JPS63194328A - 露光装置の位置合せ方法 - Google Patents
露光装置の位置合せ方法Info
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- JPS63194328A JPS63194328A JP62026460A JP2646087A JPS63194328A JP S63194328 A JPS63194328 A JP S63194328A JP 62026460 A JP62026460 A JP 62026460A JP 2646087 A JP2646087 A JP 2646087A JP S63194328 A JPS63194328 A JP S63194328A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 210000002445 nipple Anatomy 0.000 abstract description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の属する分野]
本発明は露光装置に関し、特に半導体メモリや演算装置
等の高密度集積回路チップの製造の際に回路パターンの
焼付を行なうべきウェハ等の被露光体の姿勢を適確に保
持して高精度な露光を行なうことができる露光装置に関
する。
等の高密度集積回路チップの製造の際に回路パターンの
焼付を行なうべきウェハ等の被露光体の姿勢を適確に保
持して高精度な露光を行なうことができる露光装置に関
する。
[従来技術]
従来のこの種の装置、例えばレチクル上に描かレタハタ
ーンをウェハ上に投影するステッパ等の露光装置では、
レチクルとウェハとの位置合せを行なう機能が備えられ
ており、それにより位置合せを行なった後に露光を行な
っていた。
ーンをウェハ上に投影するステッパ等の露光装置では、
レチクルとウェハとの位置合せを行なう機能が備えられ
ており、それにより位置合せを行なった後に露光を行な
っていた。
そして、このような位置合せは、一般的には、投影すべ
きパターンが描かれたレチクル等の原板とクエへ等の被
露光体とのずれ量を計測し、その結果に基づいて被露光
体を移動したり、または原板と被露光体とを穆勅したり
することにより行なわれていた。
きパターンが描かれたレチクル等の原板とクエへ等の被
露光体とのずれ量を計測し、その結果に基づいて被露光
体を移動したり、または原板と被露光体とを穆勅したり
することにより行なわれていた。
[発明が解決しようとする問題点コ
ところが、このような露光装置においては、処理中にウ
ェハ上下・回転機構にて機械的ずれが発生し、位置合せ
をしたレチクルとクエへとがずれてしまうことがある。
ェハ上下・回転機構にて機械的ずれが発生し、位置合せ
をしたレチクルとクエへとがずれてしまうことがある。
例えば、ステッパにおいてXY方向のステップ中に、X
Yウェハステージ上に搭載されたウェハ上下・回転機構
(θZステージ)内の機械的ずれによりクエへの位置が
ずれてしまうという問題点があり、その重ね合せ精度お
よび他の装置との融通性等に難点があった。
Yウェハステージ上に搭載されたウェハ上下・回転機構
(θZステージ)内の機械的ずれによりクエへの位置が
ずれてしまうという問題点があり、その重ね合せ精度お
よび他の装置との融通性等に難点があった。
特に、ウェハ移動機構内部は、メカニカルな剛性とその
内部摩擦によって保持されており、これに打ち勝つ内部
エネルギーの放出または外力の付加により、内部の各部
材がある領域までずれてしまうという問題点があった。
内部摩擦によって保持されており、これに打ち勝つ内部
エネルギーの放出または外力の付加により、内部の各部
材がある領域までずれてしまうという問題点があった。
本発明は、上述の従来形の問題点に鑑み、ステップ動作
等の動作中にウェハ等の被露光体の位置ずれ(ウェハロ
ーテーション)を発生させることなく、極めて高い重ね
合せ精度、高生産性および高融通性を有する露光装置を
提供することを目的とする。
等の動作中にウェハ等の被露光体の位置ずれ(ウェハロ
ーテーション)を発生させることなく、極めて高い重ね
合せ精度、高生産性および高融通性を有する露光装置を
提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段および作用コ上記の目的
を達成するため、本発明は、レチクル等の原板とクエへ
等の被露光体のずれ二を計測する計測手段と、計測結果
に応じて原板や被露光体を移動させる制御手段とを備え
た露光装置において、被露光体の移動制御後にその被露
光体を載置しているステージをロックする等により被露
光体をロックする手段を備えることとしている。
を達成するため、本発明は、レチクル等の原板とクエへ
等の被露光体のずれ二を計測する計測手段と、計測結果
に応じて原板や被露光体を移動させる制御手段とを備え
た露光装置において、被露光体の移動制御後にその被露
光体を載置しているステージをロックする等により被露
光体をロックする手段を備えることとしている。
このロック手段により、被露光体は、位置ずれ量に応じ
て移動された後露光される前にロックされる。
て移動された後露光される前にロックされる。
このロック手段としては、種々のものが考えられるが、
電磁ロックもしくは真空ロックまたはこれらの組合せ等
を用いれば、簡単な構成で被露光体のロックを実行でき
便宜である。
電磁ロックもしくは真空ロックまたはこれらの組合せ等
を用いれば、簡単な構成で被露光体のロックを実行でき
便宜である。
また、ロック手段において、ロック時に発生する原板と
被露光体とのずれ二を計測および配子Qし、被露光体の
8勤制御時または移動制御後に、そのずれ量を補正して
ロックすることとすれば、ロックすることにより発生す
るロックずれが補正できる。
被露光体とのずれ二を計測および配子Qし、被露光体の
8勤制御時または移動制御後に、そのずれ量を補正して
ロックすることとすれば、ロックすることにより発生す
るロックずれが補正できる。
[実施例]
以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置の上下・回
転機構およびロック機構部等の断面を示す。また、第2
図は、ロックパッド付近の概略図であって、θ2ステー
ジの平面図および断面図である。
転機構およびロック機構部等の断面を示す。また、第2
図は、ロックパッド付近の概略図であって、θ2ステー
ジの平面図および断面図である。
第1図において、ステージθZの上にはウェハチャック
WCが乗せられ、さらにその上にはウェハWFがレチク
ル側と同様に吸着固定される。ステージθZはステージ
ホルダθHに嵌合し、ボールベアリングBBおよびbl
によってZ方向の上下動およびθ方向に回転可能である
。ステージボルダθHは図示の如くxステージwxに固
定される。Zおよびθ方向の駆動用パルスモータZM。
WCが乗せられ、さらにその上にはウェハWFがレチク
ル側と同様に吸着固定される。ステージθZはステージ
ホルダθHに嵌合し、ボールベアリングBBおよびbl
によってZ方向の上下動およびθ方向に回転可能である
。ステージボルダθHは図示の如くxステージwxに固
定される。Zおよびθ方向の駆動用パルスモータZM。
0MはステージホルダθHに固定される。
ステージθZの中心部には積層された圧電素子PZが配
置される。圧電素子PzとステージθZおよびウェハチ
ャックWCはビスBWで一体化される。
置される。圧電素子PzとステージθZおよびウェハチ
ャックWCはビスBWで一体化される。
ISは渦電流型位置センサで圧電素子pzの基台ZDに
固定され、ステージθZの上方移動figを検出する。
固定され、ステージθZの上方移動figを検出する。
ステージホルダθHにはさらにレバーZLが回動自在に
軸支され、またナツトNが固定される。2方向駆動モ一
タZMが駆動されるとギアG1およびG2が回転し、ネ
ジ棒G3が上下してレバーZLを上下する。これにより
、焦点合せのためのステージθZの粗動運動が行なわれ
る。その後、その位置から今度は圧電素子PZが駆動さ
れ、ステージθZの移動量がセンサISによるギャップ
gの測定により検出される。これにより、微動調節が行
なわれる。
軸支され、またナツトNが固定される。2方向駆動モ一
タZMが駆動されるとギアG1およびG2が回転し、ネ
ジ棒G3が上下してレバーZLを上下する。これにより
、焦点合せのためのステージθZの粗動運動が行なわれ
る。その後、その位置から今度は圧電素子PZが駆動さ
れ、ステージθZの移動量がセンサISによるギャップ
gの測定により検出される。これにより、微動調節が行
なわれる。
θ方向駆動モータθMが駆動されるとギア列G4、G5
、G6を介してステージθZおよびウェハチャックWC
がボールベアリングBBおよびb2によってスムーズに
回転する。
、G6を介してステージθZおよびウェハチャックWC
がボールベアリングBBおよびb2によってスムーズに
回転する。
CH,C5は回転方向の基準点を定める検出系である。
POは縮小投影レンズ、AGI、AG3はエアマイクロ
センサノズルでありウェハWFの表面までの距111d
l、d3を測定している。
センサノズルでありウェハWFの表面までの距111d
l、d3を測定している。
ここで、上述の装置におけるレチクルとウェハとのアラ
イメント実行後のウニへのロック動作について説明する
。
イメント実行後のウニへのロック動作について説明する
。
まず、アライメントの後、ニップルPNを介して真空圧
によりロックパッドPRとステージ基板WPを固定する
。ロックパッドPRとウェハチャックWCとは板バネP
Lによって結合されているので、結果としてウェハチャ
ックWCとθZステージ基板WPが固定されることとな
る。このロックパッドPRの数は、本実施例では第2図
に示す如く2個使用しているが、いくつ使用してもよく
個数の限定はされない。
によりロックパッドPRとステージ基板WPを固定する
。ロックパッドPRとウェハチャックWCとは板バネP
Lによって結合されているので、結果としてウェハチャ
ックWCとθZステージ基板WPが固定されることとな
る。このロックパッドPRの数は、本実施例では第2図
に示す如く2個使用しているが、いくつ使用してもよく
個数の限定はされない。
ウェハチャックWCと02ステージ基板WPとをロック
する際には、ロックすることが原因となって、ずれ(ロ
ックずれ)が発生する場合がある。しかし、本実施例で
は、このロックする際のずれ量を予め計測し、このずれ
量の傾向を把握して記憶しておき、ロックする前に当該
ずれ士分を補正する学習機能を有している。従って、ロ
ックずれがある場合でも、高い重ね合せ精度を維持でき
る。
する際には、ロックすることが原因となって、ずれ(ロ
ックずれ)が発生する場合がある。しかし、本実施例で
は、このロックする際のずれ量を予め計測し、このずれ
量の傾向を把握して記憶しておき、ロックする前に当該
ずれ士分を補正する学習機能を有している。従って、ロ
ックずれがある場合でも、高い重ね合せ精度を維持でき
る。
なお、前記実施例は、真空によって発生する力を利用し
たものであるが、そのθZステージ基板とウェハチャッ
クとをロックする方ン去は、他にも電磁ロックまたは正
圧ロック等が考えられる。いずれにしてもロックする際
のロックずれを検出し補正する手段は同様のものを用い
ることができる。
たものであるが、そのθZステージ基板とウェハチャッ
クとをロックする方ン去は、他にも電磁ロックまたは正
圧ロック等が考えられる。いずれにしてもロックする際
のロックずれを検出し補正する手段は同様のものを用い
ることができる。
また、前記実施例ではウェハ側においてロックずれを検
出し補正しているが、レチクル側の移動補正機構を用い
てこの補正を行なうこともできる。
出し補正しているが、レチクル側の移動補正機構を用い
てこの補正を行なうこともできる。
[発明の効果]
以上説明したように、本発明によれば、露光装置におい
て被露光体のロックをする手段を備えているので、ステ
ップ露光等の動作中にウェハ等の被露光体がX、Y、θ
方向にずれるという問題が解消し、θZステージの系と
しての剛性を上げることが可能となる。従って、極めて
高い重ね合せ精度、高生産性および高融通性を有する露
光装置を提供することができる。
て被露光体のロックをする手段を備えているので、ステ
ップ露光等の動作中にウェハ等の被露光体がX、Y、θ
方向にずれるという問題が解消し、θZステージの系と
しての剛性を上げることが可能となる。従って、極めて
高い重ね合せ精度、高生産性および高融通性を有する露
光装置を提供することができる。
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置に使用され
ているθZステージユニットの断面図、第2図は、第1
図のユニットにおけるロックパッド付近の概略図であっ
て、同図(a)はθZステージの平面からみた図、同図
(b)は断面図である。 Po:投影レンズ、 θM=パルスモータ、 G4.G5.G6 :ギア、 PL:板バネ、 PN:ニップル、 PR:ロックパッド、 WC:ウェハチャック、 WP:θZステージ基板、 θZ:ウエハステージ。
ているθZステージユニットの断面図、第2図は、第1
図のユニットにおけるロックパッド付近の概略図であっ
て、同図(a)はθZステージの平面からみた図、同図
(b)は断面図である。 Po:投影レンズ、 θM=パルスモータ、 G4.G5.G6 :ギア、 PL:板バネ、 PN:ニップル、 PR:ロックパッド、 WC:ウェハチャック、 WP:θZステージ基板、 θZ:ウエハステージ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被露光体へ投影すべきパターンが描かれた原板と該
被露光体とのずれ量を計測する計測手段と、 該計測結果に基づいて上記原板および/または被露光体
を移動させる制御手段と、 該移動制御の後に、被露光体をロックする手段を備える
ことを特徴とする露光装置。 2、前記ロック手段が、電磁ロックもしくは真空ロック
またはこれらの組合せからなる特許請求の範囲第1項記
載の露光装置。 3、前記ロック手段において、ロック時に発生する原板
と被露光体とのずれ量を計測および記憶し、被露光体の
移動制御時または移動制御後、該ずれ量を補正した後に
前記ロックを行なう特許請求の範囲第1項または第2項
記載の露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62026460A JPH07101664B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 露光装置の位置合せ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62026460A JPH07101664B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 露光装置の位置合せ方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63194328A true JPS63194328A (ja) | 1988-08-11 |
JPH07101664B2 JPH07101664B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12194120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62026460A Expired - Fee Related JPH07101664B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 露光装置の位置合せ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07101664B2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56150826A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Supporting mechanism of wafer |
JPS61278142A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Canon Inc | 投影露光装置 |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62026460A patent/JPH07101664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56150826A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Supporting mechanism of wafer |
JPS61278142A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Canon Inc | 投影露光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07101664B2 (ja) | 1995-11-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |