JPS6320906B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6320906B2 JPS6320906B2 JP60020832A JP2083285A JPS6320906B2 JP S6320906 B2 JPS6320906 B2 JP S6320906B2 JP 60020832 A JP60020832 A JP 60020832A JP 2083285 A JP2083285 A JP 2083285A JP S6320906 B2 JPS6320906 B2 JP S6320906B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- precipitates
- lead frame
- less
- strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 18
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 8
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004881 precipitation hardening Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
Description
(イ) 産業上の利用分野
本発明は半導体電子工業における、トランジス
ターやICなどの組立に用いられる析出型銅合金
からなるリードフレーム材のメツキ密着性改善に
関する。 (ロ) 従来の技術 トランジスターやICの組立において、リード
フレーム材表面の一部に例えばSiチツプを固定す
る所謂ダイボンデイングを行い、他の一部にワイ
ヤボンド細線（例えばAu線）を接合する所謂ワ
イヤボンデイングを行つているが、これらのボン
デイングを工業的に施行するためにはリードフレ
ーム材表面の少くもボンデイングする箇所を密着
性に富んだメツキを施こすことが信頼度を高める
要素の一つとされている。 現在、トランジスターやICなどの組立におい
てはリードフレーム材には析出型銅合金を用いる
場合が多い。この合金材は高強度と高導電性とを
共有しているものがあるからである。メツキは通
常Agが用いられ、そのメツキ方法は電気メツキ
が一般的である。これは密着性のあるメツキを工
業的に施行するのに適しているからである。 (ハ) 発明が解決しようとする問題点 リードフレーム材にあつてはメツキの容易性、
密着性に優れていることはトランジスターやIC
などの信頼性を得るために重要な特性の一つであ
る。そこでその特性を得るためにメツキ素地であ
るリードフレームの表面を洗浄て活性化したり、
平滑にすることは大切な前処理であるが、特に電
気メツキのときは素地金属に析出物などの異相の
存在をできるだけ小さくて少なくすることがメツ
キの密着性がよくなるとされている。 リードフレーム材にあつては一方高強度と高導
電性であることを要求される場合が多い。このよ
うな場合は、リードフレームの材質を析出型合金
とし、熱処理により含有添加元素からなる異相を
析出させることが知られている。つまりリードフ
レーム材に、高強度、高導電性を共有させるため
に析出物の存在する析出型銅合金を採ることと、
上述のボンデイングの信頼性を得るために、析出
物の存在を嫌うAg電気メツキ法を敢えて採るこ
ととの両者の矛盾の解決が本発明の問題点であ
る。 (ニ) 問題を解決するための手段 析出型合金でも、添加元素によつて、析出する
異相がある手段によつて細かく分散し、そのため
Agメツキの密着性は向上し、しかも強度、導電
性共にリードフレームに適切な高性能を保つよう
になる。このような添加元素を見出すことと析出
物を細かくして分散させる手段とを試みるべきで
ある。 本発明は叙上の点を目的としてなされたもので
あつて、高導電、高強度でしかも電気メツキ性良
好な析出型銅合金材を得るに至つた。即ち、Cu
にCr0.2〜1.5％とZr0.5％以下とを含有する銅合金
を950〜1000℃の加熱温度で熱間圧延した後、700
℃以上の温度で終了後、急冷を施し、更に冷間加
工中の焼鈍温度を570℃以下にすることにより、
析出物の大きさを0.5μm以下とするリードフレー
ム用析出型銅合金材の製造法を見出した。 尚上記本発明合金の溶解鋳造に当つては、溶湯
中の酸素量が50ppm以下になるよう真空溶解鋳造
法を採ることが良い、Zrは酸化し易いので溶解
中酸化消失するおそれがあるからである。 (ホ) 作用 CuにCrを添加した合金は溶解度変化による析
出硬化は析出型銅合金中でも著しく大きい。又
CuにZrを添加した合金は高強度、高導電性の析
出型銅合金である。本発明はこのような添加元素
として効果の大きいCrとZrを同時にCu中に本発
明による範囲内に含有させ、しかも適切な熱処理
を施せば析出物異相はその大きさが細粒となると
メツキ密着性はよくなることを見出したのであ
る。 上記の適切な熱処理として、熱間圧延の加熱温
度を950〜1000℃に２〜３時間保持することが好
ましい。このようにすればZr，Crの鋳造時に生
じた析出物は固溶して、残つた析出物は小さくな
る。又圧延中温度が700℃以下迄下ると析出が生
じてくるので短時間に圧延して、圧延が終了した
ら急冷することが好ましい。又冷間圧延中の中間
焼鈍温度は570℃以下にすることが必要である。
このようにすれば析出物は大きくならないし、温
度の保持時間は導電率、強度が適正な値になれば
短いほどよい。 Crを0.2〜1.5％、Zrを0.5％以下に限定した理由
はこの範囲にあれば強度向上及び導電率の両特性
がリードフレームとして特性を満足するからであ
る。Cr1.5％をこえたものは強度が実用以上に高
くなり、Cr0.2％未満のものは導電率はよいが、
強度が低く実用的でない。又Zrが0.5％をこえた
ものは溶解、鋳造の加工がやりにくくなり実用的
でない。 (ヘ) 実施例 表の実施例No.１，No.２，No.３，No.４の４種類の
化学組成を持つ本発明による銅合金と比較例とし
て本発明の範囲外の化学組成を持つNo.５，No.６，
No.７の銅合金とを真空中で溶解、鋳造を行つて鋳
塊とし、面削後、950℃で熱間圧延して板厚を７
mmとし、冷間圧延では中間焼鈍温度を550℃×２
時間と650℃×２時間の２種類の析出異相の大き
さ調整用の熱処理焼鈍を行い、更に冷間圧延し、
最終焼鈍して、板厚0.25mmの焼鈍板を得た。得ら
れた板材から縦横20mmの供試料を採り、板表面を
H2SO4−H2O2混合液にてエツチングして、走査
電顕にて1000〜5000倍にて観察し、析出物異相の
大きさを調べた。強度として引張り強さ、伸び、
及び導電率を測定し、Agメツキの密着性測定は
厚さ0.25mm巾30mm長さ80mmの供試料の板に5μm銀
メツキをし、450℃×５分間大気中で加熱してか
ら表面の膨れを目視又は実体顕微鏡で観察した。 判定は膨れ５個以下は〇、５個以上は×とし
た。それらの結果を表に併記した。表によれば本
発明によるNo.１，No.２，No.３，No.４共に析出物の
大きさが0.5μm以下のものはすべて強度も導電率
も高く、Agメツキの密着性も良であつた。これ
らの熱処理中間焼鈍温度は550℃×２時間であつ
た。しかしNo.２とNo.４との試料で析出物の大きさ
0.5μm以上のものは強度は高かつたが導電率は析
出物の大きさ0.5μm以下のものに比べてやや低
く、メツキ密着性は悪かつた、これらは熱処理中
間焼鈍温度が650℃×２時間のものであつた。 比較例のNo.５，No.６，No.７については、中間焼
鈍550℃×２時間のものは析出物の大きさは
0.5μm以下で小さかつたが、650℃×２時間のも
のはいずれも0.5μm以上あつて大きかつた。しか
し析出物の大きいものも小さいものもNo.５を除い
た他はいずれもメツキ密着性は悪くリードフレー
ム材としては不適当であつた。尚No.５はメツキ密
着性は良かつたが強度が不足してリードフレーム
には不適であつた。
ターやICなどの組立に用いられる析出型銅合金
からなるリードフレーム材のメツキ密着性改善に
関する。 (ロ) 従来の技術 トランジスターやICの組立において、リード
フレーム材表面の一部に例えばSiチツプを固定す
る所謂ダイボンデイングを行い、他の一部にワイ
ヤボンド細線（例えばAu線）を接合する所謂ワ
イヤボンデイングを行つているが、これらのボン
デイングを工業的に施行するためにはリードフレ
ーム材表面の少くもボンデイングする箇所を密着
性に富んだメツキを施こすことが信頼度を高める
要素の一つとされている。 現在、トランジスターやICなどの組立におい
てはリードフレーム材には析出型銅合金を用いる
場合が多い。この合金材は高強度と高導電性とを
共有しているものがあるからである。メツキは通
常Agが用いられ、そのメツキ方法は電気メツキ
が一般的である。これは密着性のあるメツキを工
業的に施行するのに適しているからである。 (ハ) 発明が解決しようとする問題点 リードフレーム材にあつてはメツキの容易性、
密着性に優れていることはトランジスターやIC
などの信頼性を得るために重要な特性の一つであ
る。そこでその特性を得るためにメツキ素地であ
るリードフレームの表面を洗浄て活性化したり、
平滑にすることは大切な前処理であるが、特に電
気メツキのときは素地金属に析出物などの異相の
存在をできるだけ小さくて少なくすることがメツ
キの密着性がよくなるとされている。 リードフレーム材にあつては一方高強度と高導
電性であることを要求される場合が多い。このよ
うな場合は、リードフレームの材質を析出型合金
とし、熱処理により含有添加元素からなる異相を
析出させることが知られている。つまりリードフ
レーム材に、高強度、高導電性を共有させるため
に析出物の存在する析出型銅合金を採ることと、
上述のボンデイングの信頼性を得るために、析出
物の存在を嫌うAg電気メツキ法を敢えて採るこ
ととの両者の矛盾の解決が本発明の問題点であ
る。 (ニ) 問題を解決するための手段 析出型合金でも、添加元素によつて、析出する
異相がある手段によつて細かく分散し、そのため
Agメツキの密着性は向上し、しかも強度、導電
性共にリードフレームに適切な高性能を保つよう
になる。このような添加元素を見出すことと析出
物を細かくして分散させる手段とを試みるべきで
ある。 本発明は叙上の点を目的としてなされたもので
あつて、高導電、高強度でしかも電気メツキ性良
好な析出型銅合金材を得るに至つた。即ち、Cu
にCr0.2〜1.5％とZr0.5％以下とを含有する銅合金
を950〜1000℃の加熱温度で熱間圧延した後、700
℃以上の温度で終了後、急冷を施し、更に冷間加
工中の焼鈍温度を570℃以下にすることにより、
析出物の大きさを0.5μm以下とするリードフレー
ム用析出型銅合金材の製造法を見出した。 尚上記本発明合金の溶解鋳造に当つては、溶湯
中の酸素量が50ppm以下になるよう真空溶解鋳造
法を採ることが良い、Zrは酸化し易いので溶解
中酸化消失するおそれがあるからである。 (ホ) 作用 CuにCrを添加した合金は溶解度変化による析
出硬化は析出型銅合金中でも著しく大きい。又
CuにZrを添加した合金は高強度、高導電性の析
出型銅合金である。本発明はこのような添加元素
として効果の大きいCrとZrを同時にCu中に本発
明による範囲内に含有させ、しかも適切な熱処理
を施せば析出物異相はその大きさが細粒となると
メツキ密着性はよくなることを見出したのであ
る。 上記の適切な熱処理として、熱間圧延の加熱温
度を950〜1000℃に２〜３時間保持することが好
ましい。このようにすればZr，Crの鋳造時に生
じた析出物は固溶して、残つた析出物は小さくな
る。又圧延中温度が700℃以下迄下ると析出が生
じてくるので短時間に圧延して、圧延が終了した
ら急冷することが好ましい。又冷間圧延中の中間
焼鈍温度は570℃以下にすることが必要である。
このようにすれば析出物は大きくならないし、温
度の保持時間は導電率、強度が適正な値になれば
短いほどよい。 Crを0.2〜1.5％、Zrを0.5％以下に限定した理由
はこの範囲にあれば強度向上及び導電率の両特性
がリードフレームとして特性を満足するからであ
る。Cr1.5％をこえたものは強度が実用以上に高
くなり、Cr0.2％未満のものは導電率はよいが、
強度が低く実用的でない。又Zrが0.5％をこえた
ものは溶解、鋳造の加工がやりにくくなり実用的
でない。 (ヘ) 実施例 表の実施例No.１，No.２，No.３，No.４の４種類の
化学組成を持つ本発明による銅合金と比較例とし
て本発明の範囲外の化学組成を持つNo.５，No.６，
No.７の銅合金とを真空中で溶解、鋳造を行つて鋳
塊とし、面削後、950℃で熱間圧延して板厚を７
mmとし、冷間圧延では中間焼鈍温度を550℃×２
時間と650℃×２時間の２種類の析出異相の大き
さ調整用の熱処理焼鈍を行い、更に冷間圧延し、
最終焼鈍して、板厚0.25mmの焼鈍板を得た。得ら
れた板材から縦横20mmの供試料を採り、板表面を
H2SO4−H2O2混合液にてエツチングして、走査
電顕にて1000〜5000倍にて観察し、析出物異相の
大きさを調べた。強度として引張り強さ、伸び、
及び導電率を測定し、Agメツキの密着性測定は
厚さ0.25mm巾30mm長さ80mmの供試料の板に5μm銀
メツキをし、450℃×５分間大気中で加熱してか
ら表面の膨れを目視又は実体顕微鏡で観察した。 判定は膨れ５個以下は〇、５個以上は×とし
た。それらの結果を表に併記した。表によれば本
発明によるNo.１，No.２，No.３，No.４共に析出物の
大きさが0.5μm以下のものはすべて強度も導電率
も高く、Agメツキの密着性も良であつた。これ
らの熱処理中間焼鈍温度は550℃×２時間であつ
た。しかしNo.２とNo.４との試料で析出物の大きさ
0.5μm以上のものは強度は高かつたが導電率は析
出物の大きさ0.5μm以下のものに比べてやや低
く、メツキ密着性は悪かつた、これらは熱処理中
間焼鈍温度が650℃×２時間のものであつた。 比較例のNo.５，No.６，No.７については、中間焼
鈍550℃×２時間のものは析出物の大きさは
0.5μm以下で小さかつたが、650℃×２時間のも
のはいずれも0.5μm以上あつて大きかつた。しか
し析出物の大きいものも小さいものもNo.５を除い
た他はいずれもメツキ密着性は悪くリードフレー
ム材としては不適当であつた。尚No.５はメツキ密
着性は良かつたが強度が不足してリードフレーム
には不適であつた。
【表】
(ト) 発明の効果
上述のように、析出型銅合金の添加元素にCr，
Zrを採り、本発明による成分範囲にすれば、適
切な熱処理によつて、析出物の異相は細粒化して
分散し、Agメツキ密着性は良好となり、しかも
強度、導電度はリードフレームとして充分な性能
を保有する。 従つてこのような本発明によるリードフレーム
材にAgメツキし、ダイボンデイング、ワイヤボ
ンデイングしてもボンドの高強度を保持し、信頼
性のあるICやトランジスターが得られる。
Zrを採り、本発明による成分範囲にすれば、適
切な熱処理によつて、析出物の異相は細粒化して
分散し、Agメツキ密着性は良好となり、しかも
強度、導電度はリードフレームとして充分な性能
を保有する。 従つてこのような本発明によるリードフレーム
材にAgメツキし、ダイボンデイング、ワイヤボ
ンデイングしてもボンドの高強度を保持し、信頼
性のあるICやトランジスターが得られる。
Claims (1)
- １ Cr0.2〜1.5％とZr0.5％以下とを含有する銅合
金を950〜1000℃の加熱温度で熱間圧延した後、
700℃以上の温度で終了後、急冷を施し、更に冷
間加工中の焼鈍温度を570℃以下にすることによ
り、析出物の大きさが0.5μm以下にすることを特
徴とするリードフレーム用析出型銅合金材の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2083285A JPS61183425A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | リードフレーム用析出型銅合金材の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2083285A JPS61183425A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | リードフレーム用析出型銅合金材の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61183425A JPS61183425A (ja) | 1986-08-16 |
| JPS6320906B2 true JPS6320906B2 (ja) | 1988-05-02 |
Family
ID=12038029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2083285A Granted JPS61183425A (ja) | 1985-02-07 | 1985-02-07 | リードフレーム用析出型銅合金材の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61183425A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5039478A (en) * | 1989-07-26 | 1991-08-13 | Olin Corporation | Copper alloys having improved softening resistance and a method of manufacture thereof |
| US5017250A (en) * | 1989-07-26 | 1991-05-21 | Olin Corporation | Copper alloys having improved softening resistance and a method of manufacture thereof |
| JP2007100136A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Nikko Kinzoku Kk | 均一めっき性に優れたリードフレーム用銅合金 |
| JP5170916B2 (ja) * | 2010-08-27 | 2013-03-27 | 古河電気工業株式会社 | 銅合金板材及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54119328A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-17 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead frames |
-
1985
- 1985-02-07 JP JP2083285A patent/JPS61183425A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54119328A (en) * | 1978-03-10 | 1979-09-17 | Nippon Mining Co Ltd | Copper alloy for lead frames |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61183425A (ja) | 1986-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4732731A (en) | Copper alloy for electronic instruments and method of manufacturing the same | |
| US5021105A (en) | Copper alloy for electronic instruments | |
| JP4567906B2 (ja) | 電子・電気部品用銅合金板または条およびその製造方法 | |
| JPS61183426A (ja) | 高力高導電性耐熱銅合金 | |
| US4908078A (en) | Material for conductive parts of electronic or electric devices | |
| JPS63143230A (ja) | 析出強化型高力高導電性銅合金 | |
| US5205878A (en) | Copper-based electric and electronic parts having high strength and high electric conductivity | |
| JPS6365039A (ja) | 電子電気機器用銅合金 | |
| JPS6389640A (ja) | 電子電気機器導電部品材料 | |
| JPS6320906B2 (ja) | ||
| JP3296709B2 (ja) | 電子機器用薄板銅合金およびその製造方法 | |
| JPH02118037A (ja) | 酸化膜密着性に優れた高力高導電性銅合金 | |
| JPS60152646A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム材 | |
| JPS6396239A (ja) | リードフレーム、コネクタもしくはスイッチ用導電圧延材料 | |
| JPS63128158A (ja) | 高力高導電性銅基合金の製造方法 | |
| JPH01165733A (ja) | 高強度高導電性銅合金 | |
| JPH0375346A (ja) | 高強度・高導電型リードフレーム用金属板の製造方法 | |
| JP2001279348A (ja) | 電子・電気部品用銅合金およびその板条材、異形断面条材ならびにその板条材または異形断面条材より形成されるリードフレーム | |
| JPH02129349A (ja) | 電子電気機器導電部品用材料の製造方法 | |
| JP2994230B2 (ja) | Ａｇめっき性が優れた半導体リードフレーム用銅合金 | |
| JP2534917B2 (ja) | 高強度高導電性銅基合金 | |
| JPS6345342A (ja) | 高力伝導性銅合金 | |
| JPS60245750A (ja) | 半導体機器のリ−ド材用銅合金 | |
| JP2883524B2 (ja) | 半導体リードフレーム用銅合金 | |
| JPS61284544A (ja) | 半導体素子用銅合金 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |