JPS63179301A - 光学式情報記録担体 - Google Patents
光学式情報記録担体Info
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- JPS63179301A JPS63179301A JP62009829A JP982987A JPS63179301A JP S63179301 A JPS63179301 A JP S63179301A JP 62009829 A JP62009829 A JP 62009829A JP 982987 A JP982987 A JP 982987A JP S63179301 A JPS63179301 A JP S63179301A
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Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学的に再生専用あるいは記録・再生可能な
情報記録担体に係り、特に、好適な記録特性を有し、か
つデータ保存性の優れた情報記録媒体の基板を有する光
学式情報記録担体に関する。
情報記録担体に係り、特に、好適な記録特性を有し、か
つデータ保存性の優れた情報記録媒体の基板を有する光
学式情報記録担体に関する。
高密度・大容量の情報記録媒体として、集光されたレー
ザ光を用いて情報を書き込んだり、再生したりすること
のできる光ディスクがある。これらのうちの再生専用光
ディスクは、光学的に透明なプラスチック成形品表面に
アルミニウムなどの高反射率薄膜を形成し、その上に保
護膜を被覆して作成されている。一方、書き込み可能な
光ディスクは、光学的に透明なプラスチック成形品表面
に例えば、光学定数がレーザ光による加熱によって、変
化するカルコゲナイド化合物薄膜を形成し、その上に、
保護膜を被覆して得ている。
ザ光を用いて情報を書き込んだり、再生したりすること
のできる光ディスクがある。これらのうちの再生専用光
ディスクは、光学的に透明なプラスチック成形品表面に
アルミニウムなどの高反射率薄膜を形成し、その上に保
護膜を被覆して作成されている。一方、書き込み可能な
光ディスクは、光学的に透明なプラスチック成形品表面
に例えば、光学定数がレーザ光による加熱によって、変
化するカルコゲナイド化合物薄膜を形成し、その上に、
保護膜を被覆して得ている。
従来、かかる光ディスクに用いられるプラスチック材料
としては、透明性、射出成形時の流動性を考慮し、「ビ
デオディスクとDAD入門」岩村総−編著、コロナ社、
第186頁に公知のように、再生専用ビデオディスクに
は、ポリメチルメタク!j”−)(PMMA)が使用さ
れ、再生専用コンパクトディスク(以下、CDと略す)
には、ポリマー結合・−ト(pc)が使用されている。
としては、透明性、射出成形時の流動性を考慮し、「ビ
デオディスクとDAD入門」岩村総−編著、コロナ社、
第186頁に公知のように、再生専用ビデオディスクに
は、ポリメチルメタク!j”−)(PMMA)が使用さ
れ、再生専用コンパクトディスク(以下、CDと略す)
には、ポリマー結合・−ト(pc)が使用されている。
さらに、書き込み可能光ディスク(以下、DRAWと略
す)においても、用達に応じて、PMMA 、PCを用
いている。
す)においても、用達に応じて、PMMA 、PCを用
いている。
このようなディスクは近年急速に成長し、そのユーザー
ニーズも、幅広くなってきた。これに伴って、高温・高
湿下でも長期保存ができ、耐熱性の高いディスクの要望
が高まり、ディスクの基板材料としてこの要望を満すP
C材料への移行がなされつつある。
ニーズも、幅広くなってきた。これに伴って、高温・高
湿下でも長期保存ができ、耐熱性の高いディスクの要望
が高まり、ディスクの基板材料としてこの要望を満すP
C材料への移行がなされつつある。
PC材料の耐熱性は、変形温度が約140℃であり、P
MMAK比べて好ましい材料であるが、高温雰囲気下で
、以下に述べる問題があった。
MMAK比べて好ましい材料であるが、高温雰囲気下で
、以下に述べる問題があった。
すなわち、PC上に形成した、例えば、Ω反射膜(〜1
000 A )は、その上に保護膜(有機、もしくは無
機膜)を形成したとしても、高温・高湿下、(例えば、
80℃、95%RH)に長時間放置すると、その金属光
沢が失なわれ、ディスクからの反射光が低下し、信号の
再生が不可能になるという問題点があった。
000 A )は、その上に保護膜(有機、もしくは無
機膜)を形成したとしても、高温・高湿下、(例えば、
80℃、95%RH)に長時間放置すると、その金属光
沢が失なわれ、ディスクからの反射光が低下し、信号の
再生が不可能になるという問題点があった。
このように、従来の光ディスクでは、長期的にみた情報
の保存性について、充分な配慮がされていなかった。
の保存性について、充分な配慮がされていなかった。
本発明の目的は、前述した従来装置の問題点を除去し、
プラスチック材料、ここでは、PCの材料を改質するこ
とKよって、従来の光ディスクに比べて、データを長期
保存することのできる光ディスクを提供するにある。
プラスチック材料、ここでは、PCの材料を改質するこ
とKよって、従来の光ディスクに比べて、データを長期
保存することのできる光ディスクを提供するにある。
本発明の特徴は、ポリカーボネートに、サリチル酸エス
テルで末端停止されたビスフェノール人ポリカーボネー
トを10〜45重量%の範囲で混合して、光ディスクの
メモリ膜担体となる透明な熱可堕性樹脂基板を構成した
点にある。
テルで末端停止されたビスフェノール人ポリカーボネー
トを10〜45重量%の範囲で混合して、光ディスクの
メモリ膜担体となる透明な熱可堕性樹脂基板を構成した
点にある。
上記手段により、ポリカーボネートのカルボニル基密度
が増し、金属−ポリマー結合密度を向上できる。したが
って、金属蒸着膜の金属光沢の消失が効果的に防止され
る。
が増し、金属−ポリマー結合密度を向上できる。したが
って、金属蒸着膜の金属光沢の消失が効果的に防止され
る。
まず、本発明がなされるに至った経緯について説明する
。本発明者等は、種々の検討を行なった結果、Ω反射膜
が金属光沢を失う原因は従来の光ディスクに用いられて
いるポリカーボネート基■ 板、すなわち、被蒸着表面の化学的組成が、重要な役割
を持っているとの結論に達した。これは、吸水率が大き
く、耐熱性に劣るPMMAにおいては、前述した光沢消
失は、発生しないこと、および、この現象は、20表面
を物理的処理によって、(例えば、紫外M照射処理)P
C表面Ka!素含有原子団を導入することKよって、光
沢消失を防止できることから、判断できる。
。本発明者等は、種々の検討を行なった結果、Ω反射膜
が金属光沢を失う原因は従来の光ディスクに用いられて
いるポリカーボネート基■ 板、すなわち、被蒸着表面の化学的組成が、重要な役割
を持っているとの結論に達した。これは、吸水率が大き
く、耐熱性に劣るPMMAにおいては、前述した光沢消
失は、発生しないこと、および、この現象は、20表面
を物理的処理によって、(例えば、紫外M照射処理)P
C表面Ka!素含有原子団を導入することKよって、光
沢消失を防止できることから、判断できる。
J、 M、 BurkstranlはJ、 A)pi、
Physioa 52 (7)P、 4795 Ju
ly 81 K、てカルボニル基(−〇〇)(局在電子
により若干(−)に帯電〕が金属−ポリマー結合に寄与
することを提案している。PMMAを構成するモノマー
であるメタクリル酸メチルエステル(分子量−100)
ならびにPCの構成単位である4、4′ジオキシジフェ
ニール2,2プロパンカーボネート(分子量−254)
はそれぞれカルボニル基をそれぞれ一個有している。そ
れゆえ、PCKおける、金属−ポリマー結合密度は、P
MMAに比べて、約173と少ないために、金属蒸着膜
の安定性が欠けていると考えられる。
Physioa 52 (7)P、 4795 Ju
ly 81 K、てカルボニル基(−〇〇)(局在電子
により若干(−)に帯電〕が金属−ポリマー結合に寄与
することを提案している。PMMAを構成するモノマー
であるメタクリル酸メチルエステル(分子量−100)
ならびにPCの構成単位である4、4′ジオキシジフェ
ニール2,2プロパンカーボネート(分子量−254)
はそれぞれカルボニル基をそれぞれ一個有している。そ
れゆえ、PCKおける、金属−ポリマー結合密度は、P
MMAに比べて、約173と少ないために、金属蒸着膜
の安定性が欠けていると考えられる。
このため、PCの被蒸着面に、カルボニル基(−C−0
)を強制的に付与する手段として、前述した紫外11(
UV)照射処理やプラズマ処理などが一方では考えられ
る。又、他方、PC内にも、ポリマーマトリックスにお
いて、カルボニル基の付与、すなわち、金属−ポリマー
結合密度の増加が可能であれば、前述した金属光沢の消
失防止が可能となると考えられる。
)を強制的に付与する手段として、前述した紫外11(
UV)照射処理やプラズマ処理などが一方では考えられ
る。又、他方、PC内にも、ポリマーマトリックスにお
いて、カルボニル基の付与、すなわち、金属−ポリマー
結合密度の増加が可能であれば、前述した金属光沢の消
失防止が可能となると考えられる。
前述したように% PCマトリックス中の、カルボニル
基密度を増すことができれば、金属蒸着膜の耐久性を増
すことができると考えられる。このためKは、エステル
結合を有するポリカーボネート、ウレタン結合を有する
ポリカーボネート、あるいは従来型として用いられてい
るビスフェノールAからのポリカーボネートと、ポリエ
チレンテレフタレート、またはポリアクリル酸などを混
合することなどが考えられる。
基密度を増すことができれば、金属蒸着膜の耐久性を増
すことができると考えられる。このためKは、エステル
結合を有するポリカーボネート、ウレタン結合を有する
ポリカーボネート、あるいは従来型として用いられてい
るビスフェノールAからのポリカーボネートと、ポリエ
チレンテレフタレート、またはポリアクリル酸などを混
合することなどが考えられる。
我々は、カルボニル基密度向上のため、従来合成法の延
長で、かつ、安価、安定供給可能な新規な光ディスク用
PC材料として、PC合成時の分子量調節材として、サ
リチル酸エステル類を用いて得たポリカーボネートを単
体、もしくは、従来のビスフェノールAポリカーボネー
トに混合することで達成できるとの結論に達した。
長で、かつ、安価、安定供給可能な新規な光ディスク用
PC材料として、PC合成時の分子量調節材として、サ
リチル酸エステル類を用いて得たポリカーボネートを単
体、もしくは、従来のビスフェノールAポリカーボネー
トに混合することで達成できるとの結論に達した。
以下に、本発明の一実施例を図面等をσr用しながら説
明する。
明する。
第1図において、1は、本発明の対象となる射出成形品
で、情報トラックや、ビット形成された透明プラスチッ
クからなるレプリカ、2は、このレプリカ1上に形成さ
れた薄膜、5は、該薄膜2の傷付き防止として形成した
保護膜である。
で、情報トラックや、ビット形成された透明プラスチッ
クからなるレプリカ、2は、このレプリカ1上に形成さ
れた薄膜、5は、該薄膜2の傷付き防止として形成した
保護膜である。
以乍の実施例では、いずれも、レプリカ1の成形は、樹
脂温度340℃、金型表面温度110 ’C1射出速度
1001.冷却時間10秒で行なった。このレプリカ1
上に、A1を含めた各種金属薄膜、牛導体薄膜等の薄F
M2、を形成したのち、紫外線硬化樹脂からなる保護膜
3を形成(厚さ〜5μm)した。
脂温度340℃、金型表面温度110 ’C1射出速度
1001.冷却時間10秒で行なった。このレプリカ1
上に、A1を含めた各種金属薄膜、牛導体薄膜等の薄F
M2、を形成したのち、紫外線硬化樹脂からなる保護膜
3を形成(厚さ〜5μm)した。
従来型レプリカ材料として、粘度平均分子量約18.0
00ノボリカーホネート(H4000:三菱ガス化学製
)を用いてレプリカ成形し、光反射膜として、幻を約1
00OA蒸着形成し、ディスク試料を得た。
00ノボリカーホネート(H4000:三菱ガス化学製
)を用いてレプリカ成形し、光反射膜として、幻を約1
00OA蒸着形成し、ディスク試料を得た。
この試料を、80℃・95%RH,60℃・95%RH
,40℃・95%R)1雰囲気にそれぞれ放置した結果
、それぞれ、約10時間、300時間、 4000時間
で金属光沢が失なわれた。分光光度計によって光線透過
率を測定したところ、初期透過率0%のものが、1〜1
0%の透光性を有するものに変り、反射率が低下する状
態になった。(下記第1表の比較例1) 第 1 表 次に、前記、ポリカーボネー) (H4000、以下、
A成分とする)釦、サリチル酸エステルで末端停止され
たビスフェノールAポリカーボネート(粘度平均分子量
約1600:以下B成分とする)を混合し、レプリカ成
形した。この後、A1蒸着、保護膜形成して、ディスク
試料を得、80℃、95%RHの雰囲気に投入し、金属
光沢が失なわれるまでの時間を求めた。
,40℃・95%R)1雰囲気にそれぞれ放置した結果
、それぞれ、約10時間、300時間、 4000時間
で金属光沢が失なわれた。分光光度計によって光線透過
率を測定したところ、初期透過率0%のものが、1〜1
0%の透光性を有するものに変り、反射率が低下する状
態になった。(下記第1表の比較例1) 第 1 表 次に、前記、ポリカーボネー) (H4000、以下、
A成分とする)釦、サリチル酸エステルで末端停止され
たビスフェノールAポリカーボネート(粘度平均分子量
約1600:以下B成分とする)を混合し、レプリカ成
形した。この後、A1蒸着、保護膜形成して、ディスク
試料を得、80℃、95%RHの雰囲気に投入し、金属
光沢が失なわれるまでの時間を求めた。
この結果、上記第1表に示されているよう釦、B成分が
15wt%のものでは約20時間(実施例1)。
15wt%のものでは約20時間(実施例1)。
B成分が30wt%のものでは約40時rwJ(実施例
2)。
2)。
B成分が45urt%のものでは約60時間(実施例3
)と従来のものに比べて数倍の改善を得た。
)と従来のものに比べて数倍の改善を得た。
ここく、前記人成分およびB成分として、次の化学式を
有する組成物をあげることができる。
有する組成物をあげることができる。
(ここで、n k 10以上の整数)
Hi
(ここで、m−1以上の整数、 R+ 、 R2はアル
キル基およびアリル基とその誘導体)本発明によるB成
分の役割は、実質的にPC基板表面のカルボニル基密度
を増したものであるが、その分子量がA成分に比べて小
さく、耐熱性の低酸が考えられる。ここで、比較例及び
実施例で得たレプリカ1の耐熱性指標となるガラス転移
点(Tg)を走査熱量計(DSC)によって求めた。
キル基およびアリル基とその誘導体)本発明によるB成
分の役割は、実質的にPC基板表面のカルボニル基密度
を増したものであるが、その分子量がA成分に比べて小
さく、耐熱性の低酸が考えられる。ここで、比較例及び
実施例で得たレプリカ1の耐熱性指標となるガラス転移
点(Tg)を走査熱量計(DSC)によって求めた。
その結果、第2図のグラフαで示されているように、従
来型ではTg−135℃、B成分15wt%ではB成分
の混合が大きくなるにつれて低下することがわかった。
来型ではTg−135℃、B成分15wt%ではB成分
の混合が大きくなるにつれて低下することがわかった。
しかし、光ディスクの実用領域温度(例えば車載時)の
上限が一般に90℃であることを考慮すれば1本実施例
の範囲では充分にその性能を満足できる。
上限が一般に90℃であることを考慮すれば1本実施例
の範囲では充分にその性能を満足できる。
以上のように1分子f、J節剤として、エステル基を有
したフェノール、すなわち、サリチル酸エステル類によ
って、PC末端停止を行なうことKより、ビスフェノー
ルAポリカーボネート本来の耐熱性、低吸水性。
したフェノール、すなわち、サリチル酸エステル類によ
って、PC末端停止を行なうことKより、ビスフェノー
ルAポリカーボネート本来の耐熱性、低吸水性。
光学特性、材料価格を損うことなく、カルボニル基の導
入が図れる。また、従来型PC(飽和炭化水素により末
端停止されたもの)K、エステル基により末端停止した
ビスフェノール人ポリカーボネートをブレンドしてもそ
の効果が達成できる。
入が図れる。また、従来型PC(飽和炭化水素により末
端停止されたもの)K、エステル基により末端停止した
ビスフェノール人ポリカーボネートをブレンドしてもそ
の効果が達成できる。
また、安価・大量に重合可能であれば、ビスフェノール
人の滑格構造のイングロビル基、もしくは、フェニル基
に、カルボニル基を有する分子で置換したものでも本発
明の効果は達成される。
人の滑格構造のイングロビル基、もしくは、フェニル基
に、カルボニル基を有する分子で置換したものでも本発
明の効果は達成される。
さらに1本実施例では、ベース(Base)ポリマーと
して、従来型ポリカーボネート(A成分)に、B成分を
配合したが、射出成形時の流動性を調節する意味で、A
成分の粘度平均分子量を調整しても、本発明の効果は変
らない。また、光ディスクとしての光学特性、耐久性を
損なわない限り、加熱老化防止剤、紫外線吸収剤、滑剤
等の添加が出来ることは云うまでもない。
して、従来型ポリカーボネート(A成分)に、B成分を
配合したが、射出成形時の流動性を調節する意味で、A
成分の粘度平均分子量を調整しても、本発明の効果は変
らない。また、光ディスクとしての光学特性、耐久性を
損なわない限り、加熱老化防止剤、紫外線吸収剤、滑剤
等の添加が出来ることは云うまでもない。
さらに、本実施例では、主にA1反射膜について述べた
が、金属−ポリマー結合によって、安定化する。他の薄
膜材料、例えば、Ni 、 Cr、 Cu。
が、金属−ポリマー結合によって、安定化する。他の薄
膜材料、例えば、Ni 、 Cr、 Cu。
等の金属、または、記録・再生可能なメモリー膜として
のカルコゲナイド化合物、例えばT、0工+Se−sb
−Bi等についても、B成分混合の効果がある。
のカルコゲナイド化合物、例えばT、0工+Se−sb
−Bi等についても、B成分混合の効果がある。
〔発明の効果〕
本発明によれば、プラスチック基板上く形成した健康の
耐、久性が向上できるので、長期的信頼性の高い光ディ
スクを提供することが出来る。
耐、久性が向上できるので、長期的信頼性の高い光ディ
スクを提供することが出来る。
第1図は、本発明の対象とする光ディスクの部分断面図
、第2図は、本発明の実施例によりて得られた効果を表
した図である0 1;レプリカ、2:薄膜、3:保護膜。 第 I 7
、第2図は、本発明の実施例によりて得られた効果を表
した図である0 1;レプリカ、2:薄膜、3:保護膜。 第 I 7
Claims (1)
- (1)光学的に情報記録・再生可能な光ディスクにおい
て、メモリ膜担体となる透明な熱可塑性樹脂基板が、次
式によって示される樹脂組成物、すなわち、 A:▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでn=10以上の整数) B:▲数式、化学式、表等があります▼ (ここでm=1以上の整数、R_1、 R_2はアルキル基およびアリル基 とその誘導体) A+B=400重量部、 10<B<45重量部 の範囲で混合された物から構成されていることを特徴と
する光学式情報記録担体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62009829A JPS63179301A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 光学式情報記録担体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62009829A JPS63179301A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 光学式情報記録担体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63179301A true JPS63179301A (ja) | 1988-07-23 |
Family
ID=11731018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62009829A Pending JPS63179301A (ja) | 1987-01-21 | 1987-01-21 | 光学式情報記録担体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63179301A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5696222A (en) * | 1995-09-19 | 1997-12-09 | Teijin Limited | Process for the production of polycarbonate |
US6620902B2 (en) | 2001-07-17 | 2003-09-16 | General Electric Company | Process for preparing polycarbonate and apparatus for preparing polycarbonate |
-
1987
- 1987-01-21 JP JP62009829A patent/JPS63179301A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5696222A (en) * | 1995-09-19 | 1997-12-09 | Teijin Limited | Process for the production of polycarbonate |
US6620902B2 (en) | 2001-07-17 | 2003-09-16 | General Electric Company | Process for preparing polycarbonate and apparatus for preparing polycarbonate |
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