JPS63204916A - Rf agc回路 - Google Patents
Rf agc回路Info
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- JPS63204916A JPS63204916A JP3827487A JP3827487A JPS63204916A JP S63204916 A JPS63204916 A JP S63204916A JP 3827487 A JP3827487 A JP 3827487A JP 3827487 A JP3827487 A JP 3827487A JP S63204916 A JPS63204916 A JP S63204916A
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- JP
- Japan
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- circuit
- agc
- electric field
- smoothing capacitor
- transistor
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- Granted
Links
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- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims abstract description 34
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)産業上の利用分舒
本発明は、AMラジオ受信機のRF増幅回路の利得を自
動的に制御することが出来るRF AGC回路に関する
もので、特に受信信号の電界強度の急変に対処し得るR
F AGC回路に関する。
動的に制御することが出来るRF AGC回路に関する
もので、特に受信信号の電界強度の急変に対処し得るR
F AGC回路に関する。
(ロ)従来の技術
昭和60年3月20日付で発行された「゛85三洋半導
体ハンドブックモノリシックバイボーラ集積回路」編第
84頁には、混合回路から得られる制御信号に応じてR
F増幅回路の利得を制御するRF AGC回路が記載さ
れている。前記RFAGC回路は、第2図に示す如く、
アンテナ(1)に受信された受信信号がベースに印加さ
れるFET(2)と、エミッタが該FET(2)のドレ
インに接続されたAGCトランジスタ(3)と、該トラ
ンジスタ(3)のコレクタに接続された選択同調回路(
4)と、該同調回路(4)から得られるRF倍信号局部
発振回路(図示せず)から得られる局部発振信号とを混
合してIF倍信号発生する混合回路(5)と、該混合回
路(5)から得られるIF倍信号レベルを検出し、利得
制御信号を発生するAGC信号発生回路(6)と、前記
利得制御信号に応じて前記AGCトランジスタ(3)を
駆動するAGC駆動回路(Z)とを備えている。第2図
の回路の場合、アンテナ(1)に受信される受信信号が
強電界であると、FET(2)で増幅され、AGCトラ
ンジスタ(3)及び選択同調回路(4)を介して混合回
路(5)に印加きれるRF倍信号び前記混合回路(5)
から発生するIF倍信号レベルが大になる。その為、A
GC信号発生回路(6)から発生する利得制御信号も大
となり、AGC駆動回路(Z)を構成するトランジスタ
(8)及び(9)に流れる電流が増大する。その結果、
平滑コンデンサ(10)が放電きれ、AGCトランジス
タ(3)のベース電圧が低下し、RF増幅回路の利得が
低下する。
体ハンドブックモノリシックバイボーラ集積回路」編第
84頁には、混合回路から得られる制御信号に応じてR
F増幅回路の利得を制御するRF AGC回路が記載さ
れている。前記RFAGC回路は、第2図に示す如く、
アンテナ(1)に受信された受信信号がベースに印加さ
れるFET(2)と、エミッタが該FET(2)のドレ
インに接続されたAGCトランジスタ(3)と、該トラ
ンジスタ(3)のコレクタに接続された選択同調回路(
4)と、該同調回路(4)から得られるRF倍信号局部
発振回路(図示せず)から得られる局部発振信号とを混
合してIF倍信号発生する混合回路(5)と、該混合回
路(5)から得られるIF倍信号レベルを検出し、利得
制御信号を発生するAGC信号発生回路(6)と、前記
利得制御信号に応じて前記AGCトランジスタ(3)を
駆動するAGC駆動回路(Z)とを備えている。第2図
の回路の場合、アンテナ(1)に受信される受信信号が
強電界であると、FET(2)で増幅され、AGCトラ
ンジスタ(3)及び選択同調回路(4)を介して混合回
路(5)に印加きれるRF倍信号び前記混合回路(5)
から発生するIF倍信号レベルが大になる。その為、A
GC信号発生回路(6)から発生する利得制御信号も大
となり、AGC駆動回路(Z)を構成するトランジスタ
(8)及び(9)に流れる電流が増大する。その結果、
平滑コンデンサ(10)が放電きれ、AGCトランジス
タ(3)のベース電圧が低下し、RF増幅回路の利得が
低下する。
また、アンテナ(1)に受信される受信信号が弱電界の
場合は、AGC信号発生回路(6)から発生する利得制
御信号が手になり、トランジスタ(8)及び(9)に流
れる電流が減少し又は零となるので、充電抵抗(11)
による平滑コンデンサ(1o)の充電が行なわれ、RF
増幅回路の利得が増大する。
場合は、AGC信号発生回路(6)から発生する利得制
御信号が手になり、トランジスタ(8)及び(9)に流
れる電流が減少し又は零となるので、充電抵抗(11)
による平滑コンデンサ(1o)の充電が行なわれ、RF
増幅回路の利得が増大する。
従って、第2図の回路を用いれば、RF増幅回路の利得
を自動的に制御することが出来る。
を自動的に制御することが出来る。
(ハ)発明が解決しようとする問題点
RF AGC回路の安定性を高める為には、平滑コン
デンサ(10)及び(12)の容量を大としなければな
らない、しかしながら、特に平滑コンデンサ(10)の
容量を大にすると、充電抵抗(11)の抵抗値と平滑コ
ンデンサ(10)の容量とで決まる時定数が大きくなり
、前記平滑コンデンサ(10)の充電時間が長くなる。
デンサ(10)及び(12)の容量を大としなければな
らない、しかしながら、特に平滑コンデンサ(10)の
容量を大にすると、充電抵抗(11)の抵抗値と平滑コ
ンデンサ(10)の容量とで決まる時定数が大きくなり
、前記平滑コンデンサ(10)の充電時間が長くなる。
その為、カーラジオ等の移動受信機にあっては、強電界
の受信状態から弱電界の受信状態に受信状態が急激に変
化すると、前記平滑コンデンサ(10)の充電が追随せ
ず、音切れが生じるという大きな問題が生じていた。
の受信状態から弱電界の受信状態に受信状態が急激に変
化すると、前記平滑コンデンサ(10)の充電が追随せ
ず、音切れが生じるという大きな問題が生じていた。
(ニ)問題点を解決するための手段
本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、受信信号の
電界強度が強から弱に変化したとき、前記変化に応じて
AGC回路を構成する平滑コンデンサを急速充電する急
速充電回路を備える点を特徴とする。
電界強度が強から弱に変化したとき、前記変化に応じて
AGC回路を構成する平滑コンデンサを急速充電する急
速充電回路を備える点を特徴とする。
(*)作用
本発明に依れば、受信信号の電界強度が強から弱に変化
したとき、急速充電回路を動作させ、平滑コンデンサを
急速充電しているので、前記平滑コンデンサとして大容
量のものを使用しても、その端子電圧を急激に大とする
ことが出来、RF増幅回路の利得を素早く大にすること
が出来る。
したとき、急速充電回路を動作させ、平滑コンデンサを
急速充電しているので、前記平滑コンデンサとして大容
量のものを使用しても、その端子電圧を急激に大とする
ことが出来、RF増幅回路の利得を素早く大にすること
が出来る。
(へ)実施例
第1図は、本発明の一実施例を示すもので、(13)は
AGC信号発生回路(6)から得られる受信信号が強電
界から弱電界へ変化したことを示す信号に応じて動作す
る急速充電回路である。尚、第1図において、第2図と
同一の回路素子には同一の符号を付し、説明を省略する
。
AGC信号発生回路(6)から得られる受信信号が強電
界から弱電界へ変化したことを示す信号に応じて動作す
る急速充電回路である。尚、第1図において、第2図と
同一の回路素子には同一の符号を付し、説明を省略する
。
強電界の信号を受信しているとき、AGC信号発生回路
(6)の出力信号が大になり、トランジスタ(8)のコ
レクタ電流が増大する。前記トランジスタ(8)はトラ
ンジスタ(9)と電流ミラー関係に接続されているので
、前記トランジスタ(9)のコレクタ電流も大になる。
(6)の出力信号が大になり、トランジスタ(8)のコ
レクタ電流が増大する。前記トランジスタ(8)はトラ
ンジスタ(9)と電流ミラー関係に接続されているので
、前記トランジスタ(9)のコレクタ電流も大になる。
その為、平滑コンデンサ(10)の放電が行なわれ、そ
の端子電圧が低下し、AGCトランジスタ(3)の導通
度が大きく低下する。従って、RF増幅回路の利得が制
御されることになり、混合回路(5)の出力信号のレベ
ルは略一定に保たれる。強電界受信状態が継続すると、
平滑コンデンサ(10)の放電が継続し、その端子電圧
が大幅に低下する。
の端子電圧が低下し、AGCトランジスタ(3)の導通
度が大きく低下する。従って、RF増幅回路の利得が制
御されることになり、混合回路(5)の出力信号のレベ
ルは略一定に保たれる。強電界受信状態が継続すると、
平滑コンデンサ(10)の放電が継続し、その端子電圧
が大幅に低下する。
その状態で、受信信号の電界強度が弱に変化すると、弱
電界の受信信号は利得の低下した状態のRF増幅回路で
増幅されることになり、混合回路(5)の出力信号レベ
ルが低下する。その為、AGC信号発生回路(6〉の出
力信号が小となり、トランジスタ(8)及び(9)のコ
レクタ電流も小となる。
電界の受信信号は利得の低下した状態のRF増幅回路で
増幅されることになり、混合回路(5)の出力信号レベ
ルが低下する。その為、AGC信号発生回路(6〉の出
力信号が小となり、トランジスタ(8)及び(9)のコ
レクタ電流も小となる。
前記トランジスタ(9)のコレクタ電流が小になると、
充電抵抗(11)により平滑コンデンサ(10)の充電
が行なわれる様になるが、充電時定数が大の為、前記平
滑コンデンサ(10)の端子電圧を急激に大とすること
は出来ない。一方、AGC信号発生回路(6〉の出力信
号が大から小に急激に変化すると、その変化に応じて急
速充電回路(13)が動作を開始する。前記急速充電回
路(13)の比較的大きな出力電流は、平滑コンデンサ
(10)を急速に充電する為、その端子電圧が直ちに上
昇し、AGCトランジスタ(3)の導通度を大にする。
充電抵抗(11)により平滑コンデンサ(10)の充電
が行なわれる様になるが、充電時定数が大の為、前記平
滑コンデンサ(10)の端子電圧を急激に大とすること
は出来ない。一方、AGC信号発生回路(6〉の出力信
号が大から小に急激に変化すると、その変化に応じて急
速充電回路(13)が動作を開始する。前記急速充電回
路(13)の比較的大きな出力電流は、平滑コンデンサ
(10)を急速に充電する為、その端子電圧が直ちに上
昇し、AGCトランジスタ(3)の導通度を大にする。
その為、RF増幅回路の利得が増大し、弱電界の受信信
号を十分に増幅する様になり、混合回路(5)の出力信
号が十分なレベルになって、音切れが防止きれる。
号を十分に増幅する様になり、混合回路(5)の出力信
号が十分なレベルになって、音切れが防止きれる。
急速充電回路(13)は、動作を開始した後所定時間経
過すると不動作状態となるので、通常のAGC動作に悪
影響を与えることは無い。
過すると不動作状態となるので、通常のAGC動作に悪
影響を与えることは無い。
第3図は、本発明の具体回路例を示すもので、混合回路
(5)から入力端子(14)に電界強度に応じたレベル
を有する入力信号が印加きれると、前記入力信号はダイ
オード(15)及び(16)によりレベル検波され、平
滑コンデンサ(17)で平滑される。
(5)から入力端子(14)に電界強度に応じたレベル
を有する入力信号が印加きれると、前記入力信号はダイ
オード(15)及び(16)によりレベル検波され、平
滑コンデンサ(17)で平滑される。
ベースが前記平滑コンデンサ(17)に接続きれた第1
トランジスタ(18)は、前記平滑コンデンサ(17)
の端子電圧に応じたエミッタ電流を発生し、第2トラン
ジスタ(19)に入力信号に応じた検波電流を流す。第
3乃至第5トランジスタ(20)乃至(22)から成る
電流ミラー回路は、前記第2トランジスタ(19)のコ
レクタ電流を反転する。コレクタが前記第4及び第5ト
ランジスタ(21〉及び(22)のコレクタにそれぞれ
接続された第6及び第7トランジスタ(23)及び(2
4)は、ベースが共通に第8トランジスタ(25)のエ
ミッタに接続されており、所定の等しい値のコレクタ電
流を流す様に設定されている。その為、第4及び第6ト
ランジスタ(21〉及び(23)のコレクタ電流の差を
流が後述する急速充電回路の制御電流となり、第5及び
第7トランジスタ(22〉及び(27)のコレクタ電流
の差電流が第9及び第10トランジスタ(26)及び(
27)から成る電流ミラー回路(蔓)に供給される。い
ま、入力端子(14)に印加される入力信号のレベルが
犬となり、第5トランジスタ(22)のコレクタ電流が
第7トランジスタ〈24)のコレクタ電流よりも大にな
ると、電流ミラー回路(競)に電流が流れ、第10トラ
ンジスタ(27〉により平滑コンデンサ(10)の放電
が行なわれ、AGCトランジスタ(3)の導通度が低下
し、RF増幅回路の利得が低下する。逆に、入力端子(
14)に印加される入力信号のレベルが小となり、第5
トランジスタ(22)のコレクタ電流が第7トランジス
タ(24)のコレクタ電流よりも小になると、電流ミラ
ー回路(蔓)がオフし、充電抵抗(11)により平滑コ
ンデンサ(10)の充電が行なわれ、RF増幅回路の利
得が増大する。従って、レベル検波用のダイオード(1
5)及び(16)と、平滑コンデンサ(17)及び(1
0)と、第1、第2、第3、第5及び第7トランジスタ
(18) 、 (19) 、 (20) 、 (22)
及び(24)と、電流ミラー回路(蔓)と、AGCトラ
ンジスタ(3)とによりAGC回路が構成され、RF増
幅回路の利得制御が行、なわれる。
トランジスタ(18)は、前記平滑コンデンサ(17)
の端子電圧に応じたエミッタ電流を発生し、第2トラン
ジスタ(19)に入力信号に応じた検波電流を流す。第
3乃至第5トランジスタ(20)乃至(22)から成る
電流ミラー回路は、前記第2トランジスタ(19)のコ
レクタ電流を反転する。コレクタが前記第4及び第5ト
ランジスタ(21〉及び(22)のコレクタにそれぞれ
接続された第6及び第7トランジスタ(23)及び(2
4)は、ベースが共通に第8トランジスタ(25)のエ
ミッタに接続されており、所定の等しい値のコレクタ電
流を流す様に設定されている。その為、第4及び第6ト
ランジスタ(21〉及び(23)のコレクタ電流の差を
流が後述する急速充電回路の制御電流となり、第5及び
第7トランジスタ(22〉及び(27)のコレクタ電流
の差電流が第9及び第10トランジスタ(26)及び(
27)から成る電流ミラー回路(蔓)に供給される。い
ま、入力端子(14)に印加される入力信号のレベルが
犬となり、第5トランジスタ(22)のコレクタ電流が
第7トランジスタ〈24)のコレクタ電流よりも大にな
ると、電流ミラー回路(競)に電流が流れ、第10トラ
ンジスタ(27〉により平滑コンデンサ(10)の放電
が行なわれ、AGCトランジスタ(3)の導通度が低下
し、RF増幅回路の利得が低下する。逆に、入力端子(
14)に印加される入力信号のレベルが小となり、第5
トランジスタ(22)のコレクタ電流が第7トランジス
タ(24)のコレクタ電流よりも小になると、電流ミラ
ー回路(蔓)がオフし、充電抵抗(11)により平滑コ
ンデンサ(10)の充電が行なわれ、RF増幅回路の利
得が増大する。従って、レベル検波用のダイオード(1
5)及び(16)と、平滑コンデンサ(17)及び(1
0)と、第1、第2、第3、第5及び第7トランジスタ
(18) 、 (19) 、 (20) 、 (22)
及び(24)と、電流ミラー回路(蔓)と、AGCトラ
ンジスタ(3)とによりAGC回路が構成され、RF増
幅回路の利得制御が行、なわれる。
ところで、第4トランジスタ(21)のコレクタ電流が
第6トランジスタ(23)のコレクタ電流よりも犬にな
る電界強度の信号を受信している間は、急速充電回路(
益)を構成する第11トランジスタ(30)のベース電
流が流れないので、前記急速充電回路〈益)は動作せず
、AGC動作に悪影響を与えない。また、第4トランジ
スタ(21)のコレクタ電流が第6トランジスタ(23
〉のコレクタ電流よりも小となる弱電界受信状態におい
ては、平滑コンデンサ(10〉の端子電圧が十分に高く
なり、第11トランジスタ(30)のコレクタ電圧も十
分に高くなるので、前記第11トランジスタ(30)が
飽和してオフになり、やはりAGC動作に悪影響を及ぼ
きない。
第6トランジスタ(23)のコレクタ電流よりも犬にな
る電界強度の信号を受信している間は、急速充電回路(
益)を構成する第11トランジスタ(30)のベース電
流が流れないので、前記急速充電回路〈益)は動作せず
、AGC動作に悪影響を与えない。また、第4トランジ
スタ(21)のコレクタ電流が第6トランジスタ(23
〉のコレクタ電流よりも小となる弱電界受信状態におい
ては、平滑コンデンサ(10〉の端子電圧が十分に高く
なり、第11トランジスタ(30)のコレクタ電圧も十
分に高くなるので、前記第11トランジスタ(30)が
飽和してオフになり、やはりAGC動作に悪影響を及ぼ
きない。
強電界受信状態においては、平滑コンデンサ(10)の
放電が十分に行なわれ、AGCトランジスタ(3〉の導
通度が十分に低下している。その状態で受信状態が弱電
界に急激に変化すると、RF増幅回路が低利得の為、入
力端子(14)に印加される入力信号が零になり、入力
コンデンサ(31)の微分作用により平滑コンデンサ(
17)の端子電圧が急激に低下する。その為、第1及び
第2トランジスタ(18)及び(19)がオフになり、
第3乃至第5トランジスタ(20)乃至(22)もオフ
になる。第5トランジスタ(22)がオフになると、電
流ミラー回路(28)カ不動作となり、充電抵抗(11
)による平滑コンデンサ(10〉の充電が開始される。
放電が十分に行なわれ、AGCトランジスタ(3〉の導
通度が十分に低下している。その状態で受信状態が弱電
界に急激に変化すると、RF増幅回路が低利得の為、入
力端子(14)に印加される入力信号が零になり、入力
コンデンサ(31)の微分作用により平滑コンデンサ(
17)の端子電圧が急激に低下する。その為、第1及び
第2トランジスタ(18)及び(19)がオフになり、
第3乃至第5トランジスタ(20)乃至(22)もオフ
になる。第5トランジスタ(22)がオフになると、電
流ミラー回路(28)カ不動作となり、充電抵抗(11
)による平滑コンデンサ(10〉の充電が開始される。
しかしながら、充電時定数の為、前記平滑コンデンサ<
10)の端子電圧の上昇速度は早くない。一方、第4ト
ランジスタ(21)がオフになると、第11トランジス
タ(30)にベース電流が流れ、しかもその時平滑コン
デンサ(10)の端子電圧が低いので、前記第11トラ
ンジスタ(30)がオンし、そのコレクタ電流により前
記平滑コンデンサ(10)が急速充電される。その為、
前記平滑コンデンサ(10)の端子電圧は急激に上昇し
、AGCトランジスタ(3)の導通度が増し、RF増幅
回路の利得が増大する。従って、弱電界の受信信号は、
RF増幅回路により十分に増幅されることになり、信号
レベルの低下が瞬時となるので、音切れ状態を防止出来
る。
10)の端子電圧の上昇速度は早くない。一方、第4ト
ランジスタ(21)がオフになると、第11トランジス
タ(30)にベース電流が流れ、しかもその時平滑コン
デンサ(10)の端子電圧が低いので、前記第11トラ
ンジスタ(30)がオンし、そのコレクタ電流により前
記平滑コンデンサ(10)が急速充電される。その為、
前記平滑コンデンサ(10)の端子電圧は急激に上昇し
、AGCトランジスタ(3)の導通度が増し、RF増幅
回路の利得が増大する。従って、弱電界の受信信号は、
RF増幅回路により十分に増幅されることになり、信号
レベルの低下が瞬時となるので、音切れ状態を防止出来
る。
急速充電に応じて平滑コンデンサ(10)の端子電圧が
所定値迄上昇すると、第11トランジスタ(30)のコ
レクタ電圧も高くなるので、前記第11トランジスタ(
30)が飽和し、再びオフとなり回路動作に無関係とな
る。
所定値迄上昇すると、第11トランジスタ(30)のコ
レクタ電圧も高くなるので、前記第11トランジスタ(
30)が飽和し、再びオフとなり回路動作に無関係とな
る。
(ト)発明の効果
以上述べた如く、本発明に依れば、電界強度が強から弱
に急激に変化した場合でもAGCが追随出来るので、音
切れ状態を防止出来る。また、平滑コンデンサとして大
容量のものを使用することが出来るので、低周波変調時
の歪率の改善等、緒特性の改善を計ることが出来る。更
に、本発明に依れば、急速充電回路を、電界強度の急激
な変化時のみ動作させることが出来るので、正常受信時
のAGC動作に悪影響を与えないRF AGC回路を提
供出来る。
に急激に変化した場合でもAGCが追随出来るので、音
切れ状態を防止出来る。また、平滑コンデンサとして大
容量のものを使用することが出来るので、低周波変調時
の歪率の改善等、緒特性の改善を計ることが出来る。更
に、本発明に依れば、急速充電回路を、電界強度の急激
な変化時のみ動作させることが出来るので、正常受信時
のAGC動作に悪影響を与えないRF AGC回路を提
供出来る。
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従
来のRF AGC回路を示す回路図、及び第3図は第
1図の具体回路例を示す回路図である。 (3)・・・AGC)ランジスタ、 (6)・・・AG
C信号発生回路、 (10)・・・平滑コンデンサ、
(13)(29)・・・急速充電回路。
来のRF AGC回路を示す回路図、及び第3図は第
1図の具体回路例を示す回路図である。 (3)・・・AGC)ランジスタ、 (6)・・・AG
C信号発生回路、 (10)・・・平滑コンデンサ、
(13)(29)・・・急速充電回路。
Claims (1)
- (1)RF増幅回路の利得を、混合回路から得られる制
御信号に応じて制御するRFAGC回路において、受信
信号の電界強度が強から弱に変化したとき、前記変化に
応じてAGC回路を構成する平滑コンデンサを急速充電
する急速充電回路を設けたことを特徴とするRFAGC
回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3827487A JPS63204916A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Rf agc回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3827487A JPS63204916A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Rf agc回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63204916A true JPS63204916A (ja) | 1988-08-24 |
JPH0423443B2 JPH0423443B2 (ja) | 1992-04-22 |
Family
ID=12520728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3827487A Granted JPS63204916A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | Rf agc回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63204916A (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4962028A (ja) * | 1972-05-12 | 1974-06-15 | ||
JPS5310213A (en) * | 1976-07-15 | 1978-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Receiver |
JPS549645U (ja) * | 1977-06-21 | 1979-01-22 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5160805A (en) * | 1974-11-22 | 1976-05-27 | Hitachi Ltd | Taabinno shujokiondoteikatoritsupusochi |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP3827487A patent/JPS63204916A/ja active Granted
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4962028A (ja) * | 1972-05-12 | 1974-06-15 | ||
JPS5310213A (en) * | 1976-07-15 | 1978-01-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Receiver |
JPS549645U (ja) * | 1977-06-21 | 1979-01-22 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0423443B2 (ja) | 1992-04-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |