JPS63198021A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPS63198021A JPS63198021A JP62030808A JP3080887A JPS63198021A JP S63198021 A JPS63198021 A JP S63198021A JP 62030808 A JP62030808 A JP 62030808A JP 3080887 A JP3080887 A JP 3080887A JP S63198021 A JPS63198021 A JP S63198021A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業五の利用分野〉
本発明は、液晶表示素子、特に非線型素子を用いた液晶
表示素子の電極tJI造に関する。
表示素子の電極tJI造に関する。
〈発明の械費〉
本発明は非線型素子を用いた液晶表示素子の電極If造
において信号を印加する電極の信号印加端子と表示部分
との間に、対向基板に電極金膜ける事で容゛hを付加し
たものであり、この−で製造中外部から〃■わる静電気
によって起こる非腺帖素子の破版を防ぐようにしたもの
である。
において信号を印加する電極の信号印加端子と表示部分
との間に、対向基板に電極金膜ける事で容゛hを付加し
たものであり、この−で製造中外部から〃■わる静電気
によって起こる非腺帖素子の破版を防ぐようにしたもの
である。
く従来の技術〉
従来、非線型素子を用いた液晶表示装置においては、S
よりg4 D工G11BT 304〜307.32
4〜325ページ、工JICFliffi TTan
a、F−1eatron Dgv、、ED−30゜、
532(1983)等に記述があるが、信号電極自体の
構造には特に言及はなく、信号電極の抵抗については表
示がムラにならない程反に低ければよいと考えられてい
世。
よりg4 D工G11BT 304〜307.32
4〜325ページ、工JICFliffi TTan
a、F−1eatron Dgv、、ED−30゜、
532(1983)等に記述があるが、信号電極自体の
構造には特に言及はなく、信号電極の抵抗については表
示がムラにならない程反に低ければよいと考えられてい
世。
〈発明が解決しようとする問題点〉
従来より非線型素子を用いた液晶表示素子では非S型素
子の異常(不良)Kよる画素の欠陥が歩留シ低下ひいて
はコストアップの大きな原因となっていた。この非線型
素子の異常の原因としては素子パターンの形状不良尋、
プロセス中に発生するものの他に、製造中特に外部のド
ライバ部分との接続等の時に電極に印加される静電気に
よって非線型素子の特性が異常となる参列があげられた
。
子の異常(不良)Kよる画素の欠陥が歩留シ低下ひいて
はコストアップの大きな原因となっていた。この非線型
素子の異常の原因としては素子パターンの形状不良尋、
プロセス中に発生するものの他に、製造中特に外部のド
ライバ部分との接続等の時に電極に印加される静電気に
よって非線型素子の特性が異常となる参列があげられた
。
そζで本発明はこのような間社点を解決しようとするも
ので、その目的とする所は非線社素子を用いた安価な液
晶表示素子を提供する所にある。
ので、その目的とする所は非線社素子を用いた安価な液
晶表示素子を提供する所にある。
く問一点を解決するための平段〉
本発明の液晶表示素子は、信号を印加する電極の入力端
子部分と画素への入力部分との間に抵抗と対向する基板
の電極との間で液晶を介して容量とが作り人まれている
事を特徴とする。
子部分と画素への入力部分との間に抵抗と対向する基板
の電極との間で液晶を介して容量とが作り人まれている
事を特徴とする。
く作用〉
本発明の上記の構成によれば、入力端子と画素部分の間
に形成された抵抗と容量がいわゆる01回路を形成し、
急峻なパルス状の静電気が電極の端子に印加された時1
画素の非線型素子にかかる電圧全敗くシ、非線型素子の
破壊を防ぐ。
に形成された抵抗と容量がいわゆる01回路を形成し、
急峻なパルス状の静電気が電極の端子に印加された時1
画素の非線型素子にかかる電圧全敗くシ、非線型素子の
破壊を防ぐ。
く実M例〉
本発明の一冥施例として、非線!素子に全編(M a
’t a l )−絶縁物(XnaxLator)−金
ks4(Matal)の三層構造からなる。いわゆるM
IM素子を用いた液晶表示素子tもとに説明する1本実
施列では慕IM素子としてタンタル−酸化タンタルーク
ロムからなるものを用いる。
’t a l )−絶縁物(XnaxLator)−金
ks4(Matal)の三層構造からなる。いわゆるM
IM素子を用いた液晶表示素子tもとに説明する1本実
施列では慕IM素子としてタンタル−酸化タンタルーク
ロムからなるものを用いる。
第1図は本発明の液晶表示素子の1実施列を示す、液晶
表示素子の斜視断面の模式自である。?li明基板基板
1にA基板とする)の上に、信号印加端子となるタンタ
ル膜2が形成されており、これは−子部以外は酸化タン
タル(斜線部)でおおわれている、3は略して示された
MIM素子、 4Fi画素を形成する透明電極で、対向
する基板5(後にB基板とする)の透明電極6との間で
液晶7を介して画素を形成している。8は透明基板間の
すき間t″設け、液晶を封入するためのスペー管−であ
る。9は入力端子とlliX部分の藺に設けられた保画
抵抗で、1(Jd容量形成部分で、対向するB基板の接
置形成用電極11との間でム基板の信号印加端子2から
入る静電気に対する保Ii!容tIte形成している。
表示素子の斜視断面の模式自である。?li明基板基板
1にA基板とする)の上に、信号印加端子となるタンタ
ル膜2が形成されており、これは−子部以外は酸化タン
タル(斜線部)でおおわれている、3は略して示された
MIM素子、 4Fi画素を形成する透明電極で、対向
する基板5(後にB基板とする)の透明電極6との間で
液晶7を介して画素を形成している。8は透明基板間の
すき間t″設け、液晶を封入するためのスペー管−であ
る。9は入力端子とlliX部分の藺に設けられた保画
抵抗で、1(Jd容量形成部分で、対向するB基板の接
置形成用電極11との間でム基板の信号印加端子2から
入る静電気に対する保Ii!容tIte形成している。
12はB基板のイぽ号を極に保に容量を形成するため
の電極である。
の電極である。
第一図は従来列における電&酵造の模式図で第1図の2
.3.4の部分に当る。
.3.4の部分に当る。
8g3図は第1図、第2図におけるMl麺素子3の部分
の拡大図で13t!酸化タンタルでおおわれたメンタル
の電極、 14はクロムの電極パターンである。
の拡大図で13t!酸化タンタルでおおわれたメンタル
の電極、 14はクロムの電極パターンである。
&g4図は第3図の電点fg4%15で切った時の断面
の模式図で、lは透明基板(ム基板)、16はタンタル
、 17は酸化タンタルからなり、 16 、17で第
3図13の電極を形成している。
の模式図で、lは透明基板(ム基板)、16はタンタル
、 17は酸化タンタルからなり、 16 、17で第
3図13の電極を形成している。
第5因は第1図の実施列に示した信号電極の入力端子部
分の等価回路図で、18は入力端子、19は保護抵抗、
20は保護容量、21はM工M素子の抵抗で両端の電圧
によって変化する。22はMIM素子の容11. Z3
は液晶抵抗、24は液晶容量で3は対向する基板の電極
となる。
分の等価回路図で、18は入力端子、19は保護抵抗、
20は保護容量、21はM工M素子の抵抗で両端の電圧
によって変化する。22はMIM素子の容11. Z3
は液晶抵抗、24は液晶容量で3は対向する基板の電極
となる。
第6図は本発明の他の実施例における電極構造模式図で
、2重の01回路を形成している。
、2重の01回路を形成している。
本発明の1実施列であるMIM素子を用いた液晶表示素
子における実験では、第2図に示した従来構造の電極の
場合、液晶パネルt″実装する事でほぼ1oosの確率
で画素欠陥が増加したが%第1図のような電極構造に変
更する事でまったく増加はみられなかりた。この時、入
力端子から最初の画素までの信号1を極の抵抗は200
Ωから2にΩ、保腹容量は面積にして1画素分、約1.
5 /J Fであった。また、1007Fのコンデンサ
に蓄わえた電荷を端子に放電して画素欠陥の増加をみる
と、第2図の電極構造から第1図の電極構造に変える事
でコンデンサのチャージ電圧で2倍まで画素欠陥が増加
しなかった。
子における実験では、第2図に示した従来構造の電極の
場合、液晶パネルt″実装する事でほぼ1oosの確率
で画素欠陥が増加したが%第1図のような電極構造に変
更する事でまったく増加はみられなかりた。この時、入
力端子から最初の画素までの信号1を極の抵抗は200
Ωから2にΩ、保腹容量は面積にして1画素分、約1.
5 /J Fであった。また、1007Fのコンデンサ
に蓄わえた電荷を端子に放電して画素欠陥の増加をみる
と、第2図の電極構造から第1図の電極構造に変える事
でコンデンサのチャージ電圧で2倍まで画素欠陥が増加
しなかった。
〈発明の効果〉
以上述べたように本発明によれば、非線型素子上用いた
液晶表示素子において、入力端子部と画素部分の間の電
極にCR回路全形成する事で、製造中、@に実装中に端
子よりはいる静電気によフ非線型素子が破馳されるl!
を防ぐ事ができる。これは電極のパターン形状を変える
だけで可能なので、まったくコストを上げる事なく歩留
r’tJ:ける事ができ、ひいては安価な液晶表示素子
を提供できるという効果′t−有する。
液晶表示素子において、入力端子部と画素部分の間の電
極にCR回路全形成する事で、製造中、@に実装中に端
子よりはいる静電気によフ非線型素子が破馳されるl!
を防ぐ事ができる。これは電極のパターン形状を変える
だけで可能なので、まったくコストを上げる事なく歩留
r’tJ:ける事ができ、ひいては安価な液晶表示素子
を提供できるという効果′t−有する。
第1図は本発明の液晶表示素子の1実施列を示す模式的
な斜視図 第2図は従来列の電Ill造模式図 T83図はM工M素子の模式パターン1第4し1はM工
y素子の模式断面図 第5図は実施例における電極の等価回路図第6図は他の
実施列における電極形状模式図7″ 第1図
な斜視図 第2図は従来列の電Ill造模式図 T83図はM工M素子の模式パターン1第4し1はM工
y素子の模式断面図 第5図は実施例における電極の等価回路図第6図は他の
実施列における電極形状模式図7″ 第1図
Claims (2)
- (1) a)二枚の透明基板の間に液晶が封入されており、b)
少なくとも一方の透明基板の内側には信号を印加する信
号電極、前記信号電極と2端子の非線型素子を介して接
続されている多数の透明電極が形成され、 c)対向する基板の透明電極との間でマトリクス状に画
素を形成している液晶表示素子においてd)少なくとも
一方の基板の画素部分の外側に細長い電極が形成され e)対向する基板の電極の入力端子と画素部分の間に液
晶を介して1画素分以上の容量が設けられている事を特
徴とする液晶表示素子。 - (2) 前記入力端子と画素部分との間に設けられた容量部分と
入力端子の間の抵抗が1KΩ以上、10KΩ以下に設定
されている事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
液晶表示素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62030808A JP2537612B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62030808A JP2537612B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 液晶表示素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1334396A Division JP2760336B2 (ja) | 1996-01-29 | 1996-01-29 | 液晶表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63198021A true JPS63198021A (ja) | 1988-08-16 |
JP2537612B2 JP2537612B2 (ja) | 1996-09-25 |
Family
ID=12313985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62030808A Expired - Lifetime JP2537612B2 (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2537612B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5212573A (en) * | 1988-11-18 | 1993-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Input protection circuit of electro-optical device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58168032A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
JPS58172690A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置 |
JPS61121081A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | キヤノン株式会社 | 液晶表示パネル |
JPS62227130A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nec Corp | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP62030808A patent/JP2537612B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58168032A (ja) * | 1982-03-29 | 1983-10-04 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法 |
JPS58172690A (ja) * | 1982-04-01 | 1983-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶電気光学装置 |
JPS61121081A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | キヤノン株式会社 | 液晶表示パネル |
JPS62227130A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-06 | Nec Corp | アクテイブマトリクス型液晶表示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5212573A (en) * | 1988-11-18 | 1993-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Input protection circuit of electro-optical device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2537612B2 (ja) | 1996-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |