JPS63204777A - 高分子圧電素子 - Google Patents
高分子圧電素子Info
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- JPS63204777A JPS63204777A JP62038308A JP3830887A JPS63204777A JP S63204777 A JPS63204777 A JP S63204777A JP 62038308 A JP62038308 A JP 62038308A JP 3830887 A JP3830887 A JP 3830887A JP S63204777 A JPS63204777 A JP S63204777A
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- piezoelectric element
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- polymer piezoelectric
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Links
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
「近業」−の利用分野］
この発明は、電気音響変換器の分野にお（プる高分子圧
電素子の電極層の改良に関する。
電素子の電極層の改良に関する。
［従来の技術］
従来における高分子圧電素子の代表的な構造は、例えば
ポリ弗化ビニリデン等の、圧力−電気変換特性を有する
圧電性高分子化合物のフィル１１の両面に、アルミニウ
ム、ニッケル等の金属薄膜を電極層として付着させた構
成が一般的である。
ポリ弗化ビニリデン等の、圧力−電気変換特性を有する
圧電性高分子化合物のフィル１１の両面に、アルミニウ
ム、ニッケル等の金属薄膜を電極層として付着させた構
成が一般的である。
［解決しようとする問題点］
この様な構造を有する高分子圧電素子は、圧電素子本体
である高分子化合物は、非常に可１ｆｔ＋’４ヤ伸縮性
に富んでいるが、電＋ｆｆ １ｆｆｌとして形成した金
属薄膜が伸縮性に乏しくて高分子化合物の伸縮に追従で
きず、クラックを生じて電極が高抵抗化したり、乃至は
断線するという問題があった。
である高分子化合物は、非常に可１ｆｔ＋’４ヤ伸縮性
に富んでいるが、電＋ｆｆ １ｆｆｌとして形成した金
属薄膜が伸縮性に乏しくて高分子化合物の伸縮に追従で
きず、クラックを生じて電極が高抵抗化したり、乃至は
断線するという問題があった。
そこで本発明は、電極層を改良することにより従来例の
問題点を解決することを目的とする。
問題点を解決することを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
上記目的を達成するための本発明に係る高分子圧電素子
は、高分子圧電フィルムと当該圧電フィルムの表面に積
層した電極層より構成される高分子圧電素子に於て、前
記電４＠層がＯＩａ金属高分子材料であることを特徴と
する高分子圧電素子である。
は、高分子圧電フィルムと当該圧電フィルムの表面に積
層した電極層より構成される高分子圧電素子に於て、前
記電４＠層がＯＩａ金属高分子材料であることを特徴と
する高分子圧電素子である。
［作 用］
そして、電極層を形成する有機金属高分子材料は柔軟で
、高分子圧電フィルムに対し優れた密着性を有するので
、該高分子圧電フィルムに追従して伸縮し、電極にクラ
ックを生じて高抵抗化したり断線することはない。
、高分子圧電フィルムに対し優れた密着性を有するので
、該高分子圧電フィルムに追従して伸縮し、電極にクラ
ックを生じて高抵抗化したり断線することはない。
［実施例］
（１）第１実施例：
分極処理されたポリ弗化ビニリデンフィルムの両面に、
主鎖にテルル原子と炭素骨格とを有する有機テルル化合
物薄膜を形成して高分子圧電素子を構成した。
主鎖にテルル原子と炭素骨格とを有する有機テルル化合
物薄膜を形成して高分子圧電素子を構成した。
この第１実施例のｒＪ機テルル化合物は、なる分子式で
表現され、臭素をドープしたしのの体積固有抵抗率は、
１０（２・ｃｍである。
表現され、臭素をドープしたしのの体積固有抵抗率は、
１０（２・ｃｍである。
尚、本実施例の変型として、上記テルルをセレンで置換
したものでもよい。また、一般的に主鎖に炭素骨格をイ
ｊし、第Ｖｉａ族の元素を含１７する高分子化合物を使
用することも可能である。
したものでもよい。また、一般的に主鎖に炭素骨格をイ
ｊし、第Ｖｉａ族の元素を含１７する高分子化合物を使
用することも可能である。
（２）第２実施例：
電極層として、平面内配位イリジウム錯体薄膜を形成し
て高分子圧電素子を構成した。
て高分子圧電素子を構成した。
当該平面内配位イリジウム鏡体のポリマーは−（ＩｒＣ
Ｉ２（Ｃｏ） ２ ）ｎ− なる分子式を有し、その体積固有抵抗率は約、１．７Ω
・ｃｍである。
Ｉ２（Ｃｏ） ２ ）ｎ− なる分子式を有し、その体積固有抵抗率は約、１．７Ω
・ｃｍである。
尚、本実施例の変型として、イリジウムの代りに、例え
ば白金等の他の第ＶＩＩＩｂ族、第４〜６周期の遷移金
属元素で置換したものでもよい。
ば白金等の他の第ＶＩＩＩｂ族、第４〜６周期の遷移金
属元素で置換したものでもよい。
（３）第３実施例：
電極層として、鉄を含有するポリビニルエーテル型金属
ポリマーからなる有機金属高分子薄膜を形成して高分子
圧電素子を構成した。
ポリマーからなる有機金属高分子薄膜を形成して高分子
圧電素子を構成した。
当該ポリビニルエーテル型金属ポリマーは、−（０２ト
１３ ｉｎ − ■ ０−Ｃ２ト１４ Ｃｓ Ｈ９Ｆｅ （Ｃｏ）３
なる分子式を有し、その体積固有抵抗率は約、２０Ω・
ｃｍである。
１３ ｉｎ − ■ ０−Ｃ２ト１４ Ｃｓ Ｈ９Ｆｅ （Ｃｏ）３
なる分子式を有し、その体積固有抵抗率は約、２０Ω・
ｃｍである。
尚、本実施例の変型として、［ｅの代りにＲｕその伯、
第Ｖｌｌｌｂ族元素で必ってもよい。
第Ｖｌｌｌｂ族元素で必ってもよい。
また、ポリビニルエーテル型以外にも、ポリメタクリル
酸エステル型であっても同程度の体積固有抵抗率を示し
、同じ目的に使用することが出来る。
酸エステル型であっても同程度の体積固有抵抗率を示し
、同じ目的に使用することが出来る。
（４）第４実施例：
電極層として、コバルトセンを主成分とする金属ポリマ
ー薄膜を形成して高分子圧電素子を構成した。
ー薄膜を形成して高分子圧電素子を構成した。
当該コバルトセン（分子式省略）の体積固有抵抗率は杓
、１００Ω・ｃｍである。
、１００Ω・ｃｍである。
尚、本実施例の変型として、一般に第ＶＩＩＩｂ族第４
〜６周期の金属のシクＬ１ペンタジェン化合物あっても
同程度の体積固有抵抗率を示し、同じ目的に使用するこ
とが出来る。
〜６周期の金属のシクＬ１ペンタジェン化合物あっても
同程度の体積固有抵抗率を示し、同じ目的に使用するこ
とが出来る。
以上、本発明による高分子圧電素子について代表的と思
われる実施例を基に詳述したが、本発明による高分子圧
電素子の構成は上記実施例の構造に限定されるものでは
なく、本発明の特許請求の範囲にいう構成ｒｉ’ｔを具
備する限りにおいて、例えば成分金属の種類ヤポリマー
の構造等適宜改変して実施しうるちのである。
われる実施例を基に詳述したが、本発明による高分子圧
電素子の構成は上記実施例の構造に限定されるものでは
なく、本発明の特許請求の範囲にいう構成ｒｉ’ｔを具
備する限りにおいて、例えば成分金属の種類ヤポリマー
の構造等適宜改変して実施しうるちのである。
［効果］
以」−１に述ぺた本発明に係る高分子圧電素子は金属源
膜を電極層とした従来例と比較して、電極層を形成する
ｈ殿金属高分子材料は柔軟で、高分子圧電フィルムに対
して優れた密盾性を有するので、電極にクラックを生じ
て高抵抗化したり、乃〒は断線することはない。
膜を電極層とした従来例と比較して、電極層を形成する
ｈ殿金属高分子材料は柔軟で、高分子圧電フィルムに対
して優れた密盾性を有するので、電極にクラックを生じ
て高抵抗化したり、乃〒は断線することはない。
従って、良明間性能か安定した高分子圧電素子を得るこ
とが出来る効果を有するものである。
とが出来る効果を有するものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高分子圧電フィルムと当該圧電フィルムの表面に積
層した電極層より構成される高分子圧電素子に於て、前
記電極層が有機金属高分子材料であることを特徴とする
高分子圧電素子。 ２、前記有機金属高分子が主鎖に金属原子と炭素骨格と
を含む有機金属高分子化合物であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の高分子圧電素子。 ３、前記有機金属高分子が平面内配位遷移金属錯体から
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高分
子圧電素子。 ４、前記有機金属高分子がポリビニルエーテル型若しく
はメタクリル酸エステル型ポリマーであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の高分子圧電素子。 ５、前記有機金属高分子の主成分がコバルトセンである
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高分子圧
電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62038308A JPS63204777A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 高分子圧電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62038308A JPS63204777A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 高分子圧電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204777A true JPS63204777A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12521668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62038308A Pending JPS63204777A (ja) | 1987-02-20 | 1987-02-20 | 高分子圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204777A (ja) |
-
1987
- 1987-02-20 JP JP62038308A patent/JPS63204777A/ja active Pending
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