JPS631926B2 - - Google Patents

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JPS631926B2
JPS631926B2 JP55030433A JP3043380A JPS631926B2 JP S631926 B2 JPS631926 B2 JP S631926B2 JP 55030433 A JP55030433 A JP 55030433A JP 3043380 A JP3043380 A JP 3043380A JP S631926 B2 JPS631926 B2 JP S631926B2
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JP
Japan
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silicate
absorption rate
bar
carried out
hydrocarbon mixture
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JP55030433A
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JPS55124721A (en
Inventor
Jojifu Kon Hooru
Furanshisukyusu Maria Hosuto Marutein
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Shell Internationale Research Maatschappij BV
Original Assignee
Shell Internationale Research Maatschappij BV
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Publication date
Application filed by Shell Internationale Research Maatschappij BV filed Critical Shell Internationale Research Maatschappij BV
Publication of JPS55124721A publication Critical patent/JPS55124721A/ja
Publication of JPS631926B2 publication Critical patent/JPS631926B2/ja
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J21/00Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
    • B01J21/06Silicon, titanium, zirconium or hafnium; Oxides or hydroxides thereof
    • B01J21/08Silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2/00Preparation of hydrocarbons from hydrocarbons containing a smaller number of carbon atoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2529/00Catalysts comprising molecular sieves
    • C07C2529/04Catalysts comprising molecular sieves having base-exchange properties, e.g. crystalline zeolites, pillared clays

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は分子中に最大4個の炭素原子を有する
モノオレフイン(C4 -モノオレフイン)からまた
は75重量%以上のC4 -モノオレフインからなる炭
化水素混合物から触媒として結晶性ケイ酸塩を使
用して芳香族炭化水素混合物を製造する方法に関
する。前記結晶性ケイ酸塩は空気中において500
℃で1時間〓焼した後に次の特性を有する: (a) 表Aに記載した反射度を示すX−線粉末回折
パターン:
【表】 (表中に用いた記号は次の意味を有する。 VS=極強、S=強、M=中、W=弱、θ=
ブラグの規則による角度)、 (b) ケイ酸塩をH−型に変換し、2×10-9バール
で400℃において16時間減圧処理した後、炭化
水素圧力8×10-2バールおよび100℃において
測定したとき、n−ヘキサンの吸収率が最小
0.8mmol/gであり、2・2−ジメチルブタ
ンの吸収率が最小0.5mmol/gであり、かつ n−ヘキサンの吸収率/2・2−ジメチルブタンの吸
収率 の比が最小1.5である。 (c) 酸化物のモル数で表わされた組成が次の通り
である。 y・(1.0±0.3)Mo/2O・y・Al2O3・SiO2 (式中、M=Hおよび/またはアルカリ金属お
よび/またはアルカリ土類金属、nはMの原子
価であり、そして0<y≦0.1である)。 (b)に記載した吸収率の測定のために、ケイ酸塩
はまずH型に変換される。この変換は500℃で〓
焼したケイ酸塩を1.0モルのNH4NO3溶液と共に
沸騰させ、水で洗浄し、再度1.0モルのNH4NO3
溶液と共に沸騰させ、洗浄し、120℃で乾燥し、
500℃で〓焼することにより行なわれる。 前記の方法に関する本願出願人による研究にお
いては、芳香族の選択率およびこれらの触媒につ
いてのこの選択率の経時変化はまずケイ酸塩の全
組成を示す前記式中yの値に大きく依存し、そし
てさらにケイ酸塩の微結晶の平均サイズ(d)に依存
することが発見された。前記方法の商業的な使用
のために好ましい芳香族の選択率およびこの選択
率の経時変化を得るためには、yは最小0.0030、
最大0.0075であり、そしてdは最大500nmである
ことが確められた。 したがつて本発明はC4 -モノオレフインまたは
75重量%以上のC4 -モノオレフインからなる炭化
水素混合物をケイ酸塩の全組成を示す前記式中で
yの値が最小0.0030、最大0.0075でありそしてケ
イ酸塩が最大500nmのdを有する前記のように
定義された触媒としての結晶性ケイ酸塩に接触さ
せる芳香族炭化水素混合物の製造方法に関する。 本発明における方法においては、出発物質は
C4 -モノオレフインまたは75重量%以上のC4 -
ノオレフインからなる炭化水素混合物とすべきで
ある。好ましいC4 -モノオレフインはエテン、プ
ロペン、ブテンおよびイソブテンである。出発物
質が一種またはそれ以上のC4 -モノオレフインの
他に一種またはそれ以上の炭化水素を含む炭化水
素混合物である場合には、これらの他の炭化水素
はパラフイン、ジオレフインまたはC5 +モノオレ
フインでもよい。好ましい出発物質はC3または
C4モノオレフインまたは一種またはそれ以上の
これらのモノオレフインから実質的になる炭化水
素混合物である。本発明方法のために極めて適し
た供給原料は接触分解または熱分解、特にエチレ
ンの製造のための炭化水素の熱分解において副生
物として得られるC3および/またはC4モノオレ
フインから実質的になる炭化水素混合物である。 本発明による方法は好ましくは350℃ないし550
℃そして特に400℃ないし500℃の温度で、3ない
し20バール、特に5ないし15バールの圧力下にそ
して1ないし20g・g-1・h-1特に2ないし10
g・g-1・h-1の空間速度で行なわれる。この方
法は必要に応じて水素の存在で行なつてもよい。 本発明による方法においては、C4 -モノオレフ
インまたは75重量%以上のC4 -モノオレフインか
らなる炭化水素混合物、そして特にC3またはC4
モノオレフインあるいは一種またはそれ以上のこ
れらのモノオレフインから実質的になる炭化水素
混合物は、空気中において500℃で1時間〓焼さ
せた後にケイ酸塩により示されるX−線粉末回折
パターンによつて特に定義される結晶性ケイ酸塩
をこの供給原料に接触させることにより芳香族炭
化水素混合物に変換される。このX−線粉末回折
パターンは特に表A中に示した反射度を含むもの
とする。本発明において使用するのに好ましいケ
イ酸塩の代表的な一例の完全なX−線粉末回折パ
ターンを表Bに示す(照射線:Cu−Kα;波長:
0.15418nm)。
【表】
【表】 の最強反射強度。
反射強度を表わすために表B中において用いら
れた記号は次の意味を有する。 SP=尖鋭;SR=肩状;NL=普通;BD=平
坦、θ=ブラグの規則による角度。 本発明による方法において触媒として使用され
る結晶性ケイ酸塩は下記の物質を含む出発物質と
しての水性混合物から調製することができる:ア
ルカリまたはアルカリ土類金属(M)の一種また
はそれ以上の化合物、有機陽イオン(R)を含み
またはケイ酸塩の調製中にこのような陽イオンが
形成される一種またはそれ以上のケイ素化合物お
よび一種またはそれ以上のアルミニウム化合物。
この調製は混合物をケイ酸塩が形成されるまで昇
温温度に維持し、次いで母液からケイ酸塩の結晶
を分離することにより行なわれる。ケイ酸塩が生
成される水性混合物中には種々の化合物が酸化物
のモル数で表わして次の割合で存在すべきであ
る: M2/oO:(R)2/pO=0.1−20、 (R)2/pO:SiO2=0.01−0.5、 SiO2:Al2O3=130−600、および H2O:SiO2=5−50; nはMの原子価であり、pはRの原子価である。 ケイ酸塩の調製においては、Mがナトリウム化
合物としてまたRがテトラプロピルアンモニウム
化合物として存在する塩基性混合物から出発する
ことが好ましい。 本発明による方法において触媒として使用する
のに適するケイ酸塩については、0.0075≧y≧
0.0030およびd≦500nmである。ケイ酸塩の組成
を示す前記式中におけるyの値は、出発混合物中
におけるSiO2のAl2O3に対するモル比が大きくな
るように選択するにしたがつてyの値の小さなケ
イ酸塩が得られるという点で出発混合物中におけ
るSiO2のAl2O3に対するモル比において調節する
ことができる。ケイ酸塩の微結晶の平均サイズd
は、出発混合物中における(R)2/pOのSiO2に対
するモル比を大きく選択するにしたがつて微結晶
の平均サイズの小さいケイ酸塩が得られるという
点で出発混合物中における(R)2/pOのSiO2に対
するモル比によつて調節することができる。 前記の方法で調製したケイ酸塩はアルカリ金属
イオンおよび/またはアルカリ土類金属イオンな
らびに有機陽イオンを含む。適当なイオン交換法
を用いることによつてアルカリ金属イオンおよび
アルカリ土類金属イオンを水素イオンまたはアン
モニウムイオンのような他の陽イオンに置換する
ことができる。有機陽イオンはケイ酸塩の〓焼に
よつて極めて適切に水素イオンに変換することが
できる。本発明による方法に触媒として用いられ
る結晶性ケイ酸塩は0.1重量%以下そして特に
0.01重量%以下のアルカリ金属含有分を含むこと
が好ましい。結晶性ケイ酸塩を触媒として用いる
場合には、それらを必要に応じてベントナイトあ
るいはカオリンのような結合剤と組合せてもよ
い。 本発明による方法は使用する触媒の流動床また
は固定床が存在する垂直方向に載置された反応器
中を通して供給原料を上向きまたは下向きに導入
することによつて極めて簡便に実施することがで
きる。 本発明を以下の実施例によつて説明する。 実施例 SiO2、NaAlO2、NaOHおよび〔(C3H74N〕
OHの水中における混合物を圧力容器中において
自生的な圧力下で24時間にわたり150℃で加熱す
ることによつて6種類の結晶性ケイ酸塩(ケイ酸
塩A−F)を調製した。反応混合物を冷却した
後、生成されたケイ酸塩を取し、洗浄水のPHが
約8となるまで水で洗浄し、2時間にわたつて
120℃で乾燥した。空気中において約16時間、500
℃で〓焼した後に、ケイ酸塩A−Fは下記の性質
を有していた。 (a) 約800℃の温度まで熱に対して安定。 (b) 表Bに示したものとほとんど等しいX−線粉
末回折パターン。 (c) ケイ酸塩をH−型に変換し、2×10-9バール
で16時間にわたつて400℃で減圧処理した後、
8×10-2バールの炭化水素圧力下で100℃で測
定したときに、n−ヘキサンの吸収率が1.2m
mol/gであり、2・2−ジメチルブタンの吸
収率が0.7mmol/gであつて、 n−ヘキサンの吸収率/2・2−ジメチルブタンの吸
収率 の比が1.7。 (d) 酸化物のモル数で示した組成が下記の通り:
【表】
【表】 ケイ酸塩A−Fを調製した水性混合物のモル組
成を表Cに示す。
【表】 ケイ酸塩A−Fから、500℃で〓焼したこれら
材料を1.0モルのNH4NO3溶液と共に沸騰させ、
水で洗浄し、1.0モルのNH4NO3溶液と共に再度
沸騰させ、洗浄し、120℃で乾燥しそして500℃で
〓焼することによりケイ酸塩−を夫々調製し
た。 これらのケイ酸塩−をイソブテンからの芳
香族炭化水素混合物の製造のための触媒として試
験した。試験は5mlの容量を有しかつ前記ケイ酸
塩を含む固定触媒床を取付けた50ml反応器中で行
なつた。イソブテンを400℃の温度、10バールの
圧力、イソブテン3.4g/ケイ酸塩g/hの空間
速度および5:1のH2/イソブテンモル比で触
媒の上方から導入した。これらの実験結果を表D
に示す。表は下記の内容を示す: (a) 1日および10日後の芳香性の選択率(芳香族
の収量をイソブテン供給原料に対する重量%で
表わす)。 (b) 使用したケイ酸塩のyの値。 (c) 使用したケイ酸塩の微結晶の平均サイズ(d)。
【表】 表Dに示した各実験の内、No.2およびNo.4だけ
が本発明による実験である。これらの実験に用い
た触媒はyおよびdに関する必要条件を満足する
ケイ酸塩であつた。これらの実験においては、高
い芳香族選択率およびこの選択率における僅かな
経時変化の双方が得られた。実験1、3、5およ
び6は本発明の範囲外のものであつて比較のため
に加えたものである。実験1においては、y値の
大き過ぎるケイ酸塩が用いられ、また実験3およ
び5においては、d値の大きすぎるケイ酸塩が用
いられこれらは芳香族の選択率に許容できないほ
どの迅速な低下をもたらした。実験6ではy値の
小さ過ぎるケイ酸塩が用いられ、芳香族の選択率
は許容できないほど低かつた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 芳香族炭化水素混合物の製造方法において、
    C4 -モノオレフインまたは75重量%より多いC4 -
    モノオレフインからなる炭化水素混合物を触媒と
    しての結晶性ケイ酸塩に接触させ、前記ケイ酸塩
    が空気中において500℃で1時間にわたつて〓焼
    した後に次の特性〔(a)下記表Aに記載した反射度
    を示すX−線粉末回折パターン: 【表】 【表】 (表中に用いた記号は次の意味を有する。 VS=極強、S=強、M=中、W=弱、θ=ブ
    ラグの規則による角度)、(b)ケイ酸塩をH−型に
    変換し、2×10-9バールおよび400℃で16時間減
    圧処理した後に炭化水素圧力8×10-2バールおよ
    び100℃で測定したときn−ヘキサンの吸収率が
    最小0.8ミリモル/gおよび2・2−ジメチルブ
    タンの吸収率が最小0.5ミリモル/gであつて、
    n−ヘキサン吸収率/2・2−ジメチルブタン吸収率の
    比が最小1.5で あり、(c)酸化物のモル数で表わした組成が式: y・(1.0±0.3)Mo/2O・y・Al2O3・SiO2 (式中、M=Hおよび/またはアルカリ金属およ
    び/またはアルカリ土類金属、nはMの原子価、
    0.0075≧y≧0.0030)で示され、そして(d)微結晶
    の平均サイズが(d)≦500nmである〕を有するこ
    とを特徴とする芳香族炭化水素混合物の製造方
    法。 2 C3あるいはC4モノオレフインまたは一種あ
    るいはそれ以上のこれらモノオレフインから実質
    的になる炭化水素混合物を供給原料として用いる
    ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載
    の方法。 3 炭化水素の接触分解あるいは熱分解、特にエ
    チレンの製造における炭化水素の熱分解において
    副生物として得られたC3および/またはC4モノ
    オレフインから実質的になる炭化水素混合物を供
    給原料として用いることを特徴とする前記特許請
    求の範囲第2項記載の方法。 4 前記方法を350℃ないし550℃の温度、3ない
    し20バールの圧力および1ないし20g・g-1
    h-1の空間速度で行なうことを特徴とする前記特
    許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記
    載された方法。 5 前記方法を400℃ないし500℃の温度、5ない
    し15バールの圧力および2ないし10g・g-1
    h-1の空間速度で行なうことを特徴とする前記特
    許請求の範囲第4項記載の方法。 6 アルカリ金属含有分が0.1重量%より少ない
    結晶性ケイ酸塩を用いることを特徴とする前記特
    許請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに記
    載された方法。 7 アルカリ金属含有分が0.01重量%より少ない
    結晶性ケイ酸塩を用いることを特徴とする前記特
    許請求の範囲第6項記載の方法。
JP3043380A 1979-03-14 1980-03-12 Manufacture of aromatic hydrocarbon mixture Granted JPS55124721A (en)

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EP (1) EP0016494B1 (ja)
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