JPH0579002B2 - - Google Patents
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- JPH0579002B2 JPH0579002B2 JP62008333A JP833387A JPH0579002B2 JP H0579002 B2 JPH0579002 B2 JP H0579002B2 JP 62008333 A JP62008333 A JP 62008333A JP 833387 A JP833387 A JP 833387A JP H0579002 B2 JPH0579002 B2 JP H0579002B2
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P15/00—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
- B23P15/24—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass dies
- B23P15/243—Honeycomb dies
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28B—SHAPING CLAY OR OTHER CERAMIC COMPOSITIONS; SHAPING SLAG; SHAPING MIXTURES CONTAINING CEMENTITIOUS MATERIAL, e.g. PLASTER
- B28B3/00—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor
- B28B3/20—Producing shaped articles from the material by using presses; Presses specially adapted therefor wherein the material is extruded
- B28B3/26—Extrusion dies
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- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミツクハニカム押出用のダイスに
係り、特に簡単かつ短時間でスリツトの溝幅を設
定可能なダイスに関するものである。
係り、特に簡単かつ短時間でスリツトの溝幅を設
定可能なダイスに関するものである。
（従来の技術）
従来のセラミツクハニカム押出用のダイスで
は、ハニカム構造体のセル厚を規定する格子状の
スリツト溝の幅を設定するにあたり、スリツト表
面に金属等のメツキ層を設けてスリツトの溝幅を
調整していた。すなわち、所望の幅より厚いスリ
ツト溝の幅を有するダイス本体の溝間に、例えば
ニツケル等の金属単体からなる無電解メツキをス
リツト表面に施してスリツトの溝幅を調整してい
た。（特公昭61−39167号公報） このようにして得られたダイスは、セラミツク
ハニカムの押出成形に用いられ、無電解メツキ層
がセラミツク原料（坏土）で摩耗した場合、残存
するメツキ層を除去し再度メツキ加工によりダイ
スを再生し繰返し押出成形に用いられる。
は、ハニカム構造体のセル厚を規定する格子状の
スリツト溝の幅を設定するにあたり、スリツト表
面に金属等のメツキ層を設けてスリツトの溝幅を
調整していた。すなわち、所望の幅より厚いスリ
ツト溝の幅を有するダイス本体の溝間に、例えば
ニツケル等の金属単体からなる無電解メツキをス
リツト表面に施してスリツトの溝幅を調整してい
た。（特公昭61−39167号公報） このようにして得られたダイスは、セラミツク
ハニカムの押出成形に用いられ、無電解メツキ層
がセラミツク原料（坏土）で摩耗した場合、残存
するメツキ層を除去し再度メツキ加工によりダイ
スを再生し繰返し押出成形に用いられる。
ダイスの寿命を延ばすには、メツキ層の耐摩耗
性を向上すればよいが、通常の無電解メツキで
は、還元剤の種類を変えたり、メツキ層の熱処理
により耐摩耗性はある程度向上するが、主成分が
ニツケルである場合、自ずと限界があつた。
性を向上すればよいが、通常の無電解メツキで
は、還元剤の種類を変えたり、メツキ層の熱処理
により耐摩耗性はある程度向上するが、主成分が
ニツケルである場合、自ずと限界があつた。
無電解メツキの耐摩耗性を向上させる方法とし
ては、特公昭47−24857号公報に開示されている
ように耐摩耗性粒子を分散させた無電解メツキ液
により被金属加工物の表面に耐摩耗性粒子をメツ
キ層に分散させた複合メツキ層を施すことが知ら
れている。
ては、特公昭47−24857号公報に開示されている
ように耐摩耗性粒子を分散させた無電解メツキ液
により被金属加工物の表面に耐摩耗性粒子をメツ
キ層に分散させた複合メツキ層を施すことが知ら
れている。
（発明が解決しようとする問題点）
上述した複合メツキ層をダイスに適用すると高
耐摩耗性の要求は満たすことができるものの、以
下のような欠点があつた。
耐摩耗性の要求は満たすことができるものの、以
下のような欠点があつた。
まず、例えば炭化珪素等の耐摩耗性粒子を金属
基体中に分散させた複合メツキだけでメツキ層を
形成すると、メツキ層摩耗後の再生時にメツキ層
を全部除去して無電解複合メツキをやり直す必要
があるが、このとき炭化珪素等の耐摩耗性粒子が
スリツト表面等に固着してしまい高圧水で除去す
る等の手段を必要としたり、強制的に耐摩耗性粒
子を除くと金属母体に傷を残す問題があつた。
基体中に分散させた複合メツキだけでメツキ層を
形成すると、メツキ層摩耗後の再生時にメツキ層
を全部除去して無電解複合メツキをやり直す必要
があるが、このとき炭化珪素等の耐摩耗性粒子が
スリツト表面等に固着してしまい高圧水で除去す
る等の手段を必要としたり、強制的に耐摩耗性粒
子を除くと金属母体に傷を残す問題があつた。
また、無電解の複合メツキは析出速度が遅いた
め、耐摩耗性粒子を含まない金属単体の無電解メ
ツキと比較して約２〜３倍の時間がかかる欠点が
あるとともに、再生使用を繰り返すことによつて
スリツト表面がけずられて無電解複合メツキすべ
きメツキ量がさらに多くなつた場合さらに時間が
かかつてしまう欠点もあつた。
め、耐摩耗性粒子を含まない金属単体の無電解メ
ツキと比較して約２〜３倍の時間がかかる欠点が
あるとともに、再生使用を繰り返すことによつて
スリツト表面がけずられて無電解複合メツキすべ
きメツキ量がさらに多くなつた場合さらに時間が
かかつてしまう欠点もあつた。
更に、スリツト表面に直接、無電解複合メツキ
を析出させると、スリツトとスリツトの交差部で
あるコーナー部では、析出量がスリツト部より少
なくかつ析出面が凹凸面となる欠点があつた。こ
の理由は、複合メツキには耐摩耗性粒子が分散さ
れているため、母材表面の影響を受け易く均一電
着性が通常の無電解メツキより劣るためと考えら
れる。
を析出させると、スリツトとスリツトの交差部で
あるコーナー部では、析出量がスリツト部より少
なくかつ析出面が凹凸面となる欠点があつた。こ
の理由は、複合メツキには耐摩耗性粒子が分散さ
れているため、母材表面の影響を受け易く均一電
着性が通常の無電解メツキより劣るためと考えら
れる。
本発明の目的は上述した不具合を解消して、簡
単かつ短時間で高耐摩耗性のスリツトを形成でき
る構造のセラミツクハニカム押出用ダイスを提供
しようとするものである。
単かつ短時間で高耐摩耗性のスリツトを形成でき
る構造のセラミツクハニカム押出用ダイスを提供
しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明のセラミツクハニカム押出用ダイスは、
ハニカム構造体のセル壁厚を規定する所定寸法幅
のスリツトを格子状に有するセラミツクハニカム
押出用ダイスにおいて、少なくともスリツト表面
に設けた無電解メツキ層とその上の耐摩耗性粒子
を分散させた複合メツキ層との二層構造により、
スリツトの寸法幅を規定するとともに、前記複合
メツキ層の厚さを、坏土押出によるメツキ層の再
生時までの摩耗量に対応する厚さとすることを特
徴とするものである。
ハニカム構造体のセル壁厚を規定する所定寸法幅
のスリツトを格子状に有するセラミツクハニカム
押出用ダイスにおいて、少なくともスリツト表面
に設けた無電解メツキ層とその上の耐摩耗性粒子
を分散させた複合メツキ層との二層構造により、
スリツトの寸法幅を規定するとともに、前記複合
メツキ層の厚さを、坏土押出によるメツキ層の再
生時までの摩耗量に対応する厚さとすることを特
徴とするものである。
（作用）
上述した構成において、少なくともスリツト表
面にまず析出速度が大きい金属単体の無電解メツ
キを施した後、その上に炭化珪素、タングステン
カーバイト等の耐摩耗性粒子をニツケル等の金属
基体中に分散させた無電解複合メツキを施した二
層構造によりスリツトの溝幅を調整しているた
め、複合メツキのみでメツキ層全体を形成したと
きに比べて非常に短時間でスリツト溝の幅を調整
できるとともに、坏土と接する面は複合メツキ層
となるため高耐摩耗性をも達成できる。また、無
電解メツキは均一電着性が良いため、スリツトと
スリツトの交差部であるコーナー部にも、他のス
リツト面と同様に均一な析出層が形成される。し
たがつて複合メツキ層も均一な析出をして、均一
なスリツト幅のダイスが得られる。さらに、スリ
ツト母体の表面と接触する面は金属の無電解メツ
キ層で構成されるため、メツキ層摩耗後の再生時
にメツキ層を全部除去する際炭化珪素等の耐摩耗
性粒子のスリツト母体表面への固着も有効に防止
することができる。
面にまず析出速度が大きい金属単体の無電解メツ
キを施した後、その上に炭化珪素、タングステン
カーバイト等の耐摩耗性粒子をニツケル等の金属
基体中に分散させた無電解複合メツキを施した二
層構造によりスリツトの溝幅を調整しているた
め、複合メツキのみでメツキ層全体を形成したと
きに比べて非常に短時間でスリツト溝の幅を調整
できるとともに、坏土と接する面は複合メツキ層
となるため高耐摩耗性をも達成できる。また、無
電解メツキは均一電着性が良いため、スリツトと
スリツトの交差部であるコーナー部にも、他のス
リツト面と同様に均一な析出層が形成される。し
たがつて複合メツキ層も均一な析出をして、均一
なスリツト幅のダイスが得られる。さらに、スリ
ツト母体の表面と接触する面は金属の無電解メツ
キ層で構成されるため、メツキ層摩耗後の再生時
にメツキ層を全部除去する際炭化珪素等の耐摩耗
性粒子のスリツト母体表面への固着も有効に防止
することができる。
また、複合メツキ層がニツケルの基層に炭化珪
素またはタングステンカーバントの耐摩耗性粒子
を分散させてなるとともに無電解メツキ層がニツ
ケルからなると、各層間の接着が良好であるとと
もに炭化珪素、タングステンカーバイトよりなる
粒子は耐摩耗性能が良好なため好ましい。
素またはタングステンカーバントの耐摩耗性粒子
を分散させてなるとともに無電解メツキ層がニツ
ケルからなると、各層間の接着が良好であるとと
もに炭化珪素、タングステンカーバイトよりなる
粒子は耐摩耗性能が良好なため好ましい。
さらに、複合メツキ層の厚さを、坏土押出によ
るメツキ層の摩耗量に対応する厚さとすると、二
層構造を最短時間で作製できるとともに再生時ま
で常に表面を複合メツキ層にすることができるた
め好ましい。
るメツキ層の摩耗量に対応する厚さとすると、二
層構造を最短時間で作製できるとともに再生時ま
で常に表面を複合メツキ層にすることができるた
め好ましい。
（実施例）
第１図は本発明のセラミツクハニカム押出用ダ
イスの一実施例を示す断面図である。第１図では
ダイス１とこのダイス１の下流側に設けたダイマ
スク２とよりなるダイス装置３を示しており、こ
のダイス１の成形材料供給孔４からセラミツク坏
土を供給してさらに格子状に形成されたスリツト
５を通してハニカムのセルを形成するとともに、
その後のダイマスク２の通過時にハニカムの外壁
を形成してハニカム構造体を得ている。そのた
め、スリツト５の溝幅がハニカム構造体のセル壁
厚を規定することになり、本発明では各スリツト
５の溝幅の調整を、その表面に形成した無電解メ
ツキ層と複合メツキ層とからなる二層構造のメツ
キ層６により形成している。
イスの一実施例を示す断面図である。第１図では
ダイス１とこのダイス１の下流側に設けたダイマ
スク２とよりなるダイス装置３を示しており、こ
のダイス１の成形材料供給孔４からセラミツク坏
土を供給してさらに格子状に形成されたスリツト
５を通してハニカムのセルを形成するとともに、
その後のダイマスク２の通過時にハニカムの外壁
を形成してハニカム構造体を得ている。そのた
め、スリツト５の溝幅がハニカム構造体のセル壁
厚を規定することになり、本発明では各スリツト
５の溝幅の調整を、その表面に形成した無電解メ
ツキ層と複合メツキ層とからなる二層構造のメツ
キ層６により形成している。
すなわち、第２図にメツキ層６の詳細に示すよ
うに、少なくともスリツト５表面の無電解メツキ
層７とこの無電解メツキ層７上に形成した複合メ
ツキ層８との二層構造によりメツキ層６を形成し
て、このメツキ層６によりスリツト５の溝幅ｔを
決定している。そのため、メツキ層６の厚さが厚
いほど溝幅ｔが小さくなる。ここで、無電解メツ
キ層７の材質としては無電解メツキ可能な金属で
あれば何でも使用できるが、通常、鋼材よりなる
ダイス１との接着性の良いニツケル等を使用する
と好適である。また、複合メツキ層８は、無電解
メツキ可能な金属の基層に耐摩耗性粒子を分散し
て耐摩耗性をもつよう構成されており、基層の材
料としては無電解メツキ可能な金属であれば何で
も使用できるが無電解メツキ層７との接着性をよ
くするため無電解メツキ層７の材料と同一の材料
を使用すると好適である。さらに、耐摩耗性粒子
としては耐摩耗性の良好なセラミツクス特に炭化
珪素、タングステンカーバイトを使用すると好適
である。
うに、少なくともスリツト５表面の無電解メツキ
層７とこの無電解メツキ層７上に形成した複合メ
ツキ層８との二層構造によりメツキ層６を形成し
て、このメツキ層６によりスリツト５の溝幅ｔを
決定している。そのため、メツキ層６の厚さが厚
いほど溝幅ｔが小さくなる。ここで、無電解メツ
キ層７の材質としては無電解メツキ可能な金属で
あれば何でも使用できるが、通常、鋼材よりなる
ダイス１との接着性の良いニツケル等を使用する
と好適である。また、複合メツキ層８は、無電解
メツキ可能な金属の基層に耐摩耗性粒子を分散し
て耐摩耗性をもつよう構成されており、基層の材
料としては無電解メツキ可能な金属であれば何で
も使用できるが無電解メツキ層７との接着性をよ
くするため無電解メツキ層７の材料と同一の材料
を使用すると好適である。さらに、耐摩耗性粒子
としては耐摩耗性の良好なセラミツクス特に炭化
珪素、タングステンカーバイトを使用すると好適
である。
また、無電解ニツケルメツキおよび複合ニツケ
ルメツキのメツキ浴組成としては、ニツケルイオ
ンおよび還元剤から主として成る。還元剤として
は次亜燐酸塩又は水素化硼素塩が用いられるが、
本発明においては、析出層が硬いことが望ましい
ので、析出層に燐を含有せしめる次亜燐酸塩を用
いることが好ましい。
ルメツキのメツキ浴組成としては、ニツケルイオ
ンおよび還元剤から主として成る。還元剤として
は次亜燐酸塩又は水素化硼素塩が用いられるが、
本発明においては、析出層が硬いことが望ましい
ので、析出層に燐を含有せしめる次亜燐酸塩を用
いることが好ましい。
上述した二層構造を形成するには、まず少なく
ともスリツト５の表面に通常13μm／hrと析出速
度の速い金属単体の無電解メツキを実施して無電
解メツキ層７を形成する。次に、得られた無電解
メツキ層７上に４〜7μm／hrと析出速度の遅い複
合メツキを実施して複合メツキ層８を形成する。
そのため、メツキ層６全体を複合メツキ層で構成
した場合と比較して、メツキ層６を短時間で形成
することができる。一例として、スリツト５の溝
幅ｔが0.1〜0.2mm程度のものでは、メツキ層６は
40μm程度必要である。再生をメツキ層６が15μm
摩耗した場合に実施する場合、無電解メツキ層７
を25μmとするとともに複合メツキ層８を15μmの
メツキ層をスリツト５に施すと、再生時までスリ
ツト５の表面は常に複合メツキ層８が残るため好
適である。
ともスリツト５の表面に通常13μm／hrと析出速
度の速い金属単体の無電解メツキを実施して無電
解メツキ層７を形成する。次に、得られた無電解
メツキ層７上に４〜7μm／hrと析出速度の遅い複
合メツキを実施して複合メツキ層８を形成する。
そのため、メツキ層６全体を複合メツキ層で構成
した場合と比較して、メツキ層６を短時間で形成
することができる。一例として、スリツト５の溝
幅ｔが0.1〜0.2mm程度のものでは、メツキ層６は
40μm程度必要である。再生をメツキ層６が15μm
摩耗した場合に実施する場合、無電解メツキ層７
を25μmとするとともに複合メツキ層８を15μmの
メツキ層をスリツト５に施すと、再生時までスリ
ツト５の表面は常に複合メツキ層８が残るため好
適である。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるもの
ではなく、幾多の変形、変更が可能である。例え
ば、上述した実施例ではメツキ層６をスリツト５
および成形材料供給孔４の表面全体に形成した例
を示したが、メツキ層６は少なくとも坏土出口で
所定の幅ｔを有していればその内部の形状はどの
ようなものであつてもよい。
ではなく、幾多の変形、変更が可能である。例え
ば、上述した実施例ではメツキ層６をスリツト５
および成形材料供給孔４の表面全体に形成した例
を示したが、メツキ層６は少なくとも坏土出口で
所定の幅ｔを有していればその内部の形状はどの
ようなものであつてもよい。
（発明の効果）
以上詳細に説明したところから明らかなよう
に、本発明のセラミツクハニカム押出用ダイスに
よれば、スリツトの溝幅を規定するメツキ層を無
電解メツキ層と複合メツキ層との二層構造として
いるため、簡単かつ短時間でメツキ層による溝幅
の調整を行なうことができるとともに、再生時に
も耐摩耗性粒子のスリツト５表面等への固着を防
止でき再生作業を簡単に実施することができ更
に、スリツト５の耐摩耗性も向上させることがで
きる。
に、本発明のセラミツクハニカム押出用ダイスに
よれば、スリツトの溝幅を規定するメツキ層を無
電解メツキ層と複合メツキ層との二層構造として
いるため、簡単かつ短時間でメツキ層による溝幅
の調整を行なうことができるとともに、再生時に
も耐摩耗性粒子のスリツト５表面等への固着を防
止でき再生作業を簡単に実施することができ更
に、スリツト５の耐摩耗性も向上させることがで
きる。
第１図は本発明のセラミツクハニカム押出用ダ
イスの一実施例を示す断面図、第２図は本発明の
要部を拡大して示す断面図である。 １……ダイス、２……ダイマスク、３……ダイ
ス装置、４……成形材料供給孔、５……スリツ
ト、６……メツキ層、７……無電解メツキ層、８
……複合メツキ層。
イスの一実施例を示す断面図、第２図は本発明の
要部を拡大して示す断面図である。 １……ダイス、２……ダイマスク、３……ダイ
ス装置、４……成形材料供給孔、５……スリツ
ト、６……メツキ層、７……無電解メツキ層、８
……複合メツキ層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ハニカム構造体のセル壁厚を規定する所定寸
法幅のスリツトを格子状に有するセラミツクハニ
カム押出用ダイスにおいて、少なくともスリツト
表面に設けた無電解メツキ層とその上の耐摩耗性
粒子を分散させた複合メツキ層との二層構造によ
り、スリツトの寸法幅を規定するとともに、前記
複合メツキ層の厚さを、坏土押出によるメツキ層
の再生時までの摩耗量に対応する厚さとすること
を特徴とするセラミツクハニカム押出用ダイス。 ２ 前記複合メツキ層がニツケルの基層に炭化珪
素またはタングステンカーバイトの耐摩耗性粒子
を分散させてなるとともに、前記無電解メツキ層
がニツケルからなる特許請求の範囲第１項記載の
セラミツクハニカム押出用ダイス。
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| JP833387A JPS63176107A (ja) | 1987-01-19 | 1987-01-19 | セラミツクハニカム押出用ダイス |
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