JPH0487003A - 磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路Info
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- JPH0487003A JPH0487003A JP20151390A JP20151390A JPH0487003A JP H0487003 A JPH0487003 A JP H0487003A JP 20151390 A JP20151390 A JP 20151390A JP 20151390 A JP20151390 A JP 20151390A JP H0487003 A JPH0487003 A JP H0487003A
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- Japan
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- circuit
- magnetoresistive element
- signal
- magneto
- collector
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路に関し、信号検出回
路の簡素化と、かつ信号対雑音比の向上を図ることを目
的とし 磁気記録媒体に記録された信号を、磁気抵抗効果素子を
用いたヘッドにより検出する信号検出回路において、該
磁気抵抗効果素子を、該磁気抵抗効果素子にバイアス電
流を供給するトランジスタ回路のエミッタ端子と定電流
源との間に直列に接続し、該磁気抵抗効果素子による検
出信号を該トランジスタ回路のコレクタ端子とコレクタ
抵抗との共通接点から取り出すように構成する。
路の簡素化と、かつ信号対雑音比の向上を図ることを目
的とし 磁気記録媒体に記録された信号を、磁気抵抗効果素子を
用いたヘッドにより検出する信号検出回路において、該
磁気抵抗効果素子を、該磁気抵抗効果素子にバイアス電
流を供給するトランジスタ回路のエミッタ端子と定電流
源との間に直列に接続し、該磁気抵抗効果素子による検
出信号を該トランジスタ回路のコレクタ端子とコレクタ
抵抗との共通接点から取り出すように構成する。
本発明は磁気抵抗効果素子を用いたヘッドの信号検出回
路に関する。
路に関する。
周知のように、磁気抵抗効果とは半導体に外部から磁界
を印加すると抵抗値が変化する効果をいう。この性質を
利用した磁気ヘッドを磁気抵抗効果ヘッドと称し、情報
処理装置の読取／書込みヘッド等に広く利用されている
。
を印加すると抵抗値が変化する効果をいう。この性質を
利用した磁気ヘッドを磁気抵抗効果ヘッドと称し、情報
処理装置の読取／書込みヘッド等に広く利用されている
。
第３図は従来の磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路であ
る。図中、１は磁気抵抗効果素子（ＭＲ）、２はトラン
ジスタ、３はエミッタ抵抗（Ｒｅ）、５は差動増幅器（
ＡＭＰ） 、６はベース・バイアス電圧回路である。
る。図中、１は磁気抵抗効果素子（ＭＲ）、２はトラン
ジスタ、３はエミッタ抵抗（Ｒｅ）、５は差動増幅器（
ＡＭＰ） 、６はベース・バイアス電圧回路である。
図示のように、磁気抵抗効果素子を２個用いて差動型に
構成しており、磁気抵抗効果素子１をトランジスタ回路
２のコレクタと接地（ＧＮＤ）間に、エミッタ抵抗３を
各エミッタと電源（Ｖｅｅ）間に接続している。
構成しており、磁気抵抗効果素子１をトランジスタ回路
２のコレクタと接地（ＧＮＤ）間に、エミッタ抵抗３を
各エミッタと電源（Ｖｅｅ）間に接続している。
磁気抵抗効果素子１には、磁束の変化による抵抗値の変
化を電圧の変化として検出するためにバイアス電流を供
給する必要がある。その方法として、上述のようにコレ
クタ側に磁気抵抗効果素子１を接続し、かつ磁気抵抗効
果素子ｌからの検出信号をコレクタから出力するように
している。
化を電圧の変化として検出するためにバイアス電流を供
給する必要がある。その方法として、上述のようにコレ
クタ側に磁気抵抗効果素子１を接続し、かつ磁気抵抗効
果素子ｌからの検出信号をコレクタから出力するように
している。
そして、差動型のトランジスタ回路２は、増幅機能より
もむしろこの磁気抵抗効果素子に対しバイアス電流を供
給する機能が大きく、磁気抵抗効果素子１が検圧した微
小検出信号はコレクタに接続された差動増幅器５により
増幅するようになっている。
もむしろこの磁気抵抗効果素子に対しバイアス電流を供
給する機能が大きく、磁気抵抗効果素子１が検圧した微
小検出信号はコレクタに接続された差動増幅器５により
増幅するようになっている。
また、磁気抵抗効果素子１から検出された信号は微小信
号であるから、増幅される以前の段階でノイズの混入を
極力回避しなければならなし）。そこで、図示のように
、このトランジスタ回路２ではエミッタ側に磁気抵抗効
果素子１の抵抗値に等しい抵抗３を接続して信号対雑音
比の悪化を防止している。
号であるから、増幅される以前の段階でノイズの混入を
極力回避しなければならなし）。そこで、図示のように
、このトランジスタ回路２ではエミッタ側に磁気抵抗効
果素子１の抵抗値に等しい抵抗３を接続して信号対雑音
比の悪化を防止している。
ところで、磁気抵抗効果素子の抵抗値は数十Ωである。
従って、エミッタ抵抗値も小さくなり、増幅度も小さく
なるので次段に別個の差動増幅器５が必要になる。
なるので次段に別個の差動増幅器５が必要になる。
この場合、エミッタ抵抗は値が低いたｔにその相対精度
も悪化する。従って、電源電圧Ｖｅｅにに変動が生じた
ときにトランジスタ回路２に流れるバイアス電流に変動
を生じ、その結果、磁気抵抗効果素子が磁束の変化を電
圧の変化として出力するレベルと同程度の変動を、磁気
抵抗効果素子１に与えてしまい、その結果、リードアン
プ回路の出力にこれらの変動がノイズとして現れる問題
を生じていた。
も悪化する。従って、電源電圧Ｖｅｅにに変動が生じた
ときにトランジスタ回路２に流れるバイアス電流に変動
を生じ、その結果、磁気抵抗効果素子が磁束の変化を電
圧の変化として出力するレベルと同程度の変動を、磁気
抵抗効果素子１に与えてしまい、その結果、リードアン
プ回路の出力にこれらの変動がノイズとして現れる問題
を生じていた。
本発明の目的は、回路構成を簡素化し、かつ信号対雑音
比を向上させた磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路を提
供することにある。
比を向上させた磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路を提
供することにある。
第１図は本発明の基本構成図である。前述と同様に、１
は磁気抵抗効果素子、２はトランジスタ回路である。そ
して、４はコレクタ抵抗（Ｒｃ）、７は定電流源である
。図示のように、本発明の回路構成は磁気抵抗効果素子
１をトランジスタ回路２の各エミッタと定電流源７の間
に直列に接続し、磁気抵抗効果素子１が検出した信号を
コレクタ側から出力するようにしたことを特徴とする。
は磁気抵抗効果素子、２はトランジスタ回路である。そ
して、４はコレクタ抵抗（Ｒｃ）、７は定電流源である
。図示のように、本発明の回路構成は磁気抵抗効果素子
１をトランジスタ回路２の各エミッタと定電流源７の間
に直列に接続し、磁気抵抗効果素子１が検出した信号を
コレクタ側から出力するようにしたことを特徴とする。
定電流源７はトランジスタ回路２に安定した電流を供給
するために設けられる。
するために設けられる。
このように、本発明によれば、磁気抵抗効果ヘッドの信
号検出回路の構成において、磁気抵抗効果素子１のバイ
アス回路と、磁気抵抗効果素子１からの検出信号の増幅
を同一回路で達成することができので、回路構成の簡素
化と、磁気抵抗効果素子の信号対雑音比を大幅に向上さ
せることができる。
号検出回路の構成において、磁気抵抗効果素子１のバイ
アス回路と、磁気抵抗効果素子１からの検出信号の増幅
を同一回路で達成することができので、回路構成の簡素
化と、磁気抵抗効果素子の信号対雑音比を大幅に向上さ
せることができる。
５作用〕
このような構成によって、トランジスタ回路２は定電流
源７により磁気抵抗効果素子１に対しバイアス電流を供
給すると同時に、磁気抵抗効果素子１が検出した微小信
号を直ちにトランジスタ回路２による差動増幅回路によ
り増幅するものである。
源７により磁気抵抗効果素子１に対しバイアス電流を供
給すると同時に、磁気抵抗効果素子１が検出した微小信
号を直ちにトランジスタ回路２による差動増幅回路によ
り増幅するものである。
このように、磁気抵抗効果素子１をトランジスタ回路２
のエミッタと定電流源７の間に直列に接続するので、磁
気抵抗効果素子ｌの両端の電圧を一定にし、磁気抵抗効
果素子１からの微小信号出力を安定した状態で取りａす
ことができ、かつ次段に従来のように別途の差動増幅器
を設ける必要もないのでリードアンプ回路を簡素化する
ことができる。
のエミッタと定電流源７の間に直列に接続するので、磁
気抵抗効果素子ｌの両端の電圧を一定にし、磁気抵抗効
果素子１からの微小信号出力を安定した状態で取りａす
ことができ、かつ次段に従来のように別途の差動増幅器
を設ける必要もないのでリードアンプ回路を簡素化する
ことができる。
：実施例〕
第２図は本発明の一実施例構成図である。第１図と同一
部品には同一番号を付しである。８は定電流源としての
トランジスタである。図示のように、トランジスタ回路
２の各エミッタに磁気抵抗効果素子１の一方を接続し、
他方をトランジスタ８のコレクタに共通接続する。
部品には同一番号を付しである。８は定電流源としての
トランジスタである。図示のように、トランジスタ回路
２の各エミッタに磁気抵抗効果素子１の一方を接続し、
他方をトランジスタ８のコレクタに共通接続する。
また、トランジスタ回路２のベースにはバイアス電圧が
加えられるが、本実施例では回路構成を簡素化するため
に接地レベルをバイアス電圧としている。トランジスタ
回路２のコレクタ側にはコレクタ抵抗（Ｒｃ）が電源（
Ｖｃｃ）との間に接続される。出力はコレクタとコレク
タ抵抗４の共通接点から得る。
加えられるが、本実施例では回路構成を簡素化するため
に接地レベルをバイアス電圧としている。トランジスタ
回路２のコレクタ側にはコレクタ抵抗（Ｒｃ）が電源（
Ｖｃｃ）との間に接続される。出力はコレクタとコレク
タ抵抗４の共通接点から得る。
このような構成において、トランジスタ回路２には定電
流源としてのトランジスタ８により安定した電流が流れ
るので、この電流を磁気抵抗効果素子１のバイアス電流
として用い、さらにコレクタ抵抗４を適切な値に設定す
ることにより磁気抵抗効果素子１の検出信号は差動型の
トランジスタ回路２で増幅される。
流源としてのトランジスタ８により安定した電流が流れ
るので、この電流を磁気抵抗効果素子１のバイアス電流
として用い、さらにコレクタ抵抗４を適切な値に設定す
ることにより磁気抵抗効果素子１の検出信号は差動型の
トランジスタ回路２で増幅される。
この信号検出回路ではトランジスタ回路２と定電流源７
より、磁気抵抗効果素子１の両端電圧が一定となるので
電源電圧が変動したとしても磁気抵抗効果素子１の出力
が安定して得られ、その結果、ノイズを大幅に低減する
ことができ信号対雑音比を大幅に向上させることができ
る。
より、磁気抵抗効果素子１の両端電圧が一定となるので
電源電圧が変動したとしても磁気抵抗効果素子１の出力
が安定して得られ、その結果、ノイズを大幅に低減する
ことができ信号対雑音比を大幅に向上させることができ
る。
以上の説明では、磁気抵抗効果素子を差動型に構成した
が、本発明は磁気抵抗効果素子の数を限定するものでは
なく、例えば磁気抵抗効果素子が単一の場合をも包含す
るものである。
が、本発明は磁気抵抗効果素子の数を限定するものでは
なく、例えば磁気抵抗効果素子が単一の場合をも包含す
るものである。
口発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、磁気抵抗効果ヘ
ッドの信号検出回路の構成において、磁気抵抗効果素子
のバイアス回路と、磁気抵抗効果素子かあの検出信号の
増幅を同一回路で達成することができので、回路構成の
簡素化と、磁気抵抗効果素子の信号対雑音比を大幅に向
上させることができる。
ッドの信号検出回路の構成において、磁気抵抗効果素子
のバイアス回路と、磁気抵抗効果素子かあの検出信号の
増幅を同一回路で達成することができので、回路構成の
簡素化と、磁気抵抗効果素子の信号対雑音比を大幅に向
上させることができる。
第１図は本発明の基本構成図、
第２図は本発明の一実施例構成図、及び第３図は従来の
構成図である。 （符号の説明） １・・・磁気抵抗効果素子、 ２・・・トランジスタ回路、 ３・・・エミッタ抵抗、 ４・・・コレクタ抵抗、 ５・・・差動増幅器、 ６・・・バイアス電源、 ７・・・定電流源、 訃・・トランジスタ。
構成図である。 （符号の説明） １・・・磁気抵抗効果素子、 ２・・・トランジスタ回路、 ３・・・エミッタ抵抗、 ４・・・コレクタ抵抗、 ５・・・差動増幅器、 ６・・・バイアス電源、 ７・・・定電流源、 訃・・トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気記録媒体に記録された信号を、磁気抵抗効果素
子を用いたヘッドにより検出する信号検出回路において
、 該磁気抵抗効果素子（１）を、該磁気抵抗効果素子（１
）にバイアス電流を供給するトランジスタ回路（２）の
エミッタ端子と定電流源（７）との間に直列に接続し、
該磁気抵抗効果素子（１）による検出信号を該トランジ
スタ回路（２）のコレクタ端子とコレクタ抵抗（４）と
の共通接点から取り出すようにしたことを特徴とする磁
気抵抗効果ヘッドの信号検出回路。 ２、該トランジスタ回路（２）が差動型である請求項１
に記載の信号検出回路。 ３、該定電流源がトランジスタ（８）である請求項１に
記載の信号検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20151390A JPH0487003A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20151390A JPH0487003A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0487003A true JPH0487003A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16442291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20151390A Pending JPH0487003A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0487003A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189803A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘツドの信号検出方式 |
| JPS6040504A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-02 | Hitachi Ltd | 抵抗変化検出回路 |
| JPS62245503A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20151390A patent/JPH0487003A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58189803A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘツドの信号検出方式 |
| JPS6040504A (ja) * | 1983-08-15 | 1985-03-02 | Hitachi Ltd | 抵抗変化検出回路 |
| JPS62245503A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
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