JPS6040504A - 抵抗変化検出回路 - Google Patents
抵抗変化検出回路Info
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- JPS6040504A JPS6040504A JP14808283A JP14808283A JPS6040504A JP S6040504 A JPS6040504 A JP S6040504A JP 14808283 A JP14808283 A JP 14808283A JP 14808283 A JP14808283 A JP 14808283A JP S6040504 A JPS6040504 A JP S6040504A
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- G01R27/02—Measuring real or complex resistance, reactance, impedance, or other two-pole characteristics derived therefrom, e.g. time constant
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03K17/94—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
- H03K17/945—Proximity switches
- H03K17/95—Proximity switches using a magnetic detector
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/001—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure
- G11B2005/0013—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation
- G11B2005/0016—Controlling recording characteristics of record carriers or transducing characteristics of transducers by means not being part of their structure of transducers, e.g. linearisation, equalisation of magnetoresistive transducers
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、外部要因により自身の抵抗が変化する素子、
たとえば磁気抵抗効果型素子の抵抗変化を検出する回路
に関する。
たとえば磁気抵抗効果型素子の抵抗変化を検出する回路
に関する。
圧力、熱、磁界などの外部要因により自身の抵抗が変化
する抵抗変化素子の中に磁気抵抗効果型素子がある。こ
の磁気抵抗効果型素子は、外部磁界により比抵抗が変化
する素子であり、磁気カード読取機、磁気テープ、磁気
ディスクの磁気記憶装置等の読取用ヘッドとして用いら
れる。
する抵抗変化素子の中に磁気抵抗効果型素子がある。こ
の磁気抵抗効果型素子は、外部磁界により比抵抗が変化
する素子であり、磁気カード読取機、磁気テープ、磁気
ディスクの磁気記憶装置等の読取用ヘッドとして用いら
れる。
たとえば磁気抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗変化検出回路
としては、第１図に示す回路がある（特開昭５２−１３
５７０６）。第１図において１は２端子型磁気抵抗効果
屋磁気ヘツドであり、２はセンス電流源である。磁気抵
抗効果型磁気ヘッド１にはセンス電流源２による電流が
流され、記憶媒体上の磁化からの漏れ磁界が変化するこ
とによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の抵抗値が変
化し、磁界の変化に応じた高周波信号電圧となって、派
生電圧源１３を通って前置増幅器７により増幅さる。こ
のとき磁気抵抗効果型磁気ヘッド１に流れるセンス電流
ＩＭＲは、磁気ヘッド１自体の抵抗値ＲＭＲとの積で発
生する電圧ＩＭＲ−ＲＭＲが派生電圧源１３０派生電圧
Ｖｏｓと等しくなるように前置増幅器７およびフィード
バック回路１９によって制御される。
としては、第１図に示す回路がある（特開昭５２−１３
５７０６）。第１図において１は２端子型磁気抵抗効果
屋磁気ヘツドであり、２はセンス電流源である。磁気抵
抗効果型磁気ヘッド１にはセンス電流源２による電流が
流され、記憶媒体上の磁化からの漏れ磁界が変化するこ
とによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の抵抗値が変
化し、磁界の変化に応じた高周波信号電圧となって、派
生電圧源１３を通って前置増幅器７により増幅さる。こ
のとき磁気抵抗効果型磁気ヘッド１に流れるセンス電流
ＩＭＲは、磁気ヘッド１自体の抵抗値ＲＭＲとの積で発
生する電圧ＩＭＲ−ＲＭＲが派生電圧源１３０派生電圧
Ｖｏｓと等しくなるように前置増幅器７およびフィード
バック回路１９によって制御される。
この回路では、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の一端子９
が交流的な接地であるのに対し、もう一方の端子８が高
インピーダンスの信号ラインとなるため、磁気ヘッド１
０両端子に加わる外来ノイズに対しては、端子９に対し
て端子８に雑音が加わり易く、雑音が差動成分として残
り、信号のＳ／Ｎが低下する。また派生電圧Ｖｏｓは、
実施例では前置増幅器７の入力部分のトランジスタを異
なるエミッタ電流でバイアスすることによってベース・
エミッタ間電圧ＶＢＥＯ差として得ており、このために
大きなＶｏｓを得るのが難しい、などの欠点があった。
が交流的な接地であるのに対し、もう一方の端子８が高
インピーダンスの信号ラインとなるため、磁気ヘッド１
０両端子に加わる外来ノイズに対しては、端子９に対し
て端子８に雑音が加わり易く、雑音が差動成分として残
り、信号のＳ／Ｎが低下する。また派生電圧Ｖｏｓは、
実施例では前置増幅器７の入力部分のトランジスタを異
なるエミッタ電流でバイアスすることによってベース・
エミッタ間電圧ＶＢＥＯ差として得ており、このために
大きなＶｏｓを得るのが難しい、などの欠点があった。
本発明の目的は、広帯域な大規模集積回路化に適し、か
つ抵抗変化素子に流れる電流の電流密度を一定に保って
抵抗変化素子の長寿命化を図るとともに、耐外来ノイズ
性に優れた抵抗変化検出回路を提供することにある。
つ抵抗変化素子に流れる電流の電流密度を一定に保って
抵抗変化素子の長寿命化を図るとともに、耐外来ノイズ
性に優れた抵抗変化検出回路を提供することにある。
本発明では、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの両端に、ベー
ス電位を異ならせた１対のベース接地トランジスタのエ
ミッタ端子を接続し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの両端
の電位を一定に保つ。従って磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の抵抗値が変化しても電流密度は初期値と変わらない。
ス電位を異ならせた１対のベース接地トランジスタのエ
ミッタ端子を接続し、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの両端
の電位を一定に保つ。従って磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の抵抗値が変化しても電流密度は初期値と変わらない。
また、記憶媒体上の漏れ磁界が変化することによる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗値の変化は、流れる電流値
の変化となって現われ、これは前記一対のベース接地ト
ランジスタのコレクタ電流の互いに逆位相の変化となる
。この際、電流の供給はインピーダンスの高い電流源で
行なうので、磁気抵抗効果屋磁気ヘッド両端のインピー
ダンスは等しく、差動増幅が可能となる。従って同相の
外来ノイズが除去でき、信号の８／Ｎを良くすることが
できる。
抵抗効果型磁気ヘッドの抵抗値の変化は、流れる電流値
の変化となって現われ、これは前記一対のベース接地ト
ランジスタのコレクタ電流の互いに逆位相の変化となる
。この際、電流の供給はインピーダンスの高い電流源で
行なうので、磁気抵抗効果屋磁気ヘッド両端のインピー
ダンスは等しく、差動増幅が可能となる。従って同相の
外来ノイズが除去でき、信号の８／Ｎを良くすることが
できる。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。第２
図において、１は磁気抵抗効果型磁気ヘッド、１３．１
４は１対のベース接地トランジスタ、１５．１６は負荷
抵抗、７は前置増幅器、２はトランジスタ１７とエミッ
タ抵抗１８からなる電流源、および１９は、端子９，１
０の直流電位が等しくなるように電流源２を端子２１で
制御するフィードバック回路であり例えば差動増幅回路
とローパスフィルタから構成される。第２図において、
磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の初期値をＲＭｕｓ電流値
をＩＭＲｓペース接地トランジスタ１３．１４のコレク
タ負荷抵抗１５．１６をＲｃ 。
図において、１は磁気抵抗効果型磁気ヘッド、１３．１
４は１対のベース接地トランジスタ、１５．１６は負荷
抵抗、７は前置増幅器、２はトランジスタ１７とエミッ
タ抵抗１８からなる電流源、および１９は、端子９，１
０の直流電位が等しくなるように電流源２を端子２１で
制御するフィードバック回路であり例えば差動増幅回路
とローパスフィルタから構成される。第２図において、
磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の初期値をＲＭｕｓ電流値
をＩＭＲｓペース接地トランジスタ１３．１４のコレク
タ負荷抵抗１５．１６をＲｃ 。
各々のコレクタ電流ｅＩｔ、Ｉ＊ とする。
ベース接地トランジスタ１３．１４（Ｄベース電位は各
々電源Ｖｒ ｓ ｆ＋、 Ｖｒ ｅ ｆ−に接続される
。また、フィードバック回路１９の出力２１（電位Ｖｎ
）は、電流源トランジスタ１７のコレクタ’を流Ｉｓを
制御しており、電流Ｉｓは接続点８からセンス回路系に
入力される。
々電源Ｖｒ ｓ ｆ＋、 Ｖｒ ｅ ｆ−に接続される
。また、フィードバック回路１９の出力２１（電位Ｖｎ
）は、電流源トランジスタ１７のコレクタ’を流Ｉｓを
制御しており、電流Ｉｓは接続点８からセンス回路系に
入力される。
以下、本実施例の動作を説明する。磁気抵抗効果型磁気
ヘッド１０両端の電位差は、１対のベース接地トランジ
スタ１３．１４のエミッタ端子間電圧で決まり、常に一
定となる。従って磁気抵抗効果型磁気ヘッド１に流れる
電流ＩＭＲはトランジスタ１３のコレクタ電流Ｉ！に等
しく、ＩＭＲ＝ （Ｖｒｅｒ”−Ｖｒａｔ−） ／ＲＭ
Ｒ＝１１ （１）となる。
ヘッド１０両端の電位差は、１対のベース接地トランジ
スタ１３．１４のエミッタ端子間電圧で決まり、常に一
定となる。従って磁気抵抗効果型磁気ヘッド１に流れる
電流ＩＭＲはトランジスタ１３のコレクタ電流Ｉ！に等
しく、ＩＭＲ＝ （Ｖｒｅｒ”−Ｖｒａｔ−） ／ＲＭ
Ｒ＝１１ （１）となる。
このときトランジスタ１４のコレクタ電流■２は、フィ
ードバック回路１９を通して前置増幅器７の入力端子９
．１０の直流電位差が零となるように電流源２によって
制御される。負荷抵抗１５゜１６は共にＲｃと等しいの
で、コレクタ電流■２も１１に等しくなるように、電流
源２の供給電流■３が Ｉｓ ＝ＩＩ ＋Ｉ２ ＝２ ＩＭＲ（２）と制御され
る。
ードバック回路１９を通して前置増幅器７の入力端子９
．１０の直流電位差が零となるように電流源２によって
制御される。負荷抵抗１５゜１６は共にＲｃと等しいの
で、コレクタ電流■２も１１に等しくなるように、電流
源２の供給電流■３が Ｉｓ ＝ＩＩ ＋Ｉ２ ＝２ ＩＭＲ（２）と制御され
る。
いま、記憶媒体の磁化により磁気抵抗効果型磁気ヘッド
１の抵抗値がＲＭＲから（ＢＩＭＲ＋ΔＲＭＲ）に変化
した場合を考えると、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の両
端の電位差は、一対のベース接地トランジスタ１３．１
４のそれぞれのエミッタで固定されているために電流が
ＩＭＲから（ＩＭＲ十ΔＩＭＲ）に変化する。ここでΔ
ＩＭＲは ΔＩＭＲ＝ ＩＭＲＸ （ΔＲＭＲ／ ＲＭＲ） （３
）である。このとき電流源２からの供給電流Ｉ３は変化
しないので、この電流変化は逆位相でトランジスタ１４
のコレクタ電流■２の変化になってあられれる。すなわ
ち、 １１＝ＩＭＲ＋ΔＩ Ｍ ｎ （４） Ｉ！＝ＩＭＲ−ΔＩ Ｍ Ｒ（５） である。従って前置増幅器７の入力端子間信号電圧は、
端子９．１０の電位をそれぞれ、Ｖｔ ＋Ｖ２とすると
、 ｌ ＶＩ Ｖ２ ｌ＝２ΔＩＭａ−Ｒｃ （６）となる
。前置増幅器７の増幅率をＧとすると式（３）より、回
路全体での信号出力振幅ＥＯは、となる。
１の抵抗値がＲＭＲから（ＢＩＭＲ＋ΔＲＭＲ）に変化
した場合を考えると、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１の両
端の電位差は、一対のベース接地トランジスタ１３．１
４のそれぞれのエミッタで固定されているために電流が
ＩＭＲから（ＩＭＲ十ΔＩＭＲ）に変化する。ここでΔ
ＩＭＲは ΔＩＭＲ＝ ＩＭＲＸ （ΔＲＭＲ／ ＲＭＲ） （３
）である。このとき電流源２からの供給電流Ｉ３は変化
しないので、この電流変化は逆位相でトランジスタ１４
のコレクタ電流■２の変化になってあられれる。すなわ
ち、 １１＝ＩＭＲ＋ΔＩ Ｍ ｎ （４） Ｉ！＝ＩＭＲ−ΔＩ Ｍ Ｒ（５） である。従って前置増幅器７の入力端子間信号電圧は、
端子９．１０の電位をそれぞれ、Ｖｔ ＋Ｖ２とすると
、 ｌ ＶＩ Ｖ２ ｌ＝２ΔＩＭａ−Ｒｃ （６）となる
。前置増幅器７の増幅率をＧとすると式（３）より、回
路全体での信号出力振幅ＥＯは、となる。
本実施例によれば、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの端子間
電圧は一対のベース接地トランジスタのベース電位差で
決まり一定であるために、磁気抵抗効果型磁気ヘッドが
たとえば摩耗などにより抵抗値が変化しても電流密度を
一定に保つことが可能である。また、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの記憶媒体からの磁界の変化による信号は差動入力
となり、同相の外来ノイズは除去できる。更に、フィー
ドバック回路によって、前置増幅器の入力端子間直流電
位差が零となるため、信号ラインの直流成分を除去する
ためのコンデンサは不要であり、回路の集積化が図れる
。
電圧は一対のベース接地トランジスタのベース電位差で
決まり一定であるために、磁気抵抗効果型磁気ヘッドが
たとえば摩耗などにより抵抗値が変化しても電流密度を
一定に保つことが可能である。また、磁気抵抗効果型ヘ
ッドの記憶媒体からの磁界の変化による信号は差動入力
となり、同相の外来ノイズは除去できる。更に、フィー
ドバック回路によって、前置増幅器の入力端子間直流電
位差が零となるため、信号ラインの直流成分を除去する
ためのコンデンサは不要であり、回路の集積化が図れる
。
このときよく知られているようにトランジスタ１３．１
４．１７をそれぞれ複数個のトランジスタの並列接続を
することによって回路が発生するランダム性の雑音を小
さくすることが可能でおる。
４．１７をそれぞれ複数個のトランジスタの並列接続を
することによって回路が発生するランダム性の雑音を小
さくすることが可能でおる。
また、高い周波数帯域で本実施例を適用する場合、接続
点２０に微小電流を流した電流源を接続するか、あるい
は電流源２の出力容量と同容量のコンデンサで接地する
ことによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッド両端でのイン
ピーダンスの差を等しくなるように補正して、同相外来
ノイズの除去効果を高めることができることもあきらか
である。更には、本実施例では、前置増幅器７０入力端
子９゜１０から帰還しているが、前置増幅器７の出力端
子１１．１２から帰還しても、同様の効果が得られるこ
とはあきらかである。
点２０に微小電流を流した電流源を接続するか、あるい
は電流源２の出力容量と同容量のコンデンサで接地する
ことによって、磁気抵抗効果型磁気ヘッド両端でのイン
ピーダンスの差を等しくなるように補正して、同相外来
ノイズの除去効果を高めることができることもあきらか
である。更には、本実施例では、前置増幅器７０入力端
子９゜１０から帰還しているが、前置増幅器７の出力端
子１１．１２から帰還しても、同様の効果が得られるこ
とはあきらかである。
また第３図の実施例に示すように、第２図におけるフィ
ードバック回路１９の出力端子２１の帰還光をトランジ
スタ１４のベースとし、トランジスタ１７のベース電位
をＶＢ ｒ ｅ ｆとすることによって、電流源２を２
・ＩＭＲの定電流源とする定電流センス源駆動の検出回
路が構成可能でおることもあきらかである。本実施例に
よれば、定電流源駆動で、耐外来ノイズ性の良好な検出
回路が実現できる。
ードバック回路１９の出力端子２１の帰還光をトランジ
スタ１４のベースとし、トランジスタ１７のベース電位
をＶＢ ｒ ｅ ｆとすることによって、電流源２を２
・ＩＭＲの定電流源とする定電流センス源駆動の検出回
路が構成可能でおることもあきらかである。本実施例に
よれば、定電流源駆動で、耐外来ノイズ性の良好な検出
回路が実現できる。
以上詳述したように、本発明によれば、抵抗変化素子の
電流密度を一定に保てるので抵抗変化素（９） 子の長寿命化が図れ直流成分を除去するためのコンデン
サが不要となるため、集積化が容易となる。
電流密度を一定に保てるので抵抗変化素（９） 子の長寿命化が図れ直流成分を除去するためのコンデン
サが不要となるため、集積化が容易となる。
しかも抵抗変化素子両端のインピーダンスが等しく、差
動増幅が可能なため、同相の外来ノイズを除去する効果
がある。
動増幅が可能なため、同相の外来ノイズを除去する効果
がある。
第１図は従来の抵抗変化検出回路の回路図、第２図は、
本発明を適用した抵抗変化検出回路の一実施例の回路図
、第３図は、本発明の他の実施例の回路図である。 １・・・磁気抵抗効果型磁気ヘッド、２・・・定電流源
、３．４・・・直流電圧除去用コンデンサ、７・・・前
置増幅器、１３．１４・・・ベース接地トランジスタ、
（１０） 第１頁の続き ０発明者 新井 紳−小［ −
本発明を適用した抵抗変化検出回路の一実施例の回路図
、第３図は、本発明の他の実施例の回路図である。 １・・・磁気抵抗効果型磁気ヘッド、２・・・定電流源
、３．４・・・直流電圧除去用コンデンサ、７・・・前
置増幅器、１３．１４・・・ベース接地トランジスタ、
（１０） 第１頁の続き ０発明者 新井 紳−小［ −
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外部要因により自身が持つ抵抗値が変化する抵抗変
化素子の抵抗変化分を検出する回路において、ベース電
位を異ならせた１対のベース接地トランジスタのエミッ
タ端子を前記抵抗変化素子の両端に接続して該抵抗変化
素子の両端の直流電位差を一定に保つ手段を持ち、該抵
抗変化素子の片側端子に電流源を接続して該抵抗変化素
子に流れる電流の経路を設け、前記１対のベース接地ト
ランジスタのコレクタ端子の各々と電源の間に負荷抵抗
をそれぞれ接続し、該コレクタ端子から差動出力信号を
得ることを特徴とする抵抗変化検出回路。 ２、特許請求の範囲第１項の抵抗検出回路において、上
記差動出力信号の差に応じた制御信号を上記電流源に与
えるフィードバック回路を設けたことを特徴とする抵抗
変化検出回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58148082A JPH0610842B2 (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 抵抗変化検出回路 |
| US06/639,093 US4716306A (en) | 1983-08-15 | 1984-08-09 | Circuit for detecting variation of resistance of a variable-resistance element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58148082A JPH0610842B2 (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 抵抗変化検出回路 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33997892A Division JPH0740324B2 (ja) | 1992-12-21 | 1992-12-21 | 抵抗変化検出回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6040504A true JPS6040504A (ja) | 1985-03-02 |
| JPH0610842B2 JPH0610842B2 (ja) | 1994-02-09 |
Family
ID=15444822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58148082A Expired - Lifetime JPH0610842B2 (ja) | 1983-08-15 | 1983-08-15 | 抵抗変化検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0610842B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6243801A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
| JPS62245503A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
| JPH0487003A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路 |
| EP0595266A2 (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-04 | Sony Corporation | Reproducing circuit for a magnetoresistive head |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827561A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | テルモ株式会社 | インナ−ニ−ドル組立体付血液バツグ |
| JPS58189803A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘツドの信号検出方式 |
-
1983
- 1983-08-15 JP JP58148082A patent/JPH0610842B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5827561A (ja) * | 1981-08-10 | 1983-02-18 | テルモ株式会社 | インナ−ニ−ドル組立体付血液バツグ |
| JPS58189803A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-05 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘツドの信号検出方式 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6243801A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-25 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
| JPS62245503A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-26 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 磁気記録検出回路 |
| JPH0487003A (ja) * | 1990-07-31 | 1992-03-19 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果ヘッドの信号検出回路 |
| EP0595266A2 (en) * | 1992-10-27 | 1994-05-04 | Sony Corporation | Reproducing circuit for a magnetoresistive head |
| EP0595266A3 (en) * | 1992-10-27 | 1994-08-24 | Sony Corp | Reproducing circuit for a magnetoresistive head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0610842B2 (ja) | 1994-02-09 |
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