JPS63178432A - イオン・ビ−ム銃 - Google Patents
イオン・ビ−ム銃Info
- Publication number
- JPS63178432A JPS63178432A JP62009768A JP976887A JPS63178432A JP S63178432 A JPS63178432 A JP S63178432A JP 62009768 A JP62009768 A JP 62009768A JP 976887 A JP976887 A JP 976887A JP S63178432 A JPS63178432 A JP S63178432A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- ion beam
- plasma
- container
- electrode
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 9
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract description 5
- 230000005465 channeling Effects 0.000 abstract description 2
- 239000008710 crystal-8 Substances 0.000 abstract 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はイオン・ビーム露光用の大面積平行イオン・ビ
ーム銃の構造に関する。
ーム銃の構造に関する。
従来、イオン・ビーム銃は、極めて細いW線先端から細
いイオン・ビームを放射する構造をとるのが通例であっ
た。
いイオン・ビームを放射する構造をとるのが通例であっ
た。
しかし、上記従来技術によると、大面積で大イオン電流
かつ平行性の良いイオン・ビームを得るのが困蝋であり
、イオン・ビーム露光をステップ・アンド・リピートで
行なう際に、生産性が劣るという問題点があった。
かつ平行性の良いイオン・ビームを得るのが困蝋であり
、イオン・ビーム露光をステップ・アンド・リピートで
行なう際に、生産性が劣るという問題点があった。
本発明は、かかる従来技術の問題点をなくし、大面積で
大イオン電流が得られ、且つ平行性の良いイオン・ビー
ム銃の構造を提供する事を目的とする。
大イオン電流が得られ、且つ平行性の良いイオン・ビー
ム銃の構造を提供する事を目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明は、イオン・ビー
ム銃に関し、少くともガス・プラズマ室からの平行イオ
ン・ビーム引出し口には単結晶材料膜を設ける手段をと
る。
ム銃に関し、少くともガス・プラズマ室からの平行イオ
ン・ビーム引出し口には単結晶材料膜を設ける手段をと
る。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第1図は本発明の実施例を示す大口径イオン・ビーム銃
構造を示す模式図である。すなわち、石英又はアルミナ
から成るプラズマ容器1には、高周波をプラズマ容器内
ガスに印加するRIF電極2がa y 電615と連結
されて投首されると共に、ガス導入口4と内部圧力を低
下させる真空引きのための真空引口5に設置され、更に
、プラズマ容器1内には、プラズマ中のイオンを加速す
るためのアルミニウム等から成るiIO速電極電極6J
O速電源7と連結して設けられ、該加速電極に対向して
、例えば1μm厚程度の81単結晶暎等から成る単結晶
膜8が貼付けられて成り、該単結晶膜8からは、プラズ
マ容器内からのカロ速されたイオンが単結晶格子により
、一方向に整列されて、いわゆるチャンネリング現象に
より引出されて成る。尚引出されたイオンを更に加速す
る事も可能である。
構造を示す模式図である。すなわち、石英又はアルミナ
から成るプラズマ容器1には、高周波をプラズマ容器内
ガスに印加するRIF電極2がa y 電615と連結
されて投首されると共に、ガス導入口4と内部圧力を低
下させる真空引きのための真空引口5に設置され、更に
、プラズマ容器1内には、プラズマ中のイオンを加速す
るためのアルミニウム等から成るiIO速電極電極6J
O速電源7と連結して設けられ、該加速電極に対向して
、例えば1μm厚程度の81単結晶暎等から成る単結晶
膜8が貼付けられて成り、該単結晶膜8からは、プラズ
マ容器内からのカロ速されたイオンが単結晶格子により
、一方向に整列されて、いわゆるチャンネリング現象に
より引出されて成る。尚引出されたイオンを更に加速す
る事も可能である。
本発明の如く、単結晶材料膜からのイオン・ビーム引出
し方式を用いることにより、方向が整列されたイオンが
大電流で且つ大口径で引出すことが出来る効果がある。
し方式を用いることにより、方向が整列されたイオンが
大電流で且つ大口径で引出すことが出来る効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す大口径イオン・ビーム
銃構造の模式図である。 1・・・・・・・・・プラズマ容器 2・・・・・・・・・RF電極 3・・・・・・・・・R7電源 4・・・・・・・・・ガス導入口 5・・・・・・・・・真空引口 6・・・・・・・・・加速′電極 7・・・・・・・・・加速′は源 8・・・・・・・・・単結晶膜 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務(他1名)パ ・、L′シ
銃構造の模式図である。 1・・・・・・・・・プラズマ容器 2・・・・・・・・・RF電極 3・・・・・・・・・R7電源 4・・・・・・・・・ガス導入口 5・・・・・・・・・真空引口 6・・・・・・・・・加速′電極 7・・・・・・・・・加速′は源 8・・・・・・・・・単結晶膜 以 上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上務(他1名)パ ・、L′シ
Claims (1)
- 少くともガス、プラズマ室からの平行イオン・ビーム引
出し口には単結晶材料膜が設けられている事を特徴とす
るイオン・ビーム銃。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62009768A JPS63178432A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | イオン・ビ−ム銃 |
KR1019870011307A KR930001889B1 (ko) | 1986-10-13 | 1987-10-13 | 이온빔 노출마스크 |
US07/107,424 US4902897A (en) | 1986-10-13 | 1987-10-13 | Ion beam gun and ion beam exposure device |
KR1019920019579A KR930001433B1 (ko) | 1986-10-13 | 1992-10-23 | 이온 빔 총 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62009768A JPS63178432A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | イオン・ビ−ム銃 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63178432A true JPS63178432A (ja) | 1988-07-22 |
Family
ID=11729445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62009768A Pending JPS63178432A (ja) | 1986-10-13 | 1987-01-19 | イオン・ビ−ム銃 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63178432A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007143530A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Iseki & Co Ltd | コンバインの排出装置 |
US8073094B2 (en) * | 2007-10-24 | 2011-12-06 | Nassim Haramein | Device and method for simulation of magnetohydrodynamics |
US20120223643A1 (en) * | 2007-10-24 | 2012-09-06 | Nassim Haramein | Plasma Flow Interaction Simulator |
-
1987
- 1987-01-19 JP JP62009768A patent/JPS63178432A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007143530A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Iseki & Co Ltd | コンバインの排出装置 |
US8073094B2 (en) * | 2007-10-24 | 2011-12-06 | Nassim Haramein | Device and method for simulation of magnetohydrodynamics |
US8130893B2 (en) * | 2007-10-24 | 2012-03-06 | Nassim Haramein | Device and method for stimulation of magnetohydrodynamics |
US20120223643A1 (en) * | 2007-10-24 | 2012-09-06 | Nassim Haramein | Plasma Flow Interaction Simulator |
US8933595B2 (en) * | 2007-10-24 | 2015-01-13 | Nassim Haramein | Plasma flow interaction simulator |
US9497844B2 (en) | 2007-10-24 | 2016-11-15 | Torus Tech Llc | Plasma flow interaction simulator |
US9949355B2 (en) | 2007-10-24 | 2018-04-17 | Torus Tech, Llc | Plasma flow interaction simulator |
US10869380B2 (en) | 2007-10-24 | 2020-12-15 | Torus Tech, Inc. | Plasma flow interaction simulator |
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