JPS63210167A - スクエアリリウム顔料の精製方法 - Google Patents
スクエアリリウム顔料の精製方法Info
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- JPS63210167A JPS63210167A JP62042897A JP4289787A JPS63210167A JP S63210167 A JPS63210167 A JP S63210167A JP 62042897 A JP62042897 A JP 62042897A JP 4289787 A JP4289787 A JP 4289787A JP S63210167 A JPS63210167 A JP S63210167A
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- 239000000049 pigment Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- SZIFAVKTNFCBPC-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethanol Chemical compound OCCCl SZIFAVKTNFCBPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims abstract description 11
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 7
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 8
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 5
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 4
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 claims description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 2
- 125000003754 ethoxycarbonyl group Chemical group C(=O)(OCC)* 0.000 claims description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000001160 methoxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC(*)=O 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 abstract description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
- -1 p-chlorobenzylmethylamino Chemical group 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 23
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 20
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 5
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- SXOQOOQUBDERIZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dichlorocyclobut-3-ene-1,2-dione Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C1=O SXOQOOQUBDERIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDDGNMXIOGQCCH-UHFFFAOYSA-N 3-fluoro-n,n-dimethylaniline Chemical compound CN(C)C1=CC=CC(F)=C1 SDDGNMXIOGQCCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N Boron trifluoride etherate Chemical compound FB(F)F.CCOCC KZMGYPLQYOPHEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004419 Panlite Substances 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 description 1
- WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N benzil Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C(=O)C1=CC=CC=C1 WURBFLDFSFBTLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 239000012456 homogeneous solution Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 125000000250 methylamino group Chemical group [H]N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- PRCZDSXLFJMOAT-UHFFFAOYSA-N n-[(4-chlorophenyl)methyl]-n-methylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C)CC1=CC=C(Cl)C=C1 PRCZDSXLFJMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- PWEBUXCTKOWPCW-UHFFFAOYSA-N squaric acid Chemical compound OC1=C(O)C(=O)C1=O PWEBUXCTKOWPCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0609—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen
- G03G5/0611—Squaric acid
-
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- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子写真特性を改善するためのスクェアリリウ
ム顔料の精製方法に関する。
ム顔料の精製方法に関する。
従来の技術
従来、電子写真感光体として、無定形セレン、セレン合
金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料やポ
リビニルカルバゾール及びポリビニルカルバゾール誘導
体に代表される有機系感光材料が広く知られている。
金、硫化カドミウム、酸化亜鉛等の無機系感光材料やポ
リビニルカルバゾール及びポリビニルカルバゾール誘導
体に代表される有機系感光材料が広く知られている。
近年、多種類の有機系の感光体が研究され、特に電荷発
生層と電荷輸送層を有する積層型の感光体が従来のもの
に比べ優れた電気特性を有することが報告されている。
生層と電荷輸送層を有する積層型の感光体が従来のもの
に比べ優れた電気特性を有することが報告されている。
これらの感光体に用いられる電荷発生材料としては、ビ
スアゾ類、トリスアゾ類、フタロシアニン類、ピリリウ
ム類、スクェアリリウム類等が知られており、可視領域
から近赤外領域まで感度を有するものとしては、フタロ
シアニン類、トリスアゾ類、スクェアリリウム類等の顔
料が報告されている。特に、特開昭49−105536
及び同60−128453号公報等に示されるスクェア
リリウム類は、可視から近赤外領域まで比較的高い感度
を有するので、電荷発生材料として優れたものである。
スアゾ類、トリスアゾ類、フタロシアニン類、ピリリウ
ム類、スクェアリリウム類等が知られており、可視領域
から近赤外領域まで感度を有するものとしては、フタロ
シアニン類、トリスアゾ類、スクェアリリウム類等の顔
料が報告されている。特に、特開昭49−105536
及び同60−128453号公報等に示されるスクェア
リリウム類は、可視から近赤外領域まで比較的高い感度
を有するので、電荷発生材料として優れたものである。
一方、有機顔料の一般的精製法としては、有機溶媒によ
る再結晶法、硫酸によるアシッドペースティング法、ア
ミンによる再沈法、昇華精製法等が知られている。
る再結晶法、硫酸によるアシッドペースティング法、ア
ミンによる再沈法、昇華精製法等が知られている。
発明が解決しようとする問題点
ところで、スクェアリリウム顔料を電子写真感光体に使
用する場合に、少量の不純物でも帯電性、暗減衰、繰返
し安定性等に影響を与えるため、できる限り不純物を除
去することが必要であるが、比較的高い感度を有するス
クェアリリウム顔料は溶媒類への溶解度が小さいものが
多く、高純度化が困難であった。即ち、有機溶媒による
再結晶法では、スクェアリリウム顔料の溶解度の点から
適用範囲が非常に限られ、待に難溶性のスクェアリリウ
ム顔料に対して応用可能な再結晶溶媒は未だ見出だされ
ていない。又、アシッドペースティング法、アミンによ
る再沈法及び昇華精製法は、安定性等の点から殆ど実用
に適しない。
用する場合に、少量の不純物でも帯電性、暗減衰、繰返
し安定性等に影響を与えるため、できる限り不純物を除
去することが必要であるが、比較的高い感度を有するス
クェアリリウム顔料は溶媒類への溶解度が小さいものが
多く、高純度化が困難であった。即ち、有機溶媒による
再結晶法では、スクェアリリウム顔料の溶解度の点から
適用範囲が非常に限られ、待に難溶性のスクェアリリウ
ム顔料に対して応用可能な再結晶溶媒は未だ見出だされ
ていない。又、アシッドペースティング法、アミンによ
る再沈法及び昇華精製法は、安定性等の点から殆ど実用
に適しない。
したがって、本発明の目的は、高感度で、しかも帯電性
が高く、暗減衰が小さく、残留電位が低く、繰返し使用
に対する安定性に優れた電子写真感光体を製造するのに
適した、高純度なスクェアリリウム顔料を提供すること
にある。
が高く、暗減衰が小さく、残留電位が低く、繰返し使用
に対する安定性に優れた電子写真感光体を製造するのに
適した、高純度なスクェアリリウム顔料を提供すること
にある。
問題点を解決するための手段
本発明の上記目的は、スクェアリリウム顔料を2−クロ
ロエタノールに溶解し、再結晶もしくは再沈澱させて精
製することによって達成される。
ロエタノールに溶解し、再結晶もしくは再沈澱させて精
製することによって達成される。
本発明に用いるスクェアリリウム顔料は、以下一般式(
I)で示される。
I)で示される。
す
1式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ炭素数
1〜20のアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル
基、又は (式中、R7は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
水酸基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜4の
アルコキシカルボニル基又はトリフルオロメチル基を表
わす)で示されるベンジル基を表わし、R5及びR6は
、それぞれ水素原子、水酸基、メチル基、ハロゲン原子
、トリフルオロメチル −NHCOR8又は−NH8O2R9(式中、R8及び
R9は、それぞれ置換基を有してもよいアルキル基又は
フェニル基)を表わす。]特に、下記一般式(II>で
示されるスクェアリリウム顔料が好ましく用いられる。
1〜20のアルキル基、置換あるいは未置換のフェニル
基、又は (式中、R7は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、
水酸基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜4の
アルコキシカルボニル基又はトリフルオロメチル基を表
わす)で示されるベンジル基を表わし、R5及びR6は
、それぞれ水素原子、水酸基、メチル基、ハロゲン原子
、トリフルオロメチル −NHCOR8又は−NH8O2R9(式中、R8及び
R9は、それぞれ置換基を有してもよいアルキル基又は
フェニル基)を表わす。]特に、下記一般式(II>で
示されるスクェアリリウム顔料が好ましく用いられる。
[式中、RlolRll、R12及びR13はそれぞれ
メチル基、エチル基又は (式中、R16は水素原子、メチル基、水酸基、メトキ
シ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シ
アノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
又はトリフルオロメチル基を表わす)で示されるベンジ
ル基を表わし、R14及びR15は、それぞれ水素原子
、水酸基、メチル基又はフッ素原子を表わす。コ 一般式(I)で示されるスクェアリリウム顔料のうち、
四員環をはさんだ左右が対称のスクェアリリウム顔料は
、スクエアリン酸と対応するアニリン誘導体より公知の
方法により容易に合成することができる。又、四員環を
はさんだ左右が非対称のスクェアリリウム顔料は、下記
反応式に示す反応により合成することができる。
メチル基、エチル基又は (式中、R16は水素原子、メチル基、水酸基、メトキ
シ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基、シ
アノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基
又はトリフルオロメチル基を表わす)で示されるベンジ
ル基を表わし、R14及びR15は、それぞれ水素原子
、水酸基、メチル基又はフッ素原子を表わす。コ 一般式(I)で示されるスクェアリリウム顔料のうち、
四員環をはさんだ左右が対称のスクェアリリウム顔料は
、スクエアリン酸と対応するアニリン誘導体より公知の
方法により容易に合成することができる。又、四員環を
はさんだ左右が非対称のスクェアリリウム顔料は、下記
反応式に示す反応により合成することができる。
H
一般式(I>で示されるスクェアリリウム顔料の代表的
なものとして、次のものが例示される。
なものとして、次のものが例示される。
(1)2.4−ビス−[4′(1)−クロロベンジルメ
チルアミノ〉フェニル]−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート(2>2− (2′−
フルオロ−4′−ジメチルアミノフェニル)−4−(2
′−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3
−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート
(3)2.4−ビス−(4−一エチルメチルアミノフェ
ニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,
3−ジオレート (4)2.4−ビス−(4−−ジメチルアミノフェニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート (5>2.4−ビス−(2″−フルオロ−4′−ジメチ
ルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイ
リウム−1,3−ジオレート(6)2.4−ビス−(4
′−ジベンジルアミノフェニル)−1,3−シクロブタ
ジエンージイリラム−1,3−ジオレート (7)2−(2”−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−(2−一ヒドロキシー4−−ジメチルア
ミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1,3−ジオレート(8)2− (4′−ジメチル
アミノフェニル)−4−(2′−ヒドロキシ−4′−ジ
メチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート (9>2−(4”−ジメチルアミノフェニル)−4−<
2=−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,
3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレー
ト (10) 2− (4”−ジメチルアミノフェニル)−
4−(4′−ジベンジルアミノフェニル)−1゜3−シ
クロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (11) 2−(2′−フルオロー4−−ジメチルアミ
ノフェニル)−−4−[4”−(p−クロロベンジルメ
チルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート(12)2.4−ビス
−(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチルアミノフエニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート(13)2.4−ビス−(2′″−メチル−
4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタ
ジエンージイリウム−1,3−ジオレート (14)2.4−ビス−(3′−フルオロ−4−一ジメ
チルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージ
イリウム−1,3−ジオレート(15)2.4−ビス−
[4′−(p−クロロベンジルメチルアミノ)−2′−
フルオロノエニル]−1,3−シクロブタジエンージイ
ワウム−1,3−ジオレート (16)2−(2−一ヒドロキシー4′−ジメチルアミ
ノフェニル)−4−[4−−(p−クロロベンジルメチ
ルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエンージ
イリウム−1,3−ジオレート(17)2−(2−−ヒ
ドロキシ−4′−ジメチルアミノフェニル)−4−[4
−−(p−クロロペンジルメチルアミノ)−2−−フル
オロフェニル]−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1゜3−ジオレート (18)2−(2′−フルオロ−4−−ジメチルアミノ
フェニル)−4−[4−一(p−クロロベンジルメチル
アミノ)−2′−ヒドロキシフェニル]−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1゜3−ジオレート (19)2−(2”−フルオロ−4′−ジメチルアミノ
フェニル)−4−[4′−(1)−クロロベンジルメチ
ルアミノ)−2−−フルオロフェニルコ−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (20)2− (2′−フルオロー4′−ジメチルアミ
ノフェニル)−4−(4=−ジベンジルアミノフェニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート (21)2− (2”−ヒドロキシ−4′−ジメチルア
ミノフェニル)−4−(2−−メチル−4−−ジメチル
アミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリ
ウムー1,3−ジオレート(22)2−(2′−フルオ
ロ−4−−ジメチルアミノフェニル)−4−(27−メ
チル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (23)2−(4′−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフェニル)−
”l、3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジ
オレート (24)2− (2−、6−−ジフルオロー4′−ジメ
チルアミノフェニル)−4−(2′−ヒドロキシ−4−
−ジメチルアミノフェニル)−’I、3−シクロブタジ
エンージイリウム−1,3−ジオレート (25)2−(2” 、 6 ”−ジフルオロ−4−−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブ
タジエンージイリウム−1,3−ジオレート (2B)2− (2′、 6 ′−ジフルオロー4′−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4−−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)−2−一ヒドロキシフェニル]
−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジ
オレート (27)2− (2′、 6 ′−ジフルオロー4′−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)−2′−フルオロフェニル]−
1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオ
レート 本発明においては、上記一般式(I)で示されるスクェ
アリリウム顔料を2−クロロエタノールを用いて再結晶
もしくは再沈澱させる。
チルアミノ〉フェニル]−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート(2>2− (2′−
フルオロ−4′−ジメチルアミノフェニル)−4−(2
′−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3
−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート
(3)2.4−ビス−(4−一エチルメチルアミノフェ
ニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,
3−ジオレート (4)2.4−ビス−(4−−ジメチルアミノフェニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート (5>2.4−ビス−(2″−フルオロ−4′−ジメチ
ルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイ
リウム−1,3−ジオレート(6)2.4−ビス−(4
′−ジベンジルアミノフェニル)−1,3−シクロブタ
ジエンージイリラム−1,3−ジオレート (7)2−(2”−フルオロ−4′−ジメチルアミノフ
ェニル)−4−(2−一ヒドロキシー4−−ジメチルア
ミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1,3−ジオレート(8)2− (4′−ジメチル
アミノフェニル)−4−(2′−ヒドロキシ−4′−ジ
メチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート (9>2−(4”−ジメチルアミノフェニル)−4−<
2=−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,
3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレー
ト (10) 2− (4”−ジメチルアミノフェニル)−
4−(4′−ジベンジルアミノフェニル)−1゜3−シ
クロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (11) 2−(2′−フルオロー4−−ジメチルアミ
ノフェニル)−−4−[4”−(p−クロロベンジルメ
チルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエンー
ジイリウム−1,3−ジオレート(12)2.4−ビス
−(2′−ヒドロキシ−4′−ジメチルアミノフエニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート(13)2.4−ビス−(2′″−メチル−
4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3−シクロブタ
ジエンージイリウム−1,3−ジオレート (14)2.4−ビス−(3′−フルオロ−4−一ジメ
チルアミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージ
イリウム−1,3−ジオレート(15)2.4−ビス−
[4′−(p−クロロベンジルメチルアミノ)−2′−
フルオロノエニル]−1,3−シクロブタジエンージイ
ワウム−1,3−ジオレート (16)2−(2−一ヒドロキシー4′−ジメチルアミ
ノフェニル)−4−[4−−(p−クロロベンジルメチ
ルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブタジエンージ
イリウム−1,3−ジオレート(17)2−(2−−ヒ
ドロキシ−4′−ジメチルアミノフェニル)−4−[4
−−(p−クロロペンジルメチルアミノ)−2−−フル
オロフェニル]−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1゜3−ジオレート (18)2−(2′−フルオロ−4−−ジメチルアミノ
フェニル)−4−[4−一(p−クロロベンジルメチル
アミノ)−2′−ヒドロキシフェニル]−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1゜3−ジオレート (19)2−(2”−フルオロ−4′−ジメチルアミノ
フェニル)−4−[4′−(1)−クロロベンジルメチ
ルアミノ)−2−−フルオロフェニルコ−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (20)2− (2′−フルオロー4′−ジメチルアミ
ノフェニル)−4−(4=−ジベンジルアミノフェニル
)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−
ジオレート (21)2− (2”−ヒドロキシ−4′−ジメチルア
ミノフェニル)−4−(2−−メチル−4−−ジメチル
アミノフェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリ
ウムー1,3−ジオレート(22)2−(2′−フルオ
ロ−4−−ジメチルアミノフェニル)−4−(27−メ
チル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1,3−シク
ロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレート (23)2−(4′−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−フルオロ−4′−ジメチルアミノフェニル)−
”l、3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジ
オレート (24)2− (2−、6−−ジフルオロー4′−ジメ
チルアミノフェニル)−4−(2′−ヒドロキシ−4−
−ジメチルアミノフェニル)−’I、3−シクロブタジ
エンージイリウム−1,3−ジオレート (25)2−(2” 、 6 ”−ジフルオロ−4−−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)フェニル]−1,3−シクロブ
タジエンージイリウム−1,3−ジオレート (2B)2− (2′、 6 ′−ジフルオロー4′−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4−−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)−2−一ヒドロキシフェニル]
−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジ
オレート (27)2− (2′、 6 ′−ジフルオロー4′−
ジメチルアミノフェニル)−4−[4′−(p−クロロ
ベンジルメチルアミノ)−2′−フルオロフェニル]−
1,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオ
レート 本発明においては、上記一般式(I)で示されるスクェ
アリリウム顔料を2−クロロエタノールを用いて再結晶
もしくは再沈澱させる。
再結晶は、スクェアリリウム顔料を2−クロロエタノー
ル中に溶解させて行うが、その際の加熱温度は60℃か
ら130℃(還流温度)が好ましく、100℃から13
0’Cが特に好ましい。2−クロロエタノールは単独で
用いても、又、他の溶媒、例えば、水、エタノール等の
アルコール系溶媒、トルエン等の芳香族系溶媒、トリク
ロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等と混合して
用いてもよい。又、塩酸等の酸を添加してもよい。
ル中に溶解させて行うが、その際の加熱温度は60℃か
ら130℃(還流温度)が好ましく、100℃から13
0’Cが特に好ましい。2−クロロエタノールは単独で
用いても、又、他の溶媒、例えば、水、エタノール等の
アルコール系溶媒、トルエン等の芳香族系溶媒、トリク
ロロエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等と混合して
用いてもよい。又、塩酸等の酸を添加してもよい。
再沈澱は、スクェアリリウム顔料を2−クロロエタノー
ルに溶解し、貧溶媒と混合することによって行うが、そ
の際の加熱温度は、再結晶の場合と同様でおる。貧溶媒
としては、水、エタノール等のアルコール系溶媒、トル
エン等の芳香族系溶媒、トリクロロエタン等のハロゲン
化炭化水素系溶媒等が用いられる。又、再沈澱の際の貧
溶媒の比率は、2−クロロエタノールに対し172倍容
量から、10倍容量の範囲が好ましい。
ルに溶解し、貧溶媒と混合することによって行うが、そ
の際の加熱温度は、再結晶の場合と同様でおる。貧溶媒
としては、水、エタノール等のアルコール系溶媒、トル
エン等の芳香族系溶媒、トリクロロエタン等のハロゲン
化炭化水素系溶媒等が用いられる。又、再沈澱の際の貧
溶媒の比率は、2−クロロエタノールに対し172倍容
量から、10倍容量の範囲が好ましい。
実施例
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
実施例1
3.4−ジヒドロキシ−3−シクロブテン−1゜2−ジ
オン 10.OgとN−(p−クロロベンジル)−N−
メチルアニリン 6’1.Ogをブタノール 400d
とトルエン 200dの混合溶媒中に入れ、還流し、生
成する水を除去しながら8時間反応した。放冷後、生成
した青緑色の結晶を濾別し、ブタノール、メタノール、
ジエチルエ一テルで洗浄後、乾燥して、下記構造式の2
,4−ビス−[4’−(p−クロロベンジルメチルアミ
ノ〉フェニル]−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1,3−ジオレート(例示化合物(1))1’8.
29(収率38%)を得た。
オン 10.OgとN−(p−クロロベンジル)−N−
メチルアニリン 6’1.Ogをブタノール 400d
とトルエン 200dの混合溶媒中に入れ、還流し、生
成する水を除去しながら8時間反応した。放冷後、生成
した青緑色の結晶を濾別し、ブタノール、メタノール、
ジエチルエ一テルで洗浄後、乾燥して、下記構造式の2
,4−ビス−[4’−(p−クロロベンジルメチルアミ
ノ〉フェニル]−1,3−シクロブタジエンージイリウ
ム−1,3−ジオレート(例示化合物(1))1’8.
29(収率38%)を得た。
〇−
次いで、例示化合物(1) 4.0gを2−クロロエ
タノール 400dに入れ、還流温度で20分間加熱し
、熱時濾過後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、
精製された例示化合物(1)3.5g(収率88%)を
得た。精製された例示化合物(1)は、上記合成によっ
て得られた未精製のものの結晶形とは異なる結晶形を有
するものになっており、その粉末のX線回折を測定した
ところ、2θ=6.4°、13.4°、17.6°、2
4.5°、27.1°に主な回折ピークをもつ回折パタ
ーンを示した。
タノール 400dに入れ、還流温度で20分間加熱し
、熱時濾過後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、
精製された例示化合物(1)3.5g(収率88%)を
得た。精製された例示化合物(1)は、上記合成によっ
て得られた未精製のものの結晶形とは異なる結晶形を有
するものになっており、その粉末のX線回折を測定した
ところ、2θ=6.4°、13.4°、17.6°、2
4.5°、27.1°に主な回折ピークをもつ回折パタ
ーンを示した。
17一
応用例1
実施例1によって精製された例示化合物(1〉1重量部
にポリビニルブチラール樹脂(漬水化学製、BXL
(登録商標))1重量部、シクロへキサノン 40重量
部を加え、ボールミルで4時間粉砕、混合した分散液を
、バーコーターを用いてアルミニウムを蒸着したポリエ
ステルフィルム(東し製、メタルミー(登録商標))上
に塗布し、蟻燥して厚さ0.2μ而の電荷発生層を形成
した。
にポリビニルブチラール樹脂(漬水化学製、BXL
(登録商標))1重量部、シクロへキサノン 40重量
部を加え、ボールミルで4時間粉砕、混合した分散液を
、バーコーターを用いてアルミニウムを蒸着したポリエ
ステルフィルム(東し製、メタルミー(登録商標))上
に塗布し、蟻燥して厚さ0.2μ而の電荷発生層を形成
した。
この電荷発生層上に、N、N”−ジフェニル−N、N”
−ビス(3−メチルフェニル)−[1゜1′−ビフェニ
ル]−4,4′−ジアミン 1重量部、ポリカーボネー
ト樹脂(十人製、パンライト(登録商標))1重量部、
テトラヒドロフラン10重量部からなる均一溶液をバー
コーターを用いて塗布し、乾燥して厚さ15μmの電荷
輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
−ビス(3−メチルフェニル)−[1゜1′−ビフェニ
ル]−4,4′−ジアミン 1重量部、ポリカーボネー
ト樹脂(十人製、パンライト(登録商標))1重量部、
テトラヒドロフラン10重量部からなる均一溶液をバー
コーターを用いて塗布し、乾燥して厚さ15μmの電荷
輸送層を形成し、電子写真感光体を作成した。
次に、得られた電子写真感光体について、静電複写紙試
験装置(川口電気製、エレクトロスタティック・ペーパ
ーアナライザー、5P428 )を用いて、−6kVの
コロナ放電を施して負帯電させた後、2秒間暗所に放置
し、続いて、タングステンランプを用い、表面の照度が
5ルツクスになるように感光層に光照射を施した。
験装置(川口電気製、エレクトロスタティック・ペーパ
ーアナライザー、5P428 )を用いて、−6kVの
コロナ放電を施して負帯電させた後、2秒間暗所に放置
し、続いて、タングステンランプを用い、表面の照度が
5ルツクスになるように感光層に光照射を施した。
帯電直後の電位をvo、2秒間暗所放置後の電位をVD
DP、表面電位がV DDPの1/2になる露光最をE
l/2.5ルツクスの光を10秒照射した後の表面電位
をVRPとし、同様の測定を20回繰返し行った。
DP、表面電位がV DDPの1/2になる露光最をE
l/2.5ルツクスの光を10秒照射した後の表面電位
をVRPとし、同様の測定を20回繰返し行った。
その結果を第1表に示す。
第1表
参考例1
実施例1における未精製の例示化合物(1)を用い、応
用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第2表に示す。
用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第2表に示す。
第2表
実施例2
実施例1のおける未精製の例示化合物(1)4.09を
2−クロロエタノール 400mに入れ、還流温度で2
0分間加熱し、熱時濾過後、直ちに濾液にメタノール
200m!!を注ぎ入れ、放冷した。析出した結晶を濾
別し、精製された例示化合物(1)3.6g(収率90
%)を得た。
2−クロロエタノール 400mに入れ、還流温度で2
0分間加熱し、熱時濾過後、直ちに濾液にメタノール
200m!!を注ぎ入れ、放冷した。析出した結晶を濾
別し、精製された例示化合物(1)3.6g(収率90
%)を得た。
応用例2
実施例2によって精製された例示化合物(1)を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第3表に示す。
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第3表に示す。
第3表
実施例3
◇ 3,4−ジクロロ−3−シクロブテン−1,2−ジ
オン 25g及び三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体
6.5dを塩化メチレン 30m1に溶解し、N、N−
ジメチル−m−フルオロアニリン359と混合し、室温
で16時間間攪拌して反応を行った。反応終了後、混合
物を希塩酸、次いで水で洗浄し、カラムクロマトグラフ
ィーを用いて分離精製を行い、3−クロロ−4i2−−
フルオロ−4−一ジメチルアミノフェニル)−3−シク
ロブテン−1,2−ジオン 9.1g(収率72%)を
得た。
オン 25g及び三フッ化ホウ素エチルエーテル錯体
6.5dを塩化メチレン 30m1に溶解し、N、N−
ジメチル−m−フルオロアニリン359と混合し、室温
で16時間間攪拌して反応を行った。反応終了後、混合
物を希塩酸、次いで水で洗浄し、カラムクロマトグラフ
ィーを用いて分離精製を行い、3−クロロ−4i2−−
フルオロ−4−一ジメチルアミノフェニル)−3−シク
ロブテン−1,2−ジオン 9.1g(収率72%)を
得た。
次いで、この34−クロロ−4−(2−−フルオロ−4
−−ジメチルアミノフェニル)−3−シフロブテン−1
,2−ジオン 7.6gに酢酸120m及び水 40m
を加え、2時間速流し、放冷後、析出した結晶を濾別、
水洗いして3−ヒドロキシ−4−(2′−フルオロ−4
−−ジメチルアミノフェニル〉−3−シクロブテン−1
,2−ジオン 6.7g(収率95%)を得た。
−−ジメチルアミノフェニル)−3−シフロブテン−1
,2−ジオン 7.6gに酢酸120m及び水 40m
を加え、2時間速流し、放冷後、析出した結晶を濾別、
水洗いして3−ヒドロキシ−4−(2′−フルオロ−4
−−ジメチルアミノフェニル〉−3−シクロブテン−1
,2−ジオン 6.7g(収率95%)を得た。
次いで、この3−ヒドロキシ−4−(2′−フルオロ−
4′−ジメチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−
1,2−ジオン 4.0gとN。
4′−ジメチルアミノフェニル)−3−シクロブテン−
1,2−ジオン 4.0gとN。
N−ジメチル−m−+ルイジン 6.9gをブタノール
340m1中に入れ、16時間加熱還流した。放冷後
、生成した青緑色の結晶を濾別し、ブタノール、メタノ
ール、ジエチルエーテルで洗浄後、乾燥して、2−(2
”−フルオロ−4−−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1
,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレ
ート(例示化合物(2>) 4.1y(収率68%)
を得た。
340m1中に入れ、16時間加熱還流した。放冷後
、生成した青緑色の結晶を濾別し、ブタノール、メタノ
ール、ジエチルエーテルで洗浄後、乾燥して、2−(2
”−フルオロ−4−−ジメチルアミノフェニル)−4−
(2′−メチル−4′−ジメチルアミノフェニル)−1
,3−シクロブタジエンージイリウム−1,3−ジオレ
ート(例示化合物(2>) 4.1y(収率68%)
を得た。
U
次いで、例示化合物(2) 2.6gを2−クロロエ
タノール 260dに入れ、還流温度で10分間加熱し
、熱時濾過後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、
精製された化合物(2〉2.1g(収率81%)を得た
。
タノール 260dに入れ、還流温度で10分間加熱し
、熱時濾過後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、
精製された化合物(2〉2.1g(収率81%)を得た
。
応用例3
実施例3によって精製された例示化合物(2〉を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第4表に示す。
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第4表に示す。
23 一
実施例3における未精製の例示化合物(2)を用い、実
施例2と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第5表に示す。
施例2と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第5表に示す。
第5表
実施例4
未精製の2,4−ビス−(4′−エチルメチルアミノフ
ェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1
,3−ジオレート(例示化合物(3)> 3.0yを
2−クロロエタノール25dとエタノール 25mの混
合溶媒中に入れ、還流温度で10分間加熱し、熱時濾過
後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、精製された
化合物(3) 2.79 (収率80%)を得た。
ェニル)−1,3−シクロブタジエンージイリウム−1
,3−ジオレート(例示化合物(3)> 3.0yを
2−クロロエタノール25dとエタノール 25mの混
合溶媒中に入れ、還流温度で10分間加熱し、熱時濾過
後、濾液を放冷し、析出した結晶を濾別し、精製された
化合物(3) 2.79 (収率80%)を得た。
応用例4
24 一
実施例4によって精製された例示化合物(3)を用い、
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第6表に示す。
応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に
評価した。その結果を第6表に示す。
参考例3
実施例4における未精製の例示化合物(3)を用い、応
用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第7表に示す。
用例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評
価した。その結果を第7表に示す。
25 一
実施例5〜12及び参考例4〜11
例示化合物(4)〜(11)について、2−クロロエタ
ノールを用い、実施例1におけると同様に再結晶処理を
行い、それぞれ精製された化合物を得た。
ノールを用い、実施例1におけると同様に再結晶処理を
行い、それぞれ精製された化合物を得た。
精製された例示化合物(4)〜(11)について、応用
例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価
した。その結果を第8表に示す。
例1と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価
した。その結果を第8表に示す。
又、再結晶処理を行わない例示化合物(4)〜(11)
を用い、応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し
、同様に評価した。その結果を第9表に示す。
を用い、応用例1と同様にして電子写真感光体を作成し
、同様に評価した。その結果を第9表に示す。
第8表
第9表
発明の効果
本発明は、上記の構成を有するから、従来、精製が困難
であったスクェアリリウム顔料を容易に精製することが
できる。そして又、本発明によって処理されたスクェア
リリウム顔料は、電子写真感光体における電荷発生材料
として使用するのに適しており、高感度で、しかも帯電
性が高く、暗減衰が小さく、残留電位が低く、繰返し使
用に対する安定性に優れた電子写真感光体を形成するこ
とができる。
であったスクェアリリウム顔料を容易に精製することが
できる。そして又、本発明によって処理されたスクェア
リリウム顔料は、電子写真感光体における電荷発生材料
として使用するのに適しており、高感度で、しかも帯電
性が高く、暗減衰が小さく、残留電位が低く、繰返し使
用に対する安定性に優れた電子写真感光体を形成するこ
とができる。
Claims (2)
- (1)下記一般式( I )で示されるスクエアリリウム
顔料を2−クロロエタノールに溶解し、再結晶又は再沈
澱させることを特徴とするスクエアリリウム顔料の精製
方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) [式中、R_1、R_2、R_3及びR_4は、それぞ
れ炭素数1〜20のアルキル基、置換あるいは未置換の
フェニル基、又は ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_7は水素原子、炭素数1〜6のアルキル基
、水酸基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子
、ニトロ基、シアノ基、カルボキシル基、炭素数1〜4
のアルコキシカルボニル基又はトリフルオロメチル基を
表わす)で示されるベンジル基を表わし、R_5及びR
_6は、それぞれ水素原子、水酸基、メチル基、ハロゲ
ン原子、トリフルオロメチル基、カルボキシル基、 −NHCOR_8又は−NHSO_2R_9(式中、R
_8及びR_9は、それぞれ置換基を有してもよいアル
キル基又はフェニル基)を表わす。] - (2)スクエアリリウム顔料が下記一般式(II)で示さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の精
製方法。 ▲数式、化学式、表等があります▼(II) [式中、R_1_0、R_1_1、R_1_2及びR_
1_3はそれぞれメチル基、エチル基又は ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、R_1_6は水素原子、メチル基、水酸基、メ
トキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ基
、シアノ基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニ
ル基又はトリフルオロメチル基を表わす)で示されるベ
ンジル基を表わし、R_1_4及びR_1_5は、それ
ぞれ水素原子、水酸基、メチル基又はフッ素原子を表わ
す。]
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62042897A JPH0621231B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | スクエアリリウム顔料の精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62042897A JPH0621231B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | スクエアリリウム顔料の精製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63210167A true JPS63210167A (ja) | 1988-08-31 |
JPH0621231B2 JPH0621231B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=12648820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62042897A Expired - Lifetime JPH0621231B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | スクエアリリウム顔料の精製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0621231B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102087260B1 (ko) | 2016-09-26 | 2020-03-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 신규한 화합물, 코어-쉘 염료, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 컬러필터 |
KR102087259B1 (ko) | 2016-09-28 | 2020-03-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 신규한 화합물, 코어-쉘 염료, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물 및 컬러필터 |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62042897A patent/JPH0621231B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0621231B2 (ja) | 1994-03-23 |
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