JPS63205713A - 温度検出用ヒステリシス回路 - Google Patents
温度検出用ヒステリシス回路Info
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- JPS63205713A JPS63205713A JP3894687A JP3894687A JPS63205713A JP S63205713 A JPS63205713 A JP S63205713A JP 3894687 A JP3894687 A JP 3894687A JP 3894687 A JP3894687 A JP 3894687A JP S63205713 A JPS63205713 A JP S63205713A
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 206010065929 Cardiovascular insufficiency Diseases 0.000 description 1
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- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Control Of Temperature (AREA)
- Feedback Control In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は、一旦検出した設定温度が復帰したことを検出
する場合、設定温度より低い復帰温度で行なう温度検出
用ヒステリシス回路において、温度の検出値と設定値と
を比較する比較手段と、スイッチ素子を備えた切替手段
とを設け、設定温度及び復帰温度で出力の高／低を切替
えることにより、切替精度を高めた温度検出用ヒステリ
シス回路を提供する技術を開示するものである。
する場合、設定温度より低い復帰温度で行なう温度検出
用ヒステリシス回路において、温度の検出値と設定値と
を比較する比較手段と、スイッチ素子を備えた切替手段
とを設け、設定温度及び復帰温度で出力の高／低を切替
えることにより、切替精度を高めた温度検出用ヒステリ
シス回路を提供する技術を開示するものである。
本発明は、温度検出用のヒステリシス回路に関し、特に
、設定温度及び復帰温度における出力の高／低の切替え
を正確に行う温度検出用ヒステリシス回路に関するもの
である。
、設定温度及び復帰温度における出力の高／低の切替え
を正確に行う温度検出用ヒステリシス回路に関するもの
である。
従来、ディスプレイ装置や磁気ディスク装置等で、温度
変化の途中点を検出したい場合、所望の温度点を設定し
、その設定温度で回路出力の高低を切り替えることによ
り所望の温度点を検出する方法があるが、それだけでは
設定温度付近で検出が不安定になる恐れがあるので、普
通、第３図に示すように、その設定温度ＴＳに対して若
干低い復帰温度ＴＲで高（Ｈｉ）／低（Ｌｏ）を元に戻
すヒステリシス回路が構成されている。
変化の途中点を検出したい場合、所望の温度点を設定し
、その設定温度で回路出力の高低を切り替えることによ
り所望の温度点を検出する方法があるが、それだけでは
設定温度付近で検出が不安定になる恐れがあるので、普
通、第３図に示すように、その設定温度ＴＳに対して若
干低い復帰温度ＴＲで高（Ｈｉ）／低（Ｌｏ）を元に戻
すヒステリシス回路が構成されている。
第４図は、従来のヒステリシス回路の一例を示す回路図
である。第４図において、ヒステリシス回路は、入力電
圧■ＣＣを、一方ではサーミスタ１及び抵抗Ｒ１で分圧
して温度変動電圧Ｖｔを得、他方では２つの設定抵抗Ｒ
２及びＲ３で分圧して設定圧Ｖｒを得、それらをオペア
ンプ２又はコンパレータなどで比較することにより所望
の温度点を検出するもので、ここで、オペアンプ２の出
力側から前記抵抗設定電圧Ｖｒ側へフィードバックを行
い、その帰還回路上に抵抗ＲＯを介設することにより復
帰時のヒステリシス特性を形成している。
である。第４図において、ヒステリシス回路は、入力電
圧■ＣＣを、一方ではサーミスタ１及び抵抗Ｒ１で分圧
して温度変動電圧Ｖｔを得、他方では２つの設定抵抗Ｒ
２及びＲ３で分圧して設定圧Ｖｒを得、それらをオペア
ンプ２又はコンパレータなどで比較することにより所望
の温度点を検出するもので、ここで、オペアンプ２の出
力側から前記抵抗設定電圧Ｖｒ側へフィードバックを行
い、その帰還回路上に抵抗ＲＯを介設することにより復
帰時のヒステリシス特性を形成している。
〔発明が解決しようとする問題点〕 ・上記従来の回
路においては、出力の高（Ｈｉ）／低（ＬＯ）によって
、第５図（ａ）及び（ｂ）に示す如く、抵抗Ｒｏが抵抗
Ｒ２もしくはＲ３との並列回路となることにより、ヒス
テリシス特性が形成されるのであるが、実際はオペアン
プ２やコンパレータなどが素子のバラツキによって異な
る内部電圧降下があるために、抵抗Ｒｏの外方端の電位
が計算通りにならない。従って、設定温度ＴＳ及び復帰
温度ＴＲのポイントが計算できず、正確な切替え動作が
得られないという問題点があった。
路においては、出力の高（Ｈｉ）／低（ＬＯ）によって
、第５図（ａ）及び（ｂ）に示す如く、抵抗Ｒｏが抵抗
Ｒ２もしくはＲ３との並列回路となることにより、ヒス
テリシス特性が形成されるのであるが、実際はオペアン
プ２やコンパレータなどが素子のバラツキによって異な
る内部電圧降下があるために、抵抗Ｒｏの外方端の電位
が計算通りにならない。従って、設定温度ＴＳ及び復帰
温度ＴＲのポイントが計算できず、正確な切替え動作が
得られないという問題点があった。
そこで相当のマージンを取って温度検出しなければなら
ず、それによって冷却装置を働かせる場合には、電力の
無駄や、装置に適した温度制御ができないことなどを引
き起す虞れがあった。
ず、それによって冷却装置を働かせる場合には、電力の
無駄や、装置に適した温度制御ができないことなどを引
き起す虞れがあった。
本発明は、このような事情に鑑みて創案されたもので、
設定温度及び復帰温度時に、出力のＨｉ／Ｌｏを正確に
切替える、精度を高めた温度検出用ヒステリシス回路を
提供することを目的とする。
設定温度及び復帰温度時に、出力のＨｉ／Ｌｏを正確に
切替える、精度を高めた温度検出用ヒステリシス回路を
提供することを目的とする。
本発明において、上記の問題点を解決するための手段は
、第１図にその原理を示す如く、温度検出手段１と、温
度検出手段１により検出された温度変化に応じて変動す
る電圧Ｖｔを設定電圧Ｖｒで比較する比較手段２と、前
記比較手段２の比較出力により前記設定電圧Ｖｒをスイ
ッチ素子で切り替える切替手段３とを設けたことを特徴
とする温度検出用ヒステリシス回路とするものである。
、第１図にその原理を示す如く、温度検出手段１と、温
度検出手段１により検出された温度変化に応じて変動す
る電圧Ｖｔを設定電圧Ｖｒで比較する比較手段２と、前
記比較手段２の比較出力により前記設定電圧Ｖｒをスイ
ッチ素子で切り替える切替手段３とを設けたことを特徴
とする温度検出用ヒステリシス回路とするものである。
本発明は、設定値を作成する回路にトランジスタ又はリ
レー等のスイッチ素子を備えた切替手段を接続し、温度
変動電圧Ｖｔと設定電圧Ｖｒとの比較手段２の出力信号
によって設定電圧Ｖｒを切り替える。スイッチ素子は単
一素子であるから電圧降下環が計算できるので、設定温
度ＴＳ及び復帰温度ＴＲのポイントがずれは非常に小さ
い。そのために設定温度および復帰温度の検ｌ出力は正
確なものとなる。
レー等のスイッチ素子を備えた切替手段を接続し、温度
変動電圧Ｖｔと設定電圧Ｖｒとの比較手段２の出力信号
によって設定電圧Ｖｒを切り替える。スイッチ素子は単
一素子であるから電圧降下環が計算できるので、設定温
度ＴＳ及び復帰温度ＴＲのポイントがずれは非常に小さ
い。そのために設定温度および復帰温度の検ｌ出力は正
確なものとなる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明す
る。
る。
第１図は、本発明の１実施例をも示す構成図である。第
１図において、温度検出用ヒステリシス回路は、入力電
圧ＶＣＣを、一方では温度検出手段としてのサーミスタ
１及び抵抗Ｒ１で分圧して温度変動電圧Ｖｔを得、他方
では３つの設定抵抗Ｒ２、Ｒｏ及びＲ３で分圧して抵抗
Ｒ２及びＲｏの中間点で設定電圧Ｖｒを得、それらをオ
ペアンプやコンパレータ等の比較手段２で比較すること
により所望の設定温度ＴＳを検出し、かつ抵抗Ｒ。
１図において、温度検出用ヒステリシス回路は、入力電
圧ＶＣＣを、一方では温度検出手段としてのサーミスタ
１及び抵抗Ｒ１で分圧して温度変動電圧Ｖｔを得、他方
では３つの設定抵抗Ｒ２、Ｒｏ及びＲ３で分圧して抵抗
Ｒ２及びＲｏの中間点で設定電圧Ｖｒを得、それらをオ
ペアンプやコンパレータ等の比較手段２で比較すること
により所望の設定温度ＴＳを検出し、かつ抵抗Ｒ。
を変化させることにより復帰時のヒステリシス特性が形
成される。即ち、抵抗Ｒｏに対してはバイパス回路が設
けられ、そのバイパス回路上にトランジスタ又はリレー
等の切替手段３が介設されていて、第２図に示す如き部
分回路になり、切替手段３の開閉状態に従って設定電圧
Ｖｒが切替えられることによりヒステリシス特性が付与
されるのである。そして、その切替手段３の開閉信号と
して、前記比較手段２の出力信号が用いられ、Ｈｉ信号
が入力されると切替手段３は閉状態になり、Ｌｏ倍信号
入力されると開状態になるように設定されている。
成される。即ち、抵抗Ｒｏに対してはバイパス回路が設
けられ、そのバイパス回路上にトランジスタ又はリレー
等の切替手段３が介設されていて、第２図に示す如き部
分回路になり、切替手段３の開閉状態に従って設定電圧
Ｖｒが切替えられることによりヒステリシス特性が付与
されるのである。そして、その切替手段３の開閉信号と
して、前記比較手段２の出力信号が用いられ、Ｈｉ信号
が入力されると切替手段３は閉状態になり、Ｌｏ倍信号
入力されると開状態になるように設定されている。
以下、上記回路の動作を説明する。上記の回路において
、まず切替手段３が開状態で、検出対象の温度が上昇す
ると、サーミスタ１の抵抗が小になり、温度変動電圧Ｖ
ｔも上昇する。比較手段２でこの温度変動電圧Ｖｔを前
記設定電圧Ｖｒと比較し、温度変動電圧ＶｔＯ方が大に
なると、第３図に示した設定温度ＴＳを通過したことに
なり、比較手段２の出力はＨｉになる。この信号は前記
切替手段３を閉状態とし、抵抗Ｒｏがバイパスされるの
で、設定電圧Ｖｒは低下する。従って、次に検出対象の
温度が下降して来ても、第３図に示す設定温度ＴＳでは
、設定電圧Ｖｒよりも温度変動電圧ＶｔＯ方が大であり
、比較手段２の出力はＨｉのままで、第３図に示す復帰
温度ＴＲまで下降して、初めて設定電圧Ｖｒの方が大に
なり、比較手段２の出力はＬｏに切替わる。信号がＬｏ
になると、切替手段３は開状態になり、抵抗Ｒｏが復活
するので、設定電圧Ｖｒは元に戻る。
、まず切替手段３が開状態で、検出対象の温度が上昇す
ると、サーミスタ１の抵抗が小になり、温度変動電圧Ｖ
ｔも上昇する。比較手段２でこの温度変動電圧Ｖｔを前
記設定電圧Ｖｒと比較し、温度変動電圧ＶｔＯ方が大に
なると、第３図に示した設定温度ＴＳを通過したことに
なり、比較手段２の出力はＨｉになる。この信号は前記
切替手段３を閉状態とし、抵抗Ｒｏがバイパスされるの
で、設定電圧Ｖｒは低下する。従って、次に検出対象の
温度が下降して来ても、第３図に示す設定温度ＴＳでは
、設定電圧Ｖｒよりも温度変動電圧ＶｔＯ方が大であり
、比較手段２の出力はＨｉのままで、第３図に示す復帰
温度ＴＲまで下降して、初めて設定電圧Ｖｒの方が大に
なり、比較手段２の出力はＬｏに切替わる。信号がＬｏ
になると、切替手段３は開状態になり、抵抗Ｒｏが復活
するので、設定電圧Ｖｒは元に戻る。
このように、本実施例では、比較手段２の前段で切替手
段３により、抵抗Ｒｏをスルー又は接続状態にするので
、比較手段２の内部インピーダンスの影響を無くすこと
ができ、はぼ計算通りに設定電圧を設定温度と復帰温度
に対応する電圧に切り替えることができるため、設定温
度ＴＳ及び復帰温度ＴＲのポイントがずれない。
段３により、抵抗Ｒｏをスルー又は接続状態にするので
、比較手段２の内部インピーダンスの影響を無くすこと
ができ、はぼ計算通りに設定電圧を設定温度と復帰温度
に対応する電圧に切り替えることができるため、設定温
度ＴＳ及び復帰温度ＴＲのポイントがずれない。
以上述べてきたように、本発明によれば、設定温度及び
復帰温度時に出力の高／低を正確に切替え可能な温度検
出用ヒステリシス回路を提供することができ、装置の動
作温度を正確に制御できるなど、極めて有用である。
復帰温度時に出力の高／低を正確に切替え可能な温度検
出用ヒステリシス回路を提供することができ、装置の動
作温度を正確に制御できるなど、極めて有用である。
第１図は本発明の原理および１実施例を示す構成図、
第２図はその切替え状態の説明図、
第３図はヒステリシス特性の曲線図、
第４図は従来例の構成図、
第５図はその切替え状態の説明図である。
図中、
ｌ・・・温度検出手段、
２・・・比較手段、
３・・・切替手段、
Ｒｏ 、Ｒ２，Ｒ３−設定抵抗、
Ｖｔ・・・温度変動電圧、
Ｖｒ・・・設定電圧、
ＴＳ・・・設定温度、
ＴＲ・・・復帰温度、
である。
’ 、：、ｉｌ−。
不爬明Ｑ＃埋おＪひ゛−ス浣−１ｇ示す回路１第１図
ｔ７７ＷＬ状％０滅、明薗
第２図
ＴＲＴＳ
Ｂ帰温７！ 汲定温演
ヒステリシフｎ￥！？Ｊ圧図
第３図
イ之宋Ｏヒステリシス回路
第４図
（ａ） （ｂ）
収水のｔ、ｒｔ＠之状１１＠の貌明図
第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 温度検出手段（１）と、 温度検出手段（１）により検出された温度変化に応じて
変動する電圧（Ｖｔ）を設定電圧（Ｖｒ）で比較する比
較手段（２）と、 前記比較手段（２）の比較出力により前記設定電圧（Ｖ
ｒ）をスイッチ素子で切り替える切替手段（３）とを設
けたことを特徴とする温度検出用ヒステリシス回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3894687A JPS63205713A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 温度検出用ヒステリシス回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3894687A JPS63205713A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 温度検出用ヒステリシス回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63205713A true JPS63205713A (ja) | 1988-08-25 |
Family
ID=12539374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3894687A Pending JPS63205713A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 温度検出用ヒステリシス回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63205713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100404295B1 (ko) * | 2001-08-02 | 2003-11-03 | (주)실리콘세븐 | 히스테리시스 발생 수단을 포함하는 온도 감지 회로 |
| US7177218B2 (en) | 2004-06-15 | 2007-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | DRAM device with a refresh period that varies responsive to a temperature signal having a hysteresis characteristic |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3894687A patent/JPS63205713A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100404295B1 (ko) * | 2001-08-02 | 2003-11-03 | (주)실리콘세븐 | 히스테리시스 발생 수단을 포함하는 온도 감지 회로 |
| US7177218B2 (en) | 2004-06-15 | 2007-02-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | DRAM device with a refresh period that varies responsive to a temperature signal having a hysteresis characteristic |
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