JPH06338137A - 耐欠陥性エンベロープ・フォロワ及びデータ記憶装置からの信号を処理する装置 - Google Patents
耐欠陥性エンベロープ・フォロワ及びデータ記憶装置からの信号を処理する装置Info
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- JPH06338137A JPH06338137A JP5219823A JP21982393A JPH06338137A JP H06338137 A JPH06338137 A JP H06338137A JP 5219823 A JP5219823 A JP 5219823A JP 21982393 A JP21982393 A JP 21982393A JP H06338137 A JPH06338137 A JP H06338137A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B20/00—Signal processing not specific to the method of recording or reproducing; Circuits therefor
- G11B20/10—Digital recording or reproducing
- G11B20/10009—Improvement or modification of read or write signals
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/005—Reproducing
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K5/00—Manipulating of pulses not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K5/01—Shaping pulses
- H03K5/08—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
- H03K5/082—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding with an adaptive threshold
Abstract
(57)【要約】
【目的】欠陥伝播を減少させたエンベロープ・フォロワ
を提供すること。 【構成】エンベロープ・フォロワに含まれる差動増幅器
４４は、例えば光デイスク又は磁気抵抗性テープ・ドラ
イブの読み取りヘッド１２から受け取られたアナログ情
報信号の振幅とコンデンサ４０の両端にかかるエンベロ
ープ電圧との間の差をセンスする。差動増幅器４４に応
答するカレント・ミラー３８は、情報信号の振幅がエン
ベロープ電圧を超えるときにコンデンサ４０を予定の速
度で充電するように動作する。一方、情報信号の振幅が
エンベロープ電圧よりも小さくなると、差動増幅器４４
はカレント・ミラー３８を非活動化することにより、コ
ンデンサ４０が分圧器４２を通して放電できるようにす
る。分圧器４２の出力はスレッショルド電圧であって、
この電圧を他の比較器３３で情報信号と比較した結果と
して生ぜられるデイジタル信号は、前記アナログ情報信
号を表す。このデイジタル信号は、例えば検定機能付き
ピーク検出器における検定子として使用される。
を提供すること。 【構成】エンベロープ・フォロワに含まれる差動増幅器
４４は、例えば光デイスク又は磁気抵抗性テープ・ドラ
イブの読み取りヘッド１２から受け取られたアナログ情
報信号の振幅とコンデンサ４０の両端にかかるエンベロ
ープ電圧との間の差をセンスする。差動増幅器４４に応
答するカレント・ミラー３８は、情報信号の振幅がエン
ベロープ電圧を超えるときにコンデンサ４０を予定の速
度で充電するように動作する。一方、情報信号の振幅が
エンベロープ電圧よりも小さくなると、差動増幅器４４
はカレント・ミラー３８を非活動化することにより、コ
ンデンサ４０が分圧器４２を通して放電できるようにす
る。分圧器４２の出力はスレッショルド電圧であって、
この電圧を他の比較器３３で情報信号と比較した結果と
して生ぜられるデイジタル信号は、前記アナログ情報信
号を表す。このデイジタル信号は、例えば検定機能付き
ピーク検出器における検定子として使用される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はエンベロープ・フォロワ
に係り、さらに詳細に説明すれば、磁気テープや光デイ
スクのような記憶媒体からデータを読み取るのに適し
た、耐欠陥性エンベロープ・フォロワに係る。
に係り、さらに詳細に説明すれば、磁気テープや光デイ
スクのような記憶媒体からデータを読み取るのに適し
た、耐欠陥性エンベロープ・フォロワに係る。
【０００２】
【従来の技術】記憶媒体のデータ読取用ヘッドは、光デ
イスクから反射された光ビームや、磁気デイスク又はテ
ープから検知された磁束の変動を、電気的なアナログ情
報信号へ変換する。このアナログ情報信号は、ピーク検
定（ｐｅａｋ ｑｕａｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ）用のスレ
ッショルドを導くためのエンベロープ・フォロワを備え
たピーク検出器のような装置を通して処理され、媒体か
ら読み取られたデータを表すデイジタル信号へ変換され
る。通常のエンベロープ・フォロワでは、かかる情報信
号はダイオードを通してコンデンサへ加えられる。記憶
媒体から読み取られた情報を表すパルスの振幅が、この
コンデンサの両端にかかる電圧とこのダイオードの順方
向バイアスとを加えたものより大きくなる場合、このダ
イオードがオンに転じてこのコンデンサを充電する。こ
のパルスが終わると、次のパルスがこのコンデンサを充
電するまで、このコンデンサは（その時定数に依存する
が、当該情報信号に比較すると低い）予定の速度で放電
する。かくて、このコンデンサの両端にかかる電圧は
「エンベロープ」の上側境界を形成して、これらのアナ
ログ情報パルスの最大振幅（厳密にはこれからダイオー
ドの電圧降下分を減じたものに等しい）に接近する。こ
れに対し、アナログ情報パルスの下側境界は、例えばＤ
Ｃ復元回路によって与えられるような予定のＤＣベース
・レベルとすることができ、又は他のエンベロープ・フ
ォロワを縦続させることもできる。
イスクから反射された光ビームや、磁気デイスク又はテ
ープから検知された磁束の変動を、電気的なアナログ情
報信号へ変換する。このアナログ情報信号は、ピーク検
定（ｐｅａｋ ｑｕａｌｉｆｉｃａｔｉｏｎ）用のスレ
ッショルドを導くためのエンベロープ・フォロワを備え
たピーク検出器のような装置を通して処理され、媒体か
ら読み取られたデータを表すデイジタル信号へ変換され
る。通常のエンベロープ・フォロワでは、かかる情報信
号はダイオードを通してコンデンサへ加えられる。記憶
媒体から読み取られた情報を表すパルスの振幅が、この
コンデンサの両端にかかる電圧とこのダイオードの順方
向バイアスとを加えたものより大きくなる場合、このダ
イオードがオンに転じてこのコンデンサを充電する。こ
のパルスが終わると、次のパルスがこのコンデンサを充
電するまで、このコンデンサは（その時定数に依存する
が、当該情報信号に比較すると低い）予定の速度で放電
する。かくて、このコンデンサの両端にかかる電圧は
「エンベロープ」の上側境界を形成して、これらのアナ
ログ情報パルスの最大振幅（厳密にはこれからダイオー
ドの電圧降下分を減じたものに等しい）に接近する。こ
れに対し、アナログ情報パルスの下側境界は、例えばＤ
Ｃ復元回路によって与えられるような予定のＤＣベース
・レベルとすることができ、又は他のエンベロープ・フ
ォロワを縦続させることもできる。
【０００３】低い振幅の信号を検出してこれを情報パル
スとして処理できるようにするには、エンベロープ電圧
を、例えば分圧器を通して、スレッショルド・レベルま
で減少させればよい。情報信号とスレッショルド電圧を
受け取る比較器は、この情報信号中のパルスの振幅がこ
のスレッッショルド電圧より大きい場合にのみ、一のデ
イジタル信号を出力する。これは一般に検定機能付きピ
ーク検出器の「検定子」（ｑｕａｌｉｆｉｅｒ）として
使用される。
スとして処理できるようにするには、エンベロープ電圧
を、例えば分圧器を通して、スレッショルド・レベルま
で減少させればよい。情報信号とスレッショルド電圧を
受け取る比較器は、この情報信号中のパルスの振幅がこ
のスレッッショルド電圧より大きい場合にのみ、一のデ
イジタル信号を出力する。これは一般に検定機能付きピ
ーク検出器の「検定子」（ｑｕａｌｉｆｉｅｒ）として
使用される。
【０００４】アナログ情報信号を構成する各パルスの振
幅は一般に特定の範囲内にあるが，読取ヘッドからの情
報信号は正常な範囲外の、振幅が特に高いパルス（グリ
ッチ又は欠陥）を含むことがある。例えば、光デイスク
内の或るピットが延長されるか又は適正に形成されてい
ないか、或は光媒体の表面に物理的な欠陥が存在する場
合、その結果的な情報信号も欠陥性のものとなって、グ
リッチを含むことがある。磁気テープ読取用の磁気抵抗
性ヘッドから出力される情報信号は、熱的スパイクによ
って生ぜられるような特異点を含むことがある。これら
の欠陥やスパイクは、情報パルスとして処理されるだけ
でなく、望ましくないレベルまで、コンデンサを充電す
ることがある。後者の状況が望ましくない所以は、エン
ベロープ電圧の関数であるスレッショルド電圧が、欠陥
やスパイクの直後にある１以上の有効な情報パルスの最
大振幅より大きくなってしまうからである。この結果、
「欠陥伝播」（ｄｅｆｅｃｔ ｐｒｏｐａｇａｔｉｏ
ｎ）として知られている状態では、これらの有効な情報
パルスが検出されずに、情報が失われてしまうことにな
る。さらに、エンベロープ・フォロワの電流が最大の電
流定格を超えることがあるので、このような場合には部
品の寿命が減少するか又は部品が破壊されてしまう。
幅は一般に特定の範囲内にあるが，読取ヘッドからの情
報信号は正常な範囲外の、振幅が特に高いパルス（グリ
ッチ又は欠陥）を含むことがある。例えば、光デイスク
内の或るピットが延長されるか又は適正に形成されてい
ないか、或は光媒体の表面に物理的な欠陥が存在する場
合、その結果的な情報信号も欠陥性のものとなって、グ
リッチを含むことがある。磁気テープ読取用の磁気抵抗
性ヘッドから出力される情報信号は、熱的スパイクによ
って生ぜられるような特異点を含むことがある。これら
の欠陥やスパイクは、情報パルスとして処理されるだけ
でなく、望ましくないレベルまで、コンデンサを充電す
ることがある。後者の状況が望ましくない所以は、エン
ベロープ電圧の関数であるスレッショルド電圧が、欠陥
やスパイクの直後にある１以上の有効な情報パルスの最
大振幅より大きくなってしまうからである。この結果、
「欠陥伝播」（ｄｅｆｅｃｔ ｐｒｏｐａｇａｔｉｏ
ｎ）として知られている状態では、これらの有効な情報
パルスが検出されずに、情報が失われてしまうことにな
る。さらに、エンベロープ・フォロワの電流が最大の電
流定格を超えることがあるので、このような場合には部
品の寿命が減少するか又は部品が破壊されてしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】欠陥伝播を減少させる
ために従来技術で取られた方法は、情報信号をクリップ
したり又はエンベロープを制限してコンデンサの過充電
を防止することを含んでいたが、これらの方法はいずれ
も全体として満足すべきものではなかった。例えば、通
常のエンベロープとスレッショルドをクリップする電圧
との間に約２対１の空き高を与えると、大きなＤＣ量を
有する情報信号について低いＡＣ結合極（ポール）の通
常のエンベロープ・フォロワ動作が可能となる。しかし
ながら、欠陥伝播が存在すると、適正なピーク検出に対
し悪い影響を与えることがある。さらに、前述のように
ダイオードとコンデンサとを組み合わせた従来の型のエ
ンベロープ・フォロワは、そのダイオードの特性に起因
して、非線形の応答特性を持つ、という欠点がある。
ために従来技術で取られた方法は、情報信号をクリップ
したり又はエンベロープを制限してコンデンサの過充電
を防止することを含んでいたが、これらの方法はいずれ
も全体として満足すべきものではなかった。例えば、通
常のエンベロープとスレッショルドをクリップする電圧
との間に約２対１の空き高を与えると、大きなＤＣ量を
有する情報信号について低いＡＣ結合極（ポール）の通
常のエンベロープ・フォロワ動作が可能となる。しかし
ながら、欠陥伝播が存在すると、適正なピーク検出に対
し悪い影響を与えることがある。さらに、前述のように
ダイオードとコンデンサとを組み合わせた従来の型のエ
ンベロープ・フォロワは、そのダイオードの特性に起因
して、非線形の応答特性を持つ、という欠点がある。
【０００６】従って、本発明の目的は、実質的に線形の
応答特性を有し且つ記憶媒体中の物理的な欠陥や情報信
号中の他の欠陥に対し感度を減少させるようにした、エ
ンベロープ・フォロワを持つピーク検出器を提供するこ
とにより、欠陥伝播を減少させることにある。
応答特性を有し且つ記憶媒体中の物理的な欠陥や情報信
号中の他の欠陥に対し感度を減少させるようにした、エ
ンベロープ・フォロワを持つピーク検出器を提供するこ
とにより、欠陥伝播を減少させることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のエンベロープ・
フォロワは、容量性デバイス（例えば、コンデンサ）
と、予定の電流を発生する電流源と、情報信号の振幅を
コンデンサ両端のエンベロープ電圧と比較する比較器
と、前記電流源に結合され且つ前記比較器に応答するス
イッチとから成る。情報信号の振幅がエンベロープ電圧
より大きくなるとき、前記スイッチは第１の状態にあっ
て、前記コンデンサを予定の電流で充電させる。他方、
情報信号の振幅がエンベロープ電圧より小さくなるとき
は、前記スイッチは第２の状態にあって、前記コンデン
サを放電させるように動作する。前記比較器及び前記ス
イッチは、エンベロープ電圧及び情報信号を受け取るよ
うに結合された、一の差動増幅器であることが望まし
い。また前記電流源を、前記差動増幅器と前記コンデン
サとの間に結合されたカレント・ミラーから構成して、
当該差動増幅器が第１の状態にあるときに前記予定の電
流を発生させることが望ましい。
フォロワは、容量性デバイス（例えば、コンデンサ）
と、予定の電流を発生する電流源と、情報信号の振幅を
コンデンサ両端のエンベロープ電圧と比較する比較器
と、前記電流源に結合され且つ前記比較器に応答するス
イッチとから成る。情報信号の振幅がエンベロープ電圧
より大きくなるとき、前記スイッチは第１の状態にあっ
て、前記コンデンサを予定の電流で充電させる。他方、
情報信号の振幅がエンベロープ電圧より小さくなるとき
は、前記スイッチは第２の状態にあって、前記コンデン
サを放電させるように動作する。前記比較器及び前記ス
イッチは、エンベロープ電圧及び情報信号を受け取るよ
うに結合された、一の差動増幅器であることが望まし
い。また前記電流源を、前記差動増幅器と前記コンデン
サとの間に結合されたカレント・ミラーから構成して、
当該差動増幅器が第１の状態にあるときに前記予定の電
流を発生させることが望ましい。
【０００８】この検定機能付きピーク検出器は、スレッ
ショルド電圧を設定するための分圧器又は他の手段を含
むこともできる。本発明によれば、たとえ高い振幅パル
スを生ぜしめるような欠陥が検出されたとしても、コン
デンサ両端に生ぜられたスレッショルド電圧が（カレン
ト・ミラーの出力及びコンデンサの値の関数である）予
定の速度より早い速度で充電を行うために使用されるこ
とはない。この結果、エンベロープ電圧の関数であるス
レッショルド電圧も予定の速度より早い速度で上昇する
ことはないから、情報信号中の有効な情報パルスが高振
幅の欠陥の直後に続くとしても、かかるパルスを的確に
検出することができる。
ショルド電圧を設定するための分圧器又は他の手段を含
むこともできる。本発明によれば、たとえ高い振幅パル
スを生ぜしめるような欠陥が検出されたとしても、コン
デンサ両端に生ぜられたスレッショルド電圧が（カレン
ト・ミラーの出力及びコンデンサの値の関数である）予
定の速度より早い速度で充電を行うために使用されるこ
とはない。この結果、エンベロープ電圧の関数であるス
レッショルド電圧も予定の速度より早い速度で上昇する
ことはないから、情報信号中の有効な情報パルスが高振
幅の欠陥の直後に続くとしても、かかるパルスを的確に
検出することができる。
【０００９】
【実施例】図１の波形Ａは、光又は磁気記憶媒体に関連
する読取ヘッドから得られる代表的な情報信号を示す。
最初の２パルス及び最後の３パルスは、「有効」なパル
スと呼ばれ、略同レベルの最大振幅を有する。しかしな
がら、第３のパルスは、媒体中又は情報信号中の欠陥若
しくはグリッチを表し、他のパルスよりも相当に高いピ
ーク振幅を有する。このような欠陥は、光デイスク表面
の層間剥離若しくは欠陥性ピットが原因で生じたり、磁
気抵抗性（ＭＲ）ヘッドで発生される熱的スパイクや、
媒体のその他の物理的な欠陥又は回路ノイズが原因で生
じたりする。
する読取ヘッドから得られる代表的な情報信号を示す。
最初の２パルス及び最後の３パルスは、「有効」なパル
スと呼ばれ、略同レベルの最大振幅を有する。しかしな
がら、第３のパルスは、媒体中又は情報信号中の欠陥若
しくはグリッチを表し、他のパルスよりも相当に高いピ
ーク振幅を有する。このような欠陥は、光デイスク表面
の層間剥離若しくは欠陥性ピットが原因で生じたり、磁
気抵抗性（ＭＲ）ヘッドで発生される熱的スパイクや、
媒体のその他の物理的な欠陥又は回路ノイズが原因で生
じたりする。
【００１０】図２は、従来技術に従った検定機能付きピ
ーク検出器１０を示すブロック図である。ドライブ・ヘ
ッド１２は、光デイスクのような記憶媒体１４に記憶さ
れた情報を読み取り、その読取信号を、ＡＣ結合器兼Ｄ
Ｃ復元回路１６を通して、検定機能付きピーク検出器１
０へ伝達する。ＡＣ結合器兼ＤＣ復元回路１６の出力で
ある「情報信号Ａ」は、比較器１８の第１の入力へ与え
られる。この情報信号Ａは、エンベロープ・フォロワ２
０によっても処理される。代表的なエンベロープ・フォ
ロワ２０はコンデンサ及びダイオードを含んでいて、エ
ンベロープ電圧（図１の波形Ｂ）を出力する。このエン
ベロープ電圧は、分圧器２２によってスレッショルド電
圧（図１の波形Ｃ）へ変換、すなわち減少される。かか
るエンベロープ電圧Ｂ及びその関数であるスレッショル
ド電圧Ｃは、エンベロープ・フォロワ２０内のコンデン
サが再充電されるまで、実質的に同じ相対速度で減衰す
る。スレッショルド電圧Ｃは比較器１８の第２の入力へ
与えられ、かくて情報信号Ａの振幅がスレッショルド電
圧Ｃを超えるとき、比較器１８から出力信号が得られ
る。このようにして、低い振幅のノイズは、情報として
検定されないし、処理もされないのである。
ーク検出器１０を示すブロック図である。ドライブ・ヘ
ッド１２は、光デイスクのような記憶媒体１４に記憶さ
れた情報を読み取り、その読取信号を、ＡＣ結合器兼Ｄ
Ｃ復元回路１６を通して、検定機能付きピーク検出器１
０へ伝達する。ＡＣ結合器兼ＤＣ復元回路１６の出力で
ある「情報信号Ａ」は、比較器１８の第１の入力へ与え
られる。この情報信号Ａは、エンベロープ・フォロワ２
０によっても処理される。代表的なエンベロープ・フォ
ロワ２０はコンデンサ及びダイオードを含んでいて、エ
ンベロープ電圧（図１の波形Ｂ）を出力する。このエン
ベロープ電圧は、分圧器２２によってスレッショルド電
圧（図１の波形Ｃ）へ変換、すなわち減少される。かか
るエンベロープ電圧Ｂ及びその関数であるスレッショル
ド電圧Ｃは、エンベロープ・フォロワ２０内のコンデン
サが再充電されるまで、実質的に同じ相対速度で減衰す
る。スレッショルド電圧Ｃは比較器１８の第２の入力へ
与えられ、かくて情報信号Ａの振幅がスレッショルド電
圧Ｃを超えるとき、比較器１８から出力信号が得られ
る。このようにして、低い振幅のノイズは、情報として
検定されないし、処理もされないのである。
【００１１】図１の第３の（欠陥）パルスの間にエンベ
ロープ電圧Ｂに追従してスレッショルド電圧Ｃが上昇す
る場合、そのレベルと減衰速度によっては、欠陥パルス
の直後にある１以上の有効な情報パルスの最大振幅より
スレッショルド電圧Ｃの方が依然として大きくなること
がある。このような場合には、有効なパルス（例えば、
図１の第４のパルス）は比較器１８をトリガしないか
ら、比較器１８の出力にも現れないことになる。
ロープ電圧Ｂに追従してスレッショルド電圧Ｃが上昇す
る場合、そのレベルと減衰速度によっては、欠陥パルス
の直後にある１以上の有効な情報パルスの最大振幅より
スレッショルド電圧Ｃの方が依然として大きくなること
がある。このような場合には、有効なパルス（例えば、
図１の第４のパルス）は比較器１８をトリガしないか
ら、比較器１８の出力にも現れないことになる。
【００１２】図３は、本発明の検定機能付きピーク検出
器３０を示すブロック図である。この検定機能付きピー
ク検出器３０はドライブ・ヘッド１２から出力される情
報信号（図４の波形Ｄ）を処理するためのものであり、
その構成要素であるＡＣ結合器兼ＤＣ復元回路３２はド
ライブ・ヘッド１２から読取信号を受取り、情報信号Ｄ
を第１の比較器３３へ与える。第２の比較器３４は情報
信号Ｄを受取り、その出力をスイッチ３６へ与える。ス
イッチ３６へ結合された電流源３８は、その出力で以て
コンデンサのようなエンベロープ電圧源３９を活動化す
る。エンベロープ電圧源３９の出力はエンベロープ電圧
Ｅであり、これは第２の比較器３４及び分圧器４２の両
方へ与えられる。分圧器４２の出力はスレッショルド電
圧（図４の波形Ｆ）であり、これは第１の比較器３３へ
与えられる。
器３０を示すブロック図である。この検定機能付きピー
ク検出器３０はドライブ・ヘッド１２から出力される情
報信号（図４の波形Ｄ）を処理するためのものであり、
その構成要素であるＡＣ結合器兼ＤＣ復元回路３２はド
ライブ・ヘッド１２から読取信号を受取り、情報信号Ｄ
を第１の比較器３３へ与える。第２の比較器３４は情報
信号Ｄを受取り、その出力をスイッチ３６へ与える。ス
イッチ３６へ結合された電流源３８は、その出力で以て
コンデンサのようなエンベロープ電圧源３９を活動化す
る。エンベロープ電圧源３９の出力はエンベロープ電圧
Ｅであり、これは第２の比較器３４及び分圧器４２の両
方へ与えられる。分圧器４２の出力はスレッショルド電
圧（図４の波形Ｆ）であり、これは第１の比較器３３へ
与えられる。
【００１３】動作について説明すると、（ドライブ・ヘ
ッド１２によって読み取られた情報を表す）情報信号Ｄ
中の各パルスの最大振幅は、第２の比較器３４によっ
て、エンベロープ電圧Ｅと比較される。一のパルスの振
幅がエンベロープ電圧Ｅを超える場合、比較器３４はス
イッチ３６を介して電流源３８を活動化し、かくてこの
電流源３８はエンベロープ電圧源３９のコンデンサ４０
（図５）を予定の速度で充電する。このパルスが終わっ
てエンベロープ電圧Ｅが情報信号Ｄの振幅を超えるよう
になると、比較器３４はスイッチ３６を介して電流源３
８を非活動化するので、コンデンサ４０は分圧器４２を
通して放電を開始することができる。このように、スレ
ッショルド電圧Ｆはエンベロープ電圧Ｅと平行して上昇
及び下降し、コンデンサ４０の充電及び放電を表す。第
１の比較器３３は、情報信号Ｄ及びスレッショルド電圧
Ｆを受取り、情報信号Ｄ中の一のパルスがスレッショル
ド電圧Ｆを超えるとき、一の信号を出力する。
ッド１２によって読み取られた情報を表す）情報信号Ｄ
中の各パルスの最大振幅は、第２の比較器３４によっ
て、エンベロープ電圧Ｅと比較される。一のパルスの振
幅がエンベロープ電圧Ｅを超える場合、比較器３４はス
イッチ３６を介して電流源３８を活動化し、かくてこの
電流源３８はエンベロープ電圧源３９のコンデンサ４０
（図５）を予定の速度で充電する。このパルスが終わっ
てエンベロープ電圧Ｅが情報信号Ｄの振幅を超えるよう
になると、比較器３４はスイッチ３６を介して電流源３
８を非活動化するので、コンデンサ４０は分圧器４２を
通して放電を開始することができる。このように、スレ
ッショルド電圧Ｆはエンベロープ電圧Ｅと平行して上昇
及び下降し、コンデンサ４０の充電及び放電を表す。第
１の比較器３３は、情報信号Ｄ及びスレッショルド電圧
Ｆを受取り、情報信号Ｄ中の一のパルスがスレッショル
ド電圧Ｆを超えるとき、一の信号を出力する。
【００１４】情報信号Ｄについて（図４の第３のパルス
のような）欠陥が生ずる場合、第２の比較器３４及びス
イッチ３６は、前述のようにして電流源３８を活動化す
る。もし、この欠陥の幅が有効なパルスの幅と同程度の
ものであれば、エンベロープ電圧Ｅ及びスレッショルド
電圧Ｆは（コンデンサ４０の充電が有効なパルスによっ
てトリガされるときの）レベルとほぼ同じレベルまで上
昇する。次いで、これらの電圧は、電流源３８が非活動
化され、これに応じてコンデンサ４０が放電するにつ
れ、下降するようになる。かくて、この欠陥の直後にあ
る有効なパルスの最大振幅はスレッショルド電圧Ｅを超
えることになるから、この欠陥の存在にも拘らず、これ
らの有効なパルスを検出することができるのである。こ
の欠陥の幅が有効なパルスの幅より若干広いとしても、
コンデンサ４０の充電及び放電速度を各パルスの予測さ
れる幅及び周波数に関して適当に選択すると、この欠陥
が一旦終わる場合に、その直後にある有効なパルスの振
幅を減衰中のスレッショルド電圧Ｆのレベルより依然と
して大きくすることができる。従って、本発明のエンベ
ロープ・フォロワによれば、欠陥伝播を著しく減少させ
ることができる。
のような）欠陥が生ずる場合、第２の比較器３４及びス
イッチ３６は、前述のようにして電流源３８を活動化す
る。もし、この欠陥の幅が有効なパルスの幅と同程度の
ものであれば、エンベロープ電圧Ｅ及びスレッショルド
電圧Ｆは（コンデンサ４０の充電が有効なパルスによっ
てトリガされるときの）レベルとほぼ同じレベルまで上
昇する。次いで、これらの電圧は、電流源３８が非活動
化され、これに応じてコンデンサ４０が放電するにつ
れ、下降するようになる。かくて、この欠陥の直後にあ
る有効なパルスの最大振幅はスレッショルド電圧Ｅを超
えることになるから、この欠陥の存在にも拘らず、これ
らの有効なパルスを検出することができるのである。こ
の欠陥の幅が有効なパルスの幅より若干広いとしても、
コンデンサ４０の充電及び放電速度を各パルスの予測さ
れる幅及び周波数に関して適当に選択すると、この欠陥
が一旦終わる場合に、その直後にある有効なパルスの振
幅を減衰中のスレッショルド電圧Ｆのレベルより依然と
して大きくすることができる。従って、本発明のエンベ
ロープ・フォロワによれば、欠陥伝播を著しく減少させ
ることができる。
【００１５】図５は、図３のピーク検出器３０の１実施
例を示す概略図である。ただし、図面を簡潔にするた
め、図５にはＤＣ復元回路は示されておらず、ＡＣ結合
器３２は簡略化された形態で示されている。第２の比較
器３４及びスイッチ３６は、ＮＰＮ型の第１及び第２の
トランジスタ４６及び４８を有する一の差動増幅器４４
から構成することが望ましい。第１及び第２のトランジ
スタ４６及び４８のエミッタはバイアス用電流源５０へ
それぞれ結合され、第２のトランジスタ４８のコレクタ
は電圧源Ｖ１へ、ベースはコンデンサ４０の１端子へ結
合される。コンデンサ４０の他の端子はアースへ結合さ
れ、また第１のトランジスタ４６のベースはＡＣ結合器
３２を介して情報信号を受け取るように結合される。
例を示す概略図である。ただし、図面を簡潔にするた
め、図５にはＤＣ復元回路は示されておらず、ＡＣ結合
器３２は簡略化された形態で示されている。第２の比較
器３４及びスイッチ３６は、ＮＰＮ型の第１及び第２の
トランジスタ４６及び４８を有する一の差動増幅器４４
から構成することが望ましい。第１及び第２のトランジ
スタ４６及び４８のエミッタはバイアス用電流源５０へ
それぞれ結合され、第２のトランジスタ４８のコレクタ
は電圧源Ｖ１へ、ベースはコンデンサ４０の１端子へ結
合される。コンデンサ４０の他の端子はアースへ結合さ
れ、また第１のトランジスタ４６のベースはＡＣ結合器
３２を介して情報信号を受け取るように結合される。
【００１６】図３の電流源３８は、ＰＮＰ型の第３及び
第４のトランジスタ５２及び５４を有するカレント・ミ
ラーから構成することが望ましい。第３及び第４のトラ
ンジスタ５２及び５４のベースは互いに共通に接続さ
れ、それらのエミッタは抵抗５６及び５８を通して電圧
源Ｖ２へ結合される。第３のトランジスタ５２のコレク
タは差動増幅器４４を構成する第１のトランジスタ４６
のコレクタへ結合され、第４のトランジスタ５４のコレ
クタは第２のトランジスタ４８のベース及びコンデンサ
４０の第１の端子へ結合される。
第４のトランジスタ５２及び５４を有するカレント・ミ
ラーから構成することが望ましい。第３及び第４のトラ
ンジスタ５２及び５４のベースは互いに共通に接続さ
れ、それらのエミッタは抵抗５６及び５８を通して電圧
源Ｖ２へ結合される。第３のトランジスタ５２のコレク
タは差動増幅器４４を構成する第１のトランジスタ４６
のコレクタへ結合され、第４のトランジスタ５４のコレ
クタは第２のトランジスタ４８のベース及びコンデンサ
４０の第１の端子へ結合される。
【００１７】ＡＣ結合器３２は、コンデンサ６０によっ
て表される。分圧器４２を構成する抵抗６４の第１の端
子はコンデンサ４０の第１の端子へ結合され、抵抗６６
は基準電圧源Ｖｒｅｆと抵抗６４の第２の端子との間に
結合される。比較器３３の反転入力は抵抗６４の第２の
端子へ結合され、非反転入力はＡＣ結合器３２に含まれ
るコンデンサ６０の第２の端子へ結合される。
て表される。分圧器４２を構成する抵抗６４の第１の端
子はコンデンサ４０の第１の端子へ結合され、抵抗６６
は基準電圧源Ｖｒｅｆと抵抗６４の第２の端子との間に
結合される。比較器３３の反転入力は抵抗６４の第２の
端子へ結合され、非反転入力はＡＣ結合器３２に含まれ
るコンデンサ６０の第２の端子へ結合される。
【００１８】動作について説明すると、差動増幅器４４
は実質的に線形の応答特性を有し、情報信号Ｄとコンデ
ンサ４０の両端にあるエンベロープ電圧Ｅとの間の差を
センスする。情報信号Ｄの振幅がエンベロープ電圧Ｅよ
り小さい場合、第１のトランジスタ４６はオフとなり、
第２のトランジスタ４８はオンとなるから、第２のトラ
ンジスタ４８へ結合された電圧Ｖ１からバイアス電流源
５０へバイアス電流が流れる。一方、情報信号Ｄの振幅
がエンベロープ電圧Ｅより大きい場合、第１のトランジ
スタ４６がオンとなり、第２のトランジスタ４８がオフ
となるから、バイアス電流はカレント・ミラー３８から
第１のトランジスタ４６のコレクタを通して流れる。カ
レント・ミラー３８が発生する電流は、バイアス用電流
と２つの抵抗５６及び５８の値との関数であり、この電
流はコンデンサ４０を充電するために使用される。さら
に、バイアス用電流のレベルと、カレント・ミラー３８
の利得と、コンデンサ４０の値とが、コンデンサ４０の
充電速度を（ボルト／秒の単位で）決定する。情報信号
Ｄの振幅がエンベロープ電圧Ｅより再び小さくなる場
合、カレント・ミラー３８は差動増幅器４４によって非
活動化され、かくてコンデンサ４０は分圧器４２を通し
て放電可能となる。前述のように、分圧器４２の出力は
スレッショルド電圧Ｆであり、これは比較器３３によっ
て情報信号Ｄと比較される。
は実質的に線形の応答特性を有し、情報信号Ｄとコンデ
ンサ４０の両端にあるエンベロープ電圧Ｅとの間の差を
センスする。情報信号Ｄの振幅がエンベロープ電圧Ｅよ
り小さい場合、第１のトランジスタ４６はオフとなり、
第２のトランジスタ４８はオンとなるから、第２のトラ
ンジスタ４８へ結合された電圧Ｖ１からバイアス電流源
５０へバイアス電流が流れる。一方、情報信号Ｄの振幅
がエンベロープ電圧Ｅより大きい場合、第１のトランジ
スタ４６がオンとなり、第２のトランジスタ４８がオフ
となるから、バイアス電流はカレント・ミラー３８から
第１のトランジスタ４６のコレクタを通して流れる。カ
レント・ミラー３８が発生する電流は、バイアス用電流
と２つの抵抗５６及び５８の値との関数であり、この電
流はコンデンサ４０を充電するために使用される。さら
に、バイアス用電流のレベルと、カレント・ミラー３８
の利得と、コンデンサ４０の値とが、コンデンサ４０の
充電速度を（ボルト／秒の単位で）決定する。情報信号
Ｄの振幅がエンベロープ電圧Ｅより再び小さくなる場
合、カレント・ミラー３８は差動増幅器４４によって非
活動化され、かくてコンデンサ４０は分圧器４２を通し
て放電可能となる。前述のように、分圧器４２の出力は
スレッショルド電圧Ｆであり、これは比較器３３によっ
て情報信号Ｄと比較される。
【００１９】以上では、実施例に即して本発明を説明し
たが、本発明の精神を逸脱することなく実体的にも形式
的にも種々の変形を行いうることは、当業者には明らか
であろう。例えば、カレント・ミラー３８の第３及び第
４のトランジスタ５２及び５４が十分にマッチしている
場合には、その抵抗５６及び５８を取り除くことができ
る。また、カレント・ミラー３８及び差動増幅器４４の
構成は前述のものに限られず、他の構成をも利用するこ
とができる。
たが、本発明の精神を逸脱することなく実体的にも形式
的にも種々の変形を行いうることは、当業者には明らか
であろう。例えば、カレント・ミラー３８の第３及び第
４のトランジスタ５２及び５４が十分にマッチしている
場合には、その抵抗５６及び５８を取り除くことができ
る。また、カレント・ミラー３８及び差動増幅器４４の
構成は前述のものに限られず、他の構成をも利用するこ
とができる。
【００２０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、たとえ
高い振幅パルスを生ぜしめるような欠陥が検出されたと
しても、スレッショルド電圧が（カレント・ミラーの出
力及びコンデンサの値の関数である）予定の速度より早
い速度で充電を行うために使用されることはなく、また
スレッショルド電圧が予定の速度より早い速度で上昇す
ることもないから、情報信号中の有効な情報パルスが高
振幅の欠陥の直後に続くとしても、かかるパルスを的確
に検出することができる。
高い振幅パルスを生ぜしめるような欠陥が検出されたと
しても、スレッショルド電圧が（カレント・ミラーの出
力及びコンデンサの値の関数である）予定の速度より早
い速度で充電を行うために使用されることはなく、また
スレッショルド電圧が予定の速度より早い速度で上昇す
ることもないから、情報信号中の有効な情報パルスが高
振幅の欠陥の直後に続くとしても、かかるパルスを的確
に検出することができる。
【図１】従来技術に従ったエンベロープ・フォロワ内の
信号波形を示す図である。
信号波形を示す図である。
【図２】従来技術に従った検定機能付きピーク検出器を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図３】本発明の検定機能付きピーク検出器の１実施例
を示すブロック図である。
を示すブロック図である。
【図４】本発明の検定機能付きピーク検出器内の信号波
形を示す図である。
形を示す図である。
【図５】本発明の検定機能付きピーク検出器の１実施例
を示す概略図である。
を示す概略図である。
１２・・・ドライブ・ヘッド ３２・・・ＡＣ結合器兼ＤＣ復元回路 ３３・・・比較器 ３４・・・比較器 ３６・・・スイッチ ３８・・・電流源 ３９・・・エンベロープ電圧源 ４２・・・分圧器
Claims (10)
- 【請求項１】容量性デバイスと、 予定の電流を発生する電流源と、 情報信号の振幅を前記容量性デバイス両端のエンベロー
プ電圧と比較する比較手段と、 前記電流源へ結合され且つ前記比較手段に応答するスイ
ッチング手段とを備え、 前記情報信号の振幅が前記エンベロープ電圧より大きい
時は、前記スイッチング手段が第１の状態にあって、前
記容量性デバイスを前記予定の電流で充電させ、前記情
報信号の振幅が前記エンベロープ電圧より小さい時は、
前記スイッチング手段が第２の状態にあって、前記容量
性デバイスを放電させるようにした、耐欠陥性エンベロ
ープ・フォロワ。 - 【請求項２】前記比較手段及び前記スイッチング手段が
一の差動増幅器から成る、請求項１に記載の耐欠陥性エ
ンベロープ・フォロワ。 - 【請求項３】前記差動増幅器が、 前記情報信号を受け取るように結合されたベース、バイ
アス用電流源へ結合されたエミッタ及びコレクタを有す
る第１のトランジスタと、 前記容量性デバイスの第１の端子へ結合されたベース、
前記バイアス用電流源へ結合されたエミッタ及び第１の
電圧源へ結合されたコレクタを有する第２のトランジス
タとから成り、 前記情報信号の振幅が前記エンベロープ電圧より小さい
時は、前記第１のトランジスタがオフ状態で且つ前記第
２のトランジスタがオン状態にあり、前記情報信号の振
幅が前記エンベロープ電圧より大きい時は、前記第１の
トランジスタがオン状態で且つ前記第２のトランジスタ
がオフ状態にあるようにした、請求項２に記載の耐欠陥
性エンベロープ・フォロワ。 - 【請求項４】前記電流源がカレント・ミラーであって、 前記第１のトランジスタのコレクタへ結合されたコレク
タ、第２の電圧源へ結合されたエミッタ及びベースを有
する第３のトランジスタと、 前記容量性デバイスの第１の端子へ結合されたコレク
タ、前記第２の電圧源へ結合されたエミッタ及び前記第
３のトランジスタのベースへ結合されたベースを有する
第４のトランジスタとから成り、 前記情報信号の振幅が前記エンベロープ電圧より大きい
時に、前記カレント・ミラーを活動化するようにした、
請求項３に記載の耐欠陥性エンベロープ・フォロワ。 - 【請求項５】記録媒体に記憶されたデータから情報信号
を発生する手段と、 予定の電流を発生する電流源と、 エンベロープ電圧を供給する手段と、 前記情報信号の振幅が前記エンベロープ電圧より大きく
なる場合を決定するセンス手段と、 前記センス手段に応答して、前記情報信号の振幅が前記
エンベロープ電圧より大きい時は、前記エンベロープ電
圧供給手段が前記予定の電流で充電されるように前記電
流源を活動化し、前記情報信号の振幅が前記エンベロー
プ電圧より小さい時は、前記エンベロープ電圧供給手段
が放電されるように前記電流源を非活動化するスイッチ
ング手段と、 前記エンベロープ電圧に応答して、スレッショルド電圧
を設定する手段と、 前記情報信号及びスレッショルド電圧を受け取るように
結合され、前記情報信号の振幅が前記エンベロープ電圧
より小さい時は第１の状態を有し且つ前記情報信号の振
幅が前記エンベロープ電圧より大きい時は第２の状態を
有する信号を出力する比較手段と、を備えて成る、デー
タ記憶装置からの信号を処理する装置。 - 【請求項６】前記センス手段及び前記スイッチング手段
が一の差動増幅器から成る、請求項５に記載のデータ記
憶装置からの信号を処理する装置。 - 【請求項７】前記差動増幅器が、 前記情報信号を受け取るように結合されたベース、バイ
アス用電流源へ結合されたエミッタ及びコレクタを有す
る第１のトランジスタと、 前記エンベロープ電圧供給手段の第１の端子へ結合され
たベース、前記バイアス用電流源へ結合されたエミッタ
及び第１の電圧源へ結合されたコレクタを有する第２の
トランジスタとから成り、 前記情報信号の振幅が前記エンベロープ電圧より小さい
場合は、前記第１のトランジスタがオフ状態で且つ前記
第２のトランジスタがオン状態にあり、前記情報信号の
振幅が前記エンベロープ電圧より大きい場合は、前記第
１のトランジスタがオン状態で且つ前記第２のトランジ
スタがオフ状態にあるようにした、請求項６に記載のデ
ータ記憶装置からの信号を処理する装置。 - 【請求項８】前記電流源であるカレント・ミラーが、 前記スイッチング手段へ結合されたコレクタ、第２の電
圧源へ結合されたエミッタ及びベースを有する第３のト
ランジスタと、 前記エンベロープ電圧供給手段の第１の端子へ結合され
たコレクタ、前記第２の電圧源へ結合されたエミッタ及
び前記第３のトランジスタのベースへ結合されたベース
を有する第４のトランジスタとから成り、 前記情報信号の振幅が前記エンベロープ電圧より大きい
時に前記カレント・ミラーを活動化するようにした、請
求項５に記載のデータ記憶装置からの信号を処理する装
置。 - 【請求項９】前記スレッショルド電圧設定手段である分
圧器が、 前記エンベロープ電圧供給手段の第１の端子へ結合され
た第１の端子を有する第１の抵抗と、 前記第１の抵抗の第２の端子へ結合された第１の端子及
び基準電圧を受け取るように結合された第２の端子を有
する第２の抵抗とから成る、請求項５に記載のデータ記
憶装置からの信号を処理する装置。 - 【請求項１０】前記エンベロープ電圧供給手段がコンデ
ンサから成る、請求項５に記載のデータ記憶装置からの
信号を処理する装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US972395 | 1992-11-06 | ||
| US07/972,395 US5357150A (en) | 1992-11-06 | 1992-11-06 | Defect tolerant envelope follower |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338137A true JPH06338137A (ja) | 1994-12-06 |
| JPH0817010B2 JPH0817010B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=25519607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5219823A Expired - Lifetime JPH0817010B2 (ja) | 1992-11-06 | 1993-09-03 | 耐欠陥性エンベロープ・フォロワ及びデータ記憶装置からの信号を処理する装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5357150A (ja) |
| JP (1) | JPH0817010B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7269687B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-09-11 | Quantum Corporation | Bounding defective regions of a tape storage medium |
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|---|---|---|---|---|
| KR950009777B1 (ko) * | 1992-10-13 | 1995-08-28 | 삼성전자주식회사 | 영상기록재생장치의 기록모드 검출회로 |
| JP3207745B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2001-09-10 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | コンパレータ回路 |
| US6038090A (en) * | 1996-04-03 | 2000-03-14 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for improving baseline recovery of an MR head using a programmable recovery time constant |
| US5986839A (en) * | 1996-09-17 | 1999-11-16 | International Business Machines Corporation | Electronic magnetoresistive sensor biasing using a transducer equivalent circuit and current sources |
| US7019509B2 (en) * | 1997-05-30 | 2006-03-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Digital envelope detector |
| TW427051B (en) * | 1998-01-15 | 2001-03-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Peak detection apparatus |
| US6888381B2 (en) * | 2001-10-01 | 2005-05-03 | Broadcom Corporation | High speed peak amplitude comparator |
| US20060208768A1 (en) * | 2001-10-02 | 2006-09-21 | Afshin Momtaz | High speed peak amplitude comparator |
| US7042615B2 (en) * | 2002-05-17 | 2006-05-09 | The Regents Of The University Of California | Electrochromic devices based on lithium insertion |
| DE102010001154A1 (de) * | 2010-01-22 | 2011-07-28 | Robert Bosch GmbH, 70469 | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung eines Stromimpulses |
Family Cites Families (9)
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|---|---|---|---|---|
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| DE2935917A1 (de) * | 1979-09-06 | 1981-03-26 | Deutsche Itt Industries Gmbh, 79108 Freiburg | Schaltungsanordnung zur impulsuebertragung und -wiederholung |
| US4321488A (en) * | 1979-12-03 | 1982-03-23 | Zenith Radio Corporation | Sample and hold detector |
| US4346411A (en) * | 1981-02-17 | 1982-08-24 | International Business Machines Corporation | Amplitude sensitive three-level detector for derivative read back channel of magnetic storage device |
| US4648118A (en) * | 1984-04-20 | 1987-03-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus for reducing noise in audio signals |
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| US4914398A (en) * | 1988-08-01 | 1990-04-03 | International Business Machines Corporation | Method and circuitry to suppress additive disturbances in data channels containing MR sensors |
| US5057785A (en) * | 1990-01-23 | 1991-10-15 | International Business Machines Corporation | Method and circuitry to suppress additive disturbances in data channels |
| US5101395A (en) * | 1990-06-11 | 1992-03-31 | International Business Machines Corporation | Data detection employing high-speed baseline tracking compensation |
-
1992
- 1992-11-06 US US07/972,395 patent/US5357150A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-09-03 JP JP5219823A patent/JPH0817010B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7269687B2 (en) | 2004-08-20 | 2007-09-11 | Quantum Corporation | Bounding defective regions of a tape storage medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5357150A (en) | 1994-10-18 |
| JPH0817010B2 (ja) | 1996-02-21 |
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