JPS6320361B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6320361B2 JPS6320361B2 JP55157465A JP15746580A JPS6320361B2 JP S6320361 B2 JPS6320361 B2 JP S6320361B2 JP 55157465 A JP55157465 A JP 55157465A JP 15746580 A JP15746580 A JP 15746580A JP S6320361 B2 JPS6320361 B2 JP S6320361B2
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- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- resistance
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- ink
- resin
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- Expired
Links
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に高温度下での使用に適し、なお
かつ高湿度雰囲気中での抵抗値変化の少ない皮膜
型抵抗器を提供せんとするものである。
かつ高湿度雰囲気中での抵抗値変化の少ない皮膜
型抵抗器を提供せんとするものである。
従来より、セラミツクス基板または各種プラス
チツクス基板上に、カーボンまたは金属粉体など
の導電性粉体を樹脂で結合した抵抗体（必要に応
じて積層する）を形成した皮膜型抵抗器がある
が、この抵抗器は、固定抵抗器または可変抵抗器
として広く使用されてきた。
チツクス基板上に、カーボンまたは金属粉体など
の導電性粉体を樹脂で結合した抵抗体（必要に応
じて積層する）を形成した皮膜型抵抗器がある
が、この抵抗器は、固定抵抗器または可変抵抗器
として広く使用されてきた。
一方、近年の自動車エレクトロニクスに代表さ
れるように、抵抗体の使用環境も低温からかなり
の高温に至るまでの広い温度範囲を要求される分
野が出現し、従来の樹脂分散型抵抗器では対応不
可能な状況に至つている。
れるように、抵抗体の使用環境も低温からかなり
の高温に至るまでの広い温度範囲を要求される分
野が出現し、従来の樹脂分散型抵抗器では対応不
可能な状況に至つている。
このため、高温対応用として、ポリイミド樹脂
をバインダ樹脂とする皮膜型抵抗器が開発され、
一部実用化されつつあるが、従来のポリイミド樹
脂（東レ(株)製トレニース、デユポン社製パイヤー
ML等）は、次に示す構造を主として有するもの
で、抵抗値の耐湿変化が大きくなる欠点を有して
いる。
をバインダ樹脂とする皮膜型抵抗器が開発され、
一部実用化されつつあるが、従来のポリイミド樹
脂（東レ(株)製トレニース、デユポン社製パイヤー
ML等）は、次に示す構造を主として有するもの
で、抵抗値の耐湿変化が大きくなる欠点を有して
いる。
一般に、樹脂分散系抵抗体の耐湿変化は、抵抗
値が増加する傾向にあるが、従来のポリイミド樹
脂を使用した抵抗体の耐湿変化は逆に抵抗値が低
下する傾向にある。これは樹脂の加水分解による
ものと考えられ、好ましくない傾向である。
値が増加する傾向にあるが、従来のポリイミド樹
脂を使用した抵抗体の耐湿変化は逆に抵抗値が低
下する傾向にある。これは樹脂の加水分解による
ものと考えられ、好ましくない傾向である。
本発明者は、従来のポリイミド樹脂を使用した
抵抗体の上記欠点の改良に取組み、ポリイミド樹
脂として、下記の構造を主として有するものを使
用することにより、耐湿変化の少ない皮膜型抵抗
器が得られることを見出した。
抵抗体の上記欠点の改良に取組み、ポリイミド樹
脂として、下記の構造を主として有するものを使
用することにより、耐湿変化の少ない皮膜型抵抗
器が得られることを見出した。
すなわち、本発明は、耐熱性にすぐれ、かつ耐
湿性にすぐれた皮膜型抵抗器を提供することを目
的とする。
湿性にすぐれた皮膜型抵抗器を提供することを目
的とする。
また上記構造を有するポリイミド樹脂を得るた
めに使用する前駆体（ポリアミツク酸）溶液は、
従来のポリアミツク酸溶液に比して極めて安定で
あつて、室温保存においても少くとも６ケ月以上
のシエルフライフを有していることがさらに一つ
の特徴である。このことは、本発明にかかる構造
を有するポリイミド樹脂を得るために使用するポ
リアミツク酸溶液を用いた抵抗ペーストまたはイ
ンキを室温で保存できることを意味し、工業的価
値は大なるものがある。
めに使用する前駆体（ポリアミツク酸）溶液は、
従来のポリアミツク酸溶液に比して極めて安定で
あつて、室温保存においても少くとも６ケ月以上
のシエルフライフを有していることがさらに一つ
の特徴である。このことは、本発明にかかる構造
を有するポリイミド樹脂を得るために使用するポ
リアミツク酸溶液を用いた抵抗ペーストまたはイ
ンキを室温で保存できることを意味し、工業的価
値は大なるものがある。
すなわち、従来のポリイミド系抵抗インキにな
い、室温におけるすぐれた保存寿命を有する抵抗
インキを提供することが本発明の第２の目的であ
る。
い、室温におけるすぐれた保存寿命を有する抵抗
インキを提供することが本発明の第２の目的であ
る。
なお、上記本発明にかかる構造を有するバイン
ダ樹脂と導電性粉体とだけからなる抵抗体溶液を
基板上に塗布、乾燥して抵抗体を設ける場合、溶
媒の乾燥や、イミド化時の収縮によつて抵抗器に
ソリを生ずる場合がある。この傾向は特に基板に
可撓性または柔軟性がある場合に著しく、時とし
ては使用不能となることがある。このような場合
に抵抗体層に窒化ホウ素粉末を混入するとソリを
抑えることができる。窒化ホウ素粉体としては、
ダイアモンド構造を有するものと黒鉛構造を有す
るものの２態があるが、本発明の目的には黒鉛構
造のものが好都合である。窒化ホウ素粉体の使用
量は上述したソリに応じて任意に加減すればよい
が、一般的にバインダ樹脂100重量部に対し20重
量部以上加えれば大きな効果が得られる。固定抵
抗器用抵抗体として使用する場合は、混入量に上
限はないが、可変抵抗器用抵抗体として使用する
場合は、混入量の上限はバインダ樹脂100重量部
に対して200重量部程度であり、これ以上混入量
を増すと、抵抗体が摺動ブラシにより削り取られ
使用できない。なお、窒化ホウ素粉末を混入した
場合、抵抗値は上昇するが、耐熱、耐湿特性に影
響はなく、むしろ耐熱性は少し向上する。
ダ樹脂と導電性粉体とだけからなる抵抗体溶液を
基板上に塗布、乾燥して抵抗体を設ける場合、溶
媒の乾燥や、イミド化時の収縮によつて抵抗器に
ソリを生ずる場合がある。この傾向は特に基板に
可撓性または柔軟性がある場合に著しく、時とし
ては使用不能となることがある。このような場合
に抵抗体層に窒化ホウ素粉末を混入するとソリを
抑えることができる。窒化ホウ素粉体としては、
ダイアモンド構造を有するものと黒鉛構造を有す
るものの２態があるが、本発明の目的には黒鉛構
造のものが好都合である。窒化ホウ素粉体の使用
量は上述したソリに応じて任意に加減すればよい
が、一般的にバインダ樹脂100重量部に対し20重
量部以上加えれば大きな効果が得られる。固定抵
抗器用抵抗体として使用する場合は、混入量に上
限はないが、可変抵抗器用抵抗体として使用する
場合は、混入量の上限はバインダ樹脂100重量部
に対して200重量部程度であり、これ以上混入量
を増すと、抵抗体が摺動ブラシにより削り取られ
使用できない。なお、窒化ホウ素粉末を混入した
場合、抵抗値は上昇するが、耐熱、耐湿特性に影
響はなく、むしろ耐熱性は少し向上する。
以下、具体的実施例により本発明を説明する。
実施例 １
カーボン微粉末5.0ｇと、ポリアミツク酸26％
溶液（宇部興産(株)製、本発明記載の構造を有する
ポリイミド前駆体溶液）44.0ｇとを混合し、三本
ロールミルで混練して均一な抵抗インキを製造し
た。このインキをアルミナ基板上にスクリーン印
刷し、180℃で乾燥したのち、250℃、350℃で
各々１時間加熱して面積抵抗値1kΩ／□の皮膜
抵抗体を製造した。この抵抗体を150℃および40
℃95％の各環境中に保存した場合の抵抗値変化を
図面に実線で示す。本実施例で作つた抵抗インキ
は夏季、室中に３ケ月保存しても異常はみられな
かつた。
溶液（宇部興産(株)製、本発明記載の構造を有する
ポリイミド前駆体溶液）44.0ｇとを混合し、三本
ロールミルで混練して均一な抵抗インキを製造し
た。このインキをアルミナ基板上にスクリーン印
刷し、180℃で乾燥したのち、250℃、350℃で
各々１時間加熱して面積抵抗値1kΩ／□の皮膜
抵抗体を製造した。この抵抗体を150℃および40
℃95％の各環境中に保存した場合の抵抗値変化を
図面に実線で示す。本実施例で作つた抵抗インキ
は夏季、室中に３ケ月保存しても異常はみられな
かつた。
比較例
カーボン微粉末4.4ｇと、ポリアミツク酸23％
溶液（東レ(株)製トレニース2000）50.0ｇとを混合
し、三本ロールミルで混練して均一な抵抗インキ
を製造した。このインキから上記実施例１と同様
にして面積抵抗値1kΩ／□の皮膜抵抗体を製造
し、環境試験を行つた結果を図面に破線で示す。
溶液（東レ(株)製トレニース2000）50.0ｇとを混合
し、三本ロールミルで混練して均一な抵抗インキ
を製造した。このインキから上記実施例１と同様
にして面積抵抗値1kΩ／□の皮膜抵抗体を製造
し、環境試験を行つた結果を図面に破線で示す。
上記実施例１および比較例の結果から、実施例
１で得られた抵抗器は、耐熱性の変化なしに耐湿
性が著しく向上していることがわかる。また比較
例で作られた抵抗インキは夏季、室中に１ケ月保
存しただけでゲル化し、使用不能となつた。
１で得られた抵抗器は、耐熱性の変化なしに耐湿
性が著しく向上していることがわかる。また比較
例で作られた抵抗インキは夏季、室中に１ケ月保
存しただけでゲル化し、使用不能となつた。
実施例 ２
実施例１において、抵抗インキ組成中に2.8ｇ
の窒化ホウ素粉末（電気化学工業(株)製HGP−4S）
を混合して作つた抵抗インキより実施例１と同様
にして作つた抵抗器は、面積抵抗値1.3kΩ／□の
値を示し、ジアリルフタレート樹脂プレプレーグ
上に塗布、乾燥しても抵抗器にソリは生じなかつ
たが、実施例１で得られたインキを使用した抵抗
器においては著しいソリを生じた。
の窒化ホウ素粉末（電気化学工業(株)製HGP−4S）
を混合して作つた抵抗インキより実施例１と同様
にして作つた抵抗器は、面積抵抗値1.3kΩ／□の
値を示し、ジアリルフタレート樹脂プレプレーグ
上に塗布、乾燥しても抵抗器にソリは生じなかつ
たが、実施例１で得られたインキを使用した抵抗
器においては著しいソリを生じた。
実施例 ３
実施例１において、抵抗インキ組成中に11.2ｇ
の窒化ホウ素粉末を混入して作つた抵抗インキを
使用して作つた抵抗体を半固定抵抗器に使用した
場合、100回の摺動試験で15％の抵抗値変化を示
した。
の窒化ホウ素粉末を混入して作つた抵抗インキを
使用して作つた抵抗体を半固定抵抗器に使用した
場合、100回の摺動試験で15％の抵抗値変化を示
した。
以上のように本発明によれば、高温度下での使
用に適し、かつ高湿度雰囲気中での抵抗値変化の
少ない皮膜型抵抗器を得ることができるものであ
る。
用に適し、かつ高湿度雰囲気中での抵抗値変化の
少ない皮膜型抵抗器を得ることができるものであ
る。
また上記本発明にかかる構造を有するバインダ
樹脂と導電性粉体とだけからなる抵抗体溶液を基
板上に塗布、乾燥して抵抗体を設ける場合、溶媒
の乾燥や、イミド化時の収縮によつて抵抗器にソ
リを生ずる場合があるが、本発明では抵抗体層に
窒化ホウ素粉末を混入しているので、ソリを抑え
ることができ、耐熱性も少し向上することができ
る。
樹脂と導電性粉体とだけからなる抵抗体溶液を基
板上に塗布、乾燥して抵抗体を設ける場合、溶媒
の乾燥や、イミド化時の収縮によつて抵抗器にソ
リを生ずる場合があるが、本発明では抵抗体層に
窒化ホウ素粉末を混入しているので、ソリを抑え
ることができ、耐熱性も少し向上することができ
る。
図面は本発明による抵抗器とそうでない抵抗器
の環境試験における抵抗値の変化を示す図であ
る。
の環境試験における抵抗値の変化を示す図であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 導電性粉体と、黒鉛構造を有する窒化ホウ素
粉体と、 なる構造を主として有するポリイミド樹脂とを混
合して作られた抵抗体を、絶縁基板上に形成した
ことを特徴とする皮膜型抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55157465A JPS5780704A (en) | 1980-11-07 | 1980-11-07 | Film type resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55157465A JPS5780704A (en) | 1980-11-07 | 1980-11-07 | Film type resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5780704A JPS5780704A (en) | 1982-05-20 |
| JPS6320361B2 true JPS6320361B2 (ja) | 1988-04-27 |
Family
ID=15650256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55157465A Granted JPS5780704A (en) | 1980-11-07 | 1980-11-07 | Film type resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5780704A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59220987A (ja) * | 1983-05-31 | 1984-12-12 | 三洋電機株式会社 | 混成集積回路 |
| DE3932882A1 (de) * | 1989-10-02 | 1991-04-11 | Siemens Ag | Gut waermeleitender verbundwerkstoff |
| CN109313205A (zh) * | 2016-06-10 | 2019-02-05 | 积水医疗株式会社 | 自动分析装置的供水方法和供水装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54154071A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film resistance circuit |
-
1980
- 1980-11-07 JP JP55157465A patent/JPS5780704A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54154071A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-04 | Asahi Chemical Ind | Method of producing thick film resistance circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5780704A (en) | 1982-05-20 |
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