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジ
オレート (27)2− (2′、 6 ′−ジフルオロー4′−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)−2′−フルオロフェニル]−
1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオ
レート 本発明においては、上記一般式(I)で示されるスクェ
アリリウム顔料を2−クロロエタノールを用いて再結晶
もしくは再沈澱させる。
再結晶は、スクェアリリウム顔料を2−クロロエタノー
ル中に溶解させて行うが、その際の加熱温度は60℃か
ら130℃(還流温度)が好ましく、100℃から13
0’Cが特に好ましい。2−クロロエタノールは単独で
用いても、又、他の溶媒、例えば、水、エタノール等の
アルコール系溶媒、トルエン等の芳香族系溶媒、トリク
ロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等と混合して
用いてもよい。又、塩酸等の酸を添加してもよい。
再沈澱は、スクェアリリウム顔料を2−クロロエタノー
ルに溶解し、貧溶媒と混合することによって行うが、そ
の際の加熱温度は、再結晶の場合と同様でおる。貧溶媒
としては、水、エタノール等のアルコール系溶媒、トル
エン等の芳香族系溶媒、トリクロロエタン等のハロゲン
化炭化水素系溶媒等が用いられる。又、再沈澱の際の貧
溶媒の比率は、2−クロロエタノールに対し172倍容
量から、10倍容量の範囲が好ましい。
実施例 以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例1 3.4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1゜2−ジ
オン 10.OgとN−(p−クロロベンジル)−N−
メチルアニリン 6’1.Ogをブタノール 400d
とトルエン 200dの混合溶媒中に入れ、還流し、生
成する水を除去しながら8時間反応した。放冷後、生成
した青緑色の結晶を濾別し、ブタノール、メタノール、
ジエチルエ一テルで洗浄後、乾燥して、下記構造式の2
,4−ビス−[4’−(p−クロロベンジルメチルアミ
ノ〉フェニル]−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1,3−ジオレート(例示化合物(1))1’8.
29(収率38%)を得た。
〇− 次いで、例示化合物(1)  4.0gを2−クロロエ
タノール 400dに入れ、還流温度で20分間加熱し
、熱時濾過後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、
精製された例示化合物(1)3.5g(収率88%)を
得た。精製された例示化合物(1)は、上記合成によっ
て得られた未精製のものの結晶形とは異なる結晶形を有
するものになっており、その粉末のX線回折を測定した
ところ、2θ=6.4°、13.4°、17.6°、2
4.5°、27.1°に主な回折ピークをもつ回折パタ
ーンを示した。
 17一 応用例1 実施例1によって精製された例示化合物(1〉1重量部
にポリビニルブチラール樹脂(漬水化学製、BXL  
(登録商標))1重量部、シクロへキサノン 40重量
部を加え、ボールミルで4時間粉砕、混合した分散液を
、バーコーターを用いてアルミニウムを蒸着したポリエ
ステルフィルム(東し製、メタルミー(登録商標))上
に塗布し、蟻燥して厚さ0.2μ而の電荷発生層を形成
した。
この電荷発生層上に、N、N”−ジフェニル−N、N”
−ビス(3−メチルフェニル)−[1゜1′−ビフェニ
ル]−4,4′−ジアミン 1重量部、ポリカーボネー
ト樹脂(十人製、パンライト(登録商標))1重量部、
テトラヒドロフラン10重量部からなる均一溶液をバー
コーターを用いて塗布し、乾燥して厚さ15μmの電荷
輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
次に、得られた電子写真感光体について、静電複写紙試
験装置(川口電気製、エレクトロスタティック・ペーパ
ーアナライザー、5P428 )を用いて、−6kVの
コロナ放電を施して負帯電させた後、2秒間暗所に放置
し、続いて、タングステンランプを用い、表面の照度が
5ルツクスになるように感光層に光照射を施した。
帯電直後の電位をvo、2秒間暗所放置後の電位をVD
DP、表面電位がV DDPの1/2になる露光最をE
l/2.5ルツクスの光を10秒照射した後の表面電位
をVRPとし、同様の測定を20回繰返し行った。
その結果を第1表に示す。
第1表 参考例1 実施例1における未精製の例示化合物(1)を用い、応
用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第2表に示す。
第2表 実施例2 実施例1のおける未精製の例示化合物(1)4.09を
2−クロロエタノール 400mに入れ、還流温度で2
0分間加熱し、熱時濾過後、直ちに濾液にメタノール 
200m!!を注ぎ入れ、放冷した。析出した結晶を濾
別し、精製された例示化合物(1)3.6g(収率90
%)を得た。
応用例2 実施例2によって精製された例示化合物(1)を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第3表に示す。
第3表 実施例3 ◇ 3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジ
オン 25g及び三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体 
6.5dを塩化メチレン 30m1に溶解し、N、N−
ジメチル−m−フルオロアニリン359と混合し、室温
で16時間間攪拌して反応を行った。反応終了後、混合
物を希塩酸、次いで水で洗浄し、カラムクロマトグラフ
ィーを用いて分離精製を行い、3−クロロ−4i2−−
フルオロ−4−一ジメチルアミノフェニル)−3−シク
ロブテン−1,2−ジオン 9.1g(収率72%)を
得た。
次いで、この34−クロロ−4−(2−−フルオロ−4
−−ジメチルアミノフェニル)−3−シフロブテン−1
,2−ジオン 7.6gに酢酸120m及び水 40m
を加え、2時間速流し、放冷後、析出した結晶を濾別、
水洗いして3−ヒドロキシ−4−(2′−フルオロ−4
−−ジメチルアミノフェニル〉−3−シクロブテン−1
,2−ジオン 6.7g(収率95%)を得た。
次いで、この3−ヒドロキシ−4−(2′−フルオロ−
4′−ジメチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−
1,2−ジオン 4.0gとN。
N−ジメチル−m−+ルイジン 6.9gをブタノール
 340m1中に入れ、16時間加熱還流した。放冷後
、生成した青緑色の結晶を濾別し、ブタノール、メタノ
ール、ジエチルエーテルで洗浄後、乾燥して、2−(2
”−フルオロ−4−−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1
,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレ
ート(例示化合物(2>)  4.1y(収率68%)
を得た。
U 次いで、例示化合物(2)  2.6gを2−クロロエ
タノール 260dに入れ、還流温度で10分間加熱し
、熱時濾過後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、
精製された化合物(2〉2.1g(収率81%)を得た
応用例3 実施例3によって精製された例示化合物(2〉を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第4表に示す。
 23 一 実施例3における未精製の例示化合物(2)を用い、実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第5表に示す。
第5表 実施例4 未精製の2,4−ビス−(4′−エチルメチルアミノフ
ェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1
,3−ジオレート(例示化合物(3)>  3.0yを
2−クロロエタノール25dとエタノール 25mの混
合溶媒中に入れ、還流温度で10分間加熱し、熱時濾過
後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、精製された
化合物(3)  2.79 (収率80%)を得た。
応用例4 24 一 実施例4によって精製された例示化合物(3)を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第6表に示す。
参考例3 実施例4における未精製の例示化合物(3)を用い、応
用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第7表に示す。
 25 一 実施例5〜12及び参考例4〜11 例示化合物(4)〜(11)について、2−クロロエタ
ノールを用い、実施例1におけると同様に再結晶処理を
行い、それぞれ精製された化合物を得た。
精製された例示化合物(4)〜(11)について、応用
例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価
した。その結果を第8表に示す。
又、再結晶処理を行わない例示化合物(4)〜(11)
を用い、応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し
、同様に評価した。その結果を第9表に示す。
第8表 第9表 発明の効果 本発明は、上記の構成を有するから、従来、精製が困難
であったスクェアリリウム顔料を容易に精製することが
できる。そして又、本発明によって処理されたスクェア
リリウム顔料は、電子写真感光体における電荷発生材料
として使用するのに適しており、高感度で、しかも帯電
性が高く、暗減衰が小さく、残留電位が低く、繰返し使
用に対する安定性に優れた電子写真感光体を形成するこ
とができる。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)下記一般式( I )で示されるスクエアリリウム
    顔料を2−クロロエタノールに溶解し、再結晶又は再沈
    澱させることを特徴とするスクエアリリウム顔料の精製
    方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、R_1、R_2、R_3及びR_4は、それぞ
    れ炭素数1〜20のアルキル基、置換あるいは未置換の
    フェニル基、又は ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_7は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基
    、水酸基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子
    、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜4
    のアルコキシカルボニル基又はトリフルオロメチル基を
    表わす)で示されるベンジル基を表わし、R_5及びR
    _6は、それぞれ水素原子、水酸基、メチル基、ハロゲ
    ン原子、トリフルオロメチル基、カルボキシル基、 −NHCOR_8又は−NHSO_2R_9(式中、R
    _8及びR_9は、それぞれ置換基を有してもよいアル
    キル基又はフェニル基)を表わす。]
  2. (2)スクエアリリウム顔料が下記一般式(II)で示さ
    れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の精
    製方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [式中、R_1_0、R_1_1、R_1_2及びR_
    1_3はそれぞれメチル基、エチル基又は ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1_6は水素原子、メチル基、水酸基、メ
    トキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基
    、シアノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
    ル基又はトリフルオロメチル基を表わす)で示されるベ
    ンジル基を表わし、R_1_4及びR_1_5は、それ
    ぞれ水素原子、水酸基、メチル基又はフッ素原子を表わ
    す。]
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