JPS6319957B2 - - Google Patents
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- JPS6319957B2 JPS6319957B2 JP56035330A JP3533081A JPS6319957B2 JP S6319957 B2 JPS6319957 B2 JP S6319957B2 JP 56035330 A JP56035330 A JP 56035330A JP 3533081 A JP3533081 A JP 3533081A JP S6319957 B2 JPS6319957 B2 JP S6319957B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- output
- magnetic bubble
- magnetic
- bubble
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 8
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0866—Detecting magnetic domains
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ用出力検出回路、特
に信号対雑音比の低い出力信号を取り出し可能に
した磁気バブルメモリ出力検出回路に関するもの
である。
に信号対雑音比の低い出力信号を取り出し可能に
した磁気バブルメモリ出力検出回路に関するもの
である。
一般に磁気バブルメモリは、磁性薄膜よりなる
磁気バブルメモリ素子に磁気バブルを発生させ、
この磁気バブルの有無によつて情報を記憶するも
のである。そして、この磁気バブルの有無、つま
りバブル出力の検出は、磁気バブルメモリ素子に
回転磁界を加えることによつて転送パターンに沿
つて磁気バブルを移動させ、磁気バブルメモリ素
子の一部に設けられているデイテクタに磁気バブ
ルが通過することによつて生ずるデイテクタの抵
抗変化を利用してバブル出力を検出している。
磁気バブルメモリ素子に磁気バブルを発生させ、
この磁気バブルの有無によつて情報を記憶するも
のである。そして、この磁気バブルの有無、つま
りバブル出力の検出は、磁気バブルメモリ素子に
回転磁界を加えることによつて転送パターンに沿
つて磁気バブルを移動させ、磁気バブルメモリ素
子の一部に設けられているデイテクタに磁気バブ
ルが通過することによつて生ずるデイテクタの抵
抗変化を利用してバブル出力を検出している。
第１図は従来一般に用いられている磁気バブル
メモリ素子の出力検出回路の一例を示す回路図で
ある。同図において、１は磁性薄膜よりなる磁気
バブルメモリ素子、２ａは磁気バブルメモリ素子
１の図示しない転送路に設けられたデイテクタ、
２ｂは同一メモリ素子１の一部に設けられたダミ
ー用のデイテクタであつて、この両デイテクタ２
ａ，２ｂはその一端が共通接続されてアースに接
地されている。３ａ，３ｂはデイテクタ２ａ，２
ｂの抵抗変化を検出するための一定電流をそれぞ
れ流すため定電流電源、４は各デイテクタ２ａ，
２ｂの電気抵抗値の変化に対応する両端電位の変
化分を増幅する前置増幅回路、５は外部からの直
流再生信号WSTにより増幅された電位変化からバ
ブル信号変化分に直流再生させる直流再生回路、
６は直流再生出力を外部から加えられるストロー
プパルスNSTにより“１”，“０”信号に弁別する
弁別回路である。
メモリ素子の出力検出回路の一例を示す回路図で
ある。同図において、１は磁性薄膜よりなる磁気
バブルメモリ素子、２ａは磁気バブルメモリ素子
１の図示しない転送路に設けられたデイテクタ、
２ｂは同一メモリ素子１の一部に設けられたダミ
ー用のデイテクタであつて、この両デイテクタ２
ａ，２ｂはその一端が共通接続されてアースに接
地されている。３ａ，３ｂはデイテクタ２ａ，２
ｂの抵抗変化を検出するための一定電流をそれぞ
れ流すため定電流電源、４は各デイテクタ２ａ，
２ｂの電気抵抗値の変化に対応する両端電位の変
化分を増幅する前置増幅回路、５は外部からの直
流再生信号WSTにより増幅された電位変化からバ
ブル信号変化分に直流再生させる直流再生回路、
６は直流再生出力を外部から加えられるストロー
プパルスNSTにより“１”，“０”信号に弁別する
弁別回路である。
このように構成された磁気バブル出力検出回路
において、前置増幅回路４から出力された第２図
ａに示すバブル出力S1，S2，S3は相互に全く同等
のバブル出力変化分であるにもかかわらず、同図
ｂに示したような直流再生信号WSTをかけると、
同図ａに示したバブル出力S1，S2，S3の出力波形
が時間的にタイミングがずれることにより、直流
再生回路５による直流再生後の出力波形は、同図
ｃにS1′，S2′，S3′で示したように出力波形がピー
ク位置からずれた分だけ直流再生後の出力は小さ
くなる。
において、前置増幅回路４から出力された第２図
ａに示すバブル出力S1，S2，S3は相互に全く同等
のバブル出力変化分であるにもかかわらず、同図
ｂに示したような直流再生信号WSTをかけると、
同図ａに示したバブル出力S1，S2，S3の出力波形
が時間的にタイミングがずれることにより、直流
再生回路５による直流再生後の出力波形は、同図
ｃにS1′，S2′，S3′で示したように出力波形がピー
ク位置からずれた分だけ直流再生後の出力は小さ
くなる。
これは同図ａに示すバブル出力S1，S2，S3の波
形は、回転磁界強度の異変、デイテクタに使用す
る磁性体の微妙な変動または製造工程の変動（バ
ラツキ）等の影響を受けて大きく変動を受けてい
た。そして、このような欠点を改善したものとし
ては、直流再生のタイミングを出力波形のピーク
位置にかけることなどが提案されているが、やは
り上述した原因による影響を完全に吸収すること
ができず、全ての磁気バブルメモリデバイスにわ
たつて常時一定値の出力波形を期待することは極
めて困難であつた。
形は、回転磁界強度の異変、デイテクタに使用す
る磁性体の微妙な変動または製造工程の変動（バ
ラツキ）等の影響を受けて大きく変動を受けてい
た。そして、このような欠点を改善したものとし
ては、直流再生のタイミングを出力波形のピーク
位置にかけることなどが提案されているが、やは
り上述した原因による影響を完全に吸収すること
ができず、全ての磁気バブルメモリデバイスにわ
たつて常時一定値の出力波形を期待することは極
めて困難であつた。
したがつて本発明は、出力検出回路に出力波形
のピーク電圧を保持する回路を設けることによつ
て、バブル出力波形の位相がずれた場合にも常に
出力最大値を取り出すようにして信号対雑音比の
高い検出信号が得られる磁気バブルメモリ用出力
検出回路を提供することを目的としている。
のピーク電圧を保持する回路を設けることによつ
て、バブル出力波形の位相がずれた場合にも常に
出力最大値を取り出すようにして信号対雑音比の
高い検出信号が得られる磁気バブルメモリ用出力
検出回路を提供することを目的としている。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第３図は本発明による磁気バブルメモリ用出力
検出回路の一例を説明するための要部回路図であ
り、第１図と同記号は同一要素となるのでその説
明は省略する。第３図において、直流再生回路５
の出力端には、直流再生時の細コモンモードノイ
ズの低減させる増幅回路７が接続され、この増幅
回路７の出力端には増幅回路７から出力される直
流再生出力波形の直流再生時間内の最大電圧値を
一定時間保持するピーク電圧保持回路８が接続さ
れている。そして、このピーク電圧保持回路８は
増幅回路７の出力を忠実に電流増幅するエミツタ
フオロワ回路８ａと、電圧波形のピーク値を一定
時間保持するピークホールド回路８ｂと、上記エ
ミツタフオロワ回路８ａ、ピークホールド回路８
ｂに所定のバイアスを与えるバイアス回路８ｃ
と、ピークホールド回路８ｂを一定保持時間後解
除するデイスチヤージ回路８ｄとから構成され、
このピークホールド回路８ｂは、バブル出力波形
の正電圧のピーク位置から負電圧のピーク位置ま
で、すなわち回転磁界の100KHz動作では500ns〜
1μSの間、ほぼ同電位を保持するように時定数を
選定することによつて電圧の保持時間が決定され
ている。また、このピーク電圧保持回路８の出力
端には前記弁別回路６が接続されている。すなわ
ち弁別回路６の入力端６ａにはエミツタフオロワ
回路８ａ、他方の入力端６ｂにはピークホールド
回路８ｂの出力端がそれぞれ接続されている。
検出回路の一例を説明するための要部回路図であ
り、第１図と同記号は同一要素となるのでその説
明は省略する。第３図において、直流再生回路５
の出力端には、直流再生時の細コモンモードノイ
ズの低減させる増幅回路７が接続され、この増幅
回路７の出力端には増幅回路７から出力される直
流再生出力波形の直流再生時間内の最大電圧値を
一定時間保持するピーク電圧保持回路８が接続さ
れている。そして、このピーク電圧保持回路８は
増幅回路７の出力を忠実に電流増幅するエミツタ
フオロワ回路８ａと、電圧波形のピーク値を一定
時間保持するピークホールド回路８ｂと、上記エ
ミツタフオロワ回路８ａ、ピークホールド回路８
ｂに所定のバイアスを与えるバイアス回路８ｃ
と、ピークホールド回路８ｂを一定保持時間後解
除するデイスチヤージ回路８ｄとから構成され、
このピークホールド回路８ｂは、バブル出力波形
の正電圧のピーク位置から負電圧のピーク位置ま
で、すなわち回転磁界の100KHz動作では500ns〜
1μSの間、ほぼ同電位を保持するように時定数を
選定することによつて電圧の保持時間が決定され
ている。また、このピーク電圧保持回路８の出力
端には前記弁別回路６が接続されている。すなわ
ち弁別回路６の入力端６ａにはエミツタフオロワ
回路８ａ、他方の入力端６ｂにはピークホールド
回路８ｂの出力端がそれぞれ接続されている。
このように構成された出力検出回路によれば、
直流再生回路５と弁別回路６間に出力電圧のピー
ク電圧保持回路８を設けたことによつて、直流再
生回路５、増幅回路７から出力される第４図ａに
示すバブル出力S1，S2，S3がこのピーク電圧保持
回路８に入力されると、この保持回路８の出力
端、すなわち弁別回路６の各入力端６ａ，６ｂに
はそれぞれエミツタフオロワ回路８ａの出力、ピ
ークホールド回路８ｂの出力が入力される。この
場合、エミツタフオロワ回路８ａの出力は第４図
ａに示したバブル出力S1，S2，S3に対して同図ｃ
にS10，S20，S30で示す出力電圧の波形が出力さ
れ、一方ピークホールド回路８ｂの出力は第４図
ａに示したバブル出力S1，S2，S3に対して同図ｃ
にS10′，S20′，S30′で示す出力電圧の波形が出力さ
れる。したがつて、第４図ａに示すバブル出力
S1，S2，S3の同一の電圧変化に対して弁別回路６
の入力としては｜S10−S10′｜，｜S20−S20′｜，｜
S30−S30′｜と同一の電圧が得られることになり、
信号対雑音比の高い“１”，“０”弁別が可能とな
る。
直流再生回路５と弁別回路６間に出力電圧のピー
ク電圧保持回路８を設けたことによつて、直流再
生回路５、増幅回路７から出力される第４図ａに
示すバブル出力S1，S2，S3がこのピーク電圧保持
回路８に入力されると、この保持回路８の出力
端、すなわち弁別回路６の各入力端６ａ，６ｂに
はそれぞれエミツタフオロワ回路８ａの出力、ピ
ークホールド回路８ｂの出力が入力される。この
場合、エミツタフオロワ回路８ａの出力は第４図
ａに示したバブル出力S1，S2，S3に対して同図ｃ
にS10，S20，S30で示す出力電圧の波形が出力さ
れ、一方ピークホールド回路８ｂの出力は第４図
ａに示したバブル出力S1，S2，S3に対して同図ｃ
にS10′，S20′，S30′で示す出力電圧の波形が出力さ
れる。したがつて、第４図ａに示すバブル出力
S1，S2，S3の同一の電圧変化に対して弁別回路６
の入力としては｜S10−S10′｜，｜S20−S20′｜，｜
S30−S30′｜と同一の電圧が得られることになり、
信号対雑音比の高い“１”，“０”弁別が可能とな
る。
以上説明したように本発明による磁気バブルメ
モリ用出力検出回路によれば、磁気バルブメモリ
素子に与える回転磁界強度の異変、デイテクタに
用いる磁性体の微妙な変動（バラツキ）または磁
気バブルメモリ素子の製造工程の変動等の影響が
生じても良好に磁気バブル出力波形のピーク値を
保持して信号対雑音比の高い検出信号を得ること
ができるので、磁気バブルメモリ装置の信頼性お
よび品質性等を顕著に向上させることができると
いう極めて優れた効果が得られた。
モリ用出力検出回路によれば、磁気バルブメモリ
素子に与える回転磁界強度の異変、デイテクタに
用いる磁性体の微妙な変動（バラツキ）または磁
気バブルメモリ素子の製造工程の変動等の影響が
生じても良好に磁気バブル出力波形のピーク値を
保持して信号対雑音比の高い検出信号を得ること
ができるので、磁気バブルメモリ装置の信頼性お
よび品質性等を顕著に向上させることができると
いう極めて優れた効果が得られた。
第１図は従来の磁気バブルメモリ用出力検出回
路の一例を示す要部回路図、第２図は第１図を説
明するための電圧波形タイミング図、第３図は本
発明による磁気バブルメモリ用出力検出回路の一
例を示す要部回路図、第４図は第３図を説明する
ための電圧波形タイミング図である。 １……磁気バブルメモリ素子、２ａ，２ｂ……
デイテクタ、３ａ，３ｂ……定電流電源、４……
前置増幅回路、５……直流再生回路、６……弁別
回路、７……増幅回路、８……ピーク電圧保持回
路、８ａ……エミツタフオロワ回路、８ｂ……ピ
ークホールド回路、８ｃ……バイアス回路、８ｄ
……デイスチヤージ回路。
路の一例を示す要部回路図、第２図は第１図を説
明するための電圧波形タイミング図、第３図は本
発明による磁気バブルメモリ用出力検出回路の一
例を示す要部回路図、第４図は第３図を説明する
ための電圧波形タイミング図である。 １……磁気バブルメモリ素子、２ａ，２ｂ……
デイテクタ、３ａ，３ｂ……定電流電源、４……
前置増幅回路、５……直流再生回路、６……弁別
回路、７……増幅回路、８……ピーク電圧保持回
路、８ａ……エミツタフオロワ回路、８ｂ……ピ
ークホールド回路、８ｃ……バイアス回路、８ｄ
……デイスチヤージ回路。
Claims (1)
- １ 磁気抵抗効果を利用した磁気バブル検出器を
有する磁気バブルメモリ素子と、上記磁気バブル
検出器からの検出信号のピーク値を保持するピー
クホールド回路と、該ピークホールド回路を経由
した上記磁気バブル検出器からの検出信号と、該
ピークホールド回路を経由しない上記磁気バブル
検出器からの検出信号とを比較して比較結果を論
理信号にして出力する弁別回路とを具備して成る
ことを特徴とする磁気バブルメモリ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56035330A JPS57150182A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Output detecting circuit for magnetic bubble memory |
| US06/356,641 US4498153A (en) | 1981-03-13 | 1982-03-10 | Output signal detectors of magnetic bubble memory devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56035330A JPS57150182A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Output detecting circuit for magnetic bubble memory |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57150182A JPS57150182A (en) | 1982-09-16 |
| JPS6319957B2 true JPS6319957B2 (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=12438811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56035330A Granted JPS57150182A (en) | 1981-03-13 | 1981-03-13 | Output detecting circuit for magnetic bubble memory |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4498153A (ja) |
| JP (1) | JPS57150182A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53140941A (en) * | 1977-05-16 | 1978-12-08 | Hitachi Ltd | Read-in system |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4318186A (en) * | 1980-06-23 | 1982-03-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Magnetic bubble memory with detector |
| US4369501A (en) * | 1981-06-25 | 1983-01-18 | International Business Machines Corporation | Dual cycle data detection system and method for bubble memories |
-
1981
- 1981-03-13 JP JP56035330A patent/JPS57150182A/ja active Granted
-
1982
- 1982-03-10 US US06/356,641 patent/US4498153A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53140941A (en) * | 1977-05-16 | 1978-12-08 | Hitachi Ltd | Read-in system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57150182A (en) | 1982-09-16 |
| US4498153A (en) | 1985-02-05 |
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