JPS6096921A - 電子スイツチの過電流検出回路 - Google Patents
電子スイツチの過電流検出回路Info
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- JPS6096921A JPS6096921A JP58205668A JP20566883A JPS6096921A JP S6096921 A JPS6096921 A JP S6096921A JP 58205668 A JP58205668 A JP 58205668A JP 20566883 A JP20566883 A JP 20566883A JP S6096921 A JPS6096921 A JP S6096921A
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- JP
- Japan
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- transistor
- terminal
- overcurrent detection
- circuit
- resistor
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0826—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches
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- Electronic Switches (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は電子スイッチたとえば近接スイッチの過電流
検出回路に関するものである。
検出回路に関するものである。
従来この種の過電流検出回路は第１図および第２図に示
すように出力トランジスタＴｒｌのエミッタにエミッタ
抵抗几、を挿入し、この両端の電圧Ｖ「、を過電流検出
用のトランジスタＴｒｙによって検出し、これにより過
電流を検出するのがもつとも簡単な方法であり、かつひ
じように多くの用達に使用されている。この方・法は簡
単に実現しうる反面ＯＮ時の出力端子残り電圧がひじよ
うに大きくなってしまう欠点を有していた。すなわちト
ランジスタＴｒｌのＯＮＭ残り電圧Ｗｏｎは出力電流値
とトランジスタＴｒｌの出力電流容量によるが、今仮に
ＶｏｎをＶｏｎ ＝ ０．２ （Ｖ ）、出力電流Ｉｔ
＝１５０１：ｍＡ）とし、これに過電流検出回路を含め
２００（ｍＡ）以上の電流が流れたとき、これを過電流
とする。そしてトランジスタＴｒ２のベース−エミッタ
間電圧Ｖｂｅが０．７（Ｖ）以上を検出されるとエミッ
タ抵抗島の値は ０．７（Ｖ）− Ｒ，＝−一〇］■−３５〔Ω〕 となる。また出力電流１１＝１５０ ＣｍＡ ）の時の
エミッタ抵抗Ｒ，の両端の電圧Ｖｒ１はＶｒｓ ＝３５
ｘｏ、１５ ’ｑ Ｏ，５２５（Ｖ ）となり、した
がってトランジスタＴｒＱ 、！：エミッタ抵抗Ｒ１の
直列回路の電圧Ｖｘは Ｖｘ：Ｖｏｎ ＋ Ｖｒ、 ：０，２ ＋ ０．５２５
＝ ０．７２５ （Ｖ）となる。このように過電流検
出回路が挿入されたことにより、電子スイッチとしての
ＯＮ時出力残り電圧は３倍以上となり、計算式から明ら
かなように出力トランジスタＴｒｌの出力電力容量を大
きくして、そのＯＮ時出力残し電圧Ｖａｎをいくら小さ
くしても過電流検出回路を含めたＯＮ時出力残り電圧は
ほとんど低下しないという欠点があったまた従来の過電
流検出回路においてはトランジスタＴｒＩのベース−エ
ミッタ間電圧が過電流検出電圧であったために大きな負
の温度係数を有していた。
すように出力トランジスタＴｒｌのエミッタにエミッタ
抵抗几、を挿入し、この両端の電圧Ｖ「、を過電流検出
用のトランジスタＴｒｙによって検出し、これにより過
電流を検出するのがもつとも簡単な方法であり、かつひ
じように多くの用達に使用されている。この方・法は簡
単に実現しうる反面ＯＮ時の出力端子残り電圧がひじよ
うに大きくなってしまう欠点を有していた。すなわちト
ランジスタＴｒｌのＯＮＭ残り電圧Ｗｏｎは出力電流値
とトランジスタＴｒｌの出力電流容量によるが、今仮に
ＶｏｎをＶｏｎ ＝ ０．２ （Ｖ ）、出力電流Ｉｔ
＝１５０１：ｍＡ）とし、これに過電流検出回路を含め
２００（ｍＡ）以上の電流が流れたとき、これを過電流
とする。そしてトランジスタＴｒ２のベース−エミッタ
間電圧Ｖｂｅが０．７（Ｖ）以上を検出されるとエミッ
タ抵抗島の値は ０．７（Ｖ）− Ｒ，＝−一〇］■−３５〔Ω〕 となる。また出力電流１１＝１５０ ＣｍＡ ）の時の
エミッタ抵抗Ｒ，の両端の電圧Ｖｒ１はＶｒｓ ＝３５
ｘｏ、１５ ’ｑ Ｏ，５２５（Ｖ ）となり、した
がってトランジスタＴｒＱ 、！：エミッタ抵抗Ｒ１の
直列回路の電圧Ｖｘは Ｖｘ：Ｖｏｎ ＋ Ｖｒ、 ：０，２ ＋ ０．５２５
＝ ０．７２５ （Ｖ）となる。このように過電流検
出回路が挿入されたことにより、電子スイッチとしての
ＯＮ時出力残り電圧は３倍以上となり、計算式から明ら
かなように出力トランジスタＴｒｌの出力電力容量を大
きくして、そのＯＮ時出力残し電圧Ｖａｎをいくら小さ
くしても過電流検出回路を含めたＯＮ時出力残り電圧は
ほとんど低下しないという欠点があったまた従来の過電
流検出回路においてはトランジスタＴｒＩのベース−エ
ミッタ間電圧が過電流検出電圧であったために大きな負
の温度係数を有していた。
この発明はこのような従来の欠点を解消しようとするも
ので、この発明の第１の目的はトランジスタのベース−
エミッタ間電圧により過電流を検出するものく比し、検
出電圧を小さくし、これによって電子スイッチの過電流
検出用抵抗を小さくし、いきおい電子スイッチとしての
０８時残り電圧を小さくしようとするものである。
ので、この発明の第１の目的はトランジスタのベース−
エミッタ間電圧により過電流を検出するものく比し、検
出電圧を小さくし、これによって電子スイッチの過電流
検出用抵抗を小さくし、いきおい電子スイッチとしての
０８時残り電圧を小さくしようとするものである。
またこの発明の第２の目的は同一の過電流検出回路によ
りカレントシンクおよびカレントソース両出力形式の過
電流を検出しうるようにするものである。
りカレントシンクおよびカレントソース両出力形式の過
電流を検出しうるようにするものである。
以下図によってこの発明の一実施例について説明する。
第３図はこの発明における過電流検出回路を近接スイッ
チに適用したばあいの回路図で、この近接スイッチｌＯ
は近接センサ用ＩＣ回路ｌと、このＩＣ回路の出方電流
容量を補うための電流スイッチング素子２６たとえば出
方トランジスタとで構成される。そしてそのＩＯ回路１
は内部に発振口Ｍ２、コンパレータ３、積分回路４．コ
ンパレータ５、出力回路６、定電源回路７、電源リセッ
ト回路８、出力コン）ｏ−ラ１４および過電流検出回路
１６を有しており、出方回路６、電源リセット回路８お
よび出力コントローラ１４により電子スイッチコントロ
ーラ１７が構成される。また検出コイルし１、共振コン
デンサＣ１、感度調整用可変抵抗ＲｔＲ，側路コンデン
サＣ１３、積分コンデンサＣ２４、電源リセット用コン
デンサＣｔａおよび負荷９などが外付けされる。
チに適用したばあいの回路図で、この近接スイッチｌＯ
は近接センサ用ＩＣ回路ｌと、このＩＣ回路の出方電流
容量を補うための電流スイッチング素子２６たとえば出
方トランジスタとで構成される。そしてそのＩＯ回路１
は内部に発振口Ｍ２、コンパレータ３、積分回路４．コ
ンパレータ５、出力回路６、定電源回路７、電源リセッ
ト回路８、出力コン）ｏ−ラ１４および過電流検出回路
１６を有しており、出方回路６、電源リセット回路８お
よび出力コントローラ１４により電子スイッチコントロ
ーラ１７が構成される。また検出コイルし１、共振コン
デンサＣ１、感度調整用可変抵抗ＲｔＲ，側路コンデン
サＣ１３、積分コンデンサＣ２４、電源リセット用コン
デンサＣｔａおよび負荷９などが外付けされる。
したがって検出コイルＬ、に対して金属体が接近または
離間することにより発振回路２が発振を開始または停止
し、出力回路６より論理りまたはＨの出力が得られる。
離間することにより発振回路２が発振を開始または停止
し、出力回路６より論理りまたはＨの出力が得られる。
そして後述する過電流検出回路１６は電流スイッチング
素子２６と出力コントローラ１７との間に設けられてい
る。
素子２６と出力コントローラ１７との間に設けられてい
る。
第４図はこの発明の要部を示す回路図で、基本的に４個
のトランジスタすなわち第１のトランジスタ２２、第２
のトランジスタ２３、第３のトランジスタ２４および第
４のトランジスタ２５と、抵抗３２．３４と、電流源２
ｏと、トランジスタ２１とからなるブロックにより過電
流検出回路１６が構成される。ダイオード２７と抵抗３
５により過電圧保護回路１８が構成され、ノード４１に
大きな電圧が加わったばあいに過電流検出回路１６を保
護する。この過電圧保護回路はカレントシンク用のもの
であるが、ダイオード２８および抵抗３６で構成される
回路はカレントソース用の過電圧保護回路である。１９
は電源である。なお電流スイッチング素子２６は負荷９
に流れる電流を制御するものでたとえばトランジスタに
より構成される。各トランジスタ２４．２５と各抵抗３
２．３４との接続点には接続端子す、ｄが引出され、ト
ランジスタ２４と２５との接続点に信号出力端子Ｇが設
けられ、この出力端子はさらに電流スイッチング素子２
６を制御するコントローラ１７の入力端に接続され、こ
れによってフン）ｏ−ラ１７の出力状態を制御するよう
にされている。なお第４図において過電流検出回路１６
および過電圧保護回路１８がＩＣ化される。
のトランジスタすなわち第１のトランジスタ２２、第２
のトランジスタ２３、第３のトランジスタ２４および第
４のトランジスタ２５と、抵抗３２．３４と、電流源２
ｏと、トランジスタ２１とからなるブロックにより過電
流検出回路１６が構成される。ダイオード２７と抵抗３
５により過電圧保護回路１８が構成され、ノード４１に
大きな電圧が加わったばあいに過電流検出回路１６を保
護する。この過電圧保護回路はカレントシンク用のもの
であるが、ダイオード２８および抵抗３６で構成される
回路はカレントソース用の過電圧保護回路である。１９
は電源である。なお電流スイッチング素子２６は負荷９
に流れる電流を制御するものでたとえばトランジスタに
より構成される。各トランジスタ２４．２５と各抵抗３
２．３４との接続点には接続端子す、ｄが引出され、ト
ランジスタ２４と２５との接続点に信号出力端子Ｇが設
けられ、この出力端子はさらに電流スイッチング素子２
６を制御するコントローラ１７の入力端に接続され、こ
れによってフン）ｏ−ラ１７の出力状態を制御するよう
にされている。なお第４図において過電流検出回路１６
および過電圧保護回路１８がＩＣ化される。
今、第４図において電流源２０からの電流Ｉ。をｌ０＝
＝５［μＡ〕、抵抗３２．３４の抵抗値も、、 Ｒ８４
をＲ，５ｔ＝Ｒｓ＜＝ １０ （ＫΩ〕とするとノード
４１および４２の電圧Ｖ４１およびｖ４．が過電流検出
電圧となりその値は■４１ ”Ｖ４ｔ” Ｉｏ ｘＲ３
ｔ” Ｉ６ ｘＲ，＝＝ ５ Ｘ １０ ＝５０（ｍＶ
）となる。なぜならばノード４１．４２ともにオーブン
のばあい、トランジスタ２４と２５がバランスしており
、出力ノード４６は臨界状態にある。
＝５［μＡ〕、抵抗３２．３４の抵抗値も、、 Ｒ８４
をＲ，５ｔ＝Ｒｓ＜＝ １０ （ＫΩ〕とするとノード
４１および４２の電圧Ｖ４１およびｖ４．が過電流検出
電圧となりその値は■４１ ”Ｖ４ｔ” Ｉｏ ｘＲ３
ｔ” Ｉ６ ｘＲ，＝＝ ５ Ｘ １０ ＝５０（ｍＶ
）となる。なぜならばノード４１．４２ともにオーブン
のばあい、トランジスタ２４と２５がバランスしており
、出力ノード４６は臨界状態にある。
今、ノード４１が出力電流検出用抵抗ル、に接続された
ばあい、この抵抗の両端に発生する電圧が５０（ｍＶ）
より小さいと、抵抗３５を通じノード４１から抵抗ａ１
の方へ電流が流れ出し、このため抵抗３２に流れる電流
が減少し、トランジスタ２５のエミッタ電圧が下がり、
トランジスタ２４と２５のバランスがくずれ、ノード４
６の電位はＬとなる。このとき電子スイッチコントロー
ラ１７の出力はたとえばＨとなり、電流スイッチング素
子２６はオン状態にある。
ばあい、この抵抗の両端に発生する電圧が５０（ｍＶ）
より小さいと、抵抗３５を通じノード４１から抵抗ａ１
の方へ電流が流れ出し、このため抵抗３２に流れる電流
が減少し、トランジスタ２５のエミッタ電圧が下がり、
トランジスタ２４と２５のバランスがくずれ、ノード４
６の電位はＬとなる。このとき電子スイッチコントロー
ラ１７の出力はたとえばＨとなり、電流スイッチング素
子２６はオン状態にある。
また何らかの原因で電流スイッチング素子２６に流れる
電流が所定の値を越えると抵抗Ｒ１の両端に生じる電圧
が５０（ｍＶ）を越え、ノード４６の電圧はＨとなる。
電流が所定の値を越えると抵抗Ｒ１の両端に生じる電圧
が５０（ｍＶ）を越え、ノード４６の電圧はＨとなる。
このとき電子スイッチコントローラ１７の出力はたとえ
ばＬとなり、電流ライ４チング素子２６は実質的にオフ
状態となる。このため抵抗Ｒ，に流れる電流は減少し、
いきおいノード４１の電位が下り、ノード４６の電位も
下る。やがてノード４６の電位がしに反転すると電子ス
イッチコントローラ１７の出力はＨとなり、電流スイッ
チング素子２６はオンとなる。
ばＬとなり、電流ライ４チング素子２６は実質的にオフ
状態となる。このため抵抗Ｒ，に流れる電流は減少し、
いきおいノード４１の電位が下り、ノード４６の電位も
下る。やがてノード４６の電位がしに反転すると電子ス
イッチコントローラ１７の出力はＨとなり、電流スイッ
チング素子２６はオンとなる。
さらに抵抗Ｒ８の電圧が５０（ｍＶ）のときは抵抗３５
には電流が流れず、これがスレッシュホールド電圧とな
る。
には電流が流れず、これがスレッシュホールド電圧とな
る。
このように抵抗Ｒ，の両端に生じる電圧が５０〔ｍＶ）
を越えたとき、過電流検出回路１６がその点を検出する
。
を越えたとき、過電流検出回路１６がその点を検出する
。
以上の説明はカレントシンクの出力形式の例であるが、
カレントソースの出力形式のばあいにもノード４６は過
電流検出時にＨとなる。カレントソースの出力形式の例
を第５図に示す。この図においては外部接続用端子ｄが
使用される。
カレントソースの出力形式のばあいにもノード４６は過
電流検出時にＨとなる。カレントソースの出力形式の例
を第５図に示す。この図においては外部接続用端子ｄが
使用される。
また第６図に示すものは第５図と同様にカレントソース
の出力形式の回路であるが、第５図に示す回路と異なる
点は電流スイッチング素子２６をＰＮＰ形トランジスタ
により構成したことであるなお第７図はカレントミラー
回路の変形例を示すもので同図ｔａｌに対して同図＋ｂ
ｌおよびｔｃ）に示す変形例がよく知られている。
の出力形式の回路であるが、第５図に示す回路と異なる
点は電流スイッチング素子２６をＰＮＰ形トランジスタ
により構成したことであるなお第７図はカレントミラー
回路の変形例を示すもので同図ｔａｌに対して同図＋ｂ
ｌおよびｔｃ）に示す変形例がよく知られている。
第４図において検出電圧を５０（ｍＶ）とし、過電流を
２００〔ｍｋ〕とすると抵抗Ｒ３はｎ、、＝−’見二人
＝０．２５〔Ω〕 ０ｍＡ となり、したがって出力電流Ｉｔ：１５０ （ｍＡ）に
おける出力端子におけるＯＮ時残り電圧ＶｘはＶＸ ＝
Ｖｏｎ ＋ Ｖｒｌ ：０．２ ＋ ０，２５ Ｘ Ｏ
，１５＝ ０．２ ＋ ０．０３７５ ＝ ０．２３７
５ （Ｖ ）となり、従来のものに比し大きな改善が見
られるこの計算例から明らかなように従来例ではトラン
ジスタＴｒ１のＯＮ時残り電圧Ｗｏｎに比し抵抗Ｒ３の
両端電圧Ｖｒｌがかなり大きかったが、この発明によれ
ば抵抗島の両端電圧ｖｒｌの方が電流スイッチング素子
２６のＯＮ時残り電圧Ｖａｎに比しかなり小さくなり、
したがってＯＮ時残り電圧Ｖｏｎを小さくするように容
量の大きなトランジスタを使用すればさらに出力端子Ｏ
Ｎ時残り電圧Ｖｘを小さくすることも可能である。
２００〔ｍｋ〕とすると抵抗Ｒ３はｎ、、＝−’見二人
＝０．２５〔Ω〕 ０ｍＡ となり、したがって出力電流Ｉｔ：１５０ （ｍＡ）に
おける出力端子におけるＯＮ時残り電圧ＶｘはＶＸ ＝
Ｖｏｎ ＋ Ｖｒｌ ：０．２ ＋ ０，２５ Ｘ Ｏ
，１５＝ ０．２ ＋ ０．０３７５ ＝ ０．２３７
５ （Ｖ ）となり、従来のものに比し大きな改善が見
られるこの計算例から明らかなように従来例ではトラン
ジスタＴｒ１のＯＮ時残り電圧Ｗｏｎに比し抵抗Ｒ３の
両端電圧Ｖｒｌがかなり大きかったが、この発明によれ
ば抵抗島の両端電圧ｖｒｌの方が電流スイッチング素子
２６のＯＮ時残り電圧Ｖａｎに比しかなり小さくなり、
したがってＯＮ時残り電圧Ｖｏｎを小さくするように容
量の大きなトランジスタを使用すればさらに出力端子Ｏ
Ｎ時残り電圧Ｖｘを小さくすることも可能である。
第１図および第２図は従来の過電流検出回路を示す回路
図、第３図はこの発明における過電流検出回路を近接ス
イッチに適用したばあいのブロック図、第４図はこの発
明における過電流検出回路の一実施例を示す回路図、第
５図はこの発明の第２の実施例を示す回路図、第６図は
この発明の第３の実施例を示す回路図、第７図はカレン
トミラー回路の変形例を示す回路図である。 １・・・ＩＣ回路、２・・・発振回路、３・・・コンパ
レータ、４・・・積分回路、５・・・コンパレータ、６
・・・出力回路、７・・・定電圧回路、８・・・電源リ
セット回路、９・・・負荷、１０・・・スイッチ、１４
・・・出力コントローラ、し、・・・検出コイル、鳥、
・・・可変抵抗、Ｏｌ・・・共振コンデンサ、Ｃ！４・
・・積分コンデンサ、Ｏｎ・・・コンデンサ、１６・・
・過電流検出回路、１７・・・電子スイッチコントロー
ラ、１８・・・過電圧保護回路、１９・・・電源、２０
・・・電流源、２１〜２５・・・トランジスタ、２６・
・・電流スイッチング素子、２７・・・ダイオード、２
８・・・ダイオード、３２．３４，３５・・・抵抗、Ｂ
、・・・抵抗、４１．４２・・・ノード、４６・・・出
力ノード。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社 第４１図 第５０ 第６図 第７図 （＋３） 手−統補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭５８−２０５６６８号２、発明
の名称 電子スイッチの過電流検出回路 ３、補正をする者 ５、補正命令の日付 ７、補正の内容 図面の浄書（内容に変更なし）
図、第３図はこの発明における過電流検出回路を近接ス
イッチに適用したばあいのブロック図、第４図はこの発
明における過電流検出回路の一実施例を示す回路図、第
５図はこの発明の第２の実施例を示す回路図、第６図は
この発明の第３の実施例を示す回路図、第７図はカレン
トミラー回路の変形例を示す回路図である。 １・・・ＩＣ回路、２・・・発振回路、３・・・コンパ
レータ、４・・・積分回路、５・・・コンパレータ、６
・・・出力回路、７・・・定電圧回路、８・・・電源リ
セット回路、９・・・負荷、１０・・・スイッチ、１４
・・・出力コントローラ、し、・・・検出コイル、鳥、
・・・可変抵抗、Ｏｌ・・・共振コンデンサ、Ｃ！４・
・・積分コンデンサ、Ｏｎ・・・コンデンサ、１６・・
・過電流検出回路、１７・・・電子スイッチコントロー
ラ、１８・・・過電圧保護回路、１９・・・電源、２０
・・・電流源、２１〜２５・・・トランジスタ、２６・
・・電流スイッチング素子、２７・・・ダイオード、２
８・・・ダイオード、３２．３４，３５・・・抵抗、Ｂ
、・・・抵抗、４１．４２・・・ノード、４６・・・出
力ノード。 特許出願人 山武ハネウェル株式会社 第４１図 第５０ 第６図 第７図 （＋３） 手−統補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 特願昭５８−２０５６６８号２、発明
の名称 電子スイッチの過電流検出回路 ３、補正をする者 ５、補正命令の日付 ７、補正の内容 図面の浄書（内容に変更なし）
Claims (2)
- （１）電源に対して負荷と、この負荷に流れる電流を制
御する電流スイッチング素子と、過電流検出抵抗を順次
直列に接続し、また電源の一方の端子に対して第１のト
ランジスタのエミッタを抵抗を介して接続し、かつその
コレクタを電流源を介して電源の他方の端子に接続し、
また電源の一方の端子に対して第２のトランジスタのエ
ミッタを接続し、かつ電源の他方の端子に対して第３の
トランジスタのエミッタを接続し、さらに両トランジス
タのコレクタをたがいに接続し、また電源の一方の端子
に対して第４のトランジスタのエミッタを抵抗を介して
接続し、かつ電源の他方の端子に対して第５のトランジ
スタのエミッタを抵抗を介して接続し、さらに両トラン
ジスタのコレクタをたがいに接続し、上記第１のトラン
ジスタ、第２のトランジスタおよび第４のトランジスタ
を、ｔた上記第３のトランジスタと第５のトランジスタ
とを、それぞれカレントミラー回路を構成するように接
続し、上記第４および第５のトランジスタと上記各抵抗
との接続点から接ａ端子を引出し、この端子を上記電流
スイッチング素子と上記過電流検出抵抗との接続点に選
択的に接続するとともに上記第４のトランジスタと上記
第５のトランジスタとの接続点に信号出力端子を設け、
この出力端子を上記電流スイッチング素子を制ｔＪする
コントローラの入力端に接続し、このコントローラの出
力状態を制御することを特徴とする電子スイッチの過電
流検出回路。 - （２）上記各接続端子の中の１つと、上記過電流検出抵
抗と上記電流スイッチング素子との接続点間に過電圧保
護回路を接続した特許請求の範囲第１項記載の電子スイ
ッチの過電流検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205668A JPS6096921A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 電子スイツチの過電流検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205668A JPS6096921A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 電子スイツチの過電流検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6096921A true JPS6096921A (ja) | 1985-05-30 |
| JPH0262052B2 JPH0262052B2 (ja) | 1990-12-21 |
Family
ID=16510710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205668A Granted JPS6096921A (ja) | 1983-10-31 | 1983-10-31 | 電子スイツチの過電流検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6096921A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03221673A (ja) * | 1990-01-24 | 1991-09-30 | Nippon Steel Corp | ボート用立体倉庫 |
| TW444257B (en) | 1999-04-12 | 2001-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for fabricating the same |
-
1983
- 1983-10-31 JP JP58205668A patent/JPS6096921A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0262052B2 (ja) | 1990-12-21 |
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