JPS6018006B2 - 温度検知回路 - Google Patents
温度検知回路Info
- Publication number
- JPS6018006B2 JPS6018006B2 JP50050456A JP5045675A JPS6018006B2 JP S6018006 B2 JPS6018006 B2 JP S6018006B2 JP 50050456 A JP50050456 A JP 50050456A JP 5045675 A JP5045675 A JP 5045675A JP S6018006 B2 JPS6018006 B2 JP S6018006B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- temperature
- resistor
- voltage
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は温度検知回路、特に中が広いヒステリシス特性
を有する温度検知回路に関する。
を有する温度検知回路に関する。
温度変化に伴なつて抵抗値を増加又は減少するサーミス
タ等の感温素子を利用する温度検知回路は自動車の排気
ガス制御等各種制御に広く利用されている。
タ等の感温素子を利用する温度検知回路は自動車の排気
ガス制御等各種制御に広く利用されている。
この種の制御に用いられる温度検知回路は、リレー接点
のチャタリングを防ぐなどの目的で出力にヒステリシス
特性を持っているものが多い。第１図はヒステリシスを
有する検出回路の入出力特性を示し、この図に示すよう
に温度が上昇して設定温度Ｔ，になると検出回路の出力
はオフからオンに切換わり、温度が下降して設定温度Ｔ
，より低い設定温度Ｔ２以下になるとオンからオフに切
換わる。第２図はこのようなヒステリシスを有する自動
車排ガス制御用温度検知回路の一例を示し、この図でＱ
，〜Ｑ３はトランジスタ、ＴＨはサーミスタ、×はリレ
ー等の負荷、Ｒ，〜Ｒ７は抵抗、Ｅはバッテリ電源であ
る。
のチャタリングを防ぐなどの目的で出力にヒステリシス
特性を持っているものが多い。第１図はヒステリシスを
有する検出回路の入出力特性を示し、この図に示すよう
に温度が上昇して設定温度Ｔ，になると検出回路の出力
はオフからオンに切換わり、温度が下降して設定温度Ｔ
，より低い設定温度Ｔ２以下になるとオンからオフに切
換わる。第２図はこのようなヒステリシスを有する自動
車排ガス制御用温度検知回路の一例を示し、この図でＱ
，〜Ｑ３はトランジスタ、ＴＨはサーミスタ、×はリレ
ー等の負荷、Ｒ，〜Ｒ７は抵抗、Ｅはバッテリ電源であ
る。
この回路ではサーミスタＴＨと固定抵抗Ｒ，の接続点Ａ
がトランジスタＱ，のべ−スに接続され、サーミスタＴ
Ｈの抵抗値と抵抗Ｒ，の抵抗値で定まる分圧電圧がトラ
ンジスタＱ，に印加される。そして常温状態ではトラン
ジスタＱ，〜Ｑは何れもオフ、従って負荷Ｘもオフの状
態にある。次に周囲温度が上昇してサーミスタＴＨの抵
抗値が増大すると点Ａの電圧従ってトランジスタＱ，の
ベース樋圧が上昇する。そして温度がＴ，に達するとき
ベース蟹圧が、抵抗Ｒ２〜Ｒ４で定められる点Ｂの函圧
従ってェミツタ電圧を上廻り（このように設定する）「
トランジスタＱ，はオンになる。トランジスタＱ，のオ
ンによりＱ３一Ｒ５−Ｑ，一Ｒ２一Ｒ３の回路で電流が
流れ、トランジスタＱ３がオンとなる。これにより負荷
×はオフからオンに功換わる。一方トランジスタＱ３の
オンにより抵抗Ｒ６を通ってトランジスタＱ２のベース
に電流が流れ、トランジスタＱ２はオンとなる。
がトランジスタＱ，のべ−スに接続され、サーミスタＴ
Ｈの抵抗値と抵抗Ｒ，の抵抗値で定まる分圧電圧がトラ
ンジスタＱ，に印加される。そして常温状態ではトラン
ジスタＱ，〜Ｑは何れもオフ、従って負荷Ｘもオフの状
態にある。次に周囲温度が上昇してサーミスタＴＨの抵
抗値が増大すると点Ａの電圧従ってトランジスタＱ，の
ベース樋圧が上昇する。そして温度がＴ，に達するとき
ベース蟹圧が、抵抗Ｒ２〜Ｒ４で定められる点Ｂの函圧
従ってェミツタ電圧を上廻り（このように設定する）「
トランジスタＱ，はオンになる。トランジスタＱ，のオ
ンによりＱ３一Ｒ５−Ｑ，一Ｒ２一Ｒ３の回路で電流が
流れ、トランジスタＱ３がオンとなる。これにより負荷
×はオフからオンに功換わる。一方トランジスタＱ３の
オンにより抵抗Ｒ６を通ってトランジスタＱ２のベース
に電流が流れ、トランジスタＱ２はオンとなる。
これにより抵抗Ｒ３は短絡された形となり、今まで抵抗
Ｒ４と蚤抗Ｒ２９Ｒ３の抵抗比で与えられていたトラン
ジスタＱ，のヱミッタ電圧ＶＢが低下する。周囲温度が
下降し始め再び設定温度Ｔ，になってもふ トランジス
タＱ，は、ェミッタ電圧ＶＢが低下していて該温度Ｔ，
の時のベース電圧Ｖ＾を下廻っているため、依然として
オン状態にある。温度が更に低下して設定温度Ｔ２にな
ると、ベース蟹圧Ｖ＾はェミッ夕電圧ＶＢより低くなり
（このように抵抗Ｒ３等を定める）、ベース・ェミツタ
間は逆バイアスとなってトランジスタＱ，さまオフとな
る。これによりトランジスタＱ２りＱもオフとなり、負
荷Ｘもオフとなる。こうしてこの回路ではもトランジス
タＱ２によりトランジスタＱ，のェミツタ電圧Ｖ８を切
換えることにより、入出力特性に第亀図に示すようなヒ
ステリシスを持たせることができる。しかしこの回路で
は温度が汀，とＴ２のときのサーミスタの抵抗比が大き
い場合も即ちヒステリシスの中を広くとろうとする場合
に分圧抵抗Ｒ，の抵抗値を定めるのが難しい。第３図を
参照してこれを説明するに、本図は横軸にサーミスタの
抵抗値ＲＴ、縦軸にＡ点の電圧ＶＡを表わし、そしてＶ
ハＴはこの回路が検知可能なＡ点の電圧Ｖ＾の範囲を示
す。第２図の回路では分圧抵抗Ｒ，の抵抗値を大きくす
ると電圧Ｖ＾は曲線ａで示す特性を持ち、温度力汀，の
時のＡ点の電圧Ｖ＾，は検知可能電圧範囲Ｖ＾Ｔ内に含
まれるが、Ｔ２のときの亀圧Ｖ＾２は該範囲内に含まれ
ず、検知不可能となる。即ち温度がＬ′（Ｌ′〉Ｌ）に
なってサーミス夕の抵抗がＲＴ２′になると電圧Ｖ＾は
下限に達するので検知回路の出力はオフとなり、温度Ｔ
２でオフという所望動作を行なわない。これとは逆に抵
抗Ｒ，の抵抗値を小さくすると電圧Ｖ＾は曲線ｂで示す
飽和特性となり、温度がＴ２の時の電圧Ｖ＾３は範囲Ｖ
＾Ｔに含まれるが、温度Ｔ，の時の蝿圧Ｖ＾４は範囲Ｖ
＾Ｔ内に含まれず「設定温度Ｔ，より非常に低い温度Ｔ
，′ですでにサーミスタの抵抗はＲｒ，′となり、検出
回路はオン出力を生じてしまって所望の検出動作を行な
わない。このように温度Ｔ，，Ｔ２の差が大きい場合、
即ち抵抗値Ｒ… ＲＴ２の差が大きいと抵抗Ｒ，の抵抗
値の設定が難しく、温度Ｔ，，Ｌの両方を確実に検知さ
せる様にすることが難しい。
Ｒ４と蚤抗Ｒ２９Ｒ３の抵抗比で与えられていたトラン
ジスタＱ，のヱミッタ電圧ＶＢが低下する。周囲温度が
下降し始め再び設定温度Ｔ，になってもふ トランジス
タＱ，は、ェミッタ電圧ＶＢが低下していて該温度Ｔ，
の時のベース電圧Ｖ＾を下廻っているため、依然として
オン状態にある。温度が更に低下して設定温度Ｔ２にな
ると、ベース蟹圧Ｖ＾はェミッ夕電圧ＶＢより低くなり
（このように抵抗Ｒ３等を定める）、ベース・ェミツタ
間は逆バイアスとなってトランジスタＱ，さまオフとな
る。これによりトランジスタＱ２りＱもオフとなり、負
荷Ｘもオフとなる。こうしてこの回路ではもトランジス
タＱ２によりトランジスタＱ，のェミツタ電圧Ｖ８を切
換えることにより、入出力特性に第亀図に示すようなヒ
ステリシスを持たせることができる。しかしこの回路で
は温度が汀，とＴ２のときのサーミスタの抵抗比が大き
い場合も即ちヒステリシスの中を広くとろうとする場合
に分圧抵抗Ｒ，の抵抗値を定めるのが難しい。第３図を
参照してこれを説明するに、本図は横軸にサーミスタの
抵抗値ＲＴ、縦軸にＡ点の電圧ＶＡを表わし、そしてＶ
ハＴはこの回路が検知可能なＡ点の電圧Ｖ＾の範囲を示
す。第２図の回路では分圧抵抗Ｒ，の抵抗値を大きくす
ると電圧Ｖ＾は曲線ａで示す特性を持ち、温度力汀，の
時のＡ点の電圧Ｖ＾，は検知可能電圧範囲Ｖ＾Ｔ内に含
まれるが、Ｔ２のときの亀圧Ｖ＾２は該範囲内に含まれ
ず、検知不可能となる。即ち温度がＬ′（Ｌ′〉Ｌ）に
なってサーミス夕の抵抗がＲＴ２′になると電圧Ｖ＾は
下限に達するので検知回路の出力はオフとなり、温度Ｔ
２でオフという所望動作を行なわない。これとは逆に抵
抗Ｒ，の抵抗値を小さくすると電圧Ｖ＾は曲線ｂで示す
飽和特性となり、温度がＴ２の時の電圧Ｖ＾３は範囲Ｖ
＾Ｔに含まれるが、温度Ｔ，の時の蝿圧Ｖ＾４は範囲Ｖ
＾Ｔ内に含まれず「設定温度Ｔ，より非常に低い温度Ｔ
，′ですでにサーミスタの抵抗はＲｒ，′となり、検出
回路はオン出力を生じてしまって所望の検出動作を行な
わない。このように温度Ｔ，，Ｔ２の差が大きい場合、
即ち抵抗値Ｒ… ＲＴ２の差が大きいと抵抗Ｒ，の抵抗
値の設定が難しく、温度Ｔ，，Ｌの両方を確実に検知さ
せる様にすることが難しい。
これを敬善する方法には、直列又は並列抵抗を使用する
方法がある。第亀図はサーミスタＴＨと直列に補正抵抗
を接続した場合の特性を示し、このようにすると曲線ｃ
は全体が持ち上げられ、かつ顔斜した特性となり「温度
Ｔ，，Ｔ２の検知が可能となるが〜反面傾斜が緩やかに
なるので検知精度が低下する。このように第２図の温度
検知回路はヒステリシスの中が広い場合に弱点を有する
が、これはサ−ミスタの抵抗値Ｒ７を電圧Ｖ＾変換する
ための分圧抵抗舷，の値が固定値であることに起因する
。本発明はこの点に着目しト回路が設定温度を検知して
負荷をオンあるいはオフさせる時〜同時に分圧抵抗の抵
抗値を切換えもサーミス外こ流れる電流を可変にするよ
うに構成した。これによりヒステリシスを有する設定温
度間の温度中が広くても確実に検知することができる温
度検知回賂とすることができる。本発明の温度検知回路
はも温度の上昇に伴なし、抵抗値が上昇する感温素子と
第１の抵抗との直列回路と、該直列回燐の接続点電位で
制御される第１のトランジスタと、該第１のトランジス
タのェミッ外こ基準電位を与える直列抵抗と、該第１の
トランジスタのコレクタ鰭位で制御される逆タイプの第
２のトランジスタと、該第２のトランジスタのコレク夕
から該第１のトランジスタのベースにかけて接続された
ダイオードおよび第２の抵抗からなる直列回路とを備え
「前記第１のトランジスタが前記感温素子の抵抗値変化
に応答してその導適状機を変化されるとき〜前記第２の
トランジスタの導通によって前記感温素子へ供給する電
流を変化させるようにしたことを特徴とするが「以下図
面の実施例を参照しながら本発明を詳細に説明する。
方法がある。第亀図はサーミスタＴＨと直列に補正抵抗
を接続した場合の特性を示し、このようにすると曲線ｃ
は全体が持ち上げられ、かつ顔斜した特性となり「温度
Ｔ，，Ｔ２の検知が可能となるが〜反面傾斜が緩やかに
なるので検知精度が低下する。このように第２図の温度
検知回路はヒステリシスの中が広い場合に弱点を有する
が、これはサ−ミスタの抵抗値Ｒ７を電圧Ｖ＾変換する
ための分圧抵抗舷，の値が固定値であることに起因する
。本発明はこの点に着目しト回路が設定温度を検知して
負荷をオンあるいはオフさせる時〜同時に分圧抵抗の抵
抗値を切換えもサーミス外こ流れる電流を可変にするよ
うに構成した。これによりヒステリシスを有する設定温
度間の温度中が広くても確実に検知することができる温
度検知回賂とすることができる。本発明の温度検知回路
はも温度の上昇に伴なし、抵抗値が上昇する感温素子と
第１の抵抗との直列回路と、該直列回燐の接続点電位で
制御される第１のトランジスタと、該第１のトランジス
タのェミッ外こ基準電位を与える直列抵抗と、該第１の
トランジスタのコレクタ鰭位で制御される逆タイプの第
２のトランジスタと、該第２のトランジスタのコレク夕
から該第１のトランジスタのベースにかけて接続された
ダイオードおよび第２の抵抗からなる直列回路とを備え
「前記第１のトランジスタが前記感温素子の抵抗値変化
に応答してその導適状機を変化されるとき〜前記第２の
トランジスタの導通によって前記感温素子へ供給する電
流を変化させるようにしたことを特徴とするが「以下図
面の実施例を参照しながら本発明を詳細に説明する。
第５図は本発明に係る温度検知回路を示し、Ｑ，．は検
出用のトランジスタ、Ｑ，２は負荷制御用のトランジス
タで、トランジスタＱ，．のベースは抵抗Ｒ，．と正特
性サーミスタＴＨの直列接続点Ａに、コレクタは抵抗Ｒ
，３を介してバッテリ電源Ｅの正極側に、ェミッタは抵
抗Ｒ，４を介してアースに、又抵抗Ｒ，５を介して電源
Ｅの正極側に接続される。
出用のトランジスタ、Ｑ，２は負荷制御用のトランジス
タで、トランジスタＱ，．のベースは抵抗Ｒ，．と正特
性サーミスタＴＨの直列接続点Ａに、コレクタは抵抗Ｒ
，３を介してバッテリ電源Ｅの正極側に、ェミッタは抵
抗Ｒ，４を介してアースに、又抵抗Ｒ，５を介して電源
Ｅの正極側に接続される。
トランジスタＱ，２のベースは抵抗Ｒ，３とトランジス
タＱ，．のコレクタとの直列接続点に、コレク外ま負荷
Ｘを介してアースに、またダイオード○，、抵抗Ｒ２を
介して点Ａにそれぞれ接続される。次に第６図を参照し
ながらこの回路の動作を説明するに、通常状態ではサー
ミスタＴＨの抵抗値ＲＴは小さく、このサーミスタＴＨ
の抵抗値Ｒ．及び抵抗Ｒ，．の抵抗比によって与えられ
るＡ点の電圧Ｖ＾は、抵抗Ｒ．４とＲ，５の抵抗比で与
えられるＢ点の電圧ＶＢより低く、トランジスタＱ，．
のベース・ェミッタ間は逆バイアスの状態にある。
タＱ，．のコレクタとの直列接続点に、コレク外ま負荷
Ｘを介してアースに、またダイオード○，、抵抗Ｒ２を
介して点Ａにそれぞれ接続される。次に第６図を参照し
ながらこの回路の動作を説明するに、通常状態ではサー
ミスタＴＨの抵抗値ＲＴは小さく、このサーミスタＴＨ
の抵抗値Ｒ．及び抵抗Ｒ，．の抵抗比によって与えられ
るＡ点の電圧Ｖ＾は、抵抗Ｒ．４とＲ，５の抵抗比で与
えられるＢ点の電圧ＶＢより低く、トランジスタＱ，．
のベース・ェミッタ間は逆バイアスの状態にある。
このためトランジスタＱ，．はオフ、従ってトランジス
タＱ２及び負荷Ｘもオフ状態にある。周囲温度が上昇し
てサーミスタＴＨの抵抗値Ｒ，が増大すると、Ａ′点の
電圧Ｖ＾は曲線ａで示すように次第に大きくなる。
タＱ２及び負荷Ｘもオフ状態にある。周囲温度が上昇し
てサーミスタＴＨの抵抗値Ｒ，が増大すると、Ａ′点の
電圧Ｖ＾は曲線ａで示すように次第に大きくなる。
温度がＴ．に達してサ−ミスタＴＨの抵抗値がＲＴ，と
なると、Ａ点の電圧Ｖ＾はＢ点の電圧Ｖ８をＶＰ（トラ
ンジスタＱ，．のベース。ェミッタ間電圧）だけ上廻っ
てバイアスの状態となり、トランジスタＱ，．はオンと
なる。このためトランジスタＱ，２もオンとなり、負荷
×はオンとなる。一方トランジスタＱ，２のオンにより
Ｑ，２−Ｄ，一Ｒ財の回路でサーミスタＴＨに新たな電
流が流れ、これはトランジスタＱ，２とダイオードＤ，
の電圧降下を無視すると、実質的に抵抗Ｒ，２が抵抗友
，．に並列接続されたこととなり、Ａ点の電圧Ｖ＾は急
激に上昇し、電圧Ｖ＾の特性は曲線ａから飽和曲線ｂに
移る。周囲温度が下降し始めると「Ａ点の鰭技Ｖ＾は曲
線ｂの経略に沿って次第に４・さくなり、やがて温度が
び２となるとサーミスタＴＨの抵抗値はＲ，２となり、
このときＶ＾＜ＶＢ十Ｖ戊の逆バイアス状態となり「ト
ランジスタＱ，．はオフに切換わる。
なると、Ａ点の電圧Ｖ＾はＢ点の電圧Ｖ８をＶＰ（トラ
ンジスタＱ，．のベース。ェミッタ間電圧）だけ上廻っ
てバイアスの状態となり、トランジスタＱ，．はオンと
なる。このためトランジスタＱ，２もオンとなり、負荷
×はオンとなる。一方トランジスタＱ，２のオンにより
Ｑ，２−Ｄ，一Ｒ財の回路でサーミスタＴＨに新たな電
流が流れ、これはトランジスタＱ，２とダイオードＤ，
の電圧降下を無視すると、実質的に抵抗Ｒ，２が抵抗友
，．に並列接続されたこととなり、Ａ点の電圧Ｖ＾は急
激に上昇し、電圧Ｖ＾の特性は曲線ａから飽和曲線ｂに
移る。周囲温度が下降し始めると「Ａ点の鰭技Ｖ＾は曲
線ｂの経略に沿って次第に４・さくなり、やがて温度が
び２となるとサーミスタＴＨの抵抗値はＲ，２となり、
このときＶ＾＜ＶＢ十Ｖ戊の逆バイアス状態となり「ト
ランジスタＱ，．はオフに切換わる。
これによりトランジスタＱ，２はベースバイアスが零と
なってオフとなり、負荷×もオフとなる。こうして本回
路で負荷×は、温度が上昇しつ）ある場合は設定温度Ｔ
，でオフからオンに切換わり、温度が戻って下降しつ）
ある場合は設定温度Ｔ，よりも相当に低いＴ２の温度で
オンからオフに切換わるヒステリシス動作を行なう。こ
の回路では、設定温度Ｔ，でトランジスタＱ，２がオン
したときに、抵抗Ｒ，２が抵抗Ｒ，．に並列に接続され
て合成抵抗値はほゞＲ，，〆Ｒ，２に低減し、サーミス
タＴＨに流れる電流が増加する。
なってオフとなり、負荷×もオフとなる。こうして本回
路で負荷×は、温度が上昇しつ）ある場合は設定温度Ｔ
，でオフからオンに切換わり、温度が戻って下降しつ）
ある場合は設定温度Ｔ，よりも相当に低いＴ２の温度で
オンからオフに切換わるヒステリシス動作を行なう。こ
の回路では、設定温度Ｔ，でトランジスタＱ，２がオン
したときに、抵抗Ｒ，２が抵抗Ｒ，．に並列に接続され
て合成抵抗値はほゞＲ，，〆Ｒ，２に低減し、サーミス
タＴＨに流れる電流が増加する。
これにより検出すべき電圧Ｖ＾は高くなりサーミスタＴ
Ｈの抵抗が相当に４・さくなって電圧Ｖ＾がェミッタ電
圧Ｖ８以下になるとき初めて回路出力がオフになる。こ
うしてサーミスタへの供給電流増大を調整して任意所望
の中広いヒステリシス特性が得られ、しかもオンオフ切
襖点はいずれも取高電圧付近にすることができるので測
定精度が上りかつ電源蚤圧変動などに対するマージンが
大きい。更に、この回路では鰭圧Ｖ＾の特性曲線の煩斜
が、温度Ｔ，，Ｔ２のいずれにおいても大であるので、
検知回路の作動点のばらつきが少ない。以上詳細に説明
したように本発明によれば、設定温度Ｔ，，Ｔ２の中を
広くしてしかも確実に検知動作を行なうことができる温
度検知回路を提供することができ、しかも従来のこの種
回路より回路構成部品数を少なくできる等の利点を有す
る。なお、本発明は実施例に限定されることなく、特許
請求の範囲内で種々変化することができ、例えば正特性
サーミスタの代りに、抵抗値が変化する他の任意のセン
サを用いてもよく「又温度センサ以外に圧力センサ等に
も適用可能である。この回路の温度補償をするには例え
ば接続点ＡとサーミスタＴＨとの間に順方向にダイオー
ドを接続するとよい。
Ｈの抵抗が相当に４・さくなって電圧Ｖ＾がェミッタ電
圧Ｖ８以下になるとき初めて回路出力がオフになる。こ
うしてサーミスタへの供給電流増大を調整して任意所望
の中広いヒステリシス特性が得られ、しかもオンオフ切
襖点はいずれも取高電圧付近にすることができるので測
定精度が上りかつ電源蚤圧変動などに対するマージンが
大きい。更に、この回路では鰭圧Ｖ＾の特性曲線の煩斜
が、温度Ｔ，，Ｔ２のいずれにおいても大であるので、
検知回路の作動点のばらつきが少ない。以上詳細に説明
したように本発明によれば、設定温度Ｔ，，Ｔ２の中を
広くしてしかも確実に検知動作を行なうことができる温
度検知回路を提供することができ、しかも従来のこの種
回路より回路構成部品数を少なくできる等の利点を有す
る。なお、本発明は実施例に限定されることなく、特許
請求の範囲内で種々変化することができ、例えば正特性
サーミスタの代りに、抵抗値が変化する他の任意のセン
サを用いてもよく「又温度センサ以外に圧力センサ等に
も適用可能である。この回路の温度補償をするには例え
ば接続点ＡとサーミスタＴＨとの間に順方向にダイオー
ドを接続するとよい。
第１図はヒステリシス特性を説明する図、第２図は従釆
のヒステリシスを有する温度検知回路の構成を示す回路
図、第３図、第４図はその説明用のグラフ、第５図は本
発明に係る温度検知回路の構成を示す回路図、第６図は
その動作説明のグラフである。 図においてＱ，．は第１のトランジスタ、Ｑ財は第２の
トランジスタ、ＴＨは感温素子、Ｒ，，Ｒ，．は分圧抵
抗、Ｒ，２は抵抗である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
のヒステリシスを有する温度検知回路の構成を示す回路
図、第３図、第４図はその説明用のグラフ、第５図は本
発明に係る温度検知回路の構成を示す回路図、第６図は
その動作説明のグラフである。 図においてＱ，．は第１のトランジスタ、Ｑ財は第２の
トランジスタ、ＴＨは感温素子、Ｒ，，Ｒ，．は分圧抵
抗、Ｒ，２は抵抗である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図
Claims (1)
- １ 温度の上昇に伴ない抵抗値が上昇する感温素子と第
１の抵抗との直列回路と、該直列回路の接続点電位で制
御される第１のトランジスタと、該第１のトランジスタ
のエミツタに基準電位を与える直列抵抗と、該第１のト
ランジスタのコレクタ電位で制御される逆タイプの第２
のトランジスタと、該第２のトランジスタのコレクタか
ら該第１のトランジスタのベースにかけて接続されたダ
イオードおよび第２の抵抗からなる直列回路とを備え、
前記第１のトランジスタが前記感温素子の抵抗値変化に
応答してその導通状態を変化されるとき、前記第２のト
ランジスタの導通によつて前記感温素子へ供給する電流
を変化させるようにしたことを特徴とする温度検知回路
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50050456A JPS6018006B2 (ja) | 1975-04-25 | 1975-04-25 | 温度検知回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50050456A JPS6018006B2 (ja) | 1975-04-25 | 1975-04-25 | 温度検知回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51126187A JPS51126187A (en) | 1976-11-04 |
| JPS6018006B2 true JPS6018006B2 (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=12859359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50050456A Expired JPS6018006B2 (ja) | 1975-04-25 | 1975-04-25 | 温度検知回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6018006B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5051615A (en) * | 1989-07-20 | 1991-09-24 | Teledyne Industries | Monolithic resistor comparator circuit |
| EP0481105A1 (de) * | 1990-10-15 | 1992-04-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Schaltungsanordnung zum Erfassen der Übertemperatur eines elektronischen Bauelements |
| JP6205996B2 (ja) * | 2013-08-29 | 2017-10-04 | 株式会社デンソー | 温度検出回路 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4928476U (ja) * | 1972-06-15 | 1974-03-11 |
-
1975
- 1975-04-25 JP JP50050456A patent/JPS6018006B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS51126187A (en) | 1976-11-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0629116Y2 (ja) | ランプの断線検出装置 | |
| WO2003076886A1 (fr) | Appareil electronique avec dispositif semi-conducteur et sonde thermometrique | |
| US4021722A (en) | Temperature-sensitive current divider | |
| JP2996754B2 (ja) | 補償式熱感知器 | |
| JPS6223494B2 (ja) | ||
| JPH0422206B2 (ja) | ||
| JPS6018006B2 (ja) | 温度検知回路 | |
| JPH0216453B2 (ja) | ||
| JPH0310132A (ja) | 車両の運転状態検出装置 | |
| US3860875A (en) | Thermocouple-controlled operational amplifier circuit | |
| JP2546051Y2 (ja) | 安定化電源回路 | |
| JPS596478B2 (ja) | 電圧変換回路 | |
| JP2714151B2 (ja) | 電流制限回路 | |
| JPH07325637A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JP2509090Y2 (ja) | 熱感知器 | |
| SU1356218A1 (ru) | Усилитель-ограничитель | |
| JPS5834497Y2 (ja) | 過電流保護付定電圧回路 | |
| JPH0548852B2 (ja) | ||
| JP2807700B2 (ja) | 電流制限回路を有する出力回路 | |
| JPH10282158A (ja) | 電流検出回路 | |
| JPH0624753Y2 (ja) | 圧力検出回路 | |
| JPH0720573U (ja) | 電圧監視回路 | |
| JPS62119322A (ja) | 燃焼器の制御方法 | |
| JPH07336200A (ja) | 比較回路 | |
| JPH02104019A (ja) | 検出回路 |