JPS63196026A - 膜コンデンサのトリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） 本発明は膜コンデンサのトリミング方法に関する。

（従来の技術） ゛民生用機器、産業用機器を問わず大量に使用される方
向にあるハイブリッドＩＣの高密度化のため、近年、抵
抗体、コンデンサ等の受動素子の膜化が進んでいる。し
かしながら、コンデンサに関しては現在のところ積層チ
ップコンデンサが主流である。特に、厚膜ハイブリッド
の分野において、配線基板上に形成される厚膜コンデン
サは、以下に述べるように特性や器差性等の問題から実
用化が困難とされている。

つまり、従来の積層チップコンデンサでは、製造した最
終工程で容量値毎に仕分けして回路の要求容量値に合致
したものを用いればよいが、配線基板と一体化して形成
される膜コンデンサにおいては、回路の仕様を満足する
規格値に容量値を調整する工程、即ちトリミング工程が
必要となる。

このトリミング工程は膜抵抗体くおいても同様に必要で
あるが、膜コンデンサのトリミングが膜抵抗体のそれと
異なり極めて困難となる。

以下、従来の膜コンデンサのトリミング方法について、
図面を参照して説明する。

第４図に示す如（、アルミナ基板等の絶縁基板４１に矩
形の下層電極層４２．誘電体層４３及び上層電極層躬を
、夫々スクリーン印刷、焼成を順次繰り返しながら形成
して、膜コンデンサを形成する。

その後初期容量値を測定し、目標値よりも値が大きい場
合には、上層電極層４にレーザ光等を照射して、例えば
上層電極層病の一点鎖線部分を切断し、電極面積を減少
させることによって容量値を減少させるトリミングを実
施する。このようにして、上層電極＃４４ヲレーザ光で
カットした場合のＡ−Ａ側断面図を第５図に示す。上層
電極層４４の一部が溝部４５によって分断されるため、
分割された電極面積分が容量値の減少分となるものであ
る。

しかしながら、溝部４５つまりレーザ光の照射部の下に
誘電体層４３があるため、上層電極層病をトリミングす
る際、誘電体層４３の上部が局部加熱によって変質した
り、あるいは誘電体層４３の上部が上層電極層４４と一
緒にトリミングされて誘電体層４３の膜厚が薄くなる等
して、特性が劣化したり信頼性か低下する等の不都合が
あった。

そこで、第６図に示す如く、絶縁基板６１に矩形の下Ｍ
電極層６２を形成しく第６図ａ）、その上に誘電体層口
を形成しく第６図ｂ）、その後誘電体層Ｂ上に複数のス
リット８を設けた上層電極層−を形成して（第６図Ｃ）
、膜コンデンサを形成する。そして、トリミングの際は
上層電極層−のみ、即ち第６図（Ｃ）の一点鎖線部分を
切断すればよい。

第７図に、上層電極Ｍ６５をレーザ光でカットした場合
のＢ−Ｂ側断面図を示す。同図から分かるように、上層
電極層−を分断する溝部印の下に誘電体増田がないので
、下面の絶縁基板６１が変質したりトリミングされるこ
とはあっても、膜コンデンサ自体の特性、信頼性には影
響を及ぼさない。

しかしながらこのトリミング方法では、トリミング量が
スリット６によって形成された突条６７の長さＬと幅Ｗ
で限定されてしまう。つまり、突条６７を全て切断する
か、残すかのいずれかじ力）選択できないので、トリミ
ング量と容量値の関係は例えば第８図に示すようになる
。突条６７の１個当りの変化量は初期値６０ｎＦの２５
９４に相当するｌ　５ｎＦと極めて大き゛く、微調圧に
は不向きである。

スリブ）６４の数を増加させて突条６７の幅Ｗを狭くす
れば変化量は小さくなるが、電極面積がｌ〜２５鵡３程
度の場合では、厚膜をスクリーン印刷によって形成する
ことを考慮すると、その印刷精度の限界から実用的では
ない。従うて、従来のこのトリミング方法では、許容差
が±１５％程度の膜コンデンサしか形成することができ
なかった。

（発明が解決しようとする問題点） 以上説明したように１従来の膜コンデンサのトリミング
方法では、膜コンデンサの特性や信頼性に悪影響を及ぼ
したり、また微調整を行なうことが不可能であった。

そこで、本発明は上記問題点を解決する丸めになされた
もので、その目的は膜コンデンサの特性や信頼性に悪影
響を及ぼすことなく、かつ容易に微調整を行なうことの
できる膜コンデンサのトリミング方法を提供することに
ある。

〔発明の構成〕

（問題点を解決するための手段） この発明は、膜コンデンサの下層電極層がスリットによ
って複数の突条に分割されるように形成し、誘電体層及
び上層電極層が上記複数の突条を露出させる開口部を有
するよう形成し、上記開口部から露出し九上記下層電極
層の突条を切断して容量値を調整するものである。

（作用） この発明では、誘電体層及び上層電極層に開口部が設け
られているので下層電極層の突条を誘電体層に悪影響を
及ぼすことなく切断でき、また上記開口部を任意の位置
に設計することによって容量値の微調整又は粗調整を行
なうことが可能となる。

（実施例） 以下、本発明の膜フンデンサのトリミング方法に係る実
施例について、図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す工程図である。

第１図（ａ）に示す如く、アルミナ基板等の絶縁基板１
１上にＡｔ／Ｐｄ系の下層電極層１２をスクリーン印刷
によって印刷し、９００℃で空気中焼成して形成する。

この下層電極層１２にはスリット１３が設けられて？す
、下層電極層１２を複数の突条１４に分割している。

次に、第１図（ｂ）のように誘電体層１５を上記同様の
条件で形成する。このとき、上記複数の突条１４を露出
させるトリミング用の幅０．３ｎの開口部１６を設ける
。その後、誘電体層１５よりも−回り小さい上層電極層
１７ｔ−第１図（Ｃ）の如く、上述同様の条件で形成す
ることによって、膜コンデンサを形成する。

そして、誘電体層１５及び上層電極層１７に設けられた
開口部１６から露出する下層電極層１２の突条１４の一
点鎖線部分にＹＡＧレーザ光をパルス発振で照射し、１
０鶴／ｓｅｃで突条１４を切断（トリミング）する。第
２図に１突条１４部分をレーザ光でカットした場合のＣ
−Ｃ側断面図を示す。同図から分かるように、このトリ
ミング工程においては、下層電極層１２及び絶縁基板１
１０表面をわずかに切断したく止り、周辺の各層への影
響はない。

上記トリミング工程におけるトリミング量に対する容量
値の関係を第３図に示す。図中、ａＳ、αＧ。

αＱは第１図（ｂ）において開口部の位置を１６．１６
．１６の３段階に選んだときの特性を示す。突条１４の
１個当りの変化量は、開口部１６では初期値６０ｆｌＦ
の５ｈに相当する３ｎＦ　、開口部１６．１６＃では夫
々１５　’１０　。

２５カに相当するＩＱｎＦｅ　１５ｎＦとなる。これは
、開口部の位置により減少する電極面積が異なるからで
ある。従って、形成する膜コンデンサに要求される精度
に応じて開口部の位置を設けることによって、粗調整又
は微調整を選択することができる。

の３個設けることによって、粗調整から微調整までの広
範囲のトリミングが可能となり、±５％までの許容差の
厚膜コンデンサを精度よく形成することができる。

なお、本発明は厚膜コンデンサに限らず薄膜コンデンサ
にも適用することが可能である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、膜コンデンサの特性や信頼性に悪影響
を及ぼすことなく、かつ容易に微Ａ整を行なうことが可
能となり、実用的なトリミングを実施することができる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の膜コンデンサのトリミング方特性を示
す特性図、第４図乃至第７図は従来の膜コンデンサのト
リミング方法を説明する図、第８図は従来の膜コンデン
サのトリミング方法の特性を示す特性図である。 １１・・・絶縁基板、１２・・・下層電極層。 １３・・・ス　　リ　　ッ　　ト　　、　　　　　　　
　　　　　　１４・・・突　　　条　。 １５・・・誘電体層、１６・・・開口部。 １７・・・上層電極層。 代理人　弁理士　　則　近　慧　佑 同　　　宇治　弘 （（２）　　　　　　　第２８ 第１図 １１４　　図 第５図 第７図 第８図 （Ｃ） 第６１！１

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　絶縁基板上にスリットによりて分割された複数の突条
   を有する下層電極層を形成し、前記複数の突条を露出さ
   せる開口部を有する誘電体層及び上層電極層を順次前記
   下層電極層上に積層して膜コンデンサを形成し、前記開
   口部から露出する前記下層電極層の突条を切断して容量
   値を調整することを特徴とした膜コンデンサのトリミン
   グ方法。