JPH07101664B2 - 露光装置の位置合せ方法 - Google Patents
露光装置の位置合せ方法Info
- Publication number
- JPH07101664B2 JPH07101664B2 JP62026460A JP2646087A JPH07101664B2 JP H07101664 B2 JPH07101664 B2 JP H07101664B2 JP 62026460 A JP62026460 A JP 62026460A JP 2646087 A JP2646087 A JP 2646087A JP H07101664 B2 JPH07101664 B2 JP H07101664B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- chuck
- stage
- lock
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の属する分野］ 本発明は露光装置の位置合せ方法に関し、特に半導体メ
モリや演算装置等の高密度集積回路チップの製造の際に
回路パターンの焼付を行なうべきウエハ等の被露光体の
姿勢を適確に保持して高精度な露光を行なうことができ
る露光装置の位置合せ方法に関する。
モリや演算装置等の高密度集積回路チップの製造の際に
回路パターンの焼付を行なうべきウエハ等の被露光体の
姿勢を適確に保持して高精度な露光を行なうことができ
る露光装置の位置合せ方法に関する。
［従来技術］ 従来のこの種の装置、例えばレチクル上に描かれたパタ
ーンをウエハ上に投影するステッパ等の露光装置では、
レチクルとウエハとの位置合せを行なう機能が備えられ
ており、それにより位置合せを行なった後に露光を行な
っていた。
ーンをウエハ上に投影するステッパ等の露光装置では、
レチクルとウエハとの位置合せを行なう機能が備えられ
ており、それにより位置合せを行なった後に露光を行な
っていた。
そして、このような位置合せは、一般的には、投影すべ
きパターンが描かれたレチクル等の原板とウエハ等の被
露光体とのずれ量を計測、その結果に基づいて被露光体
を移動したり、または原板と被露光体とを移動したりす
ることにより行なわれていた。
きパターンが描かれたレチクル等の原板とウエハ等の被
露光体とのずれ量を計測、その結果に基づいて被露光体
を移動したり、または原板と被露光体とを移動したりす
ることにより行なわれていた。
［発明が解決しようとする問題点］ ところが、このような露光装置においては、処理中にウ
エハ上下・回転機構にて機械的ずれが発生し、位置合せ
をしたレチクルとウエハとがずれてしまうことがある。
例えば、ステッパにおいてXY方向のステップ中に、XYウ
エハステージ上に搭載されたウエハ上下・回転機構（θ
Ｚステージ）内の機械的ずれによりウエハの位置がずれ
てしまうという問題点があり、その重ね合せ精度および
他の装置との融通性等に難点があった。
エハ上下・回転機構にて機械的ずれが発生し、位置合せ
をしたレチクルとウエハとがずれてしまうことがある。
例えば、ステッパにおいてXY方向のステップ中に、XYウ
エハステージ上に搭載されたウエハ上下・回転機構（θ
Ｚステージ）内の機械的ずれによりウエハの位置がずれ
てしまうという問題点があり、その重ね合せ精度および
他の装置との融通性等に難点があった。
特に、ウエハ移動機構内部は、メカニカルな剛性とその
内部摩擦によって保持されており、これに打ち勝つ内部
エネルギーの放出または外力の付加により、内部の各部
材がある領域までずれてしまうという問題点があった。
内部摩擦によって保持されており、これに打ち勝つ内部
エネルギーの放出または外力の付加により、内部の各部
材がある領域までずれてしまうという問題点があった。
本発明は、上述の従来形の問題点に鑑み、ステップ動作
等の動作中にウエハ等の被露光体の位置ずれ（ウエハロ
ーテーション）を発生させることなく、極めて高い重ね
合せ精度、高生産性および高融通性を有する露光装置を
提供することを目的とする。
等の動作中にウエハ等の被露光体の位置ずれ（ウエハロ
ーテーション）を発生させることなく、極めて高い重ね
合せ精度、高生産性および高融通性を有する露光装置を
提供することを目的とする。
［問題点を解決するための手段および作用］ この目的を達成するため本発明では、原板と被露光体の
位置合せを行った後、ロック手段によって前記被露光体
を吸着保持するチャックの移動をロックし、前記チャッ
クの移動を前記ロック手段によってロックした状態で前
記原板のパターンを前記被露光体に露光転写する露光装
置の位置合せ方法において、前記チャックの移動を前記
ロック手段によってロックした際に発生する前記原板に
対する前記被露光体のロックずれ量を予め記憶してお
き、予め記憶している前記ロックずれ量を補正した後、
前記チャックの移動を前記ロック手段によってロックす
ることを特徴とする。
位置合せを行った後、ロック手段によって前記被露光体
を吸着保持するチャックの移動をロックし、前記チャッ
クの移動を前記ロック手段によってロックした状態で前
記原板のパターンを前記被露光体に露光転写する露光装
置の位置合せ方法において、前記チャックの移動を前記
ロック手段によってロックした際に発生する前記原板に
対する前記被露光体のロックずれ量を予め記憶してお
き、予め記憶している前記ロックずれ量を補正した後、
前記チャックの移動を前記ロック手段によってロックす
ることを特徴とする。
これによれば、原板と被露光体の位置合せを行った後、
チャックの移動がロックされ、その状態で露光転写が行
なわれるため、ステップ露光等の動作中でも、チャック
のずれが生じない。したがって、位置合せの結果が高精
度で維持される。さらに、ロック時にはロック動作に起
因して原板および被露光体間にずれが生じるが、このロ
ックずれ量は予め記憶されており、そのロックずれ量を
補正してからロックするようにしているため、特にスル
ープットを低下させることなく、ロックずれ量が排除さ
れる。
チャックの移動がロックされ、その状態で露光転写が行
なわれるため、ステップ露光等の動作中でも、チャック
のずれが生じない。したがって、位置合せの結果が高精
度で維持される。さらに、ロック時にはロック動作に起
因して原板および被露光体間にずれが生じるが、このロ
ックずれ量は予め記憶されており、そのロックずれ量を
補正してからロックするようにしているため、特にスル
ープットを低下させることなく、ロックずれ量が排除さ
れる。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置の上下・回
転機構およびロック機構部等の断面を示す。また、第２
図は、ロックパッド付近の概略図であって、θＺステー
ジの平面図および断面図である。
転機構およびロック機構部等の断面を示す。また、第２
図は、ロックパッド付近の概略図であって、θＺステー
ジの平面図および断面図である。
第１図において、ステージθＺの上にはウエハチャック
WCが乗せられ、さらにその上にはウエハWFがレチクル側
と同様に吸着固定される。ステージθＺはステージホル
ダθＨに嵌合し、ボールベアリングBBおよびb1によって
Ｚ方向の上下動およびθ方向に回転可能である。ステー
ジホルダθＨは図示の如くＸステージWXに固定される。
Ｚおよびθ方向の駆動用パルスモータZM、θＭはステー
ジホルダθＨに固定される。
WCが乗せられ、さらにその上にはウエハWFがレチクル側
と同様に吸着固定される。ステージθＺはステージホル
ダθＨに嵌合し、ボールベアリングBBおよびb1によって
Ｚ方向の上下動およびθ方向に回転可能である。ステー
ジホルダθＨは図示の如くＸステージWXに固定される。
Ｚおよびθ方向の駆動用パルスモータZM、θＭはステー
ジホルダθＨに固定される。
ステージθＺの中心部には積層された圧電素子PZが配置
される。圧電素子PZとステージθＺおよびウエハチャッ
クWCはビスBWで一体化される。
される。圧電素子PZとステージθＺおよびウエハチャッ
クWCはビスBWで一体化される。
ISは渦電流型位置センサで圧電素子PZの基台ZDに固定さ
れ、ステージθＺの上方移動量ｇを検出する。ステージ
ホルダθＨにはさらにレバーZLが回動自在に軸支され、
またナットＮが固定される。Ｚ方向駆動モータZMが駆動
されるとギアG1およびG2が回転し、ネジ棒G3が上下して
レバーZLを上下する。これにより、焦点合せのためのス
テージθＺの粗動運動が行なわれる。その後、その位置
から今度は圧電素子PZが駆動され、ステージθＺの移動
量がセンサISによるギャップｇの測定により検出され
る。これにより、微動調節が行なわれる。
れ、ステージθＺの上方移動量ｇを検出する。ステージ
ホルダθＨにはさらにレバーZLが回動自在に軸支され、
またナットＮが固定される。Ｚ方向駆動モータZMが駆動
されるとギアG1およびG2が回転し、ネジ棒G3が上下して
レバーZLを上下する。これにより、焦点合せのためのス
テージθＺの粗動運動が行なわれる。その後、その位置
から今度は圧電素子PZが駆動され、ステージθＺの移動
量がセンサISによるギャップｇの測定により検出され
る。これにより、微動調節が行なわれる。
θ方向駆動モータθＭが駆動されるとギア列G4、G5、G6
を介してステージθＺおよびウエハチャックWCがボール
ベアリングBBおよびb2によってスムーズに回転する。
を介してステージθＺおよびウエハチャックWCがボール
ベアリングBBおよびb2によってスムーズに回転する。
CH、CSは回転方向の基準点を定める検出系である。POは
縮小投影レンズ、AG1、AG3はエアマイクロセンサノズル
でありウエハWFの表面までの距離d1、d3を測定してい
る。
縮小投影レンズ、AG1、AG3はエアマイクロセンサノズル
でありウエハWFの表面までの距離d1、d3を測定してい
る。
ここで、上述の装置におけるレチクルとウエハとのアラ
イメント実行後のウエハのロック動作について説明す
る。
イメント実行後のウエハのロック動作について説明す
る。
まず、アライメントの後、ニップルPNを介して真空圧に
よりロックパッドPRとステージ基板WPを固定する。ロッ
クパッドPRとウエハチャックWCとは板バネPLによって結
合されているので、結果としてウエハチャックWCとθＺ
ステージ基板WPが固定されることとなる。このロックパ
ッドPRの数は、本実施例では第２図に示す如く２個使用
しているが、いくつ使用してもよく個数の限定はされな
い。
よりロックパッドPRとステージ基板WPを固定する。ロッ
クパッドPRとウエハチャックWCとは板バネPLによって結
合されているので、結果としてウエハチャックWCとθＺ
ステージ基板WPが固定されることとなる。このロックパ
ッドPRの数は、本実施例では第２図に示す如く２個使用
しているが、いくつ使用してもよく個数の限定はされな
い。
ウエハチャックWCとθＺステージ基板WPとをロックする
際には、ロックすることが原因となって、ずれ（ロック
ずれ）が発生する場合がある。しかし、本実施例では、
このロックする際のずれ量を予め計測し、このずれ量の
傾向を把握して記憶しておき、ロックする前に当該ずれ
量分を補正する学習機能を有している。従って、ロック
ずれがある場合でも、高い重ね合せ精度を維持できる。
際には、ロックすることが原因となって、ずれ（ロック
ずれ）が発生する場合がある。しかし、本実施例では、
このロックする際のずれ量を予め計測し、このずれ量の
傾向を把握して記憶しておき、ロックする前に当該ずれ
量分を補正する学習機能を有している。従って、ロック
ずれがある場合でも、高い重ね合せ精度を維持できる。
なお、前記実施例は、真空によって発生する力を利用し
たものであるが、そのθＺステージ基板とウエハチャッ
クとをロックする方法は、他にも電磁ロックまたは正圧
ロック等が考えられる。いずれにしてもロックする際の
ロックずれを検出し補正する手段は同様のものを用いる
ことができる。
たものであるが、そのθＺステージ基板とウエハチャッ
クとをロックする方法は、他にも電磁ロックまたは正圧
ロック等が考えられる。いずれにしてもロックする際の
ロックずれを検出し補正する手段は同様のものを用いる
ことができる。
また、前記実施例ではウエハ側においてロックずれを検
出し補正しているが、レチクル側の移動補正機構を用い
てこの補正を行なうこともできる。
出し補正しているが、レチクル側の移動補正機構を用い
てこの補正を行なうこともできる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、原板と被露光体
の位置合せを行った後、チャックの移動をロックし、そ
の状態で露光転写を行なうようにしているため、ステッ
プ露光等の動作中にウエハ等の被露光体がX,Y,θ方向に
ずれるという問題が解消し、θＺステージの系としての
剛性を上げることが可能となる。従って、極めて高い重
ね合せ精度、高生産性および高融通性を有する露光装置
の位置合せ方法を提供することができる。
の位置合せを行った後、チャックの移動をロックし、そ
の状態で露光転写を行なうようにしているため、ステッ
プ露光等の動作中にウエハ等の被露光体がX,Y,θ方向に
ずれるという問題が解消し、θＺステージの系としての
剛性を上げることが可能となる。従って、極めて高い重
ね合せ精度、高生産性および高融通性を有する露光装置
の位置合せ方法を提供することができる。
また、ロック動作に起因して原板および被露光体間に生
じるロックずれ量を予め記憶しておき、そのロックずれ
量を補正してからロックするようにしているため、特に
スループットを低下させることなく、ロックずれ量を排
除して高精度に位置合せ結果を維持することができる。
じるロックずれ量を予め記憶しておき、そのロックずれ
量を補正してからロックするようにしているため、特に
スループットを低下させることなく、ロックずれ量を排
除して高精度に位置合せ結果を維持することができる。
第１図は、本発明の一実施例に係る露光装置に使用され
ているθＺステージユニットの断面図、 第２図は、第１図のユニットにおけるロックパッド付近
の概略図であって、同図（ａ）はθＺステージの平面か
らみた図、同図（ｂ）は断面図である。 PO:投影レンズ、θM:パルスモータ、G4,G5,G6:ギア、P
L:板バネ、PN:ニップル、PR:ロックパッド、WC:ウエハ
チャック、WP:θＺステージ基板、θZ:ウエハステー
ジ。
ているθＺステージユニットの断面図、 第２図は、第１図のユニットにおけるロックパッド付近
の概略図であって、同図（ａ）はθＺステージの平面か
らみた図、同図（ｂ）は断面図である。 PO:投影レンズ、θM:パルスモータ、G4,G5,G6:ギア、P
L:板バネ、PN:ニップル、PR:ロックパッド、WC:ウエハ
チャック、WP:θＺステージ基板、θZ:ウエハステー
ジ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１５ Ｇ
Claims (1)
- 【請求項１】原板と被露光体の位置合せを行った後、ロ
ック手段によって前記被露光体を吸着保持するチャック
の移動をロックし、前記チャックの移動を前記ロック手
段によってロックした状態で前記原板のパターンを前記
被露光体に露光転写する露光装置の位置合せ方法におい
て、前記チャックの移動を前記ロック手段によってロッ
クした際に発生する前記原板に対する前記被露光体のロ
ックずれ量を予め記憶しておき、予め記憶している前記
ロックずれ量を補正した後、前記チャックの移動を前記
ロック手段によってロックすることを特徴とする露光装
置の位置合せ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62026460A JPH07101664B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 露光装置の位置合せ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62026460A JPH07101664B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 露光装置の位置合せ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63194328A JPS63194328A (ja) | 1988-08-11 |
| JPH07101664B2 true JPH07101664B2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=12194120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62026460A Expired - Fee Related JPH07101664B2 (ja) | 1987-02-09 | 1987-02-09 | 露光装置の位置合せ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07101664B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56150826A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-21 | Hitachi Ltd | Supporting mechanism of wafer |
| JPS61278142A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Canon Inc | 投影露光装置 |
-
1987
- 1987-02-09 JP JP62026460A patent/JPH07101664B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63194328A (ja) | 1988-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7658601B2 (en) | Pattern forming apparatus | |
| EP0326425B1 (en) | Positioning mechanism and method | |
| JP3402750B2 (ja) | 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法 | |
| WO1999028220A1 (fr) | Dispositif et procede de transfert de substrats | |
| JPH11186154A (ja) | 投影露光装置および方法 | |
| JPH10312957A (ja) | 露光方法およびデバイス製造方法 | |
| US5440397A (en) | Apparatus and method for exposure | |
| US5959304A (en) | Semiconductor exposure apparatus | |
| JP4332409B2 (ja) | 基板保持機構およびそれを用いた露光装置並びにデバイス製造方法 | |
| US5773953A (en) | Substrate transfer system | |
| US5277539A (en) | Substrate conveying apparatus | |
| JP4026904B2 (ja) | 基板搬送装置および露光装置 | |
| JP4631497B2 (ja) | 近接露光装置 | |
| JPH07101664B2 (ja) | 露光装置の位置合せ方法 | |
| JP2756865B2 (ja) | 露光装置 | |
| JPH0774084A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH0147007B2 (ja) | ||
| JP3468398B2 (ja) | 基板処理装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH06163357A (ja) | 露光装置 | |
| JP3624057B2 (ja) | 露光装置 | |
| JP2003060000A (ja) | 基板搬送装置及び露光装置、並びにデバイス製造方法 | |
| JPH1174190A (ja) | Ｘ線露光装置 | |
| JP4487700B2 (ja) | 近接露光装置 | |
| EP0361959B1 (en) | A substrate conveying apparatus | |
| JP2860567B2 (ja) | 露光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |