JPS63176107A - セラミツクハニカム押出用ダイス - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はセラミックハニカム押出用のダイスに係り、特
に簡単かつ短時間でスリットの溝幅を設定可能なダイス
に関するものである。

（従来の技術） 従来のセラミックハニカム押出用のダイスでは、ハニカ
ム構造体のセル厚を規定する格子状のスリット溝の幅を
設定するにあたり、スリット表面に金属等のメッキ層を
設けてスリットの溝幅を調整していた。すなわち、所望
の幅より厚いスリット溝の幅を有するダイス本体の溝間
に、例えばニッケル等の金属単体からなる無電解メッキ
をスリット表面に施してスリットの溝幅を調整していた
。

（特公昭６１−３９１６７号公報） このようにして得られたダイスは、セラミックハニカム
の押出成形に用いられ、無電解メッキ層がセラミック原
料（坏土）で摩耗した場合、再度メッキ加工によりダイ
スを再生し繰返し押出成形に用いられる。

ダイスの寿命を延ばすには、メッキ層の耐摩耗性を向上
すればよいが、通常の無電解メッキでは、遷元剤の種類
を変えたり、メッキ層の熱処理により耐摩耗性はある程
度向上するが、主成分がニッケルであるので自ずとＢ艮
界があった。

無電解メッキの耐摩耗性を向上させる方法としては、特
公昭４７−２４８５７号公報に開示されているように耐
摩耗性粒子を分散させた無電解メッキ液により被金属加
工物の表面に耐摩耗性粒子をメッキ層に分散させた複合
メッキ層を施すことが知られている。

（発明が解決しようとする問題点） 上述した複合メッキ層をダイスに適用すると高耐摩耗性
の要求は満たずことができるものの、以下のような欠点
があった。

まず、例えば炭化珪素等の耐摩耗性粒子を金属基体中に
分散させた複合メッキだけでメッキ層を形成すると、メ
ッキ層摩耗後の再生時にメッキ層を全部除去して無電解
複合メッキをやり直す必要があるが、このとき炭化珪素
等の耐摩耗性粒子がスリット表面等に固着してしまい高
圧水で除去する等の手段を必要としたり、強制的に耐摩
耗性粒子を除くと金属母体に傷を残す問題があった。゛
また、無電解の複合メッキは金属単体の無電解メッキと
比較して約２〜３倍の時間がかかる欠点があると七もに
、再生使用を繰り返すことによってスリット表面がけず
られて無電解複合メッキすべきメッキ量がさらに多くな
った場合さらに時間がかかってしまう欠点もあった。

本発明の目的は上述した不具合を解消して、簡単かつ短
時間で高耐摩耗性のスリットを形成できる構造のセラミ
ックハニカム押出用ダイスを提供しようとするものであ
る。

（問題点を解決するための手段） 本発明のセラミックハニカム押出用ダイスは、ハニカム
構造体のセル壁厚を規定する所定寸法幅のスリットを格
子状に有するセラミックハニカム押出用ダイスにおいて
、スリット表面に設けた無電解メッキ層とその上の耐摩
耗性粒子を分散させた：頃合メッキ層との二層構造によ
り、スリットの寸７上幅を現定することを特徴とするも
のである。

（作　用） 上述した構成において、スリット表面にまず析出速度が
大きい金属単体の無電解メッキを施した後、その上に炭
化珪素、タングステン等の耐摩耗性粒子をニッケル等の
金属基体中に分散させた無電解複合メッキを施した二層
構造によりスリットの溝幅を調整しているため、複合メ
ッキのみでメッキ層全体を形成したときに比べて非常に
短時間でスリット溝の幅を２１できるとともに、坏土と
接する面は複合メッキ層となるため高耐摩耗性をも達成
できる。さらに、スリット母体の表面と接触する面は金
属の無電解メッキ層で構成されるため、メッキ層摩耗後
の再生時にメッキ層を全部除去する際炭化珪素等の耐摩
耗性粒子のスリット母体表面への固着も有効に防止する
ことができる。

また、複合メッキ層がニッケルの基層に炭化珪素または
タングステンの耐摩耗性粒子を分散させてなるととらに
無電解メッキ層がニッケルからなると、各層間の接着が
良好であるとともに炭化珪素、タングステンよりなる粒
子は耐摩耗性能が良好なため好ましい。

さらに、複合メッキ層の厚さを、坏土押出によるメッキ
層の摩耗量に対応する厚さとすると、二層構造を最短時
間で作製できるとともに再生時まで常に表面を複合メッ
キ層にすることができるため好ましい。

（実施例） 第１図は本発明のセラミックハニカム押出用ダイスの一
実施例を示す断面図である。第１図では押出成形用口金
１とこの押出成形用口金１の下流側に設けたグイマスク
２とよりなるダイス３を示しており、このダイス３の成
形材料供給孔４からセラミック坏土を供給してさらに格
子状に形成されたスリット５を通してハニカムのセルを
形成するとともに、その後のグイマスク２の通過時にハ
ニカムの外壁を形成してハニカム構造体を得ている。そ
のため、スリット５の溝幅がハニカム構造体のセル壁厚
を規定することになり、本発明では各スリット５の溝幅
の調整を、その表面に形成したｊｌ電解メッキ層と複合
メッキ層とからなる二層構造のメッキ層６により形成し
ている。

すなわち、第２図にメッキ層６の詳細を示すように、ス
リット５表面の無電解メッキ層７とこの無電解メッキ層
７上に形成した複合メッキ層８との二層構造によりメッ
キ層６を形成して、このメッキ層６によりスリット５の
溝幅ｔを決定している。そのため、メッキ層６の厚さが
厚いほど溝幅ｔが小さくなる。ここで、無電解メッキ層
７の材質としては無電解メッキ可能な金属であれば何で
も使用できるが、押出成形用口金１との接着性の良いニ
ッケル等を１吏用すると好適である。また、複合メッキ
層８は、無電解メッキ可能な金属の基層に耐摩耗性粒子
を分散して耐摩耗性をもつよう構成されており、基層の
材料としては無電解メッキ可能な金属であれば何でも使
用できるが無電解メッキ層７との接着性をよくするため
無電解メッキ層７の材料と同一の材料を使用すると好適
である。さらに、耐摩耗性粒子としては耐摩耗性の良好
なセラミックスや金属＋′／ｌ′Ｎ特に炭化珪素、タン
グステンを使用すると好適である。

上述した二層構造を形成するには、まずスリット５の表
面に通常１３μｍ／ｈｒと析出速度の速い金属単体の無
電解メッキを実施して無電解メッキ層７を形成する。次
に、得られた無電解メッキ層７上に４〜７μｍ／ｈｒと
析出速度の遅い複合メッキを実施して複合メッキ層８を
形成する。そのため、メッキ層６全体を複合メッキ層で
構成した場合と比較して、メッキ層６を短時間で形成す
ることができる。−例として、スリット５の溝幅ｔが領
１〜０．２側程度のものでは、メｌキ賢６は４０μｍ程
度必要である。再生をメッキＢ６が１５μｍ摩耗した場
合に実施する場合、無電解メッキ層７を２５μｍとする
とともに複合メッキＢ８を１５μｍのメッキ層をスリッ
ト５に施すと、再生時までスリット５の表面は常に複合
メッキ層８が残るため好適である。

本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく
、幾多の変形、変更が可能である。例えば、上述した実
施例ではメッキ層６をスリット５の表面全体に形成しま
た例を示したが、メッキ層６は少なくとも坏土出口で所
定の幅ｔををしていればその内部の形状はどのようなも
のであってもよい。

（発明の効果） 以上詳細に説明したところから明らかなように、本発明
のセラミックハニカム押出用ダイスによれば、スリット
の溝幅を規定するメッキ層を無電解メッキ層と複合メッ
キ層との二層構造としているため、簡単かつ短時間でメ
ッキ層による溝幅の調整を行なうことができるとともに
、再生時にも耐摩耗性粒子のスリット５表面等への固着
を防止でき再生作業を簡単に実施することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のセラミックハニカム押出用ダイスの一
実施例を示す断面図、 第２図は本発明の要部を拡大して示す断面図である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ハニカム構造体のセル壁厚を規定する所定寸法幅の
   スリットを格子状に有するセラミックハニカム押出用ダ
   イスにおいて、スリット表面に設けた無電解メッキ層と
   その上の耐摩耗性粒子を分散させた複合メッキ層との二
   層構造により、スリットの寸法幅を規定することを特徴
   とするセラミックハニカム押出用ダイス。 ２、前記複合メッキ層がニッケルの基層に炭化珪素また
   はタングステンの耐摩耗性粒子を分散させてなるととも
   に、前記無電解メッキ層がニッケルからなる特許請求の
   範囲第１項記載のセラミックハニカム押出用ダイス。 ３、前記複合メッキ層の厚さを、坏土押出によるメッキ
   層の再生時までの摩耗量に対応する厚さとする特許請求
   の範囲第１項記載のセラミックハニカム押出用ダイス。