JPS63143883A - 高分子圧電素子 - Google Patents
高分子圧電素子Info
- Publication number
- JPS63143883A JPS63143883A JP61292796A JP29279686A JPS63143883A JP S63143883 A JPS63143883 A JP S63143883A JP 61292796 A JP61292796 A JP 61292796A JP 29279686 A JP29279686 A JP 29279686A JP S63143883 A JPS63143883 A JP S63143883A
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- Japan
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- nickel
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- Pending
Links
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Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は高分子圧電素子における電極層の改良に関す
る。
る。
[従来の技術1
従来の高分子圧電素子はポリ弗化ビリニデン、ポリシア
ン化ビニリデン等の圧力−電気変換特性を有する高分子
フィルムの両面にニッケル、アルミニウム等の金属薄膜
を形成して電極部とした構成のものが殆どであった。
ン化ビニリデン等の圧力−電気変換特性を有する高分子
フィルムの両面にニッケル、アルミニウム等の金属薄膜
を形成して電極部とした構成のものが殆どであった。
[発明が解決しようとする問題点]
この様な上記高分子圧電素子においては、電極部として
ニッケルを採用した場合は圧電フィルム自体は極めて可
撓性に富むが前記電極部を構成するニッケル薄膜は、こ
れに比べτ可撓性が極めて小さいので、当該電極部分が
高分子圧電フィルムの伸縮動作に追従できず、金属薄膜
にクラック等が発生し、電極部の抵抗値が高くなったり
、断線等の原因となり易く、一方アルミニウム薄膜を採
用した場合は、ニッケルに比べると可撓性を有し延展性
に富み圧電フィルムの伸縮動作により追従可能であるが
、耐蝕性が小さいため経時変化による表面抵抗の増大が
し又、高分子フィルムとの密着性に問題を有している。
ニッケルを採用した場合は圧電フィルム自体は極めて可
撓性に富むが前記電極部を構成するニッケル薄膜は、こ
れに比べτ可撓性が極めて小さいので、当該電極部分が
高分子圧電フィルムの伸縮動作に追従できず、金属薄膜
にクラック等が発生し、電極部の抵抗値が高くなったり
、断線等の原因となり易く、一方アルミニウム薄膜を採
用した場合は、ニッケルに比べると可撓性を有し延展性
に富み圧電フィルムの伸縮動作により追従可能であるが
、耐蝕性が小さいため経時変化による表面抵抗の増大が
し又、高分子フィルムとの密着性に問題を有している。
[問題を解決するための手段]
この発明は高分子圧電フィルムと当該圧電フィルムの表
面に積層した電極層より構成される高分子圧電素子にお
いて、前記電極層が前記圧電フィルムに積層されたチタ
ン、ニッケル若しくは金を主成分とする第1層と当該第
1層に積層されたアルミニウム、スズ若しくは鉛を主成
分とする第2層と、当該第2層に積層されたチタン、ニ
ッケル若しくは金を主成分とする第3層よりなる高分子
圧電素子である。
面に積層した電極層より構成される高分子圧電素子にお
いて、前記電極層が前記圧電フィルムに積層されたチタ
ン、ニッケル若しくは金を主成分とする第1層と当該第
1層に積層されたアルミニウム、スズ若しくは鉛を主成
分とする第2層と、当該第2層に積層されたチタン、ニ
ッケル若しくは金を主成分とする第3層よりなる高分子
圧電素子である。
[作用]
耐蝕性及びフィルムとの密着性の良好な第1層及び第3
層を伸びの大ぎい第2層を介して積層することにより、
耐蝕性の良好な第3層のクラックを防止する。
層を伸びの大ぎい第2層を介して積層することにより、
耐蝕性の良好な第3層のクラックを防止する。
[実施例1
ポリ弗化ビリニデンフィルム1の両面にそれぞれニッケ
ル薄膜を形成して第1層2aとし、当該第1層2aにア
ルミニウム薄膜を形成して第2層2bとし、更に当該第
2層にニッケル薄膜を形成して第3層2cとし、前記第
1層2a、第2層2[発明の効果] 以上に説明のこの発明によれば耐蝕性の良好で、且つフ
ィルムとの密着性が良好なニッケル薄膜等を伸びの大き
いアルミニウム薄膜層を中間にして積層することにより
、電極部と高分子フィルムとの密着性を改良するととも
に電極部の伸縮追従性を増大せしめ耐蝕性の良好なニッ
ケル薄膜等のクラックが抑制できた。又、アルミニウム
に代えて鉛及びスズを、ニッケルに代えてチタン又は金
を採用だ場合でも同様の効果が得られた。
ル薄膜を形成して第1層2aとし、当該第1層2aにア
ルミニウム薄膜を形成して第2層2bとし、更に当該第
2層にニッケル薄膜を形成して第3層2cとし、前記第
1層2a、第2層2[発明の効果] 以上に説明のこの発明によれば耐蝕性の良好で、且つフ
ィルムとの密着性が良好なニッケル薄膜等を伸びの大き
いアルミニウム薄膜層を中間にして積層することにより
、電極部と高分子フィルムとの密着性を改良するととも
に電極部の伸縮追従性を増大せしめ耐蝕性の良好なニッ
ケル薄膜等のクラックが抑制できた。又、アルミニウム
に代えて鉛及びスズを、ニッケルに代えてチタン又は金
を採用だ場合でも同様の効果が得られた。
図面はこの発明実施例の圧電変換素子の断面図である。
1は高分子圧電フィルム、2aは第1層、2bは第2層
、2は電極部である。
、2は電極部である。
Claims (1)
- 高分子圧電フィルム(1)と当該圧電フィルムの表面
に積層した電極層(2)より構成される高分子圧電素子
において、前記電極層(2)が前記圧電フィルム(1)
に積層されたチタン、ニッケル若しくは金を主成分とす
る第1層(2a)と当該第1層に積層されたアルミニウ
ム、スズ若しくは鉛を主成分とする第2層(2b)と、
当該第2層(2b)に積層されたチタン、ニッケル若し
くは金を主成分とする第3層(2c)よりなることを特
徴とする高分子圧電素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292796A JPS63143883A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 高分子圧電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61292796A JPS63143883A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 高分子圧電素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63143883A true JPS63143883A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17786451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61292796A Pending JPS63143883A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 高分子圧電素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63143883A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0342935U (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-23 | ||
US6541898B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-04-01 | Fujitsu Limited | Method of bonding piezoelectric element and electrode, and piezoelectric microactuator using the bonding method |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61292796A patent/JPS63143883A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0342935U (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-23 | ||
US6541898B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-04-01 | Fujitsu Limited | Method of bonding piezoelectric element and electrode, and piezoelectric microactuator using the bonding method |
US6744183B2 (en) | 2000-11-02 | 2004-06-01 | Fujitsu Limited | Method of bonding piezoelectric element and electrode, and piezoelectric microactuator using the bonding method |
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