JPS6040504A - 抵抗変化検出回路 - Google Patents
抵抗変化検出回路Info
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- JPS6040504A JPS6040504A JP14808283A JP14808283A JPS6040504A JP S6040504 A JPS6040504 A JP S6040504A JP 14808283 A JP14808283 A JP 14808283A JP 14808283 A JP14808283 A JP 14808283A JP S6040504 A JPS6040504 A JP S6040504A
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、外部要因により自身の抵抗が変化する素子、
たとえば磁気抵抗効果型素子の抵抗変化を検出する回路
に関する。
たとえば磁気抵抗効果型素子の抵抗変化を検出する回路
に関する。
圧力、熱、磁界などの外部要因により自身の抵抗が変化
する抵抗変化素子の中に磁気抵抗効果型素子がある。こ
の磁気抵抗効果型素子は、外部磁界により比抵抗が変化
する素子であり、磁気カード読取機、磁気テープ、磁気
ディスクの磁気記憶装置等の読取用ヘッドとして用いら
れる。
する抵抗変化素子の中に磁気抵抗効果型素子がある。こ
の磁気抵抗効果型素子は、外部磁界により比抵抗が変化
する素子であり、磁気カード読取機、磁気テープ、磁気
ディスクの磁気記憶装置等の読取用ヘッドとして用いら
れる。
たとえば磁気抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗変化検出回路
としては、第1図に示す回路がある(特開昭52−13
5706)。第1図において1は2端子型磁気抵抗効果
屋磁気ヘツドであり、2はセンス電流源である。磁気抵
抗効果型磁気ヘッド1にはセンス電流源2による電流が
流され、記憶媒体上の磁化からの漏れ磁界が変化するこ
とによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッド1の抵抗値が変
化し、磁界の変化に応じた高周波信号電圧となって、派
生電圧源13を通って前置増幅器7により増幅さる。こ
のとき磁気抵抗効果型磁気ヘッド1に流れるセンス電流
IMRは、磁気ヘッド1自体の抵抗値RMRとの積で発
生する電圧IMR−RMRが派生電圧源130派生電圧
Vosと等しくなるように前置増幅器7およびフィード
バック回路19によって制御される。
としては、第1図に示す回路がある(特開昭52−13
5706)。第1図において1は2端子型磁気抵抗効果
屋磁気ヘツドであり、2はセンス電流源である。磁気抵
抗効果型磁気ヘッド1にはセンス電流源2による電流が
流され、記憶媒体上の磁化からの漏れ磁界が変化するこ
とによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッド1の抵抗値が変
化し、磁界の変化に応じた高周波信号電圧となって、派
生電圧源13を通って前置増幅器7により増幅さる。こ
のとき磁気抵抗効果型磁気ヘッド1に流れるセンス電流
IMRは、磁気ヘッド1自体の抵抗値RMRとの積で発
生する電圧IMR−RMRが派生電圧源130派生電圧
Vosと等しくなるように前置増幅器7およびフィード
バック回路19によって制御される。
この回路では、磁気抵抗効果型磁気ヘッド1の一端子9
が交流的な接地であるのに対し、もう一方の端子8が高
インピーダンスの信号ラインとなるため、磁気ヘッド1
0両端子に加わる外来ノイズに対しては、端子9に対し
て端子8に雑音が加わり易く、雑音が差動成分として残
り、信号のS/Nが低下する。また派生電圧Vosは、
実施例では前置増幅器7の入力部分のトランジスタを異
なるエミッタ電流でバイアスすることによってベース・
エミッタ間電圧VBEO差として得ており、このために
大きなVosを得るのが難しい、などの欠点があった。
が交流的な接地であるのに対し、もう一方の端子8が高
インピーダンスの信号ラインとなるため、磁気ヘッド1
0両端子に加わる外来ノイズに対しては、端子9に対し
て端子8に雑音が加わり易く、雑音が差動成分として残
り、信号のS/Nが低下する。また派生電圧Vosは、
実施例では前置増幅器7の入力部分のトランジスタを異
なるエミッタ電流でバイアスすることによってベース・
エミッタ間電圧VBEO差として得ており、このために
大きなVosを得るのが難しい、などの欠点があった。
本発明の目的は、広帯域な大規模集積回路化に適し、か
つ抵抗変化素子に流れる電流の電流密度を一定に保って
抵抗変化素子の長寿命化を図るとともに、耐外来ノイズ
性に優れた抵抗変化検出回路を提供することにある。
つ抵抗変化素子に流れる電流の電流密度を一定に保って
抵抗変化素子の長寿命化を図るとともに、耐外来ノイズ
性に優れた抵抗変化検出回路を提供することにある。
本発明では、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの両端に、ベー
ス電位を異ならせた1対のベース接地トランジスタのエ
ミッタ端子を接続し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの両端
の電位を一定に保つ。従って磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の抵抗値が変化しても電流密度は初期値と変わらない。
ス電位を異ならせた1対のベース接地トランジスタのエ
ミッタ端子を接続し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの両端
の電位を一定に保つ。従って磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の抵抗値が変化しても電流密度は初期値と変わらない。
また、記憶媒体上の漏れ磁界が変化することによる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗値の変化は、流れる電流値
の変化となって現われ、これは前記一対のベース接地ト
ランジスタのコレクタ電流の互いに逆位相の変化となる
。この際、電流の供給はインピーダンスの高い電流源で
行なうので、磁気抵抗効果屋磁気ヘッド両端のインピー
ダンスは等しく、差動増幅が可能となる。従って同相の
外来ノイズが除去でき、信号の8/Nを良くすることが
できる。
抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗値の変化は、流れる電流値
の変化となって現われ、これは前記一対のベース接地ト
ランジスタのコレクタ電流の互いに逆位相の変化となる
。この際、電流の供給はインピーダンスの高い電流源で
行なうので、磁気抵抗効果屋磁気ヘッド両端のインピー
ダンスは等しく、差動増幅が可能となる。従って同相の
外来ノイズが除去でき、信号の8/Nを良くすることが
できる。
以下、本発明の一実施例を第2図により説明する。第2
図において、1は磁気抵抗効果型磁気ヘッド、13.1
4は1対のベース接地トランジスタ、15.16は負荷
抵抗、7は前置増幅器、2はトランジスタ17とエミッ
タ抵抗18からなる電流源、および19は、端子9,1
0の直流電位が等しくなるように電流源2を端子21で
制御するフィードバック回路であり例えば差動増幅回路
とローパスフィルタから構成される。第2図において、
磁気抵抗効果型磁気ヘッド1の初期値をRMus電流値
をIMRsペース接地トランジスタ13.14のコレク
タ負荷抵抗15.16をRc 。
図において、1は磁気抵抗効果型磁気ヘッド、13.1
4は1対のベース接地トランジスタ、15.16は負荷
抵抗、7は前置増幅器、2はトランジスタ17とエミッ
タ抵抗18からなる電流源、および19は、端子9,1
0の直流電位が等しくなるように電流源2を端子21で
制御するフィードバック回路であり例えば差動増幅回路
とローパスフィルタから構成される。第2図において、
磁気抵抗効果型磁気ヘッド1の初期値をRMus電流値
をIMRsペース接地トランジスタ13.14のコレク
タ負荷抵抗15.16をRc 。
各々のコレクタ電流eIt、I* とする。
ベース接地トランジスタ13.14(Dベース電位は各
々電源Vr s f+、 Vr e f−に接続される
。また、フィードバック回路19の出力21(電位Vn
)は、電流源トランジスタ17のコレクタ’を流Isを
制御しており、電流Isは接続点8からセンス回路系に
入力される。
々電源Vr s f+、 Vr e f−に接続される
。また、フィードバック回路19の出力21(電位Vn
)は、電流源トランジスタ17のコレクタ’を流Isを
制御しており、電流Isは接続点8からセンス回路系に
入力される。
以下、本実施例の動作を説明する。磁気抵抗効果型磁気
ヘッド10両端の電位差は、1対のベース接地トランジ
スタ13.14のエミッタ端子間電圧で決まり、常に一
定となる。従って磁気抵抗効果型磁気ヘッド1に流れる
電流IMRはトランジスタ13のコレクタ電流I!に等
しく、IMR= (Vrer”−Vrat−) /RM
R=11 (1)となる。
ヘッド10両端の電位差は、1対のベース接地トランジ
スタ13.14のエミッタ端子間電圧で決まり、常に一
定となる。従って磁気抵抗効果型磁気ヘッド1に流れる
電流IMRはトランジスタ13のコレクタ電流I!に等
しく、IMR= (Vrer”−Vrat−) /RM
R=11 (1)となる。
このときトランジスタ14のコレクタ電流■2は、フィ
ードバック回路19を通して前置増幅器7の入力端子9
.10の直流電位差が零となるように電流源2によって
制御される。負荷抵抗15゜16は共にRcと等しいの
で、コレクタ電流■2も11に等しくなるように、電流
源2の供給電流■3が Is =II +I2 =2 IMR(2)と制御され
る。
ードバック回路19を通して前置増幅器7の入力端子9
.10の直流電位差が零となるように電流源2によって
制御される。負荷抵抗15゜16は共にRcと等しいの
で、コレクタ電流■2も11に等しくなるように、電流
源2の供給電流■3が Is =II +I2 =2 IMR(2)と制御され
る。
いま、記憶媒体の磁化により磁気抵抗効果型磁気ヘッド
1の抵抗値がRMRから(BIMR+ΔRMR)に変化
した場合を考えると、磁気抵抗効果型磁気ヘッド1の両
端の電位差は、一対のベース接地トランジスタ13.1
4のそれぞれのエミッタで固定されているために電流が
IMRから(IMR十ΔIMR)に変化する。ここでΔ
IMRは ΔIMR= IMRX (ΔRMR/ RMR) (3
)である。このとき電流源2からの供給電流I3は変化
しないので、この電流変化は逆位相でトランジスタ14
のコレクタ電流■2の変化になってあられれる。すなわ
ち、 11=IMR+ΔI M n (4) I!=IMR−ΔI M R(5) である。従って前置増幅器7の入力端子間信号電圧は、
端子9.10の電位をそれぞれ、Vt +V2とすると
、 l VI V2 l=2ΔIMa−Rc (6)となる
。前置増幅器7の増幅率をGとすると式(3)より、回
路全体での信号出力振幅EOは、となる。
1の抵抗値がRMRから(BIMR+ΔRMR)に変化
した場合を考えると、磁気抵抗効果型磁気ヘッド1の両
端の電位差は、一対のベース接地トランジスタ13.1
4のそれぞれのエミッタで固定されているために電流が
IMRから(IMR十ΔIMR)に変化する。ここでΔ
IMRは ΔIMR= IMRX (ΔRMR/ RMR) (3
)である。このとき電流源2からの供給電流I3は変化
しないので、この電流変化は逆位相でトランジスタ14
のコレクタ電流■2の変化になってあられれる。すなわ
ち、 11=IMR+ΔI M n (4) I!=IMR−ΔI M R(5) である。従って前置増幅器7の入力端子間信号電圧は、
端子9.10の電位をそれぞれ、Vt +V2とすると
、 l VI V2 l=2ΔIMa−Rc (6)となる
。前置増幅器7の増幅率をGとすると式(3)より、回
路全体での信号出力振幅EOは、となる。
本実施例によれば、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの端子間
電圧は一対のベース接地トランジスタのベース電位差で
決まり一定であるために、磁気抵抗効果型磁気ヘッドが
たとえば摩耗などにより抵抗値が変化しても電流密度を
一定に保つことが可能である。また、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの記憶媒体からの磁界の変化による信号は差動入力
となり、同相の外来ノイズは除去できる。更に、フィー
ドバック回路によって、前置増幅器の入力端子間直流電
位差が零となるため、信号ラインの直流成分を除去する
ためのコンデンサは不要であり、回路の集積化が図れる
。
電圧は一対のベース接地トランジスタのベース電位差で
決まり一定であるために、磁気抵抗効果型磁気ヘッドが
たとえば摩耗などにより抵抗値が変化しても電流密度を
一定に保つことが可能である。また、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの記憶媒体からの磁界の変化による信号は差動入力
となり、同相の外来ノイズは除去できる。更に、フィー
ドバック回路によって、前置増幅器の入力端子間直流電
位差が零となるため、信号ラインの直流成分を除去する
ためのコンデンサは不要であり、回路の集積化が図れる
。
このときよく知られているようにトランジスタ13.1
4.17をそれぞれ複数個のトランジスタの並列接続を
することによって回路が発生するランダム性の雑音を小
さくすることが可能でおる。
4.17をそれぞれ複数個のトランジスタの並列接続を
することによって回路が発生するランダム性の雑音を小
さくすることが可能でおる。
また、高い周波数帯域で本実施例を適用する場合、接続
点20に微小電流を流した電流源を接続するか、あるい
は電流源2の出力容量と同容量のコンデンサで接地する
ことによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッド両端でのイン
ピーダンスの差を等しくなるように補正して、同相外来
ノイズの除去効果を高めることができることもあきらか
である。更には、本実施例では、前置増幅器70入力端
子9゜10から帰還しているが、前置増幅器7の出力端
子11.12から帰還しても、同様の効果が得られるこ
とはあきらかである。
点20に微小電流を流した電流源を接続するか、あるい
は電流源2の出力容量と同容量のコンデンサで接地する
ことによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッド両端でのイン
ピーダンスの差を等しくなるように補正して、同相外来
ノイズの除去効果を高めることができることもあきらか
である。更には、本実施例では、前置増幅器70入力端
子9゜10から帰還しているが、前置増幅器7の出力端
子11.12から帰還しても、同様の効果が得られるこ
とはあきらかである。
また第3図の実施例に示すように、第2図におけるフィ
ードバック回路19の出力端子21の帰還光をトランジ
スタ14のベースとし、トランジスタ17のベース電位
をVB r e fとすることによって、電流源2を2
・IMRの定電流源とする定電流センス源駆動の検出回
路が構成可能でおることもあきらかである。本実施例に
よれば、定電流源駆動で、耐外来ノイズ性の良好な検出
回路が実現できる。
ードバック回路19の出力端子21の帰還光をトランジ
スタ14のベースとし、トランジスタ17のベース電位
をVB r e fとすることによって、電流源2を2
・IMRの定電流源とする定電流センス源駆動の検出回
路が構成可能でおることもあきらかである。本実施例に
よれば、定電流源駆動で、耐外来ノイズ性の良好な検出
回路が実現できる。
以上詳述したように、本発明によれば、抵抗変化素子の
電流密度を一定に保てるので抵抗変化素(9) 子の長寿命化が図れ直流成分を除去するためのコンデン
サが不要となるため、集積化が容易となる。
電流密度を一定に保てるので抵抗変化素(9) 子の長寿命化が図れ直流成分を除去するためのコンデン
サが不要となるため、集積化が容易となる。
しかも抵抗変化素子両端のインピーダンスが等しく、差
動増幅が可能なため、同相の外来ノイズを除去する効果
がある。
動増幅が可能なため、同相の外来ノイズを除去する効果
がある。
第1図は従来の抵抗変化検出回路の回路図、第2図は、
本発明を適用した抵抗変化検出回路の一実施例の回路図
、第3図は、本発明の他の実施例の回路図である。 1・・・磁気抵抗効果型磁気ヘッド、2・・・定電流源
、3.4・・・直流電圧除去用コンデンサ、7・・・前
置増幅器、13.14・・・ベース接地トランジスタ、
(10) 第1頁の続き 0発明者 新井 紳−小[ −
本発明を適用した抵抗変化検出回路の一実施例の回路図
、第3図は、本発明の他の実施例の回路図である。 1・・・磁気抵抗効果型磁気ヘッド、2・・・定電流源
、3.4・・・直流電圧除去用コンデンサ、7・・・前
置増幅器、13.14・・・ベース接地トランジスタ、
(10) 第1頁の続き 0発明者 新井 紳−小[ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、外部要因により自身が持つ抵抗値が変化する抵抗変
化素子の抵抗変化分を検出する回路において、ベース電
位を異ならせた1対のベース接地トランジスタのエミッ
タ端子を前記抵抗変化素子の両端に接続して該抵抗変化
素子の両端の直流電位差を一定に保つ手段を持ち、該抵
抗変化素子の片側端子に電流源を接続して該抵抗変化素
子に流れる電流の経路を設け、前記1対のベース接地ト
ランジスタのコレクタ端子の各々と電源の間に負荷抵抗
をそれぞれ接続し、該コレクタ端子から差動出力信号を
得ることを特徴とする抵抗変化検出回路。 2、特許請求の範囲第1項の抵抗検出回路において、上
記差動出力信号の差に応じた制御信号を上記電流源に与
えるフィードバック回路を設けたことを特徴とする抵抗
変化検出回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58148082A JPH0610842B2 (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 抵抗変化検出回路 |
US06/639,093 US4716306A (en) | 1983-08-15 | 1984-08-09 | Circuit for detecting variation of resistance of a variable-resistance element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58148082A JPH0610842B2 (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 抵抗変化検出回路 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33997892A Division JPH0740324B2 (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 抵抗変化検出回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6040504A true JPS6040504A (ja) | 1985-03-02 |
JPH0610842B2 JPH0610842B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=15444822
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58148082A Expired - Lifetime JPH0610842B2 (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 抵抗変化検出回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0610842B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6243801A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
JPS62245503A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
JPH0487003A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路 |
EP0595266A2 (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-04 | Sony Corporation | Reproducing circuit for a magnetoresistive head |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5827561A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | テルモ株式会社 | インナ−ニ−ドル組立体付血液バツグ |
JPS58189803A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘツドの信号検出方式 |
-
1983
- 1983-08-15 JP JP58148082A patent/JPH0610842B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5827561A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | テルモ株式会社 | インナ−ニ−ドル組立体付血液バツグ |
JPS58189803A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘツドの信号検出方式 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6243801A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
JPS62245503A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
JPH0487003A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路 |
EP0595266A2 (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-04 | Sony Corporation | Reproducing circuit for a magnetoresistive head |
EP0595266A3 (en) * | 1992-10-27 | 1994-08-24 | Sony Corp | Reproducing circuit for a magnetoresistive head |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0610842B2 (ja) | 1994-02-09 |
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