JP2883524B2 - 半導体リードフレーム用銅合金 - Google Patents
半導体リードフレーム用銅合金Info
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- JP2883524B2 JP2883524B2 JP24334093A JP24334093A JP2883524B2 JP 2883524 B2 JP2883524 B2 JP 2883524B2 JP 24334093 A JP24334093 A JP 24334093A JP 24334093 A JP24334093 A JP 24334093A JP 2883524 B2 JP2883524 B2 JP 2883524B2
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- Japan
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- copper alloy
- lead frame
- plating
- semiconductor lead
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＡｇめっきが施される半
導体リードフレーム用銅合金に関し、更に詳述すれば，
Ａｇめっきの突起状析出が発生しにくい半導体リードフ
レーム用銅合金に関する。
導体リードフレーム用銅合金に関し、更に詳述すれば，
Ａｇめっきの突起状析出が発生しにくい半導体リードフ
レーム用銅合金に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ及びトランジスタ等の半導体には、
熱放散性が優れていると共に、製造コストも低い銅系材
料が多く用いられている。銅合金製半導体用リードフレ
ームは、銅合金素材をスタンピング又はエッチングによ
りリードフレームに加工した後、めっきが施される。半
導体の組立て工程において、リードフレームは、素子を
リードフレームに接合するダイボンディング工程及び素
子とリードフレームをＡｕ線で接続するワイヤボンディ
ング工程を経た後、樹脂封止され半導体となる。このリ
ードフレームへのめっきは、通常、素子が搭載されるパ
ッド部及びＡｕ線で接続されるインナーリード先端部に
なされ、Ａｇめっきが施される。Ａｇめっきは耐酸化性
が優れているので、ダイボンディング及びワイヤボンデ
ィングにおける加熱を受けた後にも、素子及びＡｕ線と
リードフレームとの間に良好な接合を保持する。
熱放散性が優れていると共に、製造コストも低い銅系材
料が多く用いられている。銅合金製半導体用リードフレ
ームは、銅合金素材をスタンピング又はエッチングによ
りリードフレームに加工した後、めっきが施される。半
導体の組立て工程において、リードフレームは、素子を
リードフレームに接合するダイボンディング工程及び素
子とリードフレームをＡｕ線で接続するワイヤボンディ
ング工程を経た後、樹脂封止され半導体となる。このリ
ードフレームへのめっきは、通常、素子が搭載されるパ
ッド部及びＡｕ線で接続されるインナーリード先端部に
なされ、Ａｇめっきが施される。Ａｇめっきは耐酸化性
が優れているので、ダイボンディング及びワイヤボンデ
ィングにおける加熱を受けた後にも、素子及びＡｕ線と
リードフレームとの間に良好な接合を保持する。
【０００３】しかし、Ａｇめっきはこのような優れた特
性を持つ反面、めっきの中では均一な析出状態を得るの
が比較的難しいという難点がある。特に、このＡｇめっ
きは素材表面の影響を受け、析出状態が不均一になる場
合がある。特に、Ａｇ粒子が局所的に析出し、数〜数十
μｍ径で高さが数μｍの突起が発生した場合は、素子及
びＡｕ線とリードフレームとの接合の信頼性を低下させ
る要因となり得る。
性を持つ反面、めっきの中では均一な析出状態を得るの
が比較的難しいという難点がある。特に、このＡｇめっ
きは素材表面の影響を受け、析出状態が不均一になる場
合がある。特に、Ａｇ粒子が局所的に析出し、数〜数十
μｍ径で高さが数μｍの突起が発生した場合は、素子及
びＡｕ線とリードフレームとの接合の信頼性を低下させ
る要因となり得る。
【０００４】このような、Ａｇ粒子の突起状析出を抑制
する手段として、０．１〜０．３μｍ程度のＣｕ下地め
っき層を、Ａｇめっき層と銅合金からなるリードフレー
ム本体との間に設けることが有効な場合がある。
する手段として、０．１〜０．３μｍ程度のＣｕ下地め
っき層を、Ａｇめっき層と銅合金からなるリードフレー
ム本体との間に設けることが有効な場合がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ｃｕ下地めっ
き層は、Ｃｕめっき条件及びリードフレームの使用条件
によっては、耐酸化性、特に酸化皮膜の密着性等に問題
があったり、リードフレームを構成する銅合金素材によ
っては、このようなＣｕ下地層を設けることが有効でな
かったりする場合がある。また、このＣｕ下地めっき層
を設けることは製造コストを上昇させる要因になってお
り、Ｃｕ下地めっき層以外の手段により、低コストでＡ
ｇめっき層におけるＡｇ粒子の突起状析出を防止する技
術の開発が要望されている。
き層は、Ｃｕめっき条件及びリードフレームの使用条件
によっては、耐酸化性、特に酸化皮膜の密着性等に問題
があったり、リードフレームを構成する銅合金素材によ
っては、このようなＣｕ下地層を設けることが有効でな
かったりする場合がある。また、このＣｕ下地めっき層
を設けることは製造コストを上昇させる要因になってお
り、Ｃｕ下地めっき層以外の手段により、低コストでＡ
ｇめっき層におけるＡｇ粒子の突起状析出を防止する技
術の開発が要望されている。
【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、銅合金素材自体の改善によりＡｇめっきの
突起状析出を防止することができ、Ａｇめっきの突起状
析出が発生しにくい半導体リードフレーム用銅合金を提
供することを目的とする。
のであって、銅合金素材自体の改善によりＡｇめっきの
突起状析出を防止することができ、Ａｇめっきの突起状
析出が発生しにくい半導体リードフレーム用銅合金を提
供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体リー
ドフレーム用銅合金は、Ａｇめっきが施される半導体リ
ードフレーム用銅合金において、不純物元素のＭｇ及び
Ｃａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０
重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする。
ドフレーム用銅合金は、Ａｇめっきが施される半導体リ
ードフレーム用銅合金において、不純物元素のＭｇ及び
Ｃａの含有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０
重量ｐｐｍ以下に規制したことを特徴とする。
【０００８】このような銅合金は、添加成分として、以
下のような組成を有するものを使用することができる。
先ず、この第１の銅合金は、Ｆｅ：１．０乃至３．０重
量％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５重量％及びＺｎ：
０．０５乃至０．２０重量％を含有し、残部が銅及び不
可避的不純物である。そして、第２の銅合金は、Ｆｅ：
１．０乃至３．０重量％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５
重量％、Ｚｎ：０．０５乃至０．２０重量％及びＡｌ：
０．００１０乃至０．０２０重量％を含有し、残部が銅
及び不可避的不純物である。
下のような組成を有するものを使用することができる。
先ず、この第１の銅合金は、Ｆｅ：１．０乃至３．０重
量％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５重量％及びＺｎ：
０．０５乃至０．２０重量％を含有し、残部が銅及び不
可避的不純物である。そして、第２の銅合金は、Ｆｅ：
１．０乃至３．０重量％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５
重量％、Ｚｎ：０．０５乃至０．２０重量％及びＡｌ：
０．００１０乃至０．０２０重量％を含有し、残部が銅
及び不可避的不純物である。
【０００９】
【作用】次に、本発明に係る半導体リードフレーム用銅
合金の不純物の規制理由並びに成分添加理由及び組成限
定理由について説明する。
合金の不純物の規制理由並びに成分添加理由及び組成限
定理由について説明する。
【００１０】先ず、本発明の目的を達成する上で最も重
要な要件である不純物元素について説明する。本発明者
等はＡｇめっきの突起状析出の原因について詳細に調査
した結果、その原因は銅合金中に不純物として存在する
Ｍｇ及びＣａによるものであることを見い出した。
要な要件である不純物元素について説明する。本発明者
等はＡｇめっきの突起状析出の原因について詳細に調査
した結果、その原因は銅合金中に不純物として存在する
Ｍｇ及びＣａによるものであることを見い出した。
【００１１】図１はＣｕ−２．３Ｆｅ−０．０３Ｐ−
０．１Ｚｎ合金にＡｇめっきを行ったときに生じた突起
を研磨により除去し、Ａｇ突起下部に存在する銅合金中
の介在物をエネルギ分散型Ｘ線検出器付き走査電子顕微
鏡（ＥＤＸ−ＳＥＭ）で分析した結果を示す。この図１
から明らかなように、Ａｇ突起の原因として、ＣａとＰ
からなる介在物が検出されている。
０．１Ｚｎ合金にＡｇめっきを行ったときに生じた突起
を研磨により除去し、Ａｇ突起下部に存在する銅合金中
の介在物をエネルギ分散型Ｘ線検出器付き走査電子顕微
鏡（ＥＤＸ−ＳＥＭ）で分析した結果を示す。この図１
から明らかなように、Ａｇ突起の原因として、ＣａとＰ
からなる介在物が検出されている。
【００１２】このようなＣａ及び／又はＭｇを含有する
介在物によりＡｇ突起が発生する原因としては以下のよ
うに考えられる。即ち、Ｍｇ及びＣａは標準電極電位の
値が夫々Ｍｇ：−２．３７Ｖ、Ｃａ：−２．８４ＶとＡ
ｇの値：０．８０Ｖより低い（卑である）ため、Ａｇめ
っきの際にこれらの元素がＡｇイオンと置換することに
より、介在物の部分に置換したＡｇの析出が生じ、これ
が原因となって電流集中により突起状の析出を形成す
る。
介在物によりＡｇ突起が発生する原因としては以下のよ
うに考えられる。即ち、Ｍｇ及びＣａは標準電極電位の
値が夫々Ｍｇ：−２．３７Ｖ、Ｃａ：−２．８４ＶとＡ
ｇの値：０．８０Ｖより低い（卑である）ため、Ａｇめ
っきの際にこれらの元素がＡｇイオンと置換することに
より、介在物の部分に置換したＡｇの析出が生じ、これ
が原因となって電流集中により突起状の析出を形成す
る。
【００１３】更に、本願発明者らは、これらの元素の含
有量とＡｇめっきの突起状析出との関係を詳細に調査し
た結果、Ａｇめっきの突起状析出が生じないためのこれ
らの元素の許容量として、Ｍｇ及びＣａの上限値がいず
れも１０重量ｐｐｍであることを見い出した。即ち、不
純物元素であるＭｇ及びＣａは、いずれも１０重量ｐｐ
ｍを超えると、Ａｇめっきの突起状析出の発生が顕著に
なるのである。従って、不純物元素Ｍｇ及びＣａの含有
量はＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ
以下とする。
有量とＡｇめっきの突起状析出との関係を詳細に調査し
た結果、Ａｇめっきの突起状析出が生じないためのこれ
らの元素の許容量として、Ｍｇ及びＣａの上限値がいず
れも１０重量ｐｐｍであることを見い出した。即ち、不
純物元素であるＭｇ及びＣａは、いずれも１０重量ｐｐ
ｍを超えると、Ａｇめっきの突起状析出の発生が顕著に
なるのである。従って、不純物元素Ｍｇ及びＣａの含有
量はＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ
以下とする。
【００１４】これらの不純物元素は銅合金の原料となる
各種スクラップ、特に電線屑等から混入する。従って、
これらの元素を低減する方法としては、原料を選別して
もよいし、原料段階での混入防止が困難である場合は溶
解時に酸素を含むガスを溶湯中にバブリングする等の方
法でこれらの不純物元素を酸化し、のろとして除去して
もよく、処理コスト等を勘案して適宜選択すればよい。
各種スクラップ、特に電線屑等から混入する。従って、
これらの元素を低減する方法としては、原料を選別して
もよいし、原料段階での混入防止が困難である場合は溶
解時に酸素を含むガスを溶湯中にバブリングする等の方
法でこれらの不純物元素を酸化し、のろとして除去して
もよく、処理コスト等を勘案して適宜選択すればよい。
【００１５】次に、リードフレーム本体となる銅合金素
材の添加成分について説明する。
材の添加成分について説明する。
【００１６】Ｆｅ（鉄）：Ｆｅは銅合金素材の強度を向
上させる元素である。Ｆｅの含有量が１．０重量％未満
の場合には、この強度向上効果が得られない。このた
め、Ｆｅ含有量は１．０重量％以上、好ましくは１．６
重量％以上とする。一方、Ｆｅを３．０重量％を超えて
含有すると、導電率が低下すると共に、Ｆｅの晶出物が
巨大化し、これによりＡｇめっき層の密着性が劣化する
と共に、金型の磨耗が発生しやすくなる。このため、Ｆ
ｅの含有量は３．０重量％以下、好ましくは２．４重量
％以下とする。従って、Ｆｅ含有量は１．０乃至３．０
重量％、好ましくは１．６乃至２．４重量％である。
上させる元素である。Ｆｅの含有量が１．０重量％未満
の場合には、この強度向上効果が得られない。このた
め、Ｆｅ含有量は１．０重量％以上、好ましくは１．６
重量％以上とする。一方、Ｆｅを３．０重量％を超えて
含有すると、導電率が低下すると共に、Ｆｅの晶出物が
巨大化し、これによりＡｇめっき層の密着性が劣化する
と共に、金型の磨耗が発生しやすくなる。このため、Ｆ
ｅの含有量は３．０重量％以下、好ましくは２．４重量
％以下とする。従って、Ｆｅ含有量は１．０乃至３．０
重量％、好ましくは１．６乃至２．４重量％である。
【００１７】Ｐ（リン）：Ｐは銅合金の溶湯中に脱酸剤
として添加される。Ｐ含有量が０．０１５重量％未満の
場合にはその添加効果が少ない。また、Ｐを０．１５重
量％を超えて添加すると、熱間加工性が低下すると共
に、導電率が低下する。このため、Ｐ含有量は０．０１
５乃至０．１５重量％とする。
として添加される。Ｐ含有量が０．０１５重量％未満の
場合にはその添加効果が少ない。また、Ｐを０．１５重
量％を超えて添加すると、熱間加工性が低下すると共
に、導電率が低下する。このため、Ｐ含有量は０．０１
５乃至０．１５重量％とする。
【００１８】Ｚｎ（亜鉛）：Ｚｎははんだの耐剥離性を
向上させる。Ｚｎの含有量が０．０５重量％未満では、
その添加効果が得られない。また、Ｚｎの含有量が０．
２０重量％を超えると、はんだ濡れ性の低下及び導電率
の低下が生じる。このため、Ｚｎの含有量は０．０５乃
至０．２０重量％とする。
向上させる。Ｚｎの含有量が０．０５重量％未満では、
その添加効果が得られない。また、Ｚｎの含有量が０．
２０重量％を超えると、はんだ濡れ性の低下及び導電率
の低下が生じる。このため、Ｚｎの含有量は０．０５乃
至０．２０重量％とする。
【００１９】Ａｌ（アルミニウム）：Ａｌは鋳塊の割れ
感受性及び熱間加工時の割れ感受性を改善し、割れにく
くする元素である。このため、必要に応じて添加する。
Ａｌ含有量が０．００１０重量％未満の場合には、その
添加効果は不十分であり、０．０２００重量％を超えて
Ａｌを添加しても、その効果は飽和し、逆にめっきの密
着性及びはんだ濡れ性を阻害する。このため、Ａｌの含
有量は０．００１０乃至０．０２００重量％とする。
感受性及び熱間加工時の割れ感受性を改善し、割れにく
くする元素である。このため、必要に応じて添加する。
Ａｌ含有量が０．００１０重量％未満の場合には、その
添加効果は不十分であり、０．０２００重量％を超えて
Ａｌを添加しても、その効果は飽和し、逆にめっきの密
着性及びはんだ濡れ性を阻害する。このため、Ａｌの含
有量は０．００１０乃至０．０２００重量％とする。
【００２０】なお、本発明のリードフレーム用銅合金
は、上述のＣｕ−Ｆｅ−Ｐ−Ｚｎ系銅合金に限らず、種
々の銅合金をベースとすることができる。不純物元素で
あるＭｇ及びＣａの含有量を１０重量ｐｐｍ以下と規制
する限り、本発明の目的を達成することができる。
は、上述のＣｕ−Ｆｅ−Ｐ−Ｚｎ系銅合金に限らず、種
々の銅合金をベースとすることができる。不純物元素で
あるＭｇ及びＣａの含有量を１０重量ｐｐｍ以下と規制
する限り、本発明の目的を達成することができる。
【００２１】
【実施例】以下、本発明の実施例について、その比較例
と比較して説明する。下記表１に示す組成の銅合金を、
電気炉を使用して木炭の被覆下で大気中で溶解した。
と比較して説明する。下記表１に示す組成の銅合金を、
電気炉を使用して木炭の被覆下で大気中で溶解した。
【００２２】
【表１】
【００２３】その後、この溶解した銅合金を鋳鉄製のブ
ックモールドに鋳造し、厚さが５０ｍｍ、幅が７０ｍ
ｍ、長さが１８０ｍｍの鋳塊を製作した。これらの鋳塊
を表裏面で夫々２．５ｍｍだけ研削した後、９００℃の
温度で厚さが１５ｍｍになるまで熱間圧延し、その後７
００℃の温度から水中に急冷した。この熱間圧延材の表
面のスケールをグラインダにより除去した後、厚さが
０．５ｍｍになるまで冷間圧延した。この冷間圧延材を
６００℃の温度で１時間加熱した後、冷却途中で４７５
℃に到達した時点で更に３時間、４７５℃の温度で加熱
した。次いで、酸洗いした後、冷間圧延により厚さが
０．２５ｍｍの板を得た。
ックモールドに鋳造し、厚さが５０ｍｍ、幅が７０ｍ
ｍ、長さが１８０ｍｍの鋳塊を製作した。これらの鋳塊
を表裏面で夫々２．５ｍｍだけ研削した後、９００℃の
温度で厚さが１５ｍｍになるまで熱間圧延し、その後７
００℃の温度から水中に急冷した。この熱間圧延材の表
面のスケールをグラインダにより除去した後、厚さが
０．５ｍｍになるまで冷間圧延した。この冷間圧延材を
６００℃の温度で１時間加熱した後、冷却途中で４７５
℃に到達した時点で更に３時間、４７５℃の温度で加熱
した。次いで、酸洗いした後、冷間圧延により厚さが
０．２５ｍｍの板を得た。
【００２４】これらの板から厚さが０．２５ｍｍ、幅が
２５ｍｍ、長さが６０ｍｍの試験片を切り出し、下記条
件でＣｕ下地めっき及びＡｇめっきを行った後、４０倍
の実体顕微鏡で表面を観察し、Ａｇめっきの突起状析出
の発生量を測定した。その結果を下記表２に示す。但
し、比較例７は比較例６と同一材料を使用し、これにＣ
ｕ下地めっきを施さずにＡｇめっきのみを施したもので
ある。
２５ｍｍ、長さが６０ｍｍの試験片を切り出し、下記条
件でＣｕ下地めっき及びＡｇめっきを行った後、４０倍
の実体顕微鏡で表面を観察し、Ａｇめっきの突起状析出
の発生量を測定した。その結果を下記表２に示す。但
し、比較例７は比較例６と同一材料を使用し、これにＣ
ｕ下地めっきを施さずにＡｇめっきのみを施したもので
ある。
【００２５】（１）Ｃｕ下地めっき 浴組成 ：ＣｕＣＮ ４２ｇ／リットル ＫＣＮ ９１ｇ／リットル 温度 ：６０℃ 電流密度 ：５Ａ／ｄｍ2 めっき厚さ：０．１μｍ （２）Ａｇめっき めっき液 ：Ｓ−９３０（エヌ・イー・ケムキャット
製） 温度 ：６０℃ 電流密度 ：５０Ａ／ｄｍ2
製） 温度 ：６０℃ 電流密度 ：５０Ａ／ｄｍ2
【００２６】
【表２】
【００２７】本発明の実施例である試験片１〜４はＣａ
及びＭｇ含有量が１０重量ｐｐｍ以下であるから、突起
状析出の量は０．０８個／ｃｍ2以下と極めて少ない。
これに対し、比較例の試験片５、６はＣａ又はＭｇの含
有量が多いので、１０重量ｐｐｍを超えているので、突
起状析出の量は実施例の場合より１桁又は２桁多い。ま
た、比較例７はＣｕ下地めっき層がないため、突起状析
出の量が更に多い。
及びＭｇ含有量が１０重量ｐｐｍ以下であるから、突起
状析出の量は０．０８個／ｃｍ2以下と極めて少ない。
これに対し、比較例の試験片５、６はＣａ又はＭｇの含
有量が多いので、１０重量ｐｐｍを超えているので、突
起状析出の量は実施例の場合より１桁又は２桁多い。ま
た、比較例７はＣｕ下地めっき層がないため、突起状析
出の量が更に多い。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る半導
体リードフレーム用銅合金は、不純物元素のＣａ及びＭ
ｇの含有量を１０重量ｐｐｍ以下に規制したので、その
上に形成されるＡｇめっき層におけるＡｇ粒子の突起状
析出を防止することができ、低コストで、高品質の半導
体用リードフレームを得ることができる。
体リードフレーム用銅合金は、不純物元素のＣａ及びＭ
ｇの含有量を１０重量ｐｐｍ以下に規制したので、その
上に形成されるＡｇめっき層におけるＡｇ粒子の突起状
析出を防止することができ、低コストで、高品質の半導
体用リードフレームを得ることができる。
【図１】Ａｇ突起下部に存在する銅合金中の介在物をＥ
ＤＸ−ＳＥＭで分析した結果を示す図である。
ＤＸ−ＳＥＭで分析した結果を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−69934（ＪＰ，Ａ) 特公 平５−64224（ＪＰ，Ｂ２) 黒柳卓、「最近の半導体パッケージ用 銅合金材料の動向」、古河電工時報、昭 和55年７月、第103−113頁 二塚錬成、「銅系リードフレーム材の 開発動向と二，三の問題」、金属、株式 会社アグネ、平成元年７月、第59巻第７ 号、第77−85頁 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C22C 9/00 - 9/10 H01L 23/48 - 23/50
Claims (3)
- 【請求項１】 Ａｇめっきが施される半導体リードフレ
ーム用銅合金において、不純物元素のＭｇ及びＣａの含
有量をＭｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐ
ｍ以下に規制したことを特徴とする半導体リードフレー
ム用銅合金。 - 【請求項２】 Ａｇめっきが施される半導体リードフレ
ーム用銅合金において、Ｆｅ：１．０乃至３．０重量
％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５重量％及びＺｎ：０．
０５乃至０．２０重量％を含有し、残部が銅及び不可避
的不純物であり、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量を
Ｍｇ：１０重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下
に規制したことを特徴とする半導体リードフレーム用銅
合金。 - 【請求項３】 Ａｇめっきが施される半導体リードフレ
ーム用銅合金において、Ｆｅ：１．０乃至３．０重量
％、Ｐ：０．０１５乃至０．１５重量％、Ｚｎ：０．０
５乃至０．２０重量％及びＡｌ：０．００１０乃至０．
０２０重量％を含有し、残部が銅及び不可避的不純物で
あり、不純物元素のＭｇ及びＣａの含有量をＭｇ：１０
重量ｐｐｍ以下、Ｃａ：１０重量ｐｐｍ以下に規制した
ことを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24334093A JP2883524B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体リードフレーム用銅合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24334093A JP2883524B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体リードフレーム用銅合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0797646A JPH0797646A (ja) | 1995-04-11 |
| JP2883524B2 true JP2883524B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=17102374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24334093A Expired - Lifetime JP2883524B2 (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 半導体リードフレーム用銅合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2883524B2 (ja) |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24334093A patent/JP2883524B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 二塚錬成、「銅系リードフレーム材の開発動向と二，三の問題」、金属、株式会社アグネ、平成元年７月、第５９巻第７号、第７７−８５頁 |
| 黒柳卓、「最近の半導体パッケージ用銅合金材料の動向」、古河電工時報、昭和５５年７月、第１０３−１１３頁 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0797646A (ja) | 1995-04-11 |
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